KR101024322B1 - 태양전지용 웨이퍼 제조 방법, 그 방법으로 제조된 태양전지용 웨이퍼 및 이를 이용한 태양전지 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 태양전지 제조 기술에 있어서, 에지 아이솔레이션(edge isolation) 공정을 요하지 않는 태양전지용 웨이퍼 제조 방법, 그 방법으로 제조된 태양전지용 웨이퍼 및 이를 이용한 태양전지 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 태양전지용 웨이퍼 제조 방법은 실리콘 단결정 잉곳 또는 실리콘 다결정 블록과 같은 벌크(bulk) 상태의 실리콘의 표면을 절연체로 코팅 등의 방법으로 절연 처리하는 단계; 및 상기 절연 처리된 실리콘을 절단하는 단계를 포함하여 측면이 절연된 웨이퍼를 제조하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 태양전지 제조 기술에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 실리콘 단결정 잉곳 등의 벌크 상태의 실리콘 측면에 절연체로 미리 코팅하고, 이후 절단(sawing) 공정을 통한 웨이퍼를 제조하고 이를 이용하여 태양전지를 제조함으로써, 종래에 필수적으로 요구되는 에지 아이솔루션(edge isolation) 공정을 요하지 않아 공정의 단순화를 도모하고, 태양전지의 유효면적을 최대한 확보할 수 있는 태양전지 제조 기술에 관한 것이다.
최근 석유와 같은 화석 에너지 자원의 고갈문제 및 환경문제가 대두되면서, 이를 대체할 수 있는 다른 에너지 자원의 개발에 많은 연구가 진행되고 있다. 이 중, 태양 에너지 자원은 무한히 이용할 수 있으며, 환경오염에 대한 문제가 없어 특히 많은 연구가 이루어지고 있다.
태양광을 이용하여 발전하는 방법에는 크게 태양빛을 열로 받아들여 발전하는 태양열 발전과 태양광의 빛에너지를 반도체를 이용하여 전기로 바꾸어주는 태양광 발전으로 나눌 수 있으며, 통상 태양전지(solar cells)라 하면 태양광 전지를 의미하며, 본 발명 역시 태양광 전지에 관한 것이다.
태양전지는 P-N 접합을 기본 원리로 이용하며, P-N 접합을 위하여, 큰 전자밀도(electron density)와 작은 정공밀도(hole density)를 갖는 n타입 영역과 그 반대의 특성을 갖는 p타입 영역을 구성하고, 각각의 영역에 전극을 형성함으로써 제조된다.
결정질 실리콘 태양전지를 제조하기 위하여, 주로 p타입의 단결정(single crystalline) 실리콘 웨이퍼 또는 다결정(poly-crystalline) 실리콘 웨이퍼를 이용하며, p타입 실리콘 웨이퍼 표면에 n타입의 도펀트(dopant)를 확산을 통하여 도핑함으로써 웨이퍼와 반대 타입의 반도체층인 에미터(emitter)를 형성한다.
도 1은 종래의 태양전지를 제조하는 과정을 개략적으로 나타낸 것이다.
우선 p타입 결정질 실리콘 웨이퍼(p c-Si, 110)를 준비한다. 다음으로, n타입 물질을 웨이퍼 표면으로 열 확산(thermal diffusion)시켜 n타입 반도체층(120)을 형성함으로써, P-N 접합 구조를 형성한다. 이때, n타입 반도체층 형성시, 웨이퍼 상부에만 도핑이 이루어지는 것이 바람직하나, 웨이퍼의 측면 및 웨이퍼의 배면에도 도핑이 이루어진다. 웨이퍼 배면에 도핑된 n타입 반도체층의 경우 에치 백 공 정(etch back process) 등 여러 방법에 의하여 제거 가능하다.
측면에 n타입 반도체층이 형성되어 있을 경우 누설전류가 발생할 수 있으므로, 이를 방지하기 위하여, qs-Nd:YAG 레이저나 qs-Nd:Vanadate 레이저와 같은 레이저를 조사하거나 RIE(reactive ion etching) 공정을 이용하여 웨이퍼의 전면과 측면을 전기적으로 분리한다.
상기 웨이퍼의 전면과 측면을 전기적으로 분리하는 것을 통상 에지 아이솔레이션(edge isolation)이라 한다. 에지 아이솔레이션은 상기와 같이 레이저 조사나 RIE 공정을 통하여 이루어진다.
