JP5817046B2 - 背面接触式結晶シリコン太陽電池セルの製造方法 - Google Patents
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Description
1.レーザーによりシリコン基板に少なくとも一つの導電孔を形成する、穴開け工程と、
2.化学反応によって光沢のあるシリコン基板の表面(正面と背面を含む)に凹凸を形成して、光の表面での伝播経路を延長することによって、シリコン基板の光を収集する能力を向上させる、テクスチャ化工程と、
3.P型のシリコン基板に拡散を行って表面及び導電孔内壁にN型の電極を形成し、あるいは、N型のシリコン基板に拡散を行って表面及び導電孔内壁にP型の電極を形成して、P−N接合を形成することによって、シリコン基板に光起電力効果を有させる、拡散による接合形成工程と、
4.シリコン基板の縁部をエッチングする、縁部エッチング工程と、
5.拡散の際にシリコン基板の表面に形成されたドープガラス層を除去する、ガラス層除去工程と、
6.シリコン基板の受光面に、主に減反射と不導体化の作用を奏する主に窒化ケイ素フィルムと酸化チタンフィルムである減反射フィルムを被覆する、フィルム被覆工程と、
7.背面電極と、正面電極と、背面電界とをシリコン基板に印刷する、電極・電界印刷工程と、
8.シリコン基板と印刷された電極、背面電界との間に合金を形成する、焼結工程と、
9.拡散による接合形成の際に、シリコン基板の背面と導電孔との間に形成された、P―N接合を短絡させてしまう導電層を除くための、レーザー分離工程と、
を含む。
穴開け、テクスチャ化、拡散を経た半導体基板をエッチングするエッチング工程と、前記エッチング工程でエッチングされた前記半導体基板を処理する処理工程とを含む背面接触式結晶シリコン太陽電池セルの製造方法において、前記処理工程では、前記エッチング工程でエッチングされた前記半導体基板からドープガラス層を除去し、前記ドープガラス層が除去された前記半導体基板の受光面にフィルムを被覆し、前記フィルムが被覆された前記半導体基板に電極と背面電界とを形成し、前記エッチング工程では、前記半導体基板の受光面縁部と前記半導体基板の背面と前記半導体基板の貫通孔とに対するエッチングを同時に行い、前記拡散により前記受光面縁部に形成された導電層を除去すると共に、前記拡散により前記背面に形成された導電層を除去し、さらに前記拡散により前記貫通孔内に形成された導電層を除去することを特徴とする背面接触式結晶シリコン太陽電池セルの製造方法。
好ましくは、前記エッチング工程では、化学薬品を用いる。
好ましくは、前記化学薬品は、化学溶液、化学エッチングスラリー又はプラズマガスである。
好ましくは、前記化学溶液を用いた前記エッチング工程では、前記背面の全面を前記化学溶液と接触させ、前記側面を前記化学溶液と接触させる。
好ましくは、前記化学エッチングスラリーを用いた前記エッチング工程では、前記受光面縁部と前記背面とに前記化学エッチングスラリーを印刷する。
好ましくは、前記プラズマガスを用いた前記エッチング工程では、前記半導体基板における前記貫通孔の内壁と前記側面と前記背面とを前記プラズマガスと直接接触させる。
従来技術に比べて、この方法では、レーザー分離工程を省いたため、レーザー分離による電池セルの電気漏れのリスクと電池セルの割れ率を低下させた。また、レーザー分離工程を省いたことにより、製造工程が簡単になり、設備コストが減少し、大規模な工業生産に有利である。
以下の説明では、本発明が十分理解されるように、多くの具体的な例を示すが、本発明はそれ以外の形態によっても実施可能で、当業者は、本発明の主旨を逸脱しない範囲で、同等なものを採用することができるため、本発明は下記の具体的な実施例によって限定されるものではない。
さらに、本発明について、模式図を参照しながら詳しく説明し、本発明の実施例を説明する時、説明の便宜上、素子構造を示す断面図は通常の比例と異なり、局部拡大される場合があり、かつ、模式図はあくまでも例示であるため、本発明は図面の比例によって限定されるものではない。なお、実際の制作では、長さ、幅及び厚さを含めた3次元のサイズが必要である。
従来の背面接触式結晶シリコン太陽電池セルの製造方法において、穴開け、テクスチャ化後の拡散による接合形成工程では、太陽電池セルの背面と導電孔との間に、P―N接合を短絡させてしまう導電層が形成する。こうすると、電池セルの並列抵抗が大幅に低下し、電気漏れが起こりやすいため、P―N接合を断ち切るために、従来の方法では、焼結工程の後、レーザー分離工程により、導電孔の周囲に分離溝を設けて、P―N接合の間の導電層を除いている。
