CN108123009B - 一种rie制绒的黑硅电池的制备方法 - Google Patents
一种rie制绒的黑硅电池的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108123009B CN108123009B CN201611067874.4A CN201611067874A CN108123009B CN 108123009 B CN108123009 B CN 108123009B CN 201611067874 A CN201611067874 A CN 201611067874A CN 108123009 B CN108123009 B CN 108123009B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- black silicon
- silicon wafer
- front surface
- silver
- black
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 229910021418 black silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 110
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 42
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 21
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 11
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 24
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 11
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 claims description 6
- 239000003814 drug Substances 0.000 claims description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 5
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 4
- 238000005108 dry cleaning Methods 0.000 claims description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 51
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910004014 SiF4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 description 3
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003910 SiCl4 Inorganic materials 0.000 description 1
- CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon Chemical compound [Al].[Si] CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L31/182—Special manufacturing methods for polycrystalline Si, e.g. Si ribbon, poly Si ingots, thin films of polycrystalline Si
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
Abstract
本发明涉及一种RIE制绒的黑硅电池的制备方法，包括如下步骤：步骤S1，去除黑硅片的正表面损伤层，以及对黑硅片的背面进行抛光处理；步骤S2，对所述黑硅片的表面进行磷源扩散，制备PN结；步骤S3，对所述黑硅片进行清洗、RIE制绒，在黑硅片的正表面形成纳米绒面；步骤S4，对所述黑硅片的纳米绒面进行修复，以去除纳米绒面形成过程中的损失层；步骤S5，对所述黑硅片的正表面积淀上减反射膜；步骤S6，对所述黑硅片的背面分别印刷背银、铝浆后烘干，然后在其正表面印刷正银后烧结，即可得到黑硅电池。
Description
技术领域
本发明属于太阳能电池技术领域，尤其涉及一种RIE制绒的黑硅电池的制备方法。
背景技术
现有技术中黑硅电池的制备流程是先进行酸制绒，RIE制绒，经过绒面修复后再进行PN结扩散，然后后清洗去除磷硅玻璃层（PSG）和边缘刻蚀，PECVD积淀减反射膜，丝网印刷和烧结工艺完成黑硅电池的制备，如图1所示。
采用上述的工艺流程，再经过RIE制绒后，黑硅片表面会形成深度为200~500nm左右小绒面，而此深度与目前的扩散PN结深相当。在这种绒面形貌的情况下，会对PN结的扩散深度产生影响，而酸制绒工艺也会引起硅片表面形貌起伏不平，进一步加重了PN结的不均匀性，同时也会导致局部的扩散浓度随绒面起伏而有变化，增加了光生载流子的表面复合速率，从而影响电池片的性能。
现有技术中的工艺（例如专利CN201510003710.4和CN201520004215.0）虽然也提到了背面抛光技术，改善了扩散前硅片表面的平整性，从而提升黑硅电池的性能，但是这些工艺仍然使用的是现有常用的工艺流程，仍然没有考虑到绒面尺寸对扩散均匀性的影响，因此，电池效率提升幅度有限。
发明内容
