JP6584571B1 - 多結晶ブラックシリコンのテクスチャリングプロセス - Google Patents
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Abstract
Description
従来の解決手段には、添加剤によるテクスチャリング、金属イオン誘導によるブラックシリコンのテクスチャリング、RIEブラックシリコンのテクスチャリング、機械的表面処理等がある。その中でも、金属イオン誘導によるブラックシリコンのテクスチャリングは、優れた性能と低コストのため、大幅に普及している。しかしながら、金属イオン誘導によるブラックシリコンのテクスチャリングプロセスは複雑であり、適切に制御できなければ、外観が悪く、性能が低いシリコンウエハになる。このため、外観が良好であるとともに性能に優れたブラックシリコン電池セルを制御するために、過程を制御するのに有効な助剤とプロセスが必要である。
本発明の目的は、研磨処理、スロッティング処理、拡孔処理の三つの重要なステップを制御することにより、ブラックシリコンテクのスチャリング過程全体を制御可能にし、外観が良好で、性能が高い多結晶ブラックシリコンを製造でき、製造された多結晶ブラックシリコンでは、外観がファジーで、孔が均一である、多結晶ブラックシリコンのテクスチャリングプロセスを提供することである。
1)研磨液で多結晶シリコンウエハに研磨処理を行う。
前記研磨液は水酸化カリウム又は水酸化ナトリウム5%〜15%、研磨助剤0.3%〜0.8%及び残量の脱イオン水からなり、
前記研磨助剤は安息香酸ナトリウム1.0%〜3.0%、酢酸ナトリウム1.0%〜2.0%、グリセロール0.5%〜2.0%、ポリエチレングリコール0.2%〜1.0%、ケイ酸ナトリウム5.0%〜10.0%及び残量の脱イオン水からなる。
2)スロッティング処理液で研磨処理済みのシリコンウエハにスロッティング処理を行って、シリコンウエハの表面にナノ孔を形成する。
前記スロッティング処理液は過酸化水素0.2%〜0.5%、フッ化水素酸2%〜5%、スロッティング助剤0.4%〜1.2%及び残量の脱イオン水からなり、
前記スロッティング助剤はクエン酸0.5%〜3.0%、ブタンジオール0.5%〜3.0%、硝酸銀0.05%〜0.2%、ヒドロキシエチルセルロース0.15%〜0.8%、酒石酸1.5%〜5.0%、ポリエチレングリコール0.5%〜1.0%、シランカップリング剤0.2%〜1.0%、トリエタノールアミン0.8%〜1.0%、ポリアスパラギン酸0.4%〜0.8%、ポリビニルアルコール0.5%〜2.0%、ラウリルアルコールポリオキシエチレンエーテル0.5%〜1.5%及び残量の脱イオン水からなる。
3)スロッティング処理済みのシリコンウエハに脱銀処理を行って、シリコンウエハにおける銀粒子を除去する。
4)拡孔処理液で脱銀処理済みのシリコンウエハに拡孔処理を行って、シリコンウエハに表面にマイクロ・ナノ孔を形成する。
前記拡孔処理液はフッ化水素酸10%〜15%、硝酸30%〜45%及び残量の脱イオン水からなる。
各百分率は質量体積百分率である。
前記研磨助剤は安息香酸ナトリウム1.5%〜2.0%、酢酸ナトリウム1.5%〜2.0%、グリセロール1.0%〜2.0%、ポリエチレングリコール0.5%〜0.8%、ケイ酸ナトリウム5.0%〜8.0%及び残量の脱イオン水からなり、
各百分率は質量体積百分率である。
前記スロッティング助剤はクエン酸1.0%〜2.0%、ブタンジオール1.0%〜2.0%、硝酸銀0.05%〜0.1%、ヒドロキシエチルセルロース0.2%〜0.5%、酒石酸1.5%〜3.0%、ポリエチレングリコール0.5%〜0.8%、シランカップリング剤0.5%〜0.8%、トリエタノールアミン0.8%〜1.0%、ポリアスパラギン酸0.5%〜0.8%、ポリビニルアルコール0.5%〜1.0%、ラウリルアルコールポリオキシエチレンエーテル0.5%〜1.0%及び残量の脱イオン水からなり、
各百分率は質量体積百分率である。
本発明の利点及び有益な効果は以下のとおりである。研磨処理、スロッティング処理、拡孔処理の三つの重要なステップを制御することにより、ブラックシリコンテクのスチャリング過程全体を制御可能にし、外観が良好で、性能が高い多結晶ブラックシリコンを製造でき、製造された多結晶ブラックシリコンでは、外観がファジーで、孔が均一である、多結晶ブラックシリコンのテクスチャリングプロセスを提供する。