RIE를 이용한 에지 아이솔레이션의 경우, 다량의 에칭 가스가 필요하고 또한 공정 후 세정 등이 필요하므로 고비용이 소요되는 문제점이 있고, 레이저를 이용한 에지 아이솔레이션 공정을 진행하기 위해서는 고가의 레이저 스크라이빙(Laser Scribing) 장비가 필요하며, 또한 레이저에 의한 손상에 따른 효율감소가 나타날 수 있다.
에지 아이솔레이션은 3가지 타입으로 이루어질 수 있다.
우선, 도 1의 (a)에 도시된 바와 같이, 웨이퍼의 가장자리 부분을 수직방향으로 완전히 절단(130a)함으로써 에지 아이솔레이션이 이루어질 수 있다. 이 경우, 에지 아이솔레이션 공정 이후의 웨이퍼 전면의 면적은, 에지 아이솔레이션 공정 이전의 웨이퍼의 면적보다 절단된 부분만큼 감소하게 되어, 태양전지 제조 후 그만큼의 전지 면적이 감소하게 된다.
다음으로, 도 1의 (b)에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 가장자리 부분의 n형 반 도체 물질층을 제거(130b)함으로써 에지 아이솔레이션이 이루어질 수 있다. 이 경우, 웨이퍼 가장자리 부분의 n형 반도체 물질만이 제거되므로, 제거되는 부분이 도 1의 (a)의 경우보다 적다. 그러나, 이 경우 측면에서 도핑되어 형성된 n형 반도체 물질층으로 인하여 누설전류가 발생할 수 있으며, 웨이퍼 전면의 가장자리 부분에서 n형 반도체 물질층이 제거된 만큼 실질적인 전지 면적 역시 감소하게 된다.
물론, 도 1의 (c)에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 측면에 도핑되어 형성된 n형 반도체 물질층을 제거(130c)할 수 있으나, 이는 도 1의 (b)의 경우보다 공정이 더욱 복잡해지는 문제가 있으며, 또한, 이 경우에도 웨이퍼 전면의 가장자리 부분에서 n형 반도체 물질층이 제거된 만큼 실질적인 전지 면적이 감소하게 된다.
상기 3가지 타입의 에지 아이솔레이션 공정은 모두 새로운 공정을 위해 장비가 추가되어야 하고, 각각의 셀마다 공정이 추가 되므로 태양전지 단가를 높이는 원인이 된다. 또한 에지 아이솔레이션 공정은 실질적인 태양전지의 면적을 감소시키게 되며, 또한 에지 아이솔레이션을 적용할 때 생기는 손상에 의한 누설전류 문제가 나타난다.
따라서 태양전지의 제조 공정을 줄이고 태양전지의 전지 면적을 최대화하여 태양전지의 효율성을 높일 수 있도록, 태양전지 제조 공정에서 상기와 같은 에지 아이솔레이션 과정을 생략할 수 있는 기술이 요구된다.
본 발명의 목적은 실리콘 단결정 잉곳과 같은 벌크 상태의 실리콘에서 절단 공정을 통하여 태양전지용 웨이퍼를 제조함에 있어, 측면이 절연된 웨이퍼를 대량 생산할 수 있는 태양전지용 웨이퍼 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 측면이 절연된 웨이퍼를 이용하여, 태양전지 제조 공정에서 P-N 접합 구조 형성시에 절연된 부분을 측면 확산방지층으로 이용할 수 있어, 종래의 에지 아이솔레이션 공정을 생략하고, 전지 면적을 최대한 이용할 수 있는 태양전지의 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기 하나의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일실시예에 따른 태양전지용 웨이퍼 제조 방법은 벌크(bulk) 상태의 실리콘의 표면을 절연 처리하는 단계; 및 상기 절연 처리된 실리콘을 절단하는 단계를 포함하여, 측면이 절연된 웨이퍼를 제조하는 것을 특징으로 한다.
상기 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일실시예에 따른 태양전지 제조방법은 (a) 상기 웨이퍼 제조 방법에 따라 측면이 절연되고, 제1타입 반도체 물질을 포함하는 웨이퍼를 마련하는 단계; (b) 상기 제1타입 반도체 물질과 P-N 접합 구조를 이루는 제2타입 반도체 물질층을 상기 웨이퍼 상에 형성하는 단계; (c) 상 기 제2타입 반도체 물질층과 접하는 전면 전극을 형성하는 단계; 및 (d) 상기 제1타입 반도체 물질과 접하는 배면 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 태양전지용 웨이퍼 제조 방법은 실리콘 단결정 잉곳 등 벌크 상태의 실리콘에 스프레이법 등으로 절연체를 코팅하거나, 질화처리 또는 탄화처리 등으로 절연처리한 후 웨이퍼 제조를 위한 통상의 절단 공정을 수행함으로써, 간단한 공정으로도 측면이 절연된 태양전지용 웨이퍼를 제조할 수 있다.