本发明的目的是提供一种RIE制绒的黑硅电池的制备方法，已解决提高PN结的均匀性，提高电池片转换效率的技术问题。
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种RIE制绒的黑硅电池的制备方法，包括如下步骤：步骤S1，去除黑硅片的正表面损伤层，以及对黑硅片的背面进行抛光处理；步骤S2，对所述黑硅片的表面进行磷源扩散，制备PN结；步骤S3，对所述黑硅片进行清洗、RIE制绒，在黑硅片的正表面形成纳米绒面；步骤S4，对所述黑硅片的纳米绒面进行修复，以去除纳米绒面形成过程中的损失层；步骤S5，对所述黑硅片的正表面积淀上减反射膜；步骤S6，对所述黑硅片的背面分别印刷背银、铝浆后烘干，然后在其正表面印刷正银后烧结，即可得到黑硅电池。
进一步可选的，所述步骤S3中采用湿法清洗方法，使用成分为HF:HNO3：H2SO4：H2O=1:8:10:5的混酸对黑硅片的背面和侧面进行刻蚀，以实现对步骤S2中因磷源扩散造成的黑硅片侧面和背面的PN结的刻蚀，再使用5%浓度的HF去除黑硅片的正表面的磷硅玻璃层，后烘干。
进一步可选的，所述步骤S3中采用干法清洗方法，使用成分为CF4和H2组成的混合气体等离子体对黑硅片的侧面进行刻蚀，以实现对步骤S2中因磷源扩散造成的黑硅片侧面的PN结的刻蚀。
进一步，所述步骤S3中RIE制绒是采用SF6/O2/Cl2混合气体等离子体对所述黑硅片的正表面进行反应离子刻蚀；刻蚀时间为5 ~ 10min，在黑硅片的正表面形成纳米绒面的微结构大小为200 ~ 500nm，反射率为5 ~ 15%。
进一步，所述步骤S1中采用混酸处理法或碱处理法去除黑硅片的正表面的损伤层，以及对黑硅片的背面进行抛光处理；其中混酸处理法采用成分为HF/HNO3/H2O的混酸；碱处理法采用KOH溶液。
进一步，所述步骤S2中扩散温度为760 ~ 850℃，扩散方阻为70 ~ 90Ω/□。
进一步，所述步骤S4中采用成分为BOE/H2O2/H2O的混合药液去除损失层；然后使用成分为HF/HCl/H2O的混酸对黑硅片的表面进行清洗，以去除黑硅片表面的氧化层或金属杂质。
进一步，所述步骤S5中的减反射膜为SiNx薄膜，其厚度为70 ~ 85nm，折射率为2.05 ~ 2.15。
进一步，所述步骤S6中采用丝网印刷法对所述黑硅片的正面和反面进行印刷；以及所述黑硅片的背面的背银的银浆湿重为0.2-0.5g，铝浆湿重为1.1g-1.5g；所述黑硅片的正表面的正银的细栅银浆湿重0.78g-1.5g。
进一步，所述步骤S6中烧结时采用的烧结炉的烧结区域的最高温温区的温度为760 ~ 860℃。
本发明的有益效果是，本发明的RIE制绒的黑硅电池的制备方法采用RIE进行制绒工艺，避免了大量有毒有害化学品的使用，可降低工艺对环境的污染。相较传统干法黑硅电池工艺（图1所示），本发明中将RIE制绒工艺置于扩散工艺之后，通过适当调整扩散PN结的深度,可减少制绒后绒面形貌对扩散后PN结深的影响，从而提高PN结的均匀性，最终达到提高电池片转换效率的目的。本工艺附加成本低，适合多晶硅片，并且可以产业化生产，相比传统干法黑硅电池工艺的效率绝对值提升在0.2%以上。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
图1是现有技术中RIE制绒的黑硅电池的制备方法制备的黑硅电池结构效果示意图；
图2是本发明的RIE制绒的黑硅电池的制备方法制备的黑硅电池结构示意图。
图中：电池银栅线1、减反射膜2、纳米绒面3、PN结4、黑硅片5、铝背场6。
具体实施方式
现在结合附图对本发明作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本发明的基本结构，因此其仅显示与本发明有关的构成。
实施例1
如图2所示，本发明的一种RIE制绒的黑硅电池的制备方法，包括如下步骤：步骤S1，去除黑硅片5的正表面损伤层，以及对黑硅片5的背面进行抛光处理；步骤S2，对所述黑硅片5的表面进行磷源扩散，制备PN结4；步骤S3，对所述黑硅片5进行清洗、RIE制绒，在黑硅片5的正表面形成纳米绒面3；步骤S4，对所述黑硅片5的纳米绒面3进行修复，以去除纳米绒面3形成过程中的损失层；步骤S5，对所述黑硅片5的正表面积淀上减反射膜2；步骤S6，对所述黑硅片5的背面分别印刷背银、铝浆后烘干，然后在其正表面印刷正银后烧结，即可得到黑硅电池，且在黑硅电池的正表面形成电池银栅线1，以及在黑硅电池的背面形成铝背场6。
具体的，采用PECVD工艺在所述黑硅片5的正表面沉积减反射膜2。
所述步骤S3中采用湿法清洗方法，使用成分为HF:HNO3：H2SO4：H2O=1:8:10:5的混酸对黑硅片5的背面和侧面进行刻蚀，以实现对步骤S2中因磷源扩散造成的黑硅片5侧面和背面的PN结4的刻蚀，再使用5%浓度的HF去除黑硅片5的正表面的磷硅玻璃层，后烘干。
所述步骤S3中RIE制绒是采用SF6/O2/Cl2混合气体等离子体对所述黑硅片5的正表面进行反应离子刻蚀；刻蚀时间为5 ~ 10min，在黑硅片5的正表面形成纳米绒面3的微结构大小为200 ~ 500nm，反射率为5 ~ 15%。具体的，使用SF6/O2/Cl2混合气体，利用离化后的F基团对黑硅片5表面进行腐蚀，生成SiF4气体，起到刻蚀作用；O2与硅生成SiO2，有自掩膜作用，在一定程度上可以调整微观形貌；又通过加入的Cl2，副产物为SiCl4不易挥发，自掩膜效应增强，可以在刻蚀作用和钝化共同作用下形成均匀性好的黑硅纳米绒面3，此工艺中黑硅纳米绒面3尺寸控制在亚微米级别（200-500nm）。
所述步骤S1中采用混酸处理法或碱处理法去除黑硅片5的正表面的损伤层，以及对黑硅片5的背面进行抛光处理；其中混酸处理法采用成分为HF/HNO3/H2O的混酸；碱处理法采用KOH溶液。
具体的，所述KOH溶液采用温度为60℃，浓度为9%的KOH溶液。所述HF/HNO3/H2O的混酸可选用体积比为HF:HNO3：H2O =1:8:3的混酸，也可选用体积比为HF:HNO3：H2O=1:6.5:3的混酸，均可实现黑硅片5表面的平整性和抛光效果。
