CN103597604B - 太阳能电池的制造方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 116
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 26
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 293
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 94
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 72
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 86
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 35
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 21
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 12
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 9
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 9
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 7
- KAWUBNUJMFOOOE-UHFFFAOYSA-N 3-amino-3-(3,5-dibromo-4-hydroxyphenyl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CC(N)C1=CC(Br)=C(O)C(Br)=C1 KAWUBNUJMFOOOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- SVHOVVJFOWGYJO-UHFFFAOYSA-N pentabromophenol Chemical compound OC1=C(Br)C(Br)=C(Br)C(Br)=C1Br SVHOVVJFOWGYJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-N dodecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCC(O)=O POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- CCMGSHLZTIQYKA-UHFFFAOYSA-N formic acid pentylbenzene Chemical compound C(=O)O.C(CCCC)C1=CC=CC=C1 CCMGSHLZTIQYKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- UIEQYZNDSLCTMK-UHFFFAOYSA-N octane-4-sulfonic acid Chemical compound CCCCC(S(O)(=O)=O)CCC UIEQYZNDSLCTMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 34
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 235000011121 sodium hydroxide Nutrition 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 8
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011260 aqueous acid Substances 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- ZDFKSZDMHJHQHS-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butylbenzoic acid Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=CC=C1C(O)=O ZDFKSZDMHJHQHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHKLKWCYGIBEQF-UHFFFAOYSA-N 4-(1,3-benzothiazol-2-ylsulfanyl)morpholine Chemical compound C1COCCN1SC1=NC2=CC=CC=C2S1 MHKLKWCYGIBEQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0236—Special surface textures
- H01L31/02363—Special surface textures of the semiconductor body itself, e.g. textured active layers
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
- H01L31/0745—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells
- H01L31/0747—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells comprising a heterojunction of crystalline and amorphous materials, e.g. heterojunction with intrinsic thin layer
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
缩短制造太阳能电池所需要的时间。使用蚀刻液对结晶硅基板（10B）的主面（10B1）、（10B2）进行蚀刻，之后使用蚀刻成分的浓度高于上述蚀刻液的其他蚀刻液，以比使用上述蚀刻液进行的蚀刻低的蚀刻速度，进行结晶硅基板（10B）的主面（10B1）、（10B2）的蚀刻，从而在结晶硅基板（10B）的主面（10B1）、（10B2）形成纹理结构。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池的制造方法。本发明特别涉及具备结晶硅基板的太阳能电池的制造方法，该结晶硅基板具有形成有纹理结构的主面。
背景技术
近年来，作为环境负担小的能源，对于太阳能电池的关注逐渐升高。
例如，在专利文献1、2中记载了使用结晶硅基板的结晶硅太阳能电池。在专利文献1、2中记载的结晶硅太阳能电池中，为了提高光对结晶硅基板的入射效率，记载了在结晶硅基板的表面形成称为纹理（texture）结构的凹凸结构的技术。
在专利文献2中，作为在硅单晶基板形成纹理结构的方法，记载了如下所述的方法。首先，进行将硅单晶基板浸渍在约85℃的约5质量％的氢氧化钠水溶液中10分钟的第一工序。通过该第一工序，硅单晶基板的表层的加工变形被除去。接着，使用含有比第一工序浓度低的约2质量％的氢氧化钠和异丙醇的水溶液，对硅单晶基板的表面进行各向异性蚀刻的第二工序。通过该第二工序，在硅单晶基板的表面形成金字塔形状的纹理结构。即，在专利文献2中记载了通过在使用蚀刻剂的浓度相对较高的蚀刻液进行各向同性蚀刻之后，使用蚀刻剂的浓度相对较低的蚀刻液进行各向异性蚀刻，从而形成纹理结构。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平11－220146号公报
专利文献2：WO98／43304号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
利用专利文献2所记载的纹理结构的形成方法，不能在短时间内形成形状精度高的纹理结构。因此，存在制造太阳能电池所需要的时间长的问题。
本发明是鉴于该问题而完成的，其目的在于缩短制造太阳能电池所需要的时间。
用于解决技术问题的手段
本发明的太阳能电池的制造方法，涉及具备结晶硅基板的太阳能电池的制造方法，该结晶硅基板具有形成有纹理结构的主面。在本发明的太阳能电池的制造方法中，使用蚀刻液对结晶硅基板的主面进行蚀刻，之后，使用蚀刻成分的浓度高于上述蚀刻液的其他蚀刻液，以比通过之前使用的蚀刻液进行的蚀刻低的蚀刻速度，进行结晶硅基板的主面的蚀刻，从而在结晶硅基板的主面形成纹理结构。