이에 따라 제조된 태양전지용 웨이퍼를 이용하여 태양전지를 제조할 경우, 절연된 부분을 웨이퍼 전면의 에미터층을 형성하는 단계에서 확산방지층으로 이용할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 태양전지 제조 방법은 종래에 필수적으로 요구되었던 에지 아이솔레이션 공정을 생략할 수 있으며, 또한, 태양전지의 유효 면적을 그만큼 넓힐 수 있는 장점이 있다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 태양전지용 웨이퍼 제조 방법, 그 방법으로 제조된 태양전지용 웨이퍼 및 이를 이용한 태양전지 제조 방법에 관하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명에 따른 태양전지용 웨이퍼 제조 방법을 개략적으로 나타낸 것이다.
도 2를 참조하면, 태양전지용 웨이퍼 제조 방법은 절연처리 단계(S210) 및 절단 단계(S220)를 포함한다.
통상의 실리콘 기반의 태양전지용 웨이퍼는 실리콘 단결정 잉곳이나 실리콘 다결정 블록과 같은 벌크(bulk) 상태의 실리콘을 절단하여 제조한다. 여기서, 벌크 상태의 실리콘이라 함은 잉곳의 생산방법 및 크기에 따라서 수 ~ 수천 장의 웨이퍼를 생산할 수 있는 두께를 갖는 실리콘을 의미한다.
실리콘 단결정 잉곳이나 실리콘 다결정 블록과 같은 벌크 상태의 실리콘에서 태양전지용 웨이퍼를 제조하기 위해서는 여러번의 절단 과정을 거친다. 예를 들어, 실리콘 단결정 잉곳을 이용하여 태양전지용 사각 형상의 웨이퍼를 제조하는 것은 단결정으로 성장된 잉곳의 탑(top)과 테일(tail)을 절단하는 제1절단과정, 원형의 단면을 절단하여 사각 블록화하는 제2절단과정, 잉곳을 일정한 단위 두께를 갖는 토막으로 절단하는 제3절단과정, 각각의 토막을 얇게 절단하는 슬라이싱 제4절단과정을 포함한다.
본 발명에서는 절단 단계(S220)를 진행하기 전에 벌크 상태의 실리콘(210)의 표면을 절연처리한다.
절연처리는 절연체 코팅이 될 수 있으며, 또한 질화처리(nitridation)나 탄화처리(carburization) 등이 될 수 있다.
이하, 절연체 코팅의 예를 들어 상세히 설명하기로 한다.
절연체(220)는 스프레이법(spraying), 진공증착법(vacuum deposition), 도금법(plating) 등을 이용하여 코팅될 수 있다.
이때, 절연체(220)는 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산화물(SiOx), 실리콘카바이드(SiC), 산화티타늄(TiOx), 산화알루미늄(Al2O3), 산화하프뮴(HfO2), 산화마그네슘(MgO) 등과 같이 강도가 높아 식각 공정에 견딜 수 있으면서, 또한 태양전지 제조 공정 중 P-N접합 구조 형성시에 확산방지막으로 이용할 수 있는 물질이 이용될 수 있다. 이들 물질들은 단독으로 절연체(220)를 형성할 수 있으며, 혹은 2이상의 물질이 혼합되어 절연체(220)를 형성할 수 있다.
또한, 상기 절연체(220)는 300nm ~ 10㎛의 두께로 코팅되는 것이 바람직하다.
통상적으로 도핑층의 두께는 250~300nm정도이므로, 상기 절연체가 300nm 미만의 두께로 코팅될 경우, 식각 용액에 의해 식각이 될 수도 있으며, 도핑물질이 웨이퍼 측면을 통하여 확산되는 것을 방지할 수 없는 문제가 있다.
또한 상기 절연체가 10㎛를 초과하는 두께로 코팅될 경우, 벌크 상태의 실리콘을 웨이퍼를 만들기 위하여 와이어로 절단하는 과정에서, 절연층의 높은 경도로 인하여 절단이 제대로 이루어지지 않는 문제점이 있다.
