JPS62290155A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS62290155A JPS62290155A JP13348086A JP13348086A JPS62290155A JP S62290155 A JPS62290155 A JP S62290155A JP 13348086 A JP13348086 A JP 13348086A JP 13348086 A JP13348086 A JP 13348086A JP S62290155 A JPS62290155 A JP S62290155A
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- oxide film
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- silicon
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Links
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 38
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Landscapes
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装１の製造方法に関するものである。
本発明は半導体装置の製造方法において、シリコン半導
体基板に溝を形成し、該を背部を熱酸化して酸化シリコ
ン膜を形成し、該酸化シリコン膜をフン酸水溶液などの
液でエツチング除去した後、咳溝部を熱酸化して再び酸
化シリコン膜を形成することにより、欠陥が少なく、高
信幀性の溝形キャパシタを有する半導体装置の製造方法
を提供する。
体基板に溝を形成し、該を背部を熱酸化して酸化シリコ
ン膜を形成し、該酸化シリコン膜をフン酸水溶液などの
液でエツチング除去した後、咳溝部を熱酸化して再び酸
化シリコン膜を形成することにより、欠陥が少なく、高
信幀性の溝形キャパシタを有する半導体装置の製造方法
を提供する。
従来の半導体装置の溝形キャパシタは、シリコン基板に
溝を形成し、咳溝部を熱酸化し、該酸化シリコン膜を誘
電体として用いて来た。
溝を形成し、咳溝部を熱酸化し、該酸化シリコン膜を誘
電体として用いて来た。
かかる従来の製造方法では、シリコン基板に溝を形成す
る際のエツチングの損傷が、該溝部を熱酸化して生成し
た酸化シリコン膜中に取り込まれ、その結果、生成され
た熱酸化シリコン膜は欠陥を多く含む膜となる。また溝
部を酸化した場合、角の部分の酸化シリコン膜は電圧を
印加した時に電界集中が起きやすく、結果的に信頼性が
低い膜となる。前述の従来技術では、以上のような問題
点を存する。本発明はこのような問題点を解決するもの
で、その目的とするところはシリコン半導体基板の溝部
に欠陥の少ない酸化シリコン膜を生成し、高品質な半導
体装置の製造方法を提供するところにある。
る際のエツチングの損傷が、該溝部を熱酸化して生成し
た酸化シリコン膜中に取り込まれ、その結果、生成され
た熱酸化シリコン膜は欠陥を多く含む膜となる。また溝
部を酸化した場合、角の部分の酸化シリコン膜は電圧を
印加した時に電界集中が起きやすく、結果的に信頼性が
低い膜となる。前述の従来技術では、以上のような問題
点を存する。本発明はこのような問題点を解決するもの
で、その目的とするところはシリコン半導体基板の溝部
に欠陥の少ない酸化シリコン膜を生成し、高品質な半導
体装置の製造方法を提供するところにある。
（問題点を解決するための手段〕
本発明の半導体装置の製造方法は、シリコン半導体基板
に溝を形成する工程と、咳溝部を熱酸化して酸化シリコ
ン膜を形成する工程と、該酸化シリコン膜をエツチング
によって除去した後、該溝部を熱酸化して酸化シリコン
膜を形成する工程を含むことを特徴とする。
に溝を形成する工程と、咳溝部を熱酸化して酸化シリコ
ン膜を形成する工程と、該酸化シリコン膜をエツチング
によって除去した後、該溝部を熱酸化して酸化シリコン
膜を形成する工程を含むことを特徴とする。
本発明の上記構成によれば、−回目の熱酸化による酸化
シリコン膜はシリコン基板の損傷による欠陥を数多く含
み、また溝部の角の部分も電界集中が起きやすい形状と
なっている。この熱酸化シリコン膜をエツチングによっ
て除去することによりシリコン基板の損傷による欠陥も
同時に除去される。また、溝部の角はシリコンの酸化速
度が速いため、酸化膜を除去した後のシリコン基板面は
