JPS605560B2 - インジウムリン単結晶の鏡面エツチング方法 - Google Patents
インジウムリン単結晶の鏡面エツチング方法Info
- Publication number
- JPS605560B2 JPS605560B2 JP52078491A JP7849177A JPS605560B2 JP S605560 B2 JPS605560 B2 JP S605560B2 JP 52078491 A JP52078491 A JP 52078491A JP 7849177 A JP7849177 A JP 7849177A JP S605560 B2 JPS605560 B2 JP S605560B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- single crystal
- solution
- indium phosphide
- mirror
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Weting (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はインジウムリン単結晶の鏡面エッチング方法に
関する。
関する。
光通信用発光素子として使用するインジウムリン単結晶
からなるゥェフアは表面をまず機械研摩する。
からなるゥェフアは表面をまず機械研摩する。
この研摩によってウェフアは表面に深さ数〆程度の加工
歪層及び深さ数仏程度の不規則な凹部を形成し、かつそ
の凹部には研摩暦およびその他の不純物が溜る。研摩に
よって生じた表面の凹部を平坦化し、かつ表面に付着し
た不純物を除去するために鏡面エッチングを行なう。イ
ンジウムリンゥェフアの鏡面エッチングには、従来エッ
チング液として、臭素を含むメタノール等を使用した。
このエッチング液はエッチング速度が２仏／ｍｉｎと大
きい利点があるが、得られた鏡面に微細な穴や研摩きず
が１ぴ〜１び個ノ地程度も残るので、満足な鏡面を得る
ことができない欠点がある。本発明の目的は上記欠点を
解消することである。
歪層及び深さ数仏程度の不規則な凹部を形成し、かつそ
の凹部には研摩暦およびその他の不純物が溜る。研摩に
よって生じた表面の凹部を平坦化し、かつ表面に付着し
た不純物を除去するために鏡面エッチングを行なう。イ
ンジウムリンゥェフアの鏡面エッチングには、従来エッ
チング液として、臭素を含むメタノール等を使用した。
このエッチング液はエッチング速度が２仏／ｍｉｎと大
きい利点があるが、得られた鏡面に微細な穴や研摩きず
が１ぴ〜１び個ノ地程度も残るので、満足な鏡面を得る
ことができない欠点がある。本発明の目的は上記欠点を
解消することである。
本発明の上記目的は、臭素を含むアルコール溶液、アセ
トン溶液または酢酸溶液でエッチングする前に、過酸化
水素を１８本積％以下含む硫酸、もしくはリン酸の溶液
、または硝酸もしくは硫酸の水溶液で予めエッチングす
ることを特徴とする、インジウムリン単結晶の鏡面エッ
チング方法によって達成することができる。
トン溶液または酢酸溶液でエッチングする前に、過酸化
水素を１８本積％以下含む硫酸、もしくはリン酸の溶液
、または硝酸もしくは硫酸の水溶液で予めエッチングす
ることを特徴とする、インジウムリン単結晶の鏡面エッ
チング方法によって達成することができる。
本発明で使用する過酸化水素を含む硫酸もしくはリン酸
の溶液のエッチング速度は、溶液中の過酸化水素の含有
量によって異るが、０．０５〜０．２Ａ′ｍｉｎの程度
に過ぎない。
の溶液のエッチング速度は、溶液中の過酸化水素の含有
量によって異るが、０．０５〜０．２Ａ′ｍｉｎの程度
に過ぎない。
従ってこれのみを使用する場合は、エッチング速度が遅
くてェピタキシャル成長等の結晶成長用基板としては不
充分であるが、ウェフア表面の不規則性をなくし、不純
物を除去する点では効果がある。すなわち過酸化水素を
１３本積％以下含む硫酸もしくはリン酸の溶液、または
硝酸もしくは硫酸の水溶液で予めエッチングした後に、
従来使用された臭素を含むメタノール溶液、アセトン溶
液または酢酸溶液でエッチングすることによって、満足
すべき鏡面仕上げをすることができる。次に本発明によ
る過酸化水素を含む硫酸溶液で予めエッチングを行なっ
た後に、臭素を含むメタ／ール溶液でエッチングした実
施例、および臭素を含むメタノール溶液のみでエッチン
グした比較例を説明する。
くてェピタキシャル成長等の結晶成長用基板としては不
充分であるが、ウェフア表面の不規則性をなくし、不純
物を除去する点では効果がある。すなわち過酸化水素を
１３本積％以下含む硫酸もしくはリン酸の溶液、または
硝酸もしくは硫酸の水溶液で予めエッチングした後に、
従来使用された臭素を含むメタノール溶液、アセトン溶
液または酢酸溶液でエッチングすることによって、満足
すべき鏡面仕上げをすることができる。次に本発明によ
る過酸化水素を含む硫酸溶液で予めエッチングを行なっ
た後に、臭素を含むメタ／ール溶液でエッチングした実
施例、および臭素を含むメタノール溶液のみでエッチン
グした比較例を説明する。
硫酸の代わりにリン酸を使用する場合、および硝酸もし
くは硫酸の水溶液の場合にも同様な結果が得られる。
