JP6392866B2 - 結晶シリコン太陽電池の表面テクスチャ構造及びその製造方法 - Google Patents
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Description
(1)多結晶シリコンウエハを洗浄し、腐食してミクロンレベルの表面テクスチャ構造を形成する工程。
(2)上記シリコンウエハを金属イオンを含有する溶液に浸漬して、シリコンウエハの表面に金属ナノ粒子層をコーティングする工程。
ただし、前記金属イオンは、金イオン、銀イオン及び銅イオンから選ばれる1種である。
(3)第1化学エッチング液でシリコンウエハの表面を腐食して、ナノレベルの表面テクスチャ構造を形成する工程。
ただし、前記第1化学エッチング液は、HFとH2O2の混合溶液、HFとHNO3の混合溶液、HFとH2CrO4の混合溶液から選ばれる1種であり、
HFの濃度は1〜15mol/Lであり、H2O2、HNO3又はH2CrO4の濃度は0.05〜0.5mol/Lである。
(4)それぞれ第1洗浄液、第2洗浄液、脱イオン水を使用して上記シリコンウエハを洗浄して、金属粒子を除去する工程。
ただし、前記第1洗浄液は27〜69質量%の硝酸溶液であり、洗浄時間は60〜1200秒であり、洗浄温度は5〜85℃であり、
前記第2洗浄液は1〜10質量%のフッ化水素酸溶液であり、洗浄時間は60〜600秒であり、洗浄温度は5〜45℃である。
(5)上記シリコンウエハを第2化学エッチング液に浸漬して、微細構造の修正エッチングを行う工程。
ただし、前記第2化学エッチング液は、NaOH溶液、KOH溶液、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド溶液、HNO3とHF酸の混合溶液から選ばれる1種であり、
前記第2化学エッチング液はNaOH溶液である場合、その濃度は0.001〜0.1mol/Lであり、反応時間は10〜1000秒であり、反応温度は5〜85℃であり、
前記第2化学エッチング液はKOH溶液である場合、その濃度は0.001〜0.1mol/Lであり、反応時間は10〜1000秒であり、反応温度は5〜85℃であり、
前記第2化学エッチング液はテトラメチルアンモニウムヒドロキシド溶液である場合、その濃度は0.001〜0.1mol/Lであり、反応時間は10〜1000秒であり、反応温度は5〜85℃であり、
前記第2化学エッチング液はHNO3とHF酸の混合溶液である場合、HFとHNO3の濃度は、それぞれ0.05〜0.5mol/L、1〜10mol/Lであり、反応時間は10〜1000秒であり、反応温度は5〜45℃である。
(6)上記シリコンウエハを洗浄して、スピン乾燥し、結晶シリコン太陽電池の表面テクスチャ構造を得る工程。
多結晶シリコン太陽電池の表面テクスチャ構造の製造方法であって、
(1)厚みが180±10μmであり、サイズが156mm×156mmであるP型多結晶シリコンウエハの損傷層を除去して洗浄した後、腐食してテクスチャリングし、ミクロンレベルの表面テクスチャ構造を形成し、その後、濃度が0.008mol/LであるAgNO3溶液に浸漬して、20℃の条件下で60s反応させる工程と、
(2)前記工程(1)で処理されたシリコンウエハを濃度が3mol/LであるHFと濃度が0.1mol/LであるH2O2の混合溶液に浸漬して、20℃の条件下で300s反応させる工程と、
(3)前記工程(2)で処理されたコンウエハを69質量%の硝酸溶液に投入して、20℃の洗浄温度下で300s洗浄する工程と、
(4)前記工程(3)で処理されたシリコンウエハを5質量%のフッ化水素酸溶液に投入して、20℃の洗浄温度下で200s洗浄する工程と、
(5)前記工程(4)で処理されたシリコンウエハを0.05mol/LのKOH溶液に浸漬して、20℃の条件下で300s反応させる工程と、
(6)前記工程(5)で処理されたシリコンウエハを洗浄して、スピン乾燥し、多結晶シリコン太陽電池の表面テクスチャ構造を得る工程と、を含む多結晶シリコン太陽電池の表面テクスチャ構造の製造方法。
多結晶シリコン太陽電池の表面テクスチャ構造の製造方法であって、
(1)厚みが180±10μmであり、サイズが156mm×156mmであるP型多結晶シリコンウエハの損傷層を除去して洗浄した後、腐食してテクスチャリングし、ミクロンレベルの表面テクスチャ構造を形成する工程と、
(2)洗浄して、スピン乾燥させ、多結晶シリコン太陽電池の表面テクスチャ構造を得る工程と、を含む多結晶シリコン太陽電池の表面テクスチャ構造の製造方法。
多結晶シリコン太陽電池の表面テクスチャ構造の製造方法であって、