所述步骤S2中扩散温度为760 ~ 850℃，扩散方阻为70 ~ 90Ω/□。
所述步骤S4中采用成分为BOE/H2O2/H2O的混合药液去除损失层；然后使用成分为HF/HCl/H2O的混酸对黑硅片5的表面进行清洗，以去除黑硅片5表面的氧化层或金属杂质。具体的，所述BOE/H2O2/H2O的混合药液采用体积比为BOE：H2O2：H2O=1：2:3的混合药液；所述HF/HCl/H2O的混酸采用体积比为HF：HCl：H2O=1：1：5的混酸。
所述步骤S5中的减反射膜2为SiNx薄膜，其厚度为70 ~ 85nm，折射率为2.05 ~2.15。
所述步骤S6中采用丝网印刷法对所述黑硅片5的正面和反面进行印刷；以及所述黑硅片5的背面的背银的银浆湿重为0.2-0.5g，铝浆湿重为1.1g-1.5g；所述黑硅片5的正表面的正银的细栅银浆湿重0.78g-1.5g。
所述步骤S6中烧结时采用的烧结炉的烧结区域的最高温温区的温度为760 ~ 860℃。具体的，在此烧结过程中正面银浆会烧穿正面SiNx薄膜与PN结4发射极形成良好的欧姆接触；背面铝浆将透过前面激光烧蚀的孔洞与黑硅片5形成硅铝合金形成铝背场6和欧姆接触；而在介质膜上面的铝浆将不能烧穿介质钝化膜，从而增强对透射过介质膜的光的反射。
实施例2
本发明的一种RIE制绒的黑硅电池的制备方法，其步骤与实施例1大体相同，唯一不同在于，所述步骤S3中采用干法清洗方法，使用成分为CF4和H2组成的混合气体等离子体对黑硅片5的侧面进行刻蚀，以实现对步骤S2中因磷源扩散造成的黑硅片5侧面的PN结4的刻蚀。具体的，反应气体CF4在射频功率的激发下，发生电离并形成等离子体。等离子体和激发形成的活性反应基团在电场作用下到达黑硅片5表面，发生化学反应并生成挥发性反应物SiF4，被真空系统抽出腔体，从而完成干法刻蚀。通过调整成分为CF4和H2组成的混合气体中CF4/H2的体积比，可改变氧化硅和硅的刻蚀速率，当H2%>20%（体积占比）时，氧化硅与硅的刻蚀速率比值大于10, 可以确保PSG刻蚀干净, 且能尽可能少地腐蚀底层的黑硅片5。
以上述依据本发明的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项发明的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定。
Claims (1)
1.一种RIE制绒的黑硅电池的制备方法，包括如下步骤：
步骤S1，去除黑硅片的正表面损伤层，以及对黑硅片的背面进行抛光处理；
步骤S2，对所述黑硅片的表面进行磷源扩散，制备PN结；
步骤S3，对所述黑硅片进行清洗、RIE制绒，在黑硅片的正表面形成纳米绒面；
步骤S4，对所述黑硅片的纳米绒面进行修复，以去除纳米绒面形成过程中的损失层；
步骤S5，对所述黑硅片的正表面积淀上减反射膜；
步骤S6，对所述黑硅片的背面分别印刷背银、铝浆后烘干，然后在其正表面印刷正银后烧结，即可得到黑硅电池；其特征在于：
所述步骤S3中采用干法清洗方法，使用成分为CF4和H2组成的混合气体等离子体对黑硅片的侧面进行刻蚀，以实现对步骤S2中因磷源扩散造成的黑硅片侧面的PN结的刻蚀；
所述步骤S3中RIE制绒是采用SF6/O2/Cl2混合气体等离子体对所述黑硅片的正表面进行反应离子刻蚀；刻蚀时间为5 ~ 10min，在黑硅片的正表面形成纳米绒面的微结构大小为200 ~ 500nm，反射率为5~15%；
所述步骤S1中采用混酸处理法或碱处理法去除黑硅片的正表面的损伤层，以及对黑硅片的背面进行抛光处理；其中混酸处理法采用成分为HF/HNO3/H2O的混酸；碱处理法采用KOH溶液；
所述步骤S2中扩散温度为760 ~ 850℃，扩散方阻为70 ~ 90Ω/□；
所述步骤S4中采用成分为BOE/H2O2/H2O的混合药液去除损失层；然后使用成分为HF/HCl/H2O的混酸对黑硅片的表面进行清洗，以去除黑硅片表面的氧化层或金属杂质；
所述步骤S5中的减反射膜为SiNx薄膜，其厚度为70 ~ 85nm，折射率为2.05 ~ 2.15；
所述步骤S6中采用丝网印刷法对所述黑硅片的正面和反面进行印刷；以及所述黑硅片的背面的背银的银浆湿重为0.2-0.5g，铝浆湿重为1.1g-1.5g；所述黑硅片的正表面的正银的细栅银浆湿重0.78g-1.5g；
所述步骤S6中烧结时采用的烧结炉的烧结区域的最高温温区的温度为760 ~ 860℃。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201611067874.4A CN108123009B (zh) | 2016-11-29 | 2016-11-29 | 一种rie制绒的黑硅电池的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201611067874.4A CN108123009B (zh) | 2016-11-29 | 2016-11-29 | 一种rie制绒的黑硅电池的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108123009A CN108123009A (zh) | 2018-06-05 |
| CN108123009B true CN108123009B (zh) | 2020-04-10 |
Family
ID=62224643
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201611067874.4A Expired - Fee Related CN108123009B (zh) | 2016-11-29 | 2016-11-29 | 一种rie制绒的黑硅电池的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108123009B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109935645A (zh) * | 2019-02-27 | 2019-06-25 | 镇江仁德新能源科技有限公司 | 一种干法黑硅片的高效量产制备方法 |
