JPS62266834A - 半導体基板の洗浄方法 - Google Patents
半導体基板の洗浄方法Info
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- JPS62266834A JPS62266834A JP11104786A JP11104786A JPS62266834A JP S62266834 A JPS62266834 A JP S62266834A JP 11104786 A JP11104786 A JP 11104786A JP 11104786 A JP11104786 A JP 11104786A JP S62266834 A JPS62266834 A JP S62266834A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は、半導体基板の洗浄方法に関する。
従来の技術
従来、半導体装置の製造工程において、たとえば、熱酸
化前、あるいは、ホトレジスト除去後に、半導体基板の
洗浄は、純水、アンモニア水、過酸化水素の混合液を用
いている。そのさいの液温は、７０±５℃であった。し
かじ液温７０℃では、微細化が進むにつれて薄くなるＭ
ＯＳ Ｆ Ｅ Ｔにおけるゲート酸化膜形成の前処理
として、十分な洗浄効果が得られなかった。たとえば、
ゲート酸化膜厚は、１．２μｍルールで１０ｎｍである
。従来の洗浄方法では、ゲート酸化膜１００ＡのＭ Ｏ
Ｓキャパシタを作り耐圧の収率を評価すると、第２図に
示されるように、１０ Ｍ Ｖ ／ ｃｍ以上の収率は
、５０％以下であった。
化前、あるいは、ホトレジスト除去後に、半導体基板の
洗浄は、純水、アンモニア水、過酸化水素の混合液を用
いている。そのさいの液温は、７０±５℃であった。し
かじ液温７０℃では、微細化が進むにつれて薄くなるＭ
ＯＳ Ｆ Ｅ Ｔにおけるゲート酸化膜形成の前処理
として、十分な洗浄効果が得られなかった。たとえば、
ゲート酸化膜厚は、１．２μｍルールで１０ｎｍである
。従来の洗浄方法では、ゲート酸化膜１００ＡのＭ Ｏ
Ｓキャパシタを作り耐圧の収率を評価すると、第２図に
示されるように、１０ Ｍ Ｖ ／ ｃｍ以上の収率は
、５０％以下であった。
発明が解決しようとする問題点
前記従来例によると、製造工程中のパーティクルを十分
に除去できず、ＭＯＳキャパシタの耐圧の収率が悪い。
に除去できず、ＭＯＳキャパシタの耐圧の収率が悪い。
問題点を解決するための手段
この発明は、上述の問題点を解消するもので、純水、ア
ンモニア水、過酸化水素の混合液を８０℃〜８５℃に加
熱して用いる半導体基板の洗浄方法である。
ンモニア水、過酸化水素の混合液を８０℃〜８５℃に加
熱して用いる半導体基板の洗浄方法である。
作用
洗浄液の温度を８０℃〜８５°Ｃにすることにより、半
導体基板のパーティクル除去率を向上させることができ
る。すなわち、温度を上げることにより、表面５ｉ０２
あるいは、シリコンのエツチングが表面あれの出ない程
度に促進され、表面に塗着したパーティクルの除去率が
、同上する。
導体基板のパーティクル除去率を向上させることができ
る。すなわち、温度を上げることにより、表面５ｉ０２
あるいは、シリコンのエツチングが表面あれの出ない程
度に促進され、表面に塗着したパーティクルの除去率が
、同上する。
ＭＯＳキャパシタの収率は、表面パーティクルの数に反
比例することが知られている。そこでＭ ＯＳキャパシ
タの収率を上げるためには、表面のパーティクルをへら
さなければならない。
比例することが知られている。そこでＭ ＯＳキャパシ
タの収率を上げるためには、表面のパーティクルをへら
さなければならない。
実施例
純水（比抵抗１６Ｍ）７００ｃｃ、アンモニア水１００
ｃｃ、過酸化水素水２００ｃｃを混合し８５°Ｃにヒー
タを用いて加熱しシリコン基板を洗浄する。この混合比
率は、８０〜８５℃の温度で用いる場合に最適である。
ｃｃ、過酸化水素水２００ｃｃを混合し８５°Ｃにヒー
タを用いて加熱しシリコン基板を洗浄する。この混合比
率は、８０〜８５℃の温度で用いる場合に最適である。
この洗浄方法を用いてＭＯＳキャパシタを製作する。製
作方法は以下の通りである。
作方法は以下の通りである。
まず、Ｐ型（１００）比抵抗７〜１５Ωｃｍシリコン基
板を上記混合液を用いて洗浄をする。
板を上記混合液を用いて洗浄をする。
次に９００℃酸素雰囲気中で酸化し酸化膜を１０ｎｍ形
成する。
成する。
ついで減圧ＣＶＤの手法により、ポリシリコン４００Ａ
成長する。ゲート電極形成のために、１０００℃ＰＨ３
