JP4348539B2 - 非磁性ガーネット基板の製造方法とその非磁性ガーネット基板およびこの基板を用いて得られるビスマス置換型磁性ガーネット膜 - Google Patents
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Description
非磁性ガーネット単結晶ウェハの外周端面をべべリングするべべリング工程と上記ウェハ表面をポリッシュするポリッシュ工程とを有し、ビスマス置換型磁性ガーネット膜を液相エピタキシャル成長法により育成するために適用される非磁性ガーネット基板の製造方法を前提とし、
上記べべリング工程の後で上記ポリッシュ工程後に、または、上記べべリング工程の後で上記ポリッシュ工程前に、ベベリング処理された上記単結晶ウェハのベベル面と研磨材との間に化学的作用を生じさせながら上記ベベル面を機械的に研磨するメカノケミカルポリッシュにより上記ベベル面に存在するマイクロクラックと加工歪み層を除去することを特徴とし、
請求項2に係る発明は、
請求項1に記載の発明に係る非磁性ガーネット基板の製造方法を前提とし、
上記単結晶ウェハが、一般式(Gd、Ca)3(Ga、Mg、Zr)5O12で表される非磁性ガーネットであることを特徴とする。
非磁性ガーネット基板を前提とし、
この非磁性ガーネット基板が請求項1または2に記載の製造方法により得られたことを特徴とし、
また、請求項4に係る発明は、
ビスマス置換型磁性ガーネット膜を前提とし、
このビスマス置換型磁性ガーネット膜が請求項3に記載の非磁性ガーネット基板を用いて液相エピタキシャル法により得られたことを特徴とし、
請求項5に係る発明は、
請求項4に記載の発明に係るビスマス置換型磁性ガーネット膜を前提とし、
一般式(Yb、Tb、Bi)3Fe5O12で表されるYbTbBiFe系磁性ガーネット膜であることを特徴とする。
ベベリング処理された単結晶ウェハのベベル面と研磨材との間に化学的作用を生じさせながらベベル面を機械的に研磨するメカノケミカルポリッシュにより上記ベベル面に存在するマイクロクラックと加工歪み層が除去されるため、得られた非磁性ガーネット基板を用いて液相エピタキシャル成長法によりビスマス置換型磁性ガーネット膜を育成した場合、ビスマス置換型磁性ガーネット膜の育成中において非磁性ガーネット基板が割れる現象を回避できる効果を有している。
LPE法で得られた磁性ガーネット膜を11mm角にダイシングし、その後、非磁性ガーネット基板を除去し、基板一枚当たり44枚の11mm角の磁性ガーネット膜のチップを得た。
ベベリング処理と表面ポリッシュ処理が施された上記SGGGウェハ10枚のベベル面をメカノケミカルポリッシュし、純水で10分間洗浄し、その後、スピン乾燥して、SGGG基板を得た。
酸化鉛2300g、酸化硼素140g、酸化ビスマス3100g、酸化鉄460g、酸化テルビウム56.6g、および、酸化イッテルビウム4.4gをPt製容器に装入し、かつ、このPt製容器を縦型管状炉内に配置し、全体を950℃まで加熱し十分に撹拌して均一に混合し、YbTbBiFe系磁性ガーネット膜のエピタキシャル膜成長用融液を得た。
非磁性ガーネット単結晶ウェハをエッチングしてベベル面のマイクロクラックと加工歪み層が除去された基板を作製し、これをLPE法の基板として用い評価した。
ベベリング処理と表面ポリッシュ処理が施された上記SGGGウェハを、150℃に加温した体積比が1:1のリン酸と硫酸の混合液中に10分間浸漬させ、その後、純水で10分間洗浄し、スピン乾燥して、SGGG基板を得た。
ベベリング処理と表面ポリッシュ処理が施された上記SGGGウェハをエッチングせずにそのまま用いた以外は比較例1と同様に行い、育成中の基板割れの発生と11mm角チップのピット不良率を求めた。
表1に示された結果から以下のことが確認される。
(1)ベベリング処理と表面ポリッシュ処理が施されたSGGGウェハのベベル面をメカノケミカルポリッシュ処理して得られた基板が適用された実施例1においては、磁性ガーネット膜の育成中に割れた基板の個数は0個(0/10)であり、かつ、得られた磁性ガーネット膜のピット不良率も2%と低いことが確認される。
(2)これに対し、ベベリング処理と表面ポリッシュ処理が施されたSGGGウェハのベベル面をエッチング処理して得られた基板が適用された比較例1においては、磁性ガーネット膜の育成中に割れた基板の個数が1個(1/10)で実施例1との差異が少ないことが確認される一方、得られた磁性ガーネット膜のピット不良率が45%と高く、実施例1に較べて劣っていることも確認される。
(3)また、ベベリング処理と表面ポリッシュ処理が施されたSGGGウェハをそのまま基板(ベベル面に対しメカノケミカルポリッシュ処理やエッチング処理が施されていない基板)として適用した比較例2においては、ベベル面に存在するマイクロクラックと加工歪み層が原因となって磁性ガーネット膜の育成中に割れた基板の個数が4個(4/10)と実施例1に較べ劣っていることが確認される一方、ウェハに内在する転位と呼ばれる結晶欠陥が基板のポリッシュ面に出現していないため得られた磁性ガーネット膜のピット不良率は3%と低いことも確認される。
Claims (5)
- 非磁性ガーネット単結晶ウェハの外周端面をべべリングするべべリング工程と上記ウェハ表面をポリッシュするポリッシュ工程とを有し、ビスマス置換型磁性ガーネット膜を液相エピタキシャル成長法により育成するために適用される非磁性ガーネット基板の製造方法において、
上記べべリング工程の後で上記ポリッシュ工程後に、または、上記べべリング工程の後で上記ポリッシュ工程前に、ベベリング処理された上記単結晶ウェハのベベル面と研磨材との間に化学的作用を生じさせながら上記ベベル面を機械的に研磨するメカノケミカルポリッシュにより上記ベベル面に存在するマイクロクラックと加工歪み層を除去することを特徴とする非磁性ガーネット基板の製造方法。 - 上記単結晶ウェハが、一般式(Gd、Ca)3(Ga、Mg、Zr)5O12で表される非磁性ガーネットであることを特徴とする請求項1に記載の非磁性ガーネット基板の製造方法。
- 請求項1または2に記載の製造方法により得られたことを特徴とする非磁性ガーネット基板。
- 請求項3に記載の非磁性ガーネット基板を用いて液相エピタキシャル法により得られたことを特徴とするビスマス置換型磁性ガーネット膜。
- 一般式(Yb、Tb、Bi)3Fe5O12で表されるYbTbBiFe系磁性ガーネット膜であることを特徴とする請求項4に記載のビスマス置換型磁性ガーネット膜。
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