JPS62252140A - ＩｎＰウエ−ハの洗浄方法 - Google Patents
ＩｎＰウエ−ハの洗浄方法Info
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Landscapes
- Weting (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
ＩｎＰ単結晶より薄く切断されたＩｎＰウェーハは、例
えばラッピング、エッチング及び少くトも−同のボリシ
ングを経由した後、最終的に鏡面研磨＜＊終ボリシング
）される。鏡面研磨は、回転する円形定盤に研磨布を貼
付け、この表面に研磨液を滴下しながら、接着板に接着
したＩｎＰつ工−ハを研磨布に押圧しつつ、化学的及び
機械的作用に゛よって研磨を行うものである。
えばラッピング、エッチング及び少くトも−同のボリシ
ングを経由した後、最終的に鏡面研磨＜＊終ボリシング
）される。鏡面研磨は、回転する円形定盤に研磨布を貼
付け、この表面に研磨液を滴下しながら、接着板に接着
したＩｎＰつ工−ハを研磨布に押圧しつつ、化学的及び
機械的作用に゛よって研磨を行うものである。
鏡面研磨したＩｎＰウェーハはへ上記接着用のワックス
Ｔｉ−除去する為に有機洗浄される。有機洗浄は、各種
有機溶剤を１種以上組合せて行いうるが、トリクロレン
、アセトン及びメタノールを用いて、これらに順次各１
〜数分、好ましくは２分前後浸漬することにより行うこ
とが好ましい。上記の順序或いはメタノール→アセトン
→トリクｐレンの順序で行いうる。
Ｔｉ−除去する為に有機洗浄される。有機洗浄は、各種
有機溶剤を１種以上組合せて行いうるが、トリクロレン
、アセトン及びメタノールを用いて、これらに順次各１
〜数分、好ましくは２分前後浸漬することにより行うこ
とが好ましい。上記の順序或いはメタノール→アセトン
→トリクｐレンの順序で行いうる。
こうして、有機洗浄したＩｎＰウェーハは、その表面に
Ｉｎ５Ｐの酸化物等が付着している。これらは前処理エ
ッチング前に洗浄除去しておかないと、前処理エッチン
グ時にビット、ラネ、アバタ等の表面荒れが生じる。そ
こで、本発明に従えば、洗浄液として、 （イ）リン酸−過酸化水素−水の混合液、（ロ）フッ化
水素−過酸化水素−水の混合液を使用して洗浄が実施さ
れる。これら洗浄液の混合割合は、 （イ）リン酸１０〜３０：過酸化水素１〜５：水１（ロ
）７ツ化水素１〜１０：過酸化水素１〜５：水１とされ
る。ＩｎＰウェーハにその表面酸化物を除去し且つ表面
を傷めない作用を及ぼすには上記範囲が、適正である。
Ｉｎ５Ｐの酸化物等が付着している。これらは前処理エ
ッチング前に洗浄除去しておかないと、前処理エッチン
グ時にビット、ラネ、アバタ等の表面荒れが生じる。そ
こで、本発明に従えば、洗浄液として、 （イ）リン酸−過酸化水素−水の混合液、（ロ）フッ化
水素−過酸化水素−水の混合液を使用して洗浄が実施さ
れる。これら洗浄液の混合割合は、 （イ）リン酸１０〜３０：過酸化水素１〜５：水１（ロ
）７ツ化水素１〜１０：過酸化水素１〜５：水１とされ
る。ＩｎＰウェーハにその表面酸化物を除去し且つ表面
を傷めない作用を及ぼすには上記範囲が、適正である。
上記洗浄は、ＩｎＰウェーハを洗浄液中に適宜の時間、
例えば５分間浸漬することによってもたらされる。
例えば５分間浸漬することによってもたらされる。
こうして洗浄されたＩｎＰウェーハは、爾後のエピタキ
シャル成長の前処理としてのエッチング処理或いはその
他のデバイス形成の処理に供せられる。
シャル成長の前処理としてのエッチング処理或いはその
他のデバイス形成の処理に供せられる。
前処理比ツチングは、例えば１容積％Ｂｒ１−メタノー
ル溶液中にウェーハを３〜１５分、例えば９〜１１分浸
漬することにより実施される。
ル溶液中にウェーハを３〜１５分、例えば９〜１１分浸
漬することにより実施される。
発明の効果
本発明に従う洗浄を受けたＩｎＰウェーハは表面荒れを
示さず、その後エピタキシャル成長工程を行うに最適の
状態が得られた。今後需要の増大するＩｎＰ化合物半導
体に対してそのデバイス形成の為に必要とされるエピタ
キシャル成長工程に最適な異常のない表面の割出に成功
した。
示さず、その後エピタキシャル成長工程を行うに最適の
状態が得られた。今後需要の増大するＩｎＰ化合物半導
体に対してそのデバイス形成の為に必要とされるエピタ
キシャル成長工程に最適な異常のない表面の割出に成功
した。
実施例１
鏡面研磨したＩｎＰウェーハをへトリクロレン、アセト
ン及びメタノール液中に順次２分間づつ浸漬することに
よって有機洗浄を行った。