雰囲気中でＰをポリシリコンにドープする。
成長する。ゲート電極形成のために、１０００℃ＰＨ３
雰囲気中でＰをポリシリコンにドープする。
そして最後に、前記ポリシリコンを選択的にエツチング
して、ＭＯＳキャパシタを形成する。
して、ＭＯＳキャパシタを形成する。
第一図に本実施例の洗浄方法を用いた場合のＭＯＳキャ
パシタの耐圧分布を示す。図に示すように、１０ Ｍ
Ｖ ／ ０ｍ以上の収率は、顕著な向上を見た。
パシタの耐圧分布を示す。図に示すように、１０ Ｍ
Ｖ ／ ０ｍ以上の収率は、顕著な向上を見た。
発明の効果
この発明によれば、デバイスの微細化にともなうゲート
酸化膜の薄膜化から来るパーティクルによる収率の低下
を防ぐことができる。デバイスの微細化に太き（寄与で
きる。
酸化膜の薄膜化から来るパーティクルによる収率の低下
を防ぐことができる。デバイスの微細化に太き（寄与で
きる。
第１図はこの発明を実施して形成したＭ ＯＳキャパシ
タの耐圧分布図、第２図は従来方法で形成したＭＯＳキ
ャパシタの耐圧分布図である。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名実 １ 図 叩 力０ で 界 ＣＭＶ／ｃｍ） 第 ２ 図 ん理条件７０°ｃ ２７０１ ｘ ２回Ｔａｘ １
００ Ａ
タの耐圧分布図、第２図は従来方法で形成したＭＯＳキ
ャパシタの耐圧分布図である。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名実 １ 図 叩 力０ で 界 ＣＭＶ／ｃｍ） 第 ２ 図 ん理条件７０°ｃ ２７０１ ｘ ２回Ｔａｘ １
００ Ａ
Claims (1)
- 純水にアンモニア水と過酸化水素とを混ぜた８０℃〜８
５℃の加熱混液中で処理することを特徴とする半導体基
板の洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11104786A JPS62266834A (ja) | 1986-05-15 | 1986-05-15 | 半導体基板の洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11104786A JPS62266834A (ja) | 1986-05-15 | 1986-05-15 | 半導体基板の洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62266834A true JPS62266834A (ja) | 1987-11-19 |
Family
ID=14551058
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11104786A Pending JPS62266834A (ja) | 1986-05-15 | 1986-05-15 | 半導体基板の洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62266834A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0467626A (ja) * | 1990-07-09 | 1992-03-03 | Mitsubishi Materials Corp | シリコンウェーハおよびその製造方法 |
| US20120240993A1 (en) * | 2009-09-02 | 2012-09-27 | Bangor University | Low temperature platinisation for dye-sensitised solar cells |
-
1986
- 1986-05-15 JP JP11104786A patent/JPS62266834A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0467626A (ja) * | 1990-07-09 | 1992-03-03 | Mitsubishi Materials Corp | シリコンウェーハおよびその製造方法 |
| US20120240993A1 (en) * | 2009-09-02 | 2012-09-27 | Bangor University | Low temperature platinisation for dye-sensitised solar cells |
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