JPH0467626A - シリコンウェーハおよびその製造方法 - Google Patents
シリコンウェーハおよびその製造方法Info
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- JPH0467626A JPH0467626A JP18105790A JP18105790A JPH0467626A JP H0467626 A JPH0467626 A JP H0467626A JP 18105790 A JP18105790 A JP 18105790A JP 18105790 A JP18105790 A JP 18105790A JP H0467626 A JPH0467626 A JP H0467626A
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- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 25
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Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明はＬＳＩ等の作成に用いられるシリコンウェーハ
、詳しくはエピタキシャル法により作成されたシリコン
ウェーハく以下、エピタキシャル〈従来の技術〉 エピタキシャルウェーハは、シリコン単結晶基板上にシ
リコンの単結晶を成長させたものである。
、詳しくはエピタキシャル法により作成されたシリコン
ウェーハく以下、エピタキシャル〈従来の技術〉 エピタキシャルウェーハは、シリコン単結晶基板上にシ
リコンの単結晶を成長させたものである。
そして、この場合、従来のエピタキシャルウェーハの表
面には微小でかつ局所的な凹凸が形成されていた。
面には微小でかつ局所的な凹凸が形成されていた。
ところで、シリコンウェーハの表面状態は、例えば標準
粒子を所定の洗浄後のウェーハ表面に吹き付け、この標
準粒子をパーティクルカウンタ（例えばＬＳ−６０００
）によってカウントすることにより、評価されていた。
粒子を所定の洗浄後のウェーハ表面に吹き付け、この標
準粒子をパーティクルカウンタ（例えばＬＳ−６０００
）によってカウントすることにより、評価されていた。
この場合、シリコンウェーハの表面に凹凸が形成されて
いると、パーティクルカウンタはこの凹凸をもパーティ
クルと同じく検出してしまうこととなる。
いると、パーティクルカウンタはこの凹凸をもパーティ
クルと同じく検出してしまうこととなる。
〈発明が解決しようとする課題〉
しかしながら、このような従来のエピタキシャルウェー
ハにあっては、表面に微小でかつ局所的な凹凸が形成さ
れていたため、パーティクルカウンタの初期設定（校正
）を行うための標準ウェーハとしては使用することがで
きなかった。
ハにあっては、表面に微小でかつ局所的な凹凸が形成さ
れていたため、パーティクルカウンタの初期設定（校正
）を行うための標準ウェーハとしては使用することがで
きなかった。
また、この凹凸のため、ＬＳＩ形成形成デステップカバ
レージくなり、ＬＳＩの製造における歩留まりが低下し
ていた。
レージくなり、ＬＳＩの製造における歩留まりが低下し
ていた。
そこで、本発明は、パーティクルカウンタの校正用の標
準ウェーハとして最適であるとともに、ＬＳＩ製造時の
歩留まりを高めたエピタキシャルシリコンウェーハを提
供することをその目的としている。
準ウェーハとして最適であるとともに、ＬＳＩ製造時の
歩留まりを高めたエピタキシャルシリコンウェーハを提
供することをその目的としている。
〈課題を解決するための手段〉
本発明は、エピタキシャル法により形成したシリコンウ
ェーハにおいて、その表面が平坦にされたシリコンウェ
ーハである。
ェーハにおいて、その表面が平坦にされたシリコンウェ
ーハである。
また、本発明に係るシリコンウェーハの表面は、アンモ
ニア系洗浄後、パーティクルカウンタによりパーティク
ル数を測定した場合、パーティクル数がＯである（例え
ばＬＳ６０００では０． １μｍ以上）程度に平坦化さ
れているシリコンウェーハを提供するものである。
ニア系洗浄後、パーティクルカウンタによりパーティク
ル数を測定した場合、パーティクル数がＯである（例え
ばＬＳ６０００では０． １μｍ以上）程度に平坦化さ
れているシリコンウェーハを提供するものである。
〈作用および効果〉
本発明に係るシリコンウェーハにあっては、シリコン単
結晶基板上に単結晶シリコンをエピタキシャル成長させ
、その後例えばこの表面を所定の厚さだけ研磨する。こ
れにより、このシリコンウェーへの表面は平坦化されて
いる。
結晶基板上に単結晶シリコンをエピタキシャル成長させ
、その後例えばこの表面を所定の厚さだけ研磨する。こ
れにより、このシリコンウェーへの表面は平坦化されて
いる。
したがって、このシリコンウェーハはパーティクルカウ
ンタの校正用として使用することができる。表面に凹凸
がないため、表面に付着したパーティクル数を正確に検
出することができるからである。また、表面に凹凸がな
いことから、ＬＳＩ作成時のステップカバレージに優れ
ている。
ンタの校正用として使用することができる。表面に凹凸
がないため、表面に付着したパーティクル数を正確に検
出することができるからである。また、表面に凹凸がな
いことから、ＬＳＩ作成時のステップカバレージに優れ
ている。
〈実施例〉
以下、本発明の一実施例を第１図を参照して説明する。
この図において、１１はシリコン単結晶基板であって、
この上にエピタキシャル法によってシリコン単結晶が積
層されている。１２はこのエピタキシャル層である。
この上にエピタキシャル法によってシリコン単結晶が積
層されている。１２はこのエピタキシャル層である。
そして、この成長後のエピタキシャル層１２０表面は例
えば研磨により５μｍだけけずられて平坦化されている