절단 단계(S220)는 웨이퍼 두께로 절단하는 공정 혹은 일정한 단위 두께를 갖는 토막으로 절단하는 공정 등이 해당될 수 있다. 상기 실리콘 단결정 잉곳을 이용한 태양전지 웨이퍼 제조의 예를 들면, 절단 단계(S220)는 잉곳을 일정한 단위 두께를 갖는 토막으로 절단하는 제3절단과정이나 각각의 토막별로 얇게 절단하는 제4절단과정이 될 수 있다.
상기 절단공정(S220)을 수행한 후 최종 제조된 태양전지용 웨이퍼는 측면이 절연되어 있는 상태가 된다. 웨이퍼의 형태는 벌크 상태의 실리콘의 결정 상태에 따라 정해질 수 있으며, 단결정 실리콘 웨이퍼, 다결정 실리콘 웨이퍼, 리본형 실리콘 웨이퍼 등 다양한 형태가 될 수 있다.
이때, 절단공정(S220)을 통하여 제조된 웨이퍼 중, 벌크 상태의 실리콘의 최상부면 및 최하부면을 포함하는 웨이퍼(221)는 표면 혹은 배면이 절연체로 코팅되어 있게 되므로 더미(dummy)화하거나 다른 용도로 이용하게 되고, 본 발명에서는 이들 최상부 및 최하부면을 포함하는 웨이퍼들(221)을 제외한 중간에 위치하는 웨이퍼들(222)을 이용한다.
도 3은 본 발명에 따른 태양전지 제조방법의 일실시예를 나타내는 순서도이다.
도 3을 참조하면, 도시된 태양전지 제조방법은 측면이 절연된 웨이퍼 마련 단계(S310), P-N 접합 구조 형성 단계(S320), 전면 전극 형성 단계(S330) 및 전면 전극 형성 단계(S340)를 포함한다.
도 4a 내지 도 4f는 도 3의 각 단계의 결과를 개략적으로 나타낸 수직 단면도이다. 이하, 도 3에 도시된 태양전지 제조방법을 설명함에 있어, 도 4a 내지 도 4f를 참조하기로 한다.
우선, 측면이 절연처리된 웨이퍼 마련 단계(S310)에서는 측면이 절연되어 있으며, 제1타입 반도체 물질을 포함하는 태양전지용 웨이퍼(410)를 마련한다.(도 4a) 이때, 웨이퍼는 도 2에서 전술한 바와 같이, 실리콘 단결정 잉곳이나 실리콘 다결정 블록과 같은 벌크 상태의 실리콘의 표면을 절연체 코팅, 질화처리, 탄화처리 등으로 절연처리한 후, 절단 공정을 통하여, 측면이 절연된 상태로 제조된 태양전지용 웨이퍼가 이용된다. 이하, 상기 절연처리 중 절연체 코팅의 예를 들어 상세히 설명하기로 한다.
여기서, 웨이퍼는 절단 공정으로 인한 데미지(saw damage)를 입을 수 있다. 따라서, 이러한 데미지를 제거하고, 또한 웨이퍼의 표면 반사율을 감소시켜 광전류 특성이 향상될 수 있도록 식각용액을 이용하여 웨이퍼의 표면을 요철화하는 것과 같은 텍스쳐링(texturing) 공정을 더 수행할 수 있다.
다음으로, P-N 접합 구조 형성 단계(S320)에서는 웨이퍼(410)에 포함되는 제1타입 반도체 물질과 P-N 접합을 이루는 제2타입 반도체 물질층(420)을 웨이퍼(410) 상에 형성한다.(도 4b)
웨이퍼(410)에 포함되는 제1타입 반도체 물질이 p타입 물질인 경우, 제2타입 반도체 물질층(420)은 n타입 물질로 형성된다. 반대로, 웨이퍼(410)에 포함되는 제1타입 반도체 물질이 n타입 물질인 경우, 제2타입 반도체 물질층(420)은 p타입 물질로 형성된다.
이때, 제2타입 반도체 물질층(420)은 열 확산(thermal diffusion) 공정에 의한 도핑으로 형성될 수 있다. 제2타입 반도체 물질은 웨이퍼(410)의 전면 뿐만 아니라 측면 및 배면에도 열 확산에 의한 도핑이 이루어질 수 있다.
이때, 본 발명에서는 웨이퍼(410) 측면에 코팅된 절연체(411)가 확산방지층으로 작용하여 웨이퍼(410) 측면으로는 도핑이 이루어지지 않게 된다. 따라서, 이 경우 종래와 같은 에지 아이솔레이션(edge isolation) 공정을 수행하지 않더라도 웨이퍼의 전면과 측면이 전기적으로 고립된 상태가 된다.