(1)厚みが180±10μmであり、サイズが156mm×156mmであるP型多結晶シリコンウエハの損傷層を除去して洗浄した後、腐食してテクスチャリングし、ミクロンレベルの表面テクスチャ構造を形成し、その後、濃度が0.008mol/LであるAgNO3溶液に浸漬して、20℃の条件下で60s反応させる工程と、
(2)前記工程(1)で処理されたシリコンウエハを濃度が3mol/LであるHFと濃度が0.1mol/LであるH2O2の混合溶液に浸漬して、20℃の条件下で300s反応させる工程と、
(3)前記工程(2)で処理されたシリコンウエハを69質量%の硝酸溶液に投入して、20℃の洗浄温度下で300s洗浄する工程と、
(4)前記工程(3)で処理されたシリコンウエハを5質量%のフッ化水素酸溶液に投入して、20℃の洗浄温度下で200s洗浄する工程と、
(5)前記工程(4)で処理されたシリコンウエハを0.025mol/Lのテトラメチルアンモニウムヒドロキシド溶液(TMAH溶液)に浸漬して、20℃の条件下で、300s反応させる工程と、
(6)前記工程(5)で処理されたシリコンウエハを脱イオン水で洗浄してスピン乾燥させる工程と、を含む多結晶シリコン太陽電池の表面テクスチャ構造の製造方法。
多結晶シリコン太陽電池の表面テクスチャ構造の製造方法であって、
(1)厚みが180±10μmであり、サイズが156mm×156mmであるP型多結晶シリコンウエハの損傷層を除去して洗浄した後、腐食してテクスチャリングし、ミクロンレベルの表面テクスチャ構造を形成し、その後、濃度が0.008mol/LであるAgNO3溶液に浸漬して、20℃の条件下で、60s反応させる工程と、
(2)前記工程(1)で処理されたシリコンウエハを濃度が3mol/LであるHFと濃度が0.1mol/LであるH2O2の混合溶液に浸漬し、20℃の条件下で300s反応させる工程と、
(3)前記工程(2)で処理されたシリコンウエハを69質量%の硝酸溶液に投入して、20℃の洗浄温度下で300s洗浄する工程と、
(4)前記工程(3)で処理されたシリコンウエハを5質量%のフッ化水素酸溶液に投入して、20℃の洗浄温度下で200s洗浄する工程と、
(5)前記工程(4)で処理されたシリコンウエハを濃度が0.1mol/LであるHFと濃度が5mol/LであるHNO3の混合溶液に浸漬して、20℃の条件下で、150s反応させる工程と、
(6)前記工程(5)で処理されたシリコンウエハを脱イオン水で洗浄してスピン乾燥させる工程と、を含む多結晶シリコン太陽電池の表面テクスチャ構造の製造方法。
多結晶シリコン太陽電池の表面テクスチャ構造の製造方法であって、
(1)厚みが180±10μmであり、サイズが156mm×156mmであるP型多結晶シリコンウエハの損傷層を除去して洗浄した後、腐食してテクスチャリングし、ミクロンレベルの表面テクスチャ構造を形成し、その後、濃度が0.008mol/LであるAgNO3溶液に浸漬して、20℃の条件下で120s反応させる工程と、
(2)前記工程(1)で処理されたシリコンウエハを濃度が3mol/LであるHFと濃度が0.1mol/LであるH2O2の混合溶液に浸漬し、20℃の条件下で、600s反応させる工程と、
(3)前記工程(2)で処理されたシリコンウエハを69質量%の硝酸溶液に投入して、20℃の洗浄温度下で300s洗浄する工程と、
(4)前記工程(3)で処理されたシリコンウエハを5質量%のフッ化水素酸溶液に投入して、20℃の洗浄温度下で200s洗浄する工程と、
(5)前記工程(4)で処理されたシリコンウエハを0.025mol/LのTMAH溶液に浸漬して、20℃の条件下で300s反応させる工程と、
(6)前記工程(5)で処理されたシリコンウエハを脱イオン水で洗浄してスピン乾燥させる工程と、を含む多結晶シリコン太陽電池の表面テクスチャ構造の製造方法。
多結晶シリコン太陽電池の表面テクスチャ構造の製造方法であって、
(1)厚みが180±10μmであり、サイズが156mm×156mmであるP型多結晶シリコンウエハの損傷層を除去して洗浄した後、腐食してテクスチャリングし、ミクロンレベルの表面テクスチャ構造を形成し、その後、濃度が0.008mol/LであるAgNO3溶液に浸漬して、20℃の条件下で、60s反応させる工程と、
(2)前記工程(1)で処理されたシリコンウエハを濃度が3mol/LであるHFと濃度が0.1mol/LであるH2O2の混合溶液に浸漬し、20℃の条件下で、300s反応させる工程と、
(3)前記工程(2)で処理されたシリコンウエハを69質量%の硝酸溶液に投入して、20℃の洗浄温度下で300s洗浄する工程と、
(4)前記工程(3)で処理されたシリコンウエハを5質量%のフッ化水素酸溶液に投入して、20℃の洗浄温度下で200s洗浄する工程と、