发明效果
根据本发明，能够缩短制造太阳能电池所需要的时间。
附图说明
图1是第一实施方式中制造的太阳能电池的剖面图。
图2是蚀刻前的结晶硅基板的一部分的剖面图。
图3是第二蚀刻工序后的结晶硅基板的一部分的剖面图。
图4是第三蚀刻工序后的结晶硅基板的一部分的剖面图。
图5是实验例1中制作的单晶硅基板的主面的电子显微镜照片。
图6是实验例2中制作的单晶硅基板的主面的电子显微镜照片。
图7是比较例中制作的单晶硅基板的主面的电子显微镜照片。
具体实施方式
下面，对实施本发明的优选方式的一例进行说明。但下述实施方式仅仅是例示。本发明不受下述实施方式任何限定。
并且，在实施方式等中参照的各个附图中，实质上具有相同功能的部件以相同的符号标记。并且，实施方式等中参照的附图是示意性地记载的图，有时附图中所绘的物体的尺寸比例等与现实的物体的尺寸比例等有所不同。有时在附图彼此之间，物体的尺寸比例等也有所不同。具体的物体的尺寸比例等应参照以下的说明予以判断。
（第一实施方式）
（太阳能电池1的结构）
图1是第一实施方式中制造的太阳能电池的剖面图。首先，参照图1对本实施方式中制造的太阳能电池的结构进行说明。
太阳能电池1具备结晶硅基板10。结晶硅基板10例如由单晶硅基板或多晶硅基板构成。
其中，在本实施方式中，对于结晶硅基板10的导电类型为n型的例子进行说明。但本发明不限定于此。结晶硅基板10的导电类型也可以为p型。
在结晶硅基板10的第一主面10a上，配置有与结晶硅基板10的导电类型不同的p型半导体层11。p型半导体层11例如可以由p型非晶硅层构成。优选p型半导体层11含有氢。p型半导体层11的厚度例如可以为3nm～20nm左右，优选为5nm～15nm左右。其中，非晶硅是非单晶硅类半导体材料，也包括微晶硅。
在结晶硅基板10的第一主面10a与p型半导体层11之间，配置有实质上本征的半导体层12。实质上本征的半导体层12例如可以由i型非晶硅层构成。优选实质上本征的半导体层12含有氢。实质上本征的半导体层12的厚度优选为实质上对发电没有贡献的程度。实质上本征的半导体层12的厚度例如可以为3nm～15nm左右，优选为5nm～10nm左右。
另一方面，在结晶硅基板10的第二主面10b上，配置有与结晶硅基板10的导电类型相同的n型半导体层13。n型半导体层13例如可以由n型非晶硅层构成。优选n型半导体层13含有氢。n型半导体层13的厚度例如可以为3nm～25nm左右，优选为5nm～15nm左右。
结晶硅基板10的第二主面10b与n型半导体层13之间，配置有实质上本征的半导体层14。实质上本征的半导体层14例如可以由i型非晶硅层构成。实质上本征的半导体层14的厚度优选为实质上对发电没有作用的程度。优选实质上本征的半导体层14含有氢。实质上本征的半导体层14的厚度例如可以为3nm～15nm左右，优选为5nm～10nm左右。
在半导体层11、13上，配置有透明导电性氧化物（TransparentConductiveOxide：TCO）层15、16。在TCO层15上配置有p侧集电极17。由该p侧集电极17收集空穴。另一方面，在TCO层16上配置有n侧集电极18。由该n侧集电极18收集电子。
（太阳能电池1的制造方法）
接着，对太阳能电池1的制造方法的一个示例进行说明。
首先，准备结晶硅基板10。其中，关于结晶硅基板10的制作方法在后面详细描述。
接着，在结晶硅基板10上形成实质上本征的半导体层12、14。实质上本征的半导体层12、14的形成例如可以通过溅射法或CVD（化学气相沉积，ChemicalVaporDeposition）法等蒸镀法进行。
接着，在实质上本征的半导体层12上形成p型半导体层11，并且在实质上本征的半导体层14上形成n型半导体层13。p型半导体层11和n型半导体层13的形成例如可以通过溅射法或CVD法等蒸镀法进行。
接着，在半导体层11、13上形成TCO层15、16。TCO层15、16的形成例如可以通过溅射法或CVD法等蒸镀法进行。
最后，形成p侧集电极17和n侧集电极18，从而完成太阳能电池1。其中，集电极17、18的形成例如可以通过导电性膏的涂布或镀敷法等进行。
（结晶硅基板10的制作方法）
图2是蚀刻前的结晶硅基板的一部分的剖面图。图3是第二蚀刻工序后的结晶硅基板的一部分的剖面图。图4是第三蚀刻工序后的结晶硅基板的一部分的剖面图。
