JP2010248050A - インジウムリン基板の製造方法、エピタキシャルウエハの製造方法、インジウムリン基板およびエピタキシャルウエハ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】InP基板の製造方法は、以下の工程(ステップ)を備えている。InPインゴットを準備するS1。このインゴットは、InPからなっていてもよく、Fe、S、Sn、およびZnからなる群より選ばれた少なくとも一種の物質よりなるドーパントを含んでいてもよい。次に、準備したインゴットからInP基板をスライス加工した後S2、InP基板を、研磨剤、化学研磨液などを用いて研磨しS3、InP基板を準備する。次に、研磨したInP基板を前処理するS4。前処理により、研磨剤、化学研磨液などを除去する。続いてInP基板を硫酸過水で洗浄しS5、この後、InP基板をリン酸で洗浄するS6。
【選択図】図2
Description
図1を参照して、本実施の形態におけるInP基板10を説明する。図1に示すように、InP基板10は、表面10aを有している。
まず、図2を参照して、InPインゴットを準備する(ステップS1)。このインゴットは、InPからなっていてもよく、Fe、S、Sn、およびZnからなる群より選ばれた少なくとも一種の物質よりなるドーパントを含んでいてもよい。
図8を参照して、本実施の形態におけるエピタキシャルウエハ20について説明する。図8に示すように、エピタキシャルウエハ20は、実施の形態1におけるInP基板10と、InP基板10の表面10a上に形成されたエピタキシャル層21とを備えている。エピタキシャル層21は、1層であってもよく、複数層であってもよい。
本発明例1のInP基板の製造方法は、基本的には実施の形態1と同様であった。具体的には、まず、InPインゴットをVB法により結晶成長した(ステップS1)。次に、インゴットをスライス加工した(ステップS2)。次に、研磨剤と酸化剤とpH調整剤とを含み、かつpHが2以上4以下の研磨液を用いて研磨をした(ステップS3)。研磨剤は、粒径が3nm以上30nm以下の粒径を有するコロイダルシリカを用いた。酸化剤は、トリクロロイソシアヌル酸を用いた。pH調整剤は、リンゴ酸を用いた。これにより、InP基板を準備した。
比較例1〜8のInP基板の製造方法は、基本的には本発明例1と同様であったが、ステップS5およびS6の代わりに、下記の表1に記載の洗浄液を用いた。
本発明例1、および比較例1〜8のInP基板について、表面の組成をXPS法により測定した。測定した装置としては、PHI Quantum2000を用いた。分析条件は、以下のようにした。X線源は、1486.6eVを有する単一波長AlKαを用いた。光電子取り出し角度は、30°とした。分析領域は、1400μm×300μmとした。チャージアップは、C1sのC−H結合を284.8eVとして補正を行なった。その結果を下記の表1に示す。
表1に示すように、硫酸過水で洗浄し、その後リン酸で洗浄した本発明例1のInP基板は、不純物を構成する硫酸イオンの濃度が0.6ng/cm2以下であり、かつ有機膜を構成するCと結合しているOの濃度およびCの濃度は40atomic%以下であった。このため、本発明例1のInP基板の表面は、不純物が低減され、かつ有機膜および酸化膜が低減されたことがわかった。
本発明例1および比較例1〜8のエピタキシャルウエハについて、InGaAs層について、以下の条件のPL強度測定方法によりPL強度を測定した。励起光波長は532nmであった。測定波長は、1250nm以上1500nm以下であった。測定機は、ナノメトリクス社製のPLM150を用いた。その結果を下記の表2に示す。
表2に示すように、硫酸過水で洗浄し、その後リン酸で洗浄したInP基板を備えた本発明例1のエピタキシャルウエハは、PL強度が80(a.u.)以上であり、PL特性の悪化を抑制できた。さらに、本発明例1のエピタキシャルウエハは、2×1017atomic/cm3以下の低いSi濃度と、検出下限値以下の低いS濃度とを有していた。このことから、InP基板とエピタキシャル層との界面の不純物濃度を低減できたことがわかった。このため、電気特性の悪化を抑制できることがわかった。
本発明例2〜5のInP基板およびエピタキシャルウエハは、基本的には本発明例1〜5と同様に製造したが、リン酸で洗浄するステップS6において、下記の表3に記載の濃度のリン酸を用いた点において異なっていた。
本発明例1〜5のInP基板の表面の有機膜の厚み、Haze、およびエピタキシャル層のHazeを測定した。有機膜の厚みは、ルドルフ社製のエリプソメータ Auto EL IVを用いて測定した。Hazeは、KLA−Tencor社製の表面検査装置Surfscan 6220を用いて測定した。これらの結果を下記の表3に示す。
表3に示すように、リン酸の濃度が1%以上30%以下の本発明例1〜3は、InP基板のHazeおよびエピタキシャルウエハのHazeが低かった。InP基板の表面粗さが小さいため、エピタキシャルウエハのモフォロジーも良くなったことがわかった。
Claims (8)
- インジウムリン基板を準備する工程と、
前記インジウムリン基板を硫酸過水で洗浄する工程と、
前記硫酸過水で洗浄する工程後に、前記インジウムリン基板をリン酸で洗浄する工程とを備えた、インジウムリン基板の製造方法。 - 前記リン酸で洗浄する工程では、1%以上30%以下の濃度の前記リン酸水溶液を用いる、請求項1に記載のインジウムリン基板の製造方法。
- 前記準備する工程では、鉄、硫黄、スズ、および亜鉛からなる群より選ばれた少なくとも一種の物質よりなるドーパントを含む前記インジウムリン基板を準備する、請求項1または2に記載のインジウムリン基板の製造方法。
- 請求項1〜3のいずれか1項に記載のインジウムリン基板の製造方法によりインジウムリン基板を製造する工程と、
前記インジウムリン基板上にエピタキシャル層を形成する工程とを備えた、エピタキシャルウエハの製造方法。 - 表面を有するインジウムリン基板であって、
前記表面において、硫酸イオンの濃度が0.6ng/cm2以下であり、かつ硫黄以外と結合している酸素の濃度および炭素の濃度は40atomic%以下であることを特徴とする、インジウムリン基板。 - 前記表面において、Pの濃度に対するInの濃度の比(In/P)が1.23以下であり、かつIn酸化物が1.2atomic%以下であることを特徴とする、請求項5に記載のインジウムリン基板。
- 鉄、硫黄、スズ、および亜鉛からなる群より選ばれた少なくとも一種の物質よりなるドーパントを含む、請求項5または6に記載のインジウムリン基板。
- 請求項5〜7のいずれか1項に記載のインジウムリン基板と、
前記インジウムリン基板の前記表面上に形成されたエピタキシャル層とを備えた、エピタキシャルウエハ。
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