한편, 웨이퍼(410) 배면에 도핑되어 형성되는 제2타입 반도체 물질층은 에치 백(etch back) 공정이나 기계화학적 연마(CMP) 공정 등과 같이 널리 알려진 방법을 이용하여 제거할 수 있다. 또한, 웨이퍼(410) 배면에 도핑되어 형성되는 제2타입 반도체 물질층은, 제거되지 않더라도 알루미늄(Al) 등을 이용한 배면 전극(450) 형성시, 소성(firing) 공정에 의해 p+타입으로 도핑될 수 있다. 여기서, p+타입은 p타 입보다 불순물 농도가 높은 것을 의미한다.
제2타입 반도체 물질층(420) 형성 후에는 제2타입 반도체 물질층(420) 상에 반사방지층(440)을 형성하는 과정을 더 포함할 수 있다.(도 4c)
다음으로, 전면 전극 형성 단계(S330)에서는 우수한 전기전도성을 갖는 은(Ag)과 유리프릿(glass frit)등을 포함하는 통상의 전면 전극 형성용 페이스트를 제2타입 반도체 물질층(420) 상에 도포한 후 열처리함으로써, 제2타입 반도체 물질층(420)과 접하는 전면 전극(430)을 형성한다.(도 4d)
반사방지막(440)이 형성되어 있는 경우, 전면 전극(430)은 반사방지막(440)을 관통하는 펀치 스로우(punch through) 과정을 통하여 형성할 수 있다.
전면 전극(430)을 형성한 후에는 전기 전도성이 우수하고, 실리콘과의 친화력이 좋아 접합력이 우수한 알루미늄(Al)을 포함하는 통상의 배면 전극 형성용 페이스트를 도포한 후 열처리함으로써 웨이퍼(410)에 포함되는 제1타입 반도체 물질과 접하는 배면 전극(450)을 형성한다.(도 4e) 물론, 배면 전극(450)은 전면 전극(430)의 형성 이전에 먼저 형성되어도 무방하다.
배면 전극(450)을 형성한 후에는 소성(firing) 공정을 통하여 배면 전극(450)에 포함된 알루미늄(Al)이 웨이퍼(410)의 배면으로 도핑되어, 웨이퍼(410) 배면과 배면 전극(450) 사이에 BSF층(Back Surface Field, 460)층을 형성할 수 있 다.(도 4f)
도 5는 본 발명에 따른 태양전지 제조방법으로 제조된 태양전지의 예를 나타내는 수직단면도이다. 도 5에 도시된 태양전지는 p타입의 결정질 웨이퍼를 이용한 예를 나타내었다.
도 5를 참조하면, p타입 결정질 실리콘 웨이퍼(p-type c-Si, 510)의 측면은 절연체(511)로 코팅되어 있다.
p타입 결정질 실리콘 웨이퍼(510) 상에 고농도의 n타입 물질이 도핑된 에미터층(n+ c-Si, 520)이 형성되어 P-N 접합 구조를 형성한다. 이때, 웨이퍼 측면에 코팅된 절연체(511)는 에미터층(520) 형성시 측면 확산방지막으로 작용하여 n타입 물질이 웨이퍼 측면에 도핑되지 않게 된다.
에미터층(520) 상에는 실리콘질화물(SiNx) 등으로 이루어진 반사방지막(530)이 형성되어 있다. 반사방지막(530)은 통상 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition), CVD(Chemical Vapor Deposition), 스퍼터링(Sputtering) 등의 공정으로 형성될 수 있다.
은(Ag)을 포함하는 전면 전극(540)은 반사방지막(530)을 관통하여 에미터층(520)에 접촉하도록 형성되어 있다.
또한, 알루미늄(Al)을 포함하는 배면 전극(550)은 p타입 결정질 실리콘 웨이퍼(510)의 배면에 접촉하도록 형성되어 있으며, p타입 결정질 실리콘 웨이퍼(510)와 배면 전극(550) 사이에는 소성(firing) 공정에 의하여 알루미늄 도핑에 의한 BSF층(560)이 형성되어 있다.