くは硫酸の水溶液の場合にも同様な結果が得られる。
実施例
厚み４０叱の５×５柳角の予め機械的に鏡面研摩された
（１００）Ｂ面を表面とする、すずをド−フ。
（１００）Ｂ面を表面とする、すずをド−フ。
したインジウム単結晶からなるウヱフアを、各３０ｃｃ
のメタノール、アセトンおよびトリクロロエチレンに順
次２分間ずつ浸潰して洗浄した。このウェフアを過酸化
水素を１４体積％含む硫酸溶液３０ｃｃに１分間浸潰し
て前エッチングした。次に臭素を０．３体積％含むメタ
ノール溶液３０ｃｃにウェフアを３分間浸潰してエッチ
ングした。浸潰して約１０秒後にゥェフアの表面が曇り
、約６現砂後にこの曇りが消失して鏡面となった。ゥェ
フアを水洗し、顕微鏡によって観察した結果研摩による
傷および穴の残留は０〜１ぴ／淡程度に過ぎなかった。
比較例上記実施例における、過酸化水素を含む硫酸溶液
で予めエッチングを行なわなかったことの他は、実施例
と同様に行なった。
のメタノール、アセトンおよびトリクロロエチレンに順
次２分間ずつ浸潰して洗浄した。このウェフアを過酸化
水素を１４体積％含む硫酸溶液３０ｃｃに１分間浸潰し
て前エッチングした。次に臭素を０．３体積％含むメタ
ノール溶液３０ｃｃにウェフアを３分間浸潰してエッチ
ングした。浸潰して約１０秒後にゥェフアの表面が曇り
、約６現砂後にこの曇りが消失して鏡面となった。ゥェ
フアを水洗し、顕微鏡によって観察した結果研摩による
傷および穴の残留は０〜１ぴ／淡程度に過ぎなかった。
比較例上記実施例における、過酸化水素を含む硫酸溶液
で予めエッチングを行なわなかったことの他は、実施例
と同様に行なった。
Claims (1)
- １ 臭素を含むアルコール溶液、アセトン溶液または酢
酸溶液でエツチングする前に、過酸化水素１５体積％以
下を含む硫酸もしくはリン酸の溶液、または硝酸もしく
は硫酸の水溶液で予めエツチングすることを特徴とする
、インジウムリン単結晶の鏡面エツチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52078491A JPS605560B2 (ja) | 1977-07-02 | 1977-07-02 | インジウムリン単結晶の鏡面エツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52078491A JPS605560B2 (ja) | 1977-07-02 | 1977-07-02 | インジウムリン単結晶の鏡面エツチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5413500A JPS5413500A (en) | 1979-01-31 |
| JPS605560B2 true JPS605560B2 (ja) | 1985-02-12 |
Family
ID=13663437
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52078491A Expired JPS605560B2 (ja) | 1977-07-02 | 1977-07-02 | インジウムリン単結晶の鏡面エツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS605560B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62252140A (ja) * | 1986-04-25 | 1987-11-02 | Nippon Mining Co Ltd | ＩｎＰウエ−ハの洗浄方法 |
| JPH0727881B2 (ja) * | 1986-06-10 | 1995-03-29 | 株式会社ジャパンエナジー | ＩｎＰウェーハの鏡面研磨液ならびに鏡面研磨方法 |
| JP5471001B2 (ja) | 2009-04-20 | 2014-04-16 | 住友電気工業株式会社 | インジウムリン基板の製造方法、エピタキシャルウエハの製造方法、インジウムリン基板およびエピタキシャルウエハ |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4841755A (ja) * | 1971-09-28 | 1973-06-18 | ||
| JPS4885084A (ja) * | 1972-01-27 | 1973-11-12 |
-
1977
- 1977-07-02 JP JP52078491A patent/JPS605560B2/ja not_active Expired
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4841755A (ja) * | 1971-09-28 | 1973-06-18 | ||
| JPS4885084A (ja) * | 1972-01-27 | 1973-11-12 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5413500A (en) | 1979-01-31 |
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