角が取れた形状となり、そこを再び熱酸化して生成した
酸化シリコン膜は電界集中が起きにくい形状となる。
シリコン膜はシリコン基板の損傷による欠陥を数多く含
み、また溝部の角の部分も電界集中が起きやすい形状と
なっている。この熱酸化シリコン膜をエツチングによっ
て除去することによりシリコン基板の損傷による欠陥も
同時に除去される。また、溝部の角はシリコンの酸化速
度が速いため、酸化膜を除去した後のシリコン基板面は
角が取れた形状となり、そこを再び熱酸化して生成した
酸化シリコン膜は電界集中が起きにくい形状となる。
第１図は本発明の実施例における製造工程図である。第
１図１ａｌにおいて、ｌはシリコン半導体基板であり、
まず、このシリコン半導体基板に溝を形成する。この溝
は素子の微細化の観点から通常反応性イオンエツチング
等のドライエッチによって行なわれる０次に、第１図（
ｂｌのように、熱酸化により酸化シリコン膜を形成する
。この際、ドライエッチにより基板に加わったダメージ
は酸化シリコン膜中に取り込まれ欠陥となる。その結果
、この酸化シリコン膜は欠陥を多く含み、特に長期信鎖
性の点で不十分な膜である。また１、溝の上の角は、そ
の形状のため電界が集中しやすく、そのため酸化膜の絶
縁耐圧が低下する。そこで次に第１図（Ｃ）のようにこ
の欠陥を多く含む酸化シリコン膜をフン酸等の水溶液で
エツチング除去して欠陥層をなくし、次に第１図（ｄｌ
のように新たな酸化シリコン膜を熱酸化によって形成す
る。第１図Ｔｄ）で形成された酸化シリコン膜はドライ
エツチングによる損傷のない基板を酸化するため、欠陥
を含まない清浄な膜となる。また、第１図（Ｃ１で酸化
シリコン膜除去後のシリコン基板は角が取れて丸い形状
となる。その状態を示したのが第２図である。
１図１ａｌにおいて、ｌはシリコン半導体基板であり、
まず、このシリコン半導体基板に溝を形成する。この溝
は素子の微細化の観点から通常反応性イオンエツチング
等のドライエッチによって行なわれる０次に、第１図（
ｂｌのように、熱酸化により酸化シリコン膜を形成する
。この際、ドライエッチにより基板に加わったダメージ
は酸化シリコン膜中に取り込まれ欠陥となる。その結果
、この酸化シリコン膜は欠陥を多く含み、特に長期信鎖
性の点で不十分な膜である。また１、溝の上の角は、そ
の形状のため電界が集中しやすく、そのため酸化膜の絶
縁耐圧が低下する。そこで次に第１図（Ｃ）のようにこ
の欠陥を多く含む酸化シリコン膜をフン酸等の水溶液で
エツチング除去して欠陥層をなくし、次に第１図（ｄｌ
のように新たな酸化シリコン膜を熱酸化によって形成す
る。第１図Ｔｄ）で形成された酸化シリコン膜はドライ
エツチングによる損傷のない基板を酸化するため、欠陥
を含まない清浄な膜となる。また、第１図（Ｃ１で酸化
シリコン膜除去後のシリコン基板は角が取れて丸い形状
となる。その状態を示したのが第２図である。
第２図＋ａｌは溝上部の一回目酸化後の断面図である。
溝部の角はど基板の歪み、欠陥が多いため酸化速度は速
くなり、酸化後のシリコン−酸化シリコン界面は第２図
＋ａｌの破線で示したように丸くなる。
くなり、酸化後のシリコン−酸化シリコン界面は第２図
＋ａｌの破線で示したように丸くなる。
この酸化シリコン膜をウェットエツチングすると、第２
図（ｂｌに示すごとく、シリコン基板は溝部の角が取れ
て丸くなる。その後熱酸化によりこの溝部を熱化すると
、できあがった酸化シリコン膜も角のない、電界集中の
起きにくい膜となる。
図（ｂｌに示すごとく、シリコン基板は溝部の角が取れ
て丸くなる。その後熱酸化によりこの溝部を熱化すると
、できあがった酸化シリコン膜も角のない、電界集中の
起きにくい膜となる。
なお、−回目の酸化によりシリコン基板中のドライエツ
チングによる欠陥を酸化シリコン膜中に取り込むために
は、酸化シリコン膜厚はある程度厚い方が良い、また、
−回目の酸化シリコン膜をエツチング除去する場合、プ
ラズマ等によるドライエツチングを用いると、それによ
りシリコン基板に損傷を与える場合がある。したがって
この場合のエツチングはフン酸等によるウェットエツチ
ングの方が望ましい。
チングによる欠陥を酸化シリコン膜中に取り込むために
は、酸化シリコン膜厚はある程度厚い方が良い、また、
−回目の酸化シリコン膜をエツチング除去する場合、プ
ラズマ等によるドライエツチングを用いると、それによ
りシリコン基板に損傷を与える場合がある。したがって
この場合のエツチングはフン酸等によるウェットエツチ
ングの方が望ましい。
以上詳述したように、この発明の半導体装置の製造方法
によれば、シリコン半導体基板に溝を形成後、該溝部を
熱酸化して酸化シリコン膜を形成し、該酸化シリコン膜