下面，主要参照图2～图4对结晶硅基板10的制作方法详细的内容进行说明。
首先准备结晶硅的锭块（ingot）。例如在制作单晶硅基板时，准备单晶硅的锭块。结晶硅的锭块例如可以通过公知的方法制作。
（结晶硅锭块的切片）
接着，例如使用线锯（wiresaw）等将结晶硅的锭块切片。由此，得到图2所示的结晶硅基板10A。这样，结晶硅基板10A通过将锭块切断而制得。因此，结晶硅基板10A的主面10A1、10A2例如具有称为锯痕（sawmark）的不规则的凹凸形状。
（第一蚀刻工序和第二蚀刻工序（各向同性蚀刻工序））
接着，对结晶硅基板10A进行第一和第二蚀刻工序。具体而言，分别在第一蚀刻工序和第二蚀刻工序中，通过将结晶硅基板10A浸渍在蚀刻液中，除去结晶硅基板10A的主面10A1、10A2的凹凸，使10A1、10A2实质上平坦化。由此，制作图3所示的具有平坦的主面10B1、10B2的结晶硅基板10B。其中，主面10B1、10B2不一定必须完全平坦，只要具有比主面10A1、10A2高的平坦度即可。并且，第一蚀刻工序和第二蚀刻工序不一定必须是进行完全的各向同性蚀刻的工序，只要是实质上进行各向同性蚀刻的工序即可。
进一步具体而言，首先，在第一蚀刻工序中，通过将结晶硅基板10A浸渍在蚀刻液（第一蚀刻液）中，对结晶硅基板10A的主面10A1、10A2进行各向同性蚀刻。之后，在第二蚀刻工序中，再次将结晶硅基板10A浸渍在与第一蚀刻工序中使用的第一蚀刻液不同的蚀刻液（第二蚀刻液）中，对结晶硅基板10A的主面10A1、10A2进行各向同性蚀刻。
第一蚀刻工序是将附着于结晶硅基板10A的主面10A1、10A2的有机物等除去、并且使主面10A1、10A2平坦达到一定程度的工序。因此，不需要将主面10A1、10A2蚀刻到那么高的形状精度。相对于此，第二蚀刻工序是将第一蚀刻工序中平坦化达到一定程度的主面10A1、10A2的平坦度充分提高的工序。
因此，优选使第一蚀刻工序的蚀刻速率相对高、第二蚀刻工序的蚀刻速率相对低。这样一来，能够缩短第一蚀刻工序和第二蚀刻工序所需要的时间，并且能够得到具有平坦度高的主面10B1、10B2的结晶硅基板10B。
此外，也可以不进行第一蚀刻工序、仅进行第二蚀刻工序。在这种情况下，也能够进行有机物的除去和主面10A1、10A2的平坦化。但是，在这种情况下，需要仅通过蚀刻速率低的第二蚀刻工序来进行有机物的除去和主面10A1、10A2的平坦化，因此，存在以平坦化为目的的蚀刻工序所需要的时间延长的趋势。
第一蚀刻液和第二蚀刻液只要是能够蚀刻结晶硅基板10A即可，没有特别限定。作为第一蚀刻液和第二蚀刻液，例如可以例示含有氢氧化钠和氢氧化钾中的至少一种的水溶液等碱性的蚀刻液。第一蚀刻液的种类和第二蚀刻液的种类可以相同也可以不同。
第一蚀刻液和第二蚀刻液中的蚀刻成分（例如氢氧化钠或氢氧化钾等）的浓度，只要使第一蚀刻工序中的蚀刻速度比第二蚀刻工序中的蚀刻速度快即可，没有特别限定。第一蚀刻液中的蚀刻成分的浓度可以比第二蚀刻液中的蚀刻成分的浓度低，可以与第二蚀刻液中的蚀刻成分的浓度相同，也可以比第二蚀刻液中的蚀刻成分的浓度高。通常，第一蚀刻工序中蚀刻的部分比第二蚀刻工序中蚀刻的部分更容易被蚀刻。因此，即使第一蚀刻工序中使用的第一蚀刻液中的蚀刻成分的浓度比第二蚀刻工序中使用的第二蚀刻液中的蚀刻成分的浓度低，有时第一蚀刻工序中的蚀刻速度也会高于第二蚀刻工序中的蚀刻速度。第一蚀刻液和第二蚀刻液中的蚀刻成分的浓度例如可以为2质量％～10质量％左右。
第一蚀刻工序和第二蚀刻工序各自的蚀刻时间，可以根据在各个蚀刻工序中需要蚀刻的结晶硅基板10A的厚度等适当设定。第一蚀刻工序的蚀刻时间可以与第二蚀刻工序的蚀刻时间相等，也可以比第二蚀刻工序的蚀刻时间短或长。第一蚀刻工序和第二蚀刻工序各自的蚀刻时间例如可以为1分钟～15分钟左右。
第一蚀刻工序和第二蚀刻工序各自的温度也没有特别限定。第一蚀刻工序的温度可以与第二蚀刻工序的温度相同，也可以比第二蚀刻工序的温度低或高。第一蚀刻工序和第二蚀刻工序各自的温度例如可以为室温～95℃左右。
（第三蚀刻工序（各向异性蚀刻工序））
接着，对结晶硅基板10B进行第三蚀刻工序。该第三蚀刻工序是各向异性蚀刻工序。通过进行第三蚀刻工序，能够完成图4所示的在主面10a、10b形成有纹理结构的结晶硅基板10。其中，在图1中省略了主面10a、10b的纹理结构的表示。
在此，纹理结构是指，“纹理结构”是指用于抑制表面反射、使太阳能电池基板的光吸收量增大而形成的凹凸结构。纹理结构通常由大致四棱锥状的多个凸部构成。