전면 전극(540)과 배면 전극(550)은 부하(Load, 570)와 연결되며, 전면 전극(540) 쪽으로 전자가 이동하고, 배면 전극(550) 쪽으로 정공이 이동하여, 전류가 부하(570) 쪽으로 흐르게 된다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 태양전지용 웨이퍼 제조 방법은 실리콘 단결정 잉곳 등 벌크 상태의 실리콘에 스프레이법 등으로 절연체를 코팅한 후 웨이퍼 제조를 위한 통상의 절단 공정을 수행함으로써, 측면에 절연체가 코팅된 태양전지용 웨이퍼를 쉽게 제조할 수 있다.
이에 따라 측면에 절연체가 코팅된 웨이퍼를 이용하여 태양전지를 제조할 경우, 웨이퍼 전면의 에미터층을 형성하는 단계에서 측면에 코팅된 절연체를 확산방지층으로 이용할 수 있어, 종래에 필수적으로 요구되었던 에지 아이솔레이션 공정을 생략할 수 있으며, 또한, 태양전지의 유효 면적을 그만큼 넓힐 수 있는 장점이 있다.
이상에서는 본 발명의 일 실시예를 중심으로 설명하였지만, 당업자의 수준에서 다양한 변경이나 변형을 가할 수 있다. 이러한 변경과 변형이 본 발명의 범위를 벗어나지 않는 한 본 발명에 속한다고 할 수 있다. 따라서 본 발명의 권리범위는 이하에 기재되는 청구범위에 의해 판단되어야 할 것이다.
도 1은 종래의 태양전지를 제조하는 과정을 개략적으로 나타낸 것이다.
도 2는 본 발명에 따른 태양전지용 웨이퍼 제조 방법을 개략적으로 나타낸 것이다.
도 3은 본 발명에 따른 태양전지 제조방법의 일실시예를 나타내는 순서도이다.
도 4a 내지 도 4f는 도 3의 각 단계의 결과를 개략적으로 나타낸 수직 단면도이다.
도 5는 본 발명에 따른 태양전지 제조방법으로 제조된 태양전지의 예를 나타내는 수직단면도이다.
Claims (11)
- 태양전지용 웨이퍼를 제조하는 방법에 있어서,벌크(bulk) 상태의 실리콘의 표면을 절연 처리하는 단계; 및상기 절연 처리된 실리콘을 절단하는 단계를 포함하여, 측면이 절연된 웨이퍼를 제조하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 제조 방법.
- 제1항에 있어서,상기 절연 처리 단계는 절연체 코팅 방법, 질화처리 방법(nitridation) 및 탄화처리 방법(carburization) 중 선택되는 어느 하나의 방법으로 처리되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 제조 방법.
- 제2항에 있어서,상기 절연체 코팅에 있어서, 상기 절연체는 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산화물(SiOx), 실리콘카바이드(SiC), 산화티타늄(TiOx), 산화알루미늄(Al2O3), 산화하프뮴(HfO2) 및 산화마그네슘(MgO) 중에서 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 제조 방법.
- 제3항에 있어서,상기 절연체는 300nm ~ 10㎛의 두께로 코팅되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 제조 방법.
- 제2항에 있어서,상기 절연체 코팅 방법은 스프레이법(spraying), 진공증착법(vacuum deposition) 및 도금법(plating) 중에서 선택되는 어느 하나의 방법인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 제조 방법.
- 제1항에 있어서,상기 벌크 상태의 실리콘은 실리콘 단결정 잉곳 또는 실리콘 다결정 블록인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 제조 방법.
- 제1항 내지 제6항 중 어느 하나의 방법으로 제조되어, 측면이 절연처리 되어있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼.
- (a) 청구항 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 따른 웨이퍼 제조 방법에 따라 측면이 절연되고, 제1타입 반도체 물질을 포함하는 웨이퍼를 마련하는 단계;(b) 상기 제1타입 반도체 물질과 P-N 접합 구조를 이루는 제2타입 반도체 물질층을 상기 웨이퍼 상에 형성하는 단계;(c) 상기 제2타입 반도체 물질층과 접하는 전면 전극을 형성하는 단계; 및(d) 상기 제1타입 반도체 물질과 접하는 배면 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법.
- 제8항에 있어서,상기 (b)단계는 상기 웨이퍼 측면의 절연 부분을 확산방지막으로 이용하는 열 확산 공정으로 진행되는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법.
- 제8항에 있어서,상기 태양전지 제조 방법은 상기 (b)단계 이전에 상기 웨이퍼의 표면을 텍스처링하는 과정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법.
- 제8항에 있어서,상기 (b)단계는 상기 제2타입 반도체 물질층 상에 반사방지층을 형성하는 과정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법.
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