従来技術を検討した結果、発明者らは、以下のことを見出した。焼結工程において、電池セルが熱を受けて変形し、表面が平でなくなる可能性があるため、レーザー分離時のレーザーのアライメント精度に対する要求が高く、アライメント精度が低い場合、ズレが生じ新たな電気漏れ箇所を形成し、電池セルの性能が低下する。また、レーザーでは、電池セルにダメージを与え、割れを生じる可能性があるため、電池セルの不良品率が向上し、電池セルの製造コストが向上する。そのため、本発明は、半導体基板に拡散を行った後、背面に形成されたエミッタ接合をエッチングによって除き、即ち、背面と貫通孔との間のP−N接合導電層を除くことによって、P−N接合を絶縁させることを基本構想とした構成を提供する。
以下、シリコン基板を半導体基板として、幾つかの実施例によって本発明の構成について説明する。
図1を参照して説明する。図1は本発明の実施例1による背面接触式結晶シリコン太陽電池セルの製造方法のフローチャートである。図1に示すように、この方法は、以下の工程を含む。
工程S101は、シリコン基板に穴開けを行う工程である。
レーザーによりシリコン基板に少なくとも一つの貫通孔を形成する。これにより、貫通孔内に電極を配置して電池セルの受光面の電流を電池セルの背面に伝導することができることによって、電池セルの正極と負極をともに背面に位置させて、受光面のグリッド線による光の遮断を避けることができる。本発明の実施例において、穴開けに用いられるレーザーの波長は、1064nm、1030nm、532nm又は355nmであってもよい。穴開け後のシリコン基板の構造模式図を図2に示す。図2において、1はシリコン基板、2は受光面、3は背面、4は貫通孔、5は貫通孔内壁である。
本発明の実施例において、シリコン基板1の両面にテクスチャ化を行う。このテクスチャ化は、化学反応によって光沢のあるシリコン基板の表面に凹凸を形成して、光の表面での伝播経路を延長することによって、シリコン基板の光を収集する能力を向上させることを目的としたものである。テクスチャ化後のシリコン基板の構造模式図を図3に示す。図3において、6はテクスチャ面である。なお、テクスチャ化の前に、シリコン基板1の表面の油や金属不純物を取り除いて、シリコン基板1の表面の分離傷層を除去する必要がある。
ドーピング原子を、シリコン基板1の2つのテクスチャ面6と貫通孔内壁5と側面に拡散させる。拡散後のシリコン基板の構造模式図を図4に示す。図4において、7はP型又はN型のエミッタ接合である。P型のシリコン基板に拡散を行って表面にN型のエミッタ接合を形成し、あるいは、N型のシリコン基板に拡散を行って表面にP型のエミッタ接合を形成して、P−N接合を形成することによって、シリコン基板に光起電力効果を有させる。なお、拡散の濃度、深さ及び均一性は太陽電池セルの性能に直接影響する。
シリコン基板1の受光面縁部と背面とをエッチングする。図5に示すように、8はエッチングにより受光面の縁部に形成されたエッチング溝であり、拡散による接合形成の際に縁部に形成された、P−N接合の両端を短絡させてしまう導電層を除くためのものである。拡散による接合形成の際にシリコン基板1の背面に形成されたエミッタ接合を除くために、シリコン基板1の背面をエッチングする。
本発明の実施例において、エッチングの際に、シリコン基板1の受光面縁部と背面とに化学エッチングスラリーを印刷し、かつ、シリコン基板1の受光面縁部に化学エッチングスラリーを印刷する時、シリコン基板1の背面全面に化学エッチングスラリーを印刷することを選択し、さらに、化学エッチングスラリーの印刷後、シリコン基板1を室温で3分乾燥し、最後に、30℃の水溶液で洗浄することによって、エッチングを行うことができる。
この工程により、拡散の際にシリコン基板1の表面に形成されたドープガラス層を除去する。
シリコン基板1の受光面2にフィルムを被覆する。このフィルムは、日光の反射を低下させて、太陽エネルギーを最大限に利用するためのものである。本発明の実施例において、PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition、プラズマ促進化学気相蒸着)によってシリコン基板1に減反射フィルムを形成する。図6において、9は減反射フィルムである。なお、PECVDを用いたのは本発明の一実施例に過ぎず、これによって、本発明が限定されるものではない。本発明の他の実施例において、フィルム被覆の方法として、当業者に周知のほかの方法を採用することもできる。
本発明の実施例において、スクリーン印刷によって、背面電極と、受光面電極と、背面電界とをシリコン基板に印刷してもよい。スクリーン印刷後のシリコン基板の構造模式図を図7に示す。図7において、10は貫通孔背面電極、11は背面電極、12は背面電界、13は受光面電界、14は貫通電極である。
なかでも、受光面電極13と貫通電極14と貫通孔背面電極10とは、別々で形成されてもよく、また、これらの電極は同じ材料又は異なる材料で形成されてもよい。さらに、本発明の他の実施例において、真空蒸発又はスパッタリング等の方法によって電極と電界とをシリコン基板1に形成してもよい。
焼結によって、シリコン基板1と、印刷された受光面電極13、貫通電極14、貫通孔背面電極10、背面電極11、背面電界12との間に合金が形成されることによって、電極とシリコン基板との間に抵抗接点を形成することができる。スクリーン印刷と焼結によって電極と電界を製作できる。
