JPH0290560A - キャパシタ絶縁膜の製造方法 - Google Patents
キャパシタ絶縁膜の製造方法Info
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- JPH0290560A JPH0290560A JP24337488A JP24337488A JPH0290560A JP H0290560 A JPH0290560 A JP H0290560A JP 24337488 A JP24337488 A JP 24337488A JP 24337488 A JP24337488 A JP 24337488A JP H0290560 A JPH0290560 A JP H0290560A
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- silicon nitride
- nitride film
- film
- silicon
- capacitor insulating
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Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はシリコン窒化膜を用いたキャパシタ絶縁膜の
製造方法に関するものである。
製造方法に関するものである。
第２図は従来のシリコン窒化膜を用いたキャパシタ絶縁
膜の製造過程の一例を示したもので、図において、ｌは
シリコン基板、２はＣＶＤ処理直後のシリコン窒化膜、
３は酸化処理後のシリコン窒化膜、４はシリコン酸化膜
である。
膜の製造過程の一例を示したもので、図において、ｌは
シリコン基板、２はＣＶＤ処理直後のシリコン窒化膜、
３は酸化処理後のシリコン窒化膜、４はシリコン酸化膜
である。
次に製造方法について説明する。第２図（ａｌにおいて
、シリコン基板１の上にＣＶＤ処理によりシリコン窒化
膜２を堆積させる。次に第２図（′ｂ）において、シリ
コン窒化膜２の酸化処理を行うと、酸化処理後のシリコ
ン窒化膜３の上にシリコン酸化膜４が形成される。
、シリコン基板１の上にＣＶＤ処理によりシリコン窒化
膜２を堆積させる。次に第２図（′ｂ）において、シリ
コン窒化膜２の酸化処理を行うと、酸化処理後のシリコ
ン窒化膜３の上にシリコン酸化膜４が形成される。
従来のキャパシタ絶縁膜の製造方法は以上のように構成
され、シリコン窒化膜３に酸化処理を行うと該窒化膜３
の上にシリコン酸化膜４が形成されるので、キャパシタ
絶縁膜が厚くなり、キャパシタの静電容量を小さくして
しまうという問題点があった。
され、シリコン窒化膜３に酸化処理を行うと該窒化膜３
の上にシリコン酸化膜４が形成されるので、キャパシタ
絶縁膜が厚くなり、キャパシタの静電容量を小さくして
しまうという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、シリコン窒化膜上に形成されるシリコン酸化
膜を除去できるキャパシタ絶縁膜の製造方法を得ること
を目的としている。
たもので、シリコン窒化膜上に形成されるシリコン酸化
膜を除去できるキャパシタ絶縁膜の製造方法を得ること
を目的としている。
この発明に係るキャパシタ絶縁膜の製造方法はフン化水
素酸溶液によるエツチングを用いることによりシリコン
酸化膜を除去するようにしたものである。
素酸溶液によるエツチングを用いることによりシリコン
酸化膜を除去するようにしたものである。
この発明においては、フッ化水素酸溶液の溶解効果を用
いるようにしたから、シリコン窒化膜上のシリコン酸化
膜を除去し、キャパシタ絶縁膜を薄くすることができる
。
いるようにしたから、シリコン窒化膜上のシリコン酸化
膜を除去し、キャパシタ絶縁膜を薄くすることができる
。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図は本発明の一実施例によるキャパシタ絶縁膜の製
造方法を示し、図において、■はシリコン基板、２はＣ
ＶＤ処理直後のシリコン窒化膜、３は酸化処理後のシリ
コン窒化膜、４はシリコン酸化膜である。
造方法を示し、図において、■はシリコン基板、２はＣ
ＶＤ処理直後のシリコン窒化膜、３は酸化処理後のシリ
コン窒化膜、４はシリコン酸化膜である。
次に製造過程について説明する。第１図（ａ）において
、シリコン基板１の上にＣＶＤ処理によりシリコン窒化
膜２を堆積させる。第１図（ｂ）において、シリコン窒
化膜３に酸化処理を行なうと、酸化処理後の該シリコン
窒化膜３の上にシリコン酸化膜４が形成される。ここま
での第１図（ａ） （ｂ）の工程は従来技術と同様であ
る０次の第１図（Ｃ）においてはフッ化水素酸溶液によ
りシリコン酸化膜４を除去する。なお、このシリコン酸
化膜２の除去はフッ化水素酸溶液ではなく、ドライエツ
チングによる除去を行ってもよく、上記と同様の効果を
奏する。
、シリコン基板１の上にＣＶＤ処理によりシリコン窒化
膜２を堆積させる。第１図（ｂ）において、シリコン窒
化膜３に酸化処理を行なうと、酸化処理後の該シリコン
窒化膜３の上にシリコン酸化膜４が形成される。ここま
での第１図（ａ） （ｂ）の工程は従来技術と同様であ
る０次の第１図（Ｃ）においてはフッ化水素酸溶液によ
りシリコン酸化膜４を除去する。なお、このシリコン酸
化膜２の除去はフッ化水素酸溶液ではなく、ドライエツ
チングによる除去を行ってもよく、上記と同様の効果を
奏する。
以上のように、この発明にかかるキャパシタ絶縁膜の製
造方法によれば、シリコン窒化膜の酸化処理により該窒
化膜上に形成されるシリコン酸化膜を除去するようにし
たので、キャパシタ絶縁膜の厚さを薄くでき、キャパシ
タの静電容量を大きくできる効果がある。
造方法によれば、シリコン窒化膜の酸化処理により該窒
化膜上に形成されるシリコン酸化膜を除去するようにし
たので、キャパシタ絶縁膜の厚さを薄くでき、キャパシ
タの静電容量を大きくできる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例によるキャパシタ絶縁膜の
製造方法の製造過程図、第２図は従来のキャパシタ絶縁
膜の製造方法の製造過程図である。 １はシリコン基板、２はＣＶＤ処理直後のシリコン窒化
膜、３は酸化処理後のシリコン窒化膜、４はシリコン酸
化膜である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 １図 第２図 ４、ング）ンφ叡りｆ
製造方法の製造過程図、第２図は従来のキャパシタ絶縁
膜の製造方法の製造過程図である。 １はシリコン基板、２はＣＶＤ処理直後のシリコン窒化
膜、３は酸化処理後のシリコン窒化膜、４はシリコン酸
化膜である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 １図 第２図 ４、ング）ンφ叡りｆ
Claims (1)
- シリコン基板上にシリコン窒化膜を堆積させ、該シリコ
ン窒化膜を酸化し、該酸化によりシリコン窒化膜上に形
成されるシリコン酸化膜を除去することを特徴とするキ
ャパシタ絶縁膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24337488A JPH0290560A (ja) | 1988-09-27 | 1988-09-27 | キャパシタ絶縁膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24337488A JPH0290560A (ja) | 1988-09-27 | 1988-09-27 | キャパシタ絶縁膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0290560A true JPH0290560A (ja) | 1990-03-30 |
Family
ID=17102902
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24337488A Pending JPH0290560A (ja) | 1988-09-27 | 1988-09-27 | キャパシタ絶縁膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0290560A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5017258A (en) * | 1986-06-20 | 1991-05-21 | Shell Oil Company | Pipe rehabilitation using epoxy resin composition |
| JP2011014688A (ja) * | 2009-07-01 | 2011-01-20 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-09-27 JP JP24337488A patent/JPH0290560A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5017258A (en) * | 1986-06-20 | 1991-05-21 | Shell Oil Company | Pipe rehabilitation using epoxy resin composition |
| JP2011014688A (ja) * | 2009-07-01 | 2011-01-20 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法 |
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