本発明に係る多結晶ブラックシリコンのテクスチャリングプロセスは、まず、アルカリ研磨で多結晶シリコンウエハに同一結晶方向のテクスチャ面を得て、次にメタルアシスト湿式化学エッチングでスロッティングを行い、ダイヤモンドワイヤーカットによる多結晶シリコンウエハをナノ孔付きの多結晶ブラックシリコンにし、最後に上記ナノ孔付きの多結晶ブラックシリコンに拡孔処理を行う。
多結晶ブラックシリコンのテクスチャリングプロセスは、以下のステップを含む。
1)研磨液で多結晶シリコンウエハに研磨処理を行う。
前記研磨液は水酸化カリウム又は水酸化ナトリウム5%〜15%、研磨助剤0.3%〜0.8%及び残量の脱イオン水からなり、
前記研磨助剤は安息香酸ナトリウム1.0%〜3.0%、酢酸ナトリウム1.0%〜2.0%、グリセロール0.5%〜2.0%、ポリエチレングリコール0.2%〜1.0%、ケイ酸ナトリウム5.0%〜10.0%及び残量の脱イオン水からなり、
研磨処理の温度は70〜80℃、時間は200〜250sである。
2)スロッティング処理液で研磨処理済みのシリコンウエハにスロッティング処理を行って、シリコンウエハの表面にナノ孔を形成する。
前記スロッティング処理液は過酸化水素0.2%〜0.5%、フッ化水素酸2%〜5%、スロッティング助剤0.4%〜1.2%及び残量の脱イオン水からなり、
前記スロッティング助剤はクエン酸0.5%〜3.0%、ブタンジオール0.5%〜3.0%、硝酸銀0.05%〜0.2%、ヒドロキシエチルセルロース0.15%〜0.8%、酒石酸1.5%〜5.0%、ポリエチレングリコール0.5%〜1.0%、シランカップリング剤0.2%〜1.0%、トリエタノールアミン0.8%〜1.0%、ポリアスパラギン酸0.4%〜0.8%、ポリビニルアルコール0.5%〜2.0%、ラウリルアルコールポリオキシエチレンエーテル0.5%〜1.5%及び残量の脱イオン水からなり、
スロッティング処理の温度は30〜40℃、時間は180〜250sである。
3)スロッティング処理済みのシリコンウエハに脱銀処理を行って、シリコンウエハにおける銀粒子を除去する。
4)拡孔処理液で脱銀処理済みのシリコンウエハに拡孔処理を行って、シリコンウエハに表面にマイクロ・ナノ孔を形成する。
前記拡孔処理液はフッ化水素酸10%〜15%、硝酸30%〜45%及び残量の脱イオン水からなり、
拡孔処理の温度は10〜20℃、時間は60〜120sであり、
各百分率は質量体積百分率である。
前記研磨液は水酸化カリウム又は水酸化ナトリウム8%〜12%、研磨助剤0.4%〜0.7%及び残量の脱イオン水からなり、
前記研磨助剤は安息香酸ナトリウム1.5%〜2.0%、酢酸ナトリウム1.5%〜2.0%、グリセロール1.0%〜2.0%、ポリエチレングリコール0.5%〜0.8%、ケイ酸ナトリウム5.0%〜8.0%及び残量の脱イオン水からなり、
各百分率は質量体積百分率である。
それ以外は、実施例1と同様であった。
前記スロッティング処理液は過酸化水素0.2%〜0.4%、フッ化水素酸2%〜4%、スロッティング助剤0.5%〜1.0%及び残量の脱イオン水からなり、
前記スロッティング助剤はクエン酸1.0%〜2.0%、ブタンジオール1.0%〜2.0%、硝酸銀0.05%〜0.1%、ヒドロキシエチルセルロース0.2%〜0.5%、酒石酸1.5%〜3.0%、ポリエチレングリコール0.5%〜0.8%、シランカップリング剤0.5%〜0.8%、トリエタノールアミン0.8%〜1.0%、ポリアスパラギン酸0.5%〜0.8%、ポリビニルアルコール0.5%〜1.0%、ラウリルアルコールポリオキシエチレンエーテル0.5%〜1.0%及び残量の脱イオン水からなり、
各百分率は質量体積百分率である。
それ以外は、実施例1と同様であった。
前記拡孔処理液はフッ化水素酸10%〜12%、硝酸30%〜40%及び残量の脱イオン水からなり、各百分率は質量体積百分率である。
それ以外は、実施例1と同様であった。
本発明に係るテクスチャリングした多結晶ブラックシリコンの外観写真は図1に示され、テクスチャリングした多結晶ブラックシリコンのシリコンウエハの電界放出型走査型電子顕微鏡像は図2に示され、図1、図2から明らかなように、製造された多結晶ブラックシリコンは、外観がファジーで、孔が均一である。