図8は本発明の実施例2による背面接触式結晶シリコン太陽電池セルの製造方法のフローチャートである。図8に示すように、この方法は、以下の工程を含む。
本発明の実施例において、工程S201〜S203は実施例1の工程S101〜S103と同じであるため、ここでは説明を省略する。
図9はエッチング後のシリコン基板の構造模式図である。図9に示すように、エッチング後、貫通孔内壁5及び側面のいずれにもエミッタ接合が形成されていない。本発明の実施例において、エッチングの際に、シリコン基板1のすべての側面の全面、背面全面及び貫通孔全体を化学溶液と完全に接触させてもよい。接触方法としては、フッ化水素(HF)溶液でシリコン基板のすべての側面、背面全面及び貫通孔全体を完全に浸漬してもよく、フッ化水素(HF)溶液でシリコン基板のすべての側面、背面全面及び貫通孔全体をリンスしてもよく、あるいはスプレーの方法を用いてもよい。本実施例は、浸漬でエッチングすることが好ましい。
さらに、エッチングの際に、プラズマガスでシリコン基板1のすべての側面、背面全面及び貫通孔全体を15分エッチングしてもよい。そのプラズマガスは、SF6の流量が200sccm、O2の流量が30sccm、N2の流量が300sccmであり、圧力を50Pa、グロー出力を700Wとするものである。
図11は、本発明の実施例3による背面接触式結晶シリコン太陽電池セルの製造方法のフローチャートである。図11に示すように、この方法は、以下の工程を含む。
本発明の実施例において、工程S301〜S303は実施例2の工程S201〜S203と同じであるため、ここでは説明を省略する。
図12はエッチング後のシリコン基板の構造模式図である。図12に示すように、貫通孔をエッチングする際に、貫通孔の軸方向上の一部を選択的にエッチングする。このようにエッチングした場合、貫通孔内壁5の一部にエミッタ接合が形成されている。また、シリコン基板の側面をエッチングする際に、シリコン基板のすべての側面の全面をエッチングしてもよく、すべての側面の一部をエッチングしてもよい。
本発明の実施例において、エッチングの際に、背面を化学溶液に所定の深さで浸潤してもよい。これにより、側面の一部と貫通孔の一部をエッチングすることができる。
2 受光面
3 背面
4 貫通孔
5 貫通孔内壁
6 テクスチャ面
7 N又はPエミッタ接合
8 エッチング溝
9 減反射フィルム
10 貫通孔背面電極
11 背面電極
12 背面電界
13 受光面電極
14 貫通電極
Claims (7)
- 穴開け、テクスチャ化、拡散を経た半導体基板をエッチングするエッチング工程と、前記エッチング工程でエッチングされた前記半導体基板を処理する処理工程とを含む背面接触式結晶シリコン太陽電池セルの製造方法において、
前記処理工程では、前記エッチング工程でエッチングされた前記半導体基板からドープガラス層を除去し、前記ドープガラス層が除去された前記半導体基板の受光面にフィルムを被覆し、前記フィルムが被覆された前記半導体基板に電極と背面電界とを形成し、
前記エッチング工程では、前記半導体基板の受光面縁部と前記半導体基板の背面と前記半導体基板の貫通孔とに対するエッチングを同時に行い、前記拡散により前記受光面縁部に形成された導電層を除去すると共に、前記拡散により前記背面に形成された導電層を除去し、さらに前記拡散により前記貫通孔内に形成された導電層を除去することを特徴とする背面接触式結晶シリコン太陽電池セルの製造方法。 - 前記エッチング工程では、前記受光面縁部と前記背面と前記貫通孔とに対するエッチングと同時に、前記半導体基板の側面に対するエッチングを行い、前記拡散により前記側面に形成された導電層を除去することを特徴とする請求項1に記載の背面接触式結晶シリコン太陽電池セルの製造方法。
- 前記エッチング工程では、化学薬品を用いることを特徴とする請求項2に記載の背面接触式結晶シリコン太陽電池セルの製造方法。
- 前記化学薬品は、化学溶液、化学エッチングスラリー又はプラズマガスであることを特徴とする請求項3に記載の背面接触式結晶シリコン太陽電池セルの製造方法。
- 前記化学溶液を用いた前記エッチング工程では、前記背面の全面を前記化学溶液と接触させ、前記側面を前記化学溶液と接触させることを特徴とする請求項4に記載の背面接触式結晶シリコン太陽電池セルの製造方法。
- 前記化学エッチングスラリーを用いた前記エッチング工程では、前記受光面縁部と前記背面とに前記化学エッチングスラリーを印刷することを特徴とする請求項4に記載の背面接触式結晶シリコン太陽電池セルの製造方法。
- 前記プラズマガスを用いた前記エッチング工程では、前記半導体基板における前記貫通孔の内壁と前記側面と前記背面とを前記プラズマガスと直接接触させることを特徴とする請求項4に記載の背面接触式結晶シリコン太陽電池セルの製造方法。
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