。
えば研磨により５μｍだけけずられて平坦化されている
。
このようにして作成したＰ型、 （１００）方位のエピ
タキシャルウェーハ１０を例えばアンモニア系洗浄液、
例えばＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２０液（１：１：５）
を用いて、エツチング作用を強くするために通常よりも
高温である８５℃で、２０分間程度洗浄する。
タキシャルウェーハ１０を例えばアンモニア系洗浄液、
例えばＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２０液（１：１：５）
を用いて、エツチング作用を強くするために通常よりも
高温である８５℃で、２０分間程度洗浄する。
この洗浄を１０回繰り返す。
この洗浄後のエピタキシャルウェーハ１００表面のパー
ティクル数を、パーティクルカウンタ例えばＬＳ−６０
００で測定した。この結果、０゜１μｍ以上の大きさの
パーティクル数は４個しか検出されなかフた。
ティクル数を、パーティクルカウンタ例えばＬＳ−６０
００で測定した。この結果、０゜１μｍ以上の大きさの
パーティクル数は４個しか検出されなかフた。
例えば同一条件での洗浄、測定を行うと、基板のミラー
ウェーハでは０． １μｍ以上のパーティクル数は４０
０個測定された。
ウェーハでは０． １μｍ以上のパーティクル数は４０
０個測定された。
また、研磨をしていないエピタキシャルウェーハについ
ては３０個測定された。
ては３０個測定された。
第１図は本発明に係るシリコンウェーハの一実施例を示
すその一部を拡大した断面図である。 １０◆◆・φ・拳φφエピタキシャルウェーハ、１１・
・・・・・・・エピタキシャル層。
すその一部を拡大した断面図である。 １０◆◆・φ・拳φφエピタキシャルウェーハ、１１・
・・・・・・・エピタキシャル層。
Claims (2)
- （１）エピタキシャル法により形成したシリコンウェー
ハにおいて、 その表面が平坦にされたことを特徴とするシリコンウェ
ーハ。 - （２）上記シリコンウェーハの表面は、アンモニア系洗
浄後、パーティクルカウンタによりパーティクル数を測
定した場合、パーティクル数が０である程度に平坦化さ
れている請求項（１）に記載のシリコンウェーハ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2181057A JP2639744B2 (ja) | 1990-07-09 | 1990-07-09 | シリコンウェーハおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2181057A JP2639744B2 (ja) | 1990-07-09 | 1990-07-09 | シリコンウェーハおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0467626A true JPH0467626A (ja) | 1992-03-03 |
| JP2639744B2 JP2639744B2 (ja) | 1997-08-13 |
Family
ID=16094025
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2181057A Expired - Lifetime JP2639744B2 (ja) | 1990-07-09 | 1990-07-09 | シリコンウェーハおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2639744B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08167584A (ja) * | 1994-12-09 | 1996-06-25 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61271841A (ja) * | 1985-05-27 | 1986-12-02 | Fujitsu Ltd | 半導体基板の研磨方法 |
| JPS62266834A (ja) * | 1986-05-15 | 1987-11-19 | Matsushita Electronics Corp | 半導体基板の洗浄方法 |
| JPH03295235A (ja) * | 1990-04-12 | 1991-12-26 | Toshiba Corp | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
-
1990
- 1990-07-09 JP JP2181057A patent/JP2639744B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61271841A (ja) * | 1985-05-27 | 1986-12-02 | Fujitsu Ltd | 半導体基板の研磨方法 |
| JPS62266834A (ja) * | 1986-05-15 | 1987-11-19 | Matsushita Electronics Corp | 半導体基板の洗浄方法 |
| JPH03295235A (ja) * | 1990-04-12 | 1991-12-26 | Toshiba Corp | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08167584A (ja) * | 1994-12-09 | 1996-06-25 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2639744B2 (ja) | 1997-08-13 |
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