Claims (7)
- 1)研磨液で多結晶シリコンウエハに研磨処理を行うステップと、
2)スロッティング処理液で研磨処理済みのシリコンウエハにスロッティング処理を行って、シリコンウエハの表面にナノ孔を形成するステップと、
3)スロッティング処理済みのシリコンウエハに脱銀処理を行って、シリコンウエハにおける銀粒子を除去するステップと、
4)拡孔処理液で脱銀処理済みのシリコンウエハに拡孔処理を行って、シリコンウエハに表面にマイクロ・ナノ孔を形成するステップとを含み、
ステップ1)において、前記研磨液は、水酸化カリウム又は水酸化ナトリウム5%〜15%、研磨助剤0.3%〜0.8%及び残量の脱イオン水からなり、
前記研磨助剤は、安息香酸ナトリウム1.0%〜3.0%、酢酸ナトリウム1.0%〜2.0%、グリセロール0.5%〜2.0%、ポリエチレングリコール0.2%〜1.0%、ケイ酸ナトリウム5.0%〜10.0%及び残量の脱イオン水からなり、
ステップ2)において、前記スロッティング処理液は過酸化水素0.2%〜0.5%、フッ化水素酸2%〜5%、スロッティング助剤0.4%〜1.2%及び残量の脱イオン水からなり、
前記スロッティング助剤は、クエン酸0.5%〜3.0%、ブタンジオール0.5%〜3.0%、硝酸銀0.05%〜0.2%、ヒドロキシエチルセルロース0.15%〜0.8%、酒石酸1.5%〜5.0%、ポリエチレングリコール0.5%〜1.0%、シランカップリング剤0.2%〜1.0%、トリエタノールアミン0.8%〜1.0%、ポリアスパラギン酸0.4%〜0.8%、ポリビニルアルコール0.5%〜2.0%、ラウリルアルコールポリオキシエチレンエーテル0.5%〜1.5%及び残量の脱イオン水からなり、
前記拡孔処理液はフッ化水素酸10%〜15%、硝酸30%〜45%及び残量の脱イオン水からなり、
各百分率は質量体積百分率であることを特徴とする多結晶ブラックシリコンのテクスチャリングプロセス。 - ステップ1)では、研磨処理の温度は70〜80℃、時間は200〜250sであることを特徴とする請求項1に記載の多結晶ブラックシリコンのテクスチャリングプロセス。
- ステップ2)では、スロッティング処理の温度は30〜40℃、時間は180〜250sであることを特徴とする請求項2に記載の多結晶ブラックシリコンのテクスチャリングプロセス。
- ステップ4)では、拡孔処理の温度は10〜20℃、時間は60〜120sであることを特徴とする請求項3に記載の多結晶ブラックシリコンのテクスチャリングプロセス。
- 前記研磨液は水酸化カリウム又は水酸化ナトリウム8%〜12%、研磨助剤0.4%〜0.7%及び残量の脱イオン水からなり、
前記研磨助剤は安息香酸ナトリウム1.5%〜2.0%、酢酸ナトリウム1.5%〜2.0%、グリセロール1.0%〜2.0%、ポリエチレングリコール0.5%〜0.8%、ケイ酸ナトリウム5.0%〜8.0%及び残量の脱イオン水からなり、
各百分率は質量体積百分率であることを特徴とする請求項4に記載の多結晶ブラックシリコンのテクスチャリングプロセス。 - 前記スロッティング処理液は過酸化水素0.2%〜0.4%、フッ化水素酸2%〜4%、スロッティング助剤0.5%〜1.0%及び残量の脱イオン水からなり、
前記スロッティング助剤はクエン酸1.0%〜2.0%、ブタンジオール1.0%〜2.0%、硝酸銀0.05%〜0.1%、ヒドロキシエチルセルロース0.2%〜0.5%、酒石酸1.5%〜3.0%、ポリエチレングリコール0.5%〜0.8%、シランカップリング剤0.5%〜0.8%、トリエタノールアミン0.8%〜1.0%、ポリアスパラギン酸0.5%〜0.8%、ポリビニルアルコール0.5%〜1.0%、ラウリルアルコールポリオキシエチレンエーテル0.5%〜1.0%及び残量の脱イオン水からなり、
各百分率は質量体積百分率であることを特徴とする請求項5に記載の多結晶ブラックシリコンのテクスチャリングプロセス。 - 前記拡孔処理液はフッ化水素酸10%〜12%、硝酸30%〜40%及び残量の脱イオン水からなり、
各百分率は質量体積百分率であることを特徴とする請求項6に記載の多結晶ブラックシリコンのテクスチャリングプロセス。
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