ン及びメタノール液中に順次２分間づつ浸漬することに
よって有機洗浄を行った。
有機洗浄後のＩｎＰウェーハをへリン＠：過酸化水素：
水＝２Ｑ：５：１（容積比）の混合液を洗浄液とし、そ
こに５分浸漬することにより洗浄した◇ 水洗後、臭素を１容量％含むメタノール液に１０分間浸
漬することによりエッチングを行った。
水＝２Ｑ：５：１（容積比）の混合液を洗浄液とし、そ
こに５分浸漬することにより洗浄した◇ 水洗後、臭素を１容量％含むメタノール液に１０分間浸
漬することによりエッチングを行った。
エッチング後のＩｎＰウェーハの表面を観察したが、表
面異常のない、エピタキシャル成長に適１、た我ので本
つ＋へ 実施例２ 実施例１における洗浄液を７フ化水素：過酸化水素：水
＝＝５：１：１（容積）に代えた以外は同じ手順に従っ
てＩｎＰウェーハを処理した。同じく、表面異常のない
ＩｎＰウェーハがへられた。
面異常のない、エピタキシャル成長に適１、た我ので本
つ＋へ 実施例２ 実施例１における洗浄液を７フ化水素：過酸化水素：水
＝＝５：１：１（容積）に代えた以外は同じ手順に従っ
てＩｎＰウェーハを処理した。同じく、表面異常のない
ＩｎＰウェーハがへられた。
比較例
実施例１において、有機洗浄後、洗浄段階を省略して、
ただちに水洗を行いエッチングした。エッチング後のＩ
ｎＰウェーハの表面観察を行ったが、ビット、ラネ、ア
バタ状の表面荒れが多数観察された。
ただちに水洗を行いエッチングした。エッチング後のＩ
ｎＰウェーハの表面観察を行ったが、ビット、ラネ、ア
バタ状の表面荒れが多数観察された。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）鏡面研磨したＩｎＰウェーハを、有機洗浄後、（イ
）リン酸−過酸化水素−水の混合液或いは（ロ）フッ化
水素−過酸化水素−水の混合液により洗浄することを特
徴とするＩｎＰウェーハの洗浄方法。 ２）リン酸：過酸化水素：水＝１０〜３０：１〜５：１
の混合液或いはフッ化水素：過酸化水素：水＝１〜１０
：１〜５：１の混合液が使用される特許請求の範囲第１
項記載の方法。 ３）有機洗浄が、トリクロレン、アセトン及びメタノー
ルの１種以上の組合せ使用により行われる特許請求の範
囲第１項記載の方法。 ４）鏡面研磨したＩｎＰウェーハをエピタキシャル成長
工程に適した表面に処理する方法であつて、鏡面研磨し
たＩｎＰウェーハを、有機洗浄後、（イ）リン酸−過酸
化水素−水の混合液或いは（ロ）フッ化水素−過酸化水
素−水の混合液により洗浄し、水洗し、そして後臭素−
メタノール溶液にてエッチングすることを特徴とするＩ
ｎＰウェーハ処理方法。 ５）リン酸：過酸化水素：水＝１０〜３０：１〜５：１
の混合液或いはフッ化水素：過酸化水素：水＝１〜１０
：１〜５：１の混合液が使用される特許請求の範囲５項
記載の方法。 ６）有機洗浄が、トリクロレン、アセトン及びメタノー
ルの１種以上の組合せ使用により行われる特許請求の範
囲第５項記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9465886A JPS62252140A (ja) | 1986-04-25 | 1986-04-25 | ＩｎＰウエ−ハの洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9465886A JPS62252140A (ja) | 1986-04-25 | 1986-04-25 | ＩｎＰウエ−ハの洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62252140A true JPS62252140A (ja) | 1987-11-02 |
Family
ID=14116354
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9465886A Pending JPS62252140A (ja) | 1986-04-25 | 1986-04-25 | ＩｎＰウエ−ハの洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62252140A (ja) |
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-
1986
- 1986-04-25 JP JP9465886A patent/JPS62252140A/ja active Pending
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