(5)前記工程(4)で処理されたシリコンウエハを洗浄して、スピン乾燥させ、多結晶シリコン太陽電池の表面テクスチャ構造を得る工程と、を含む多結晶シリコン太陽電池の表面テクスチャ構造の製造方法。
単結晶シリコン太陽電池のナノテクスチャの製造方法であって、
(1)厚みが180±10μmであり、サイズが156mm×156mmであるP型単結晶シリコンウエハの損傷層を除去して洗浄した後、腐食してテクスチャリングし、ミクロンレベルの表面テクスチャ構造を形成し、その後、濃度が0.008mol/LであるAgNO3溶液に浸漬し、20℃の条件下で、120s反応させる工程と、
(2)前記工程(1)で処理されたシリコンウエハを濃度が3mol/LであるHFと濃度が0.1mol/LであるH2O2の混合溶液に浸漬し、20℃の条件下で、600s反応させる工程と、
(3)前記工程(2)で処理されたシリコンウエハを69質量%の硝酸溶液に投入して、20℃の洗浄温度下で300s洗浄する工程と、
(4)前記工程(3)で処理されたシリコンウエハを5質量%のフッ化水素酸溶液に投入して、20℃の洗浄温度下で200s洗浄する工程と、
(5)前記工程(4)で処理されたシリコンウエハを0.025mol/LのTMAH溶液に浸漬して、20℃の条件下で、300s反応させる工程と、
(6)前記工程(5)で処理されたシリコンウエハを脱イオン水で洗浄してスピン乾燥させる工程と、を含む単結晶シリコン太陽電池のナノテクスチャの製造方法。
単結晶シリコン太陽電池の表面テクスチャ構造の製造方法であって、
(1)厚みが180±10μmであり、サイズが156mm×156mmであるP型単結晶シリコンウエハの損傷層を除去して洗浄した後、腐食してテクスチャリングし、ミクロンレベルの表面テクスチャ構造を形成し、その後、濃度が0.008mol/LであるAgNO3溶液に浸漬し、20℃の条件下で、120s反応させる工程と、
(2)前記工程(1)で処理されたシリコンウエハを濃度が3mol/LであるHFと濃度が0.1mol/LであるH2O2の混合溶液に浸漬し、20℃の条件下で600s反応させる工程と、
(3)前記工程(2)で処理されたシリコンウエハを69質量%の硝酸溶液に投入して、20℃の洗浄温度下で300s洗浄する工程と、
(4)前記工程(3)で処理されたシリコンウエハを5質量%のフッ化水素酸溶液に投入して、20℃の洗浄温度下で200s洗浄する工程と、
(5)前記工程(4)で処理されたシリコンウエハを洗浄して、スピン乾燥させ、前記単結晶シリコン太陽電池の表面テクスチャ構造を得る工程と、を含む単結晶シリコン太陽電池の表面テクスチャ構造の製造方法。
Claims (2)
- 結晶シリコン太陽電池の表面テクスチャ構造の製造方法であって、
(1)結晶シリコンウエハを洗浄し、腐食してテクスチャリングし、ミクロンレベルの表面テクスチャ構造を形成する工程と、
(2)前記工程(1)で処理されたシリコンウエハを、金イオン、銀イオン及び銅イオンから選ばれるいずれか1種の金属イオンを含有する溶液に浸漬して、シリコンウエハの表面に金属ナノ粒子層をコーティングする工程と、
(3)HFとH2O2の混合溶液、HFとHNO3の混合溶液、HFとH2CrO4の混合溶液から選ばれるいずれか1種である第1化学エッチング液を使用して、前記工程(2)で処理されたシリコンウエハの表面を腐食し、ナノレベルの表面テクスチャ構造を形成する工程と、
(4)順に、硝酸溶液である第1洗浄液と、
フッ化水素酸溶液である第2洗浄液と、
脱イオン水とを使用して、前記工程(3)で処理されたシリコンウエハを洗浄して、金属粒子を除去する工程と、
(5)濃度が5〜10mol/LのHNO3と濃度が0.1〜0.5mol/LのHF酸の混合溶液である第2化学エッチング液に、前記工程(4)で処理されたシリコンウエハを浸漬して、微細構造に対し修正エッチングを行う工程と、
(6)前記工程(5)で処理されたシリコンウエハを洗浄して、スピン乾燥させ、結晶シリコン太陽電池の表面テクスチャ構造を得る工程と、を含むことを特徴とする結晶シリコン太陽電池の表面テクスチャ構造の製造方法。 - 請求項1に記載の製造方法により得られる結晶シリコン太陽電池の表面テクスチャ構造であって、
前記結晶シリコン太陽電池は多結晶シリコン太陽電池である場合、400〜1050nmの波長範囲において、その表面テクスチャ構造の平均反射率が12%〜20%であり、
前記結晶シリコン太陽電池は単結晶シリコン太陽電池である場合、400〜1050nmの波長範囲において、その表面テクスチャ構造の平均反射率が5%〜15%であることを特徴とする結晶シリコン太陽電池の表面テクスチャ構造。
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