| CN110061098A (zh) * | 2019-04-28 | 2019-07-26 | 江苏格林保尔光伏有限公司 | 一种干法黑硅电池的制备方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100964153B1 (ko) * | 2006-11-22 | 2010-06-17 | 엘지전자 주식회사 | 태양전지의 제조방법 및 그에 의해 제조되는 태양전지 |
| CN100576580C (zh) * | 2008-07-31 | 2009-12-30 | 常州天合光能有限公司 | 太阳能电池的后制绒生产工艺 |
| CN101814547A (zh) * | 2009-02-19 | 2010-08-25 | 上海交大泰阳绿色能源有限公司 | 一种选择性发射极晶体硅太阳能电池的制备方法 |
| CN104362221B (zh) * | 2014-11-27 | 2016-09-14 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种rie制绒的多晶硅太阳电池的制备方法 |
-
2016
- 2016-11-29 CN CN201611067874.4A patent/CN108123009B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN108123009A (zh) | 2018-06-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102598311B (zh) | 太阳能电池及制造所述太阳能电池的方法 | |
| Gangopadhyay et al. | Comparative study of different approaches of multicrystalline silicon texturing for solar cell fabrication | |
| KR101010286B1 (ko) | 태양 전지의 제조 방법 | |
| JP6553731B2 (ja) | Ｎ型両面電池のウェットエッチング方法 | |
| JP2004235274A (ja) | 多結晶シリコン基板およびその粗面化法 | |
| CN104362221A (zh) | 一种rie制绒的多晶硅太阳电池的制备方法 | |
| JP5677469B2 (ja) | 太陽電池素子の製造方法、太陽電池素子、および太陽電池モジュール | |
| CN106057975A (zh) | 一种perc太阳能电池的制备方法 | |
| CN105122461A (zh) | 太阳能电池的制造方法 | |
| CN108123009B (zh) | 一种rie制绒的黑硅电池的制备方法 | |
| JP6144778B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| CN108074999A (zh) | 一种选择性发射极黑硅电池及其制作方法 | |
| CN104362219A (zh) | 一种晶体硅太阳能电池制造工艺 | |
| JP5817046B2 (ja) | 背面接触式結晶シリコン太陽電池セルの製造方法 | |
| Basu et al. | Single-component damage-etch process for improved texturization of monocrystalline silicon wafer solar cells | |
| Chen et al. | Improvement of conversion efficiency of multi-crystalline silicon solar cells using reactive ion etching with surface pre-etching | |
| CN112133786B (zh) | Perc电池的背抛光方法 | |
| TW201334054A (zh) | 矽基板的單面平坦化蝕刻方法 | |
| CN109411565B (zh) | 太阳能电池片及其制备方法、光伏组件 | |
| JP2012256713A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JP2014192370A (ja) | 結晶シリコン太陽電池、およびその製造方法、ならびに太陽電池モジュール | |
| JP3602323B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JP2005311060A (ja) | 太陽電池の製造方法、太陽電池 | |
| KR20110009784A (ko) | 모스-아이 구조를 이용한 태양전지의 제조방법 | |
| Cho et al. | Surface texturing method for silicon solar cell using reactive ion etching with metal mesh |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20200410 Termination date: 20201129 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |