CN113380605A - 一种基于机械研磨辅助腐蚀的黑硅制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及光电探测器制备技术领域,特别涉及一种机械研磨辅助腐蚀的黑硅制作方法,制备方法包括对硅晶圆进行清洗;以含有金刚砂的减薄垫和含有SiO2磨料的研磨液辅助,采用机械研磨工艺对硅晶圆表面进行预处理,在硅晶圆表面产生粗糙表面与微损伤;对硅晶圆表面进行清洗;采用包括硝酸、氢氟酸、磷酸以及硫酸的混合液以湿法腐蚀的工艺在硅晶圆表面制备出黑硅微结构;对硅晶圆进行清洗,完成黑硅制备;本发明采用机械研磨形成微损伤与粗糙表面辅助湿法腐蚀制备黑硅,具有近红外吸收效果好,暗电流低,工艺简单,均匀性好,便于批量生产,成本低,与硅光电器件工艺兼容性好等优点。
Description
技术领域
本发明涉及光电探测器制备技术领域,特别涉及一种基于机械研磨辅助腐蚀的黑硅制作方法。
背景技术
硅光电探测器(PIN/APD)具有暗电流小、灵敏度高、成本低等优点,在光纤通讯、激光测距、三维成像、激光制导等领域都得到了广泛应用。为了进一步提升系统性能,扩展应用范围,硅光电探测器在近红外波段(800~1100nm)也要求有高的响应率。而黑硅同时具有微纳结构陷光作用和光电流内部倍增作用,可在800~1700nm光谱范围内都保持很高的吸收率(≥80%),是硅光电探测器提高近红外响应率最主要的方法。
黑硅应用于硅光电探测器,主要作为光敏吸收层(如图1所示),需要具有较深和较大深宽比的微纳陷光结构,以提高近红外光的吸收率。制作工艺需要具有晶格损伤低、均匀性高、重复性好的特性,才能获得低暗电流、低噪声、低成本的光电探测器。同时,为保障器件性能与生产线的工艺安全,黑硅制作工艺还必须与硅光电器件工艺兼容,不能引入重金属沾污,否者将引起器件性能的大幅度退化或失效。
传统的黑硅制备方法有飞秒激光扫描、金属离子辅助湿化学腐蚀、无掩膜干法刻蚀、纳米压印等。飞秒激光扫描法采用飞秒激光脉冲作用到硅片表面,获得针状或柱状的黑硅结构,其具有黑硅形貌佳、红外吸收增强效果好的优点,但是这种方法也有设备昂贵、黑硅产能极低、晶格损伤较大的缺点;金属离子辅助湿化学腐蚀,采用Au+、Pt+、Mn+、Ni+、Cu+等离子辅助湿法腐蚀形成金字塔或孔状黑硅,具有设备简单、制作成本低的优势,但容易引起金属离子沾污,大幅退化器件性能;无掩膜干法刻蚀采用等离子体自身的晶向选择刻蚀和微掩膜作用形成柱状黑硅结构,具有工艺简单的优势,但是存在片间/片内均匀性差、工艺重复性差等问题;纳米压印法一般采用纳米压印方式先在硅片表面形成黑硅微纳结构掩膜,然后采用干法刻蚀将掩膜图形转移到硅衬底形成黑硅结构,该方法具有均匀性好、结构可设计的优点,但也存在成本高、近红外吸收增强效果较差(纳米压印黑硅微结构较浅,否者微结构在纳米压印时无法倒模)等缺点。
发明内容
为了获得近红外吸收效果好、均匀性高、重复性好、工艺简单、产能高、成本低、无重金属沾污、与硅光电器件工艺兼容性好的黑硅,本发明提出一种机械研磨辅助腐蚀的黑硅制作方法,所述一种机械研磨辅助腐蚀的黑硅制作方法包括以下步骤:
S1、对硅晶圆进行清洗;
S2、以含有金刚砂的减薄垫和含有SiO2磨料的研磨液辅助,采用机械研磨工艺对硅晶圆表面进行预处理,在硅晶圆表面产生粗糙表面与微损伤;
S3、对硅晶圆表面进行清洗;
S4、采用包括硝酸、氢氟酸、磷酸以及硫酸的混合液以湿法腐蚀的工艺在硅晶圆表面制备出黑硅微结构;
S5、对硅晶圆进行清洗,完成黑硅制备。
进一步的,通过机械研磨布粗糙度选择、研磨液配比调节、研磨设备旋转速度以及研磨时间控制硅晶圆表面的粗糙表面与微损伤的粗糙程度和损伤程度。
进一步的,以含有金刚砂的减薄垫和含有SiO2磨料的研磨液辅助,采用机械研磨工艺进行前处理,形成粗糙表面与微损伤,研磨液至少包括磨料、有机碱和螯合剂,在形成粗糙表面与微损伤过程中通过调节研磨液中磨料和有机碱的比例控制粗糙度和损伤程度。
进一步的,含有金刚砂的减薄垫中金刚砂的直径为0.5μm~9μm。
进一步的,SiO2磨料颗粒直径为0.07μm~1μm。
进一步的,研磨液PH值为10~12。
进一步的,步骤S4中采用的混合液成分包括磷酸、硝酸、硫酸以及氢氟酸的混合液,括磷酸:硝酸:硫酸:氢氟酸配比为10%~25%:20%~50%:5%~25%:1%~30%。
进一步的,步骤S4中进行湿法腐蚀时,腐蚀温度为20℃~60℃,腐蚀时间0.5~30分钟。
本发明还提供一种黑硅,该黑硅根据上述任一制备方法进行制备获得。
本发明采用机械研磨形成微损伤与粗糙表面辅助湿法腐蚀制备黑硅,具有许多独特的优点,与现有技术相比主要包括以下几个部分:
1.采用机械研磨形成微损伤与粗糙表面辅助湿法腐蚀制备黑硅,工艺简单,仅需减薄与腐蚀设备,硬件要求低,便于批量生产,成本低。
2.机械研磨与湿法腐蚀两步控制黑硅形貌,且可分别单独优化,工艺均匀性高、重复性好。
3.整个工艺过程不引入重金属离子,与硅光电器件工艺兼容性好。
4.制备的黑硅微纳结构精细化程度适中,近红外吸收效果好;同时结合湿法腐蚀去除损伤,器件暗电流低。
附图说明
图1为集成黑硅PIN光电探测器结构示意图;
图2为本发明一种基于机械研磨辅助腐蚀的黑硅制作方法流程图;
图3为根据本发明制备方法制备的黑硅的显微图,其中(a)为俯视图,(b)为剖面图;
图4为本发明方法制备的黑硅与硅吸收谱对比图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
本发明提供一种机械研磨辅助腐蚀的黑硅制作方法,如图2,具体包括以下步骤:
S1、对硅晶圆进行清洗;
S2、以含有金刚砂的减薄垫和含有SiO2磨料的研磨液辅助,采用机械研磨工艺对硅晶圆表面进行预处理,在硅晶圆表面产生粗糙表面与微损伤;
S3、对硅晶圆表面进行清洗;
S4、采用包括硝酸、氢氟酸、磷酸以及硫酸的混合液以湿法腐蚀的工艺在硅晶圆表面制备出黑硅微结构;
S5、对硅晶圆进行清洗,完成黑硅制备。
实施例1
S0、完成PIN/APD探测器硅晶圆正面工艺制作。
S1、采用有机清洗工艺,对晶圆进行清洗,去除表面沾污。
S2、采用含有金刚砂的减薄垫(金刚砂直径0.5μm~9μm)和含有SiO2磨料(颗粒直径0.07μm~1μm)的研磨液(PH值10~12)辅助,采用机械研磨工艺处理硅晶圆背面,在硅晶圆背面产生粗糙表面与微损伤;
S3、采用有机清洗工艺,对硅晶圆进行清洗;
S4、采用包括磷酸,硝酸、硫酸以及氢氟酸的混合液,配比为(10%~25%):(20%~50%):(5%~25%):(1%~30%),对硅晶圆背面进行腐蚀,制备出黑硅微结构;
S5、采用有机清洗工艺,对硅晶圆进行清洗,完成黑硅制备,制备完成的黑硅见图3,其中图3(a)为制备的黑硅的俯视图,(b)为制备的黑硅的剖面图;
S6、完成背面增透膜、钝化层与电极制作,获得黑硅近红外增强型PIN/APD探测器。
图4展示本发明制备的黑硅与硅的吸收谱对比图,本发明制备的黑硅有较好的近红外吸收效果。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (8)
1.一种基于机械研磨辅助腐蚀的黑硅制作方法,其特征在于,具体包括以下步骤:
S1、对硅晶圆进行清洗;
S2、以含有金刚砂的减薄垫和含有SiO2磨料的研磨液辅助,采用机械研磨工艺对硅晶圆表面进行预处理,在硅晶圆表面产生粗糙表面与微损伤;
S3、对硅晶圆表面进行清洗;
S4、采用包括硝酸、氢氟酸、磷酸以及硫酸的混合液以湿法腐蚀的工艺在硅晶圆表面制备出黑硅微结构;
S5、对硅晶圆进行清洗,完成黑硅制备。
2.根据权利要求1所述的一种基于机械研磨辅助腐蚀的黑硅制作方法,其特征在于,通过机械研磨布粗糙度选择、研磨液配比调节、研磨设备旋转速度以及研磨时间控制硅晶圆表面的粗糙表面与微损伤的粗糙程度和损伤程度。
3.根据权利要求1所述的一种基于机械研磨辅助腐蚀的黑硅制作方法,其特征在于,以含有金刚砂的减薄垫和含有SiO2磨料的研磨液辅助,采用机械研磨工艺进行前处理,形成粗糙表面与微损伤,研磨液至少包括磨料、有机碱和螯合剂,在形成粗糙表面与微损伤过程中通过调节研磨液中磨料和有机碱的比例控制粗糙度和损伤程度。
4.根据权利要求3所述的一种基于机械研磨辅助腐蚀的黑硅制作方法,其特征在于,含有金刚砂的减薄垫中金刚砂的直径为0.5μm~9μm。
5.根据权利要求3所述的一种基于机械研磨辅助腐蚀的黑硅制作方法,其特征在于,SiO2磨料颗粒直径为0.07μm~1μm。
6.根据权利要求3所述的一种基于机械研磨辅助腐蚀的黑硅制作方法,其特征在于,研磨液PH值为10~12。
7.根据权利要求1所述的一种基于机械研磨辅助腐蚀的黑硅制作方法,其特征在于,步骤S4中采用的混合液成分包括磷酸、硝酸、硫酸以及氢氟酸的混合液,括磷酸:硝酸:硫酸:氢氟酸配比为10%~25%:20%~50%:5%~25%:1%~30%。
8.根据权利要求1所述的一种基于机械研磨辅助腐蚀的黑硅制作方法,其特征在于,步骤S4中进行湿法腐蚀时,腐蚀温度为20℃~60℃,腐蚀时间0.5~30分钟。
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Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006295031A (ja) * | 2005-04-14 | 2006-10-26 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
CN102400227A (zh) * | 2011-11-22 | 2012-04-04 | 深圳光启创新技术有限公司 | 一种绒面黑硅材料的制备方法 |
CN104505430A (zh) * | 2014-12-04 | 2015-04-08 | 常州大学 | 一种高效多晶黑硅电池 |
CN105047764A (zh) * | 2015-09-01 | 2015-11-11 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种硅片的制绒方法 |
CN105551953A (zh) * | 2016-02-01 | 2016-05-04 | 江苏辉伦太阳能科技有限公司 | 一种湿法化学刻蚀制备黑硅的方法 |
CN105826429A (zh) * | 2016-05-12 | 2016-08-03 | 华南师范大学 | 一种微纳复合绒面结构黑硅、黑硅太阳能电池的制备方法 |
CN109037396A (zh) * | 2018-06-25 | 2018-12-18 | 浙江师范大学 | 一种高少子寿命黑硅的制备方法 |
CN109537058A (zh) * | 2018-09-30 | 2019-03-29 | 江苏顺风新能源科技有限公司 | 湿法黑硅制备工艺 |
JP6584571B1 (ja) * | 2018-04-06 | 2019-10-02 | 常州時創能源科技有限公司Changzhou Shichuang Energy Technology Limited Corporation | 多結晶ブラックシリコンのテクスチャリングプロセス |
CN112349812A (zh) * | 2020-10-27 | 2021-02-09 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 硅片表面绒面结构的制备方法 |
-
2021
- 2021-06-04 CN CN202110624638.2A patent/CN113380605A/zh active Pending
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006295031A (ja) * | 2005-04-14 | 2006-10-26 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
CN102400227A (zh) * | 2011-11-22 | 2012-04-04 | 深圳光启创新技术有限公司 | 一种绒面黑硅材料的制备方法 |
CN104505430A (zh) * | 2014-12-04 | 2015-04-08 | 常州大学 | 一种高效多晶黑硅电池 |
CN105047764A (zh) * | 2015-09-01 | 2015-11-11 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种硅片的制绒方法 |
CN105551953A (zh) * | 2016-02-01 | 2016-05-04 | 江苏辉伦太阳能科技有限公司 | 一种湿法化学刻蚀制备黑硅的方法 |
CN105826429A (zh) * | 2016-05-12 | 2016-08-03 | 华南师范大学 | 一种微纳复合绒面结构黑硅、黑硅太阳能电池的制备方法 |
JP6584571B1 (ja) * | 2018-04-06 | 2019-10-02 | 常州時創能源科技有限公司Changzhou Shichuang Energy Technology Limited Corporation | 多結晶ブラックシリコンのテクスチャリングプロセス |
CN109037396A (zh) * | 2018-06-25 | 2018-12-18 | 浙江师范大学 | 一种高少子寿命黑硅的制备方法 |
CN109537058A (zh) * | 2018-09-30 | 2019-03-29 | 江苏顺风新能源科技有限公司 | 湿法黑硅制备工艺 |
CN112349812A (zh) * | 2020-10-27 | 2021-02-09 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 硅片表面绒面结构的制备方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
徐文婷等: "黑硅制备技术及其应用的研究进展", 《稀有金属》 * |
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