JPH0442893A - シリコンウエーハ - Google Patents

シリコンウエーハ

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JPH0442893A
JPH0442893A JP14959590A JP14959590A JPH0442893A JP H0442893 A JPH0442893 A JP H0442893A JP 14959590 A JP14959590 A JP 14959590A JP 14959590 A JP14959590 A JP 14959590A JP H0442893 A JPH0442893 A JP H0442893A
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Japan
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silicon wafer
single crystal
silicon
pulled
cooling
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Etsuro Morita
悦郎 森田
Mikio Kishimoto
幹男 岸本
Jiro Tatsuta
龍田　次郎
Yasushi Shimanuki
島貫　康
Toshiro Tanaka
俊郎 田中
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Mitsubishi Materials Silicon Corp
Mitsubishi Materials Corp
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Mitsubishi Materials Silicon Corp
Mitsubishi Materials Corp
Japan Silicon Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明はＬＳＩ等の作成に用いられるシリコンウェーハ
、詳しくはＣＺ法により引き上げられ、作成されたシリ
コンウェーハの改良に関する。
〈従来の技術〉 従来のＣＺ法によるシリコンウェーハは、引き上げられ
た単結晶シリコンをスライサーによってスライスして作
成されている。この切断されたシリコンウェーハは、ラ
ップまたは研削が行なわれ、さらに加工歪を除去するた
め、化学的エツチングが行われている。
そして、最終仕上げとして、このシリコンウェーハはそ
の表面が鏡面研磨され、洗浄されている。
〈発明が解決しようとする課題〉 しかしながら、このようなＣＺ法により作成した従来の
シリコンウェーハにあっては、小さく高密度の欠陥、ま
たは、大きく低密度の欠陥のいずれかが、存在していた
。これらの欠陥は、鏡面研磨後のアンモニア系洗浄にお
いてその表面にエッチピットとなって表れる。
そして、この欠陥によりシリコンウェーハの電気的特性
が損なわれていた。
また、その結果としてシリコンウェーへの製造における
歩留まりが低下していた。
そこで、本発明は、電気特性が向上するとともに、製造
時の歩留まりを高めたシリコンウェーハを提供すること
をその目的としている。
〈課題を解決するための手段〉 本発明は、ＣＺ法によってシリコン単結晶が引き上げら
れ、このシリコン単結晶を素材として作成されたシリコ
ンウェーハにおいて、上記引き上げられたシリコン単結
晶を所定の速度で冷却することにより、上記シリコンウ
ェーハな鏡面研磨後アンモニア系洗浄したとき、そのシ
リコンウェーへの表面に実質的にはエッチピットが存在
しないようにしたシリコンウェーハを提供するものであ
る。
〈作用および効果〉 本発明に係るシリコンウェーハにあっては、鏡面研磨後
のアンモニア系洗浄においてそのシリコンウェーへの表
面には実質上エッチビットは存在しない。すなわち、こ
のシリコンウェーハの表面近傍には上記欠陥が存在しな
いものである。
そして、このようなエッチピットのないシリコンウェー
ハを作成するには、ＣＺ法により引き上げたシリコン単
結晶を所定の冷却速度で冷却する。
例えばシリコン単結晶が１２００℃から８００℃に冷却
されるまでの間の全期間にあってその冷却速度を０．４
°Ｃ／分より小さくしたものである。
この結果、エッチビット、すなわち欠陥のないシリコン
ウェーハが得られる。よって、電気特性は向上し、かつ
、シリコンウェーへの製造上の歩留まりも向上するもの
である。
〈実施例〉 以下、本発明の詳細な説明する。
この実施例においては、シリコン単結晶の成長には、Ｃ
Ｚ法が用いられている。
この場合、引き上げられたシリコン単結晶が１２００°
Ｃから８００°Ｃにまて冷却されるその全期間の冷却速
度を０．４°Ｃ／分より小さい速度に制御する。
そして、このようにして引き上げ形成した高純度の単結
晶シリコンを、通常条件のプロセスを用いてウェーハ加
工し、研磨する。
このようにして作成したＰ型、　（１００）方位のシリ
コンウェーハをアンモニア系洗浄液、例えばＮＨａ○Ｈ
／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２０液（１：　１：　５）を用いて、エ
ツチング作用を強くするために通常よりも高温である８
５℃で、２０分間程度洗浄する。
この洗浄を１０回繰り返す。
この結果、シリコンウェーハの表面においては、例えば
現在顧客からの要求レベルでもある直径０゜２μｍ程度
の大きさのエッチピットが形成されることはない。
例えば周知のパーティクルカウンタにより測定した場合
、従来のＣＺ法に係るシリコンウェーハてはこのアンモ
ニア系洗浄を１０回繰り返すことにより、エッチピット
が１０００個程度確認することができた。これに対して
、本実施例では同様の洗浄後の測定では０個、すなわち
エッチピットは確認することができなかったものである
。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　ＣＺ法によってシリコン単結晶が引き上げられ、この
    シリコン単結晶を素材として作成されたシリコンウェー
    ハにおいて、上記引き上げられたシリコン単結晶を所定
    の速度で冷却することにより、上記シリコンウェーハを
    鏡面研磨後アンモニア系洗浄したとき、そのシリコンウ
    ェーハの表面に所定大きさ以上のエッチビットが存在し
    ないようにしたことを特徴とするシリコンウェーハ。
JP2149595A 1990-06-07 1990-06-07 シリコンウエーハ Expired - Lifetime JPH0729878B2 (ja)

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