をエツチング除去後再び該溝部を熱酸化して酸化シリコ
ン膜を形成することにより、欠陥が少なく、電界集中の
起こりにくい高品質の溝形キャパシタを製造することが
可能になる。この発明の製造方法はＭＯ５−ＬＳ Ｉに
利用することができる。
によれば、シリコン半導体基板に溝を形成後、該溝部を
熱酸化して酸化シリコン膜を形成し、該酸化シリコン膜
をエツチング除去後再び該溝部を熱酸化して酸化シリコ
ン膜を形成することにより、欠陥が少なく、電界集中の
起こりにくい高品質の溝形キャパシタを製造することが
可能になる。この発明の製造方法はＭＯ５−ＬＳ Ｉに
利用することができる。
第１図１ａｌ〜（ｄｌは本発明による半導体装置の製造
方法の一実施例を示す製造工程図。 第２図（ａｌ、山）は本発明による溝形キャパシタの一
部を拡大した図である。 １０１．２０２・・・・・・シリコン半導体基板１０２
．１０３．２０１・・・・・・酸化シリコン膜以
上 出願人 セイコーエプソン株式会社 い） 漂 １ 図
方法の一実施例を示す製造工程図。 第２図（ａｌ、山）は本発明による溝形キャパシタの一
部を拡大した図である。 １０１．２０２・・・・・・シリコン半導体基板１０２
．１０３．２０１・・・・・・酸化シリコン膜以
上 出願人 セイコーエプソン株式会社 い） 漂 １ 図
Claims (1)
- シリコン半導体基板に溝を形成する工程と、該溝部を熱
酸化して酸化シリコン膜を形成する工程と、該酸化シリ
コン膜をエッチングによって除去した後、再び該溝部を
熱酸化して酸化シリコン膜を形成する工程を含むことを
特徴とする、半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13348086A JPS62290155A (ja) | 1986-06-09 | 1986-06-09 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13348086A JPS62290155A (ja) | 1986-06-09 | 1986-06-09 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62290155A true JPS62290155A (ja) | 1987-12-17 |
Family
ID=15105757
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13348086A Pending JPS62290155A (ja) | 1986-06-09 | 1986-06-09 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62290155A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004266276A (ja) * | 2003-02-28 | 2004-09-24 | Samsung Electronics Co Ltd | トレンチ形成方法及びこれを利用した半導体装置の製造方法 |
| JP2007294908A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-11-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ナノワイヤトランジスタ及びその製造方法 |
-
1986
- 1986-06-09 JP JP13348086A patent/JPS62290155A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004266276A (ja) * | 2003-02-28 | 2004-09-24 | Samsung Electronics Co Ltd | トレンチ形成方法及びこれを利用した半導体装置の製造方法 |
| JP2007294908A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-11-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ナノワイヤトランジスタ及びその製造方法 |
| US8368049B2 (en) | 2006-03-30 | 2013-02-05 | Panasonic Corporation | Nanowire transistor and method for fabricating the same |
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