各向异性蚀刻工序是利用硅结晶的晶面的种类不同时蚀刻速度也不同的现象的工序。具体而言，例如在使用碱性水溶液作为蚀刻液的情况下，硅结晶的（100）面的蚀刻速度最快，（111）面的蚀刻速度最慢。因此，如果在对（100）面露出的结晶硅基板10B进行各向异性蚀刻工序时出现蚀刻速度慢的（111）面，（100）面就会优先被蚀刻。其结果，形成由（111）面和与（111）面等价的晶面构成的四棱锥状的突起。由于该减少而形成纹理结构。其中，（111）面和与（111）面等价的晶面相对于（100）面倾斜54.7°。
在该作为各向异性蚀刻工序的第三蚀刻工序中，使用蚀刻成分的浓度比作为各向同性蚀刻工序的第二蚀刻工序中使用的第二蚀刻液更高的第三蚀刻液，进行结晶硅基板10B的蚀刻。但是，在第三蚀刻工序中，以比第二蚀刻工序的蚀刻速度更低的蚀刻速度进行蚀刻。这样一来，能够缩短第二蚀刻工序和第三蚀刻工序所需要的总时间，并且能够得到高形状精度的纹理结构。特别是能够减少构成纹理结构的多个突起之间的形状尺寸的不均匀。其结果，能够以高的制造效率制作具有优异的输出特性的太阳能电池1。换言之，能够缩短制造输出特性优异的太阳能电池1所需要的时间。
虽然其原因尚不明确，但是可以认为是由于以下原因造成的。即，为了形成纹理，需要某些基点（由于两个方位的差异而开始各向异性蚀刻的开端）。并且，为了形成大小一致的形状的纹理结构，尽可能在同一时刻在晶片表面形成基点是至关重要的。即，可以认为通过在作为各向同性蚀刻工序的第一蚀刻工序使面内平坦化、在作为各向异性蚀刻工序的第二蚀刻工序形成基点，能够在同一时刻形成基点。并且，可以认为在蚀刻速率快的情况下，形成基点后纹理结构立即生长，各向异性蚀刻开始的时刻在面内容易有偏差。另一方面，在蚀刻速率慢的情况下，即使各向异性蚀刻开始的时刻存在少许差异，面内的蚀刻量也不会出现大的差异，因而能够形成比较均匀的纹理结构。
从提高太阳能电池1的制造效率的观点出发，优选第三蚀刻工序中使用的第三蚀刻液进行的蚀刻的速度与第二蚀刻工序中使用的第二蚀刻液进行的蚀刻的速度之比（（使用第三蚀刻液进行的蚀刻的速度）／（使用第二蚀刻液进行的蚀刻的速度））在0.10～0.95的范围内，更优选在0.50～0.80的范围内。
优选第三蚀刻工序中使用的第三蚀刻液中蚀刻成分的浓度与第二蚀刻工序中使用的第二蚀刻液中蚀刻成分的浓度之比（（第三蚀刻液中蚀刻成分的浓度）／（第二蚀刻液中蚀刻成分的浓度））在1.03～1.70的范围内，更优选在1.10～1.30的范围内。
使作为各向异性蚀刻工序的第三蚀刻工序的蚀刻速度低于作为各向同性蚀刻工序的第二蚀刻工序的蚀刻速度的方法没有特别限定。例如可以通过调节蚀刻工序的温度来使得第三蚀刻工序的蚀刻速度低于第二蚀刻工序的蚀刻速度。
另外，在第三蚀刻工序中，可以通过使用含有降低蚀刻速度的添加剂的蚀刻液作为第三蚀刻液，使得第三蚀刻工序的蚀刻速度低于第二蚀刻工序的蚀刻速度。
作为这种添加剂的具体例，可以列举辛酸、十二烷酸、4－丙基苯甲酸（PrBA）、4－叔丁基苯甲酸（TBBA）、4－正丁基苯甲酸（NBBA）、4－戊基苯甲酸（PeBA）、4－正辛基苯磺酸（NOBS）等。可以在第二蚀刻液中添加其中1种添加剂，也可以在第二蚀刻液中添加多种添加剂。
其中，第三蚀刻工序中使用的蚀刻液只要能够对结晶硅基板10B进行各向异性蚀刻即可，没有特别限定。作为第三蚀刻工序中优选使用的蚀刻液，例如可以例示含有氢氧化钠和氢氧化钾中的至少一种的水溶液等含有碱性的蚀刻成分并且进一步含有能够进行各向异性蚀刻的添加剂的蚀刻液。作为能够进行各向异性蚀刻的添加剂的具体例，例如可以列举辛酸、十二烷酸、4－丙基苯甲酸（PrBA）、4－叔丁基苯甲酸（TBBA）、4－正丁基苯甲酸（NBBA）、4－戊基苯甲酸（PeBA）、4－正辛基苯磺酸（NOBS）等。可以仅使用这些添加剂中的1种，也可以使用多种。
第三蚀刻工序的蚀刻时间只要在能够适当地形成纹理结构的范围即可，没有特别限定。第三蚀刻工序的蚀刻时间例如可以为10分钟～45分钟左右。
第三蚀刻工序的温度例如可以为70℃～90℃左右。
（变形例）
在本发明中，太阳能电池只要具备结晶硅基板即可，没有特别限定。太阳能电池例如可以为背面接合型的太阳能电池。并且，太阳能电池可以是具备形成有p型掺杂剂扩散区域和n型掺杂剂扩散区域中的至少一种的结晶硅基板的太阳能电池。
在上述实施方式中，对进行2次各向同性蚀刻工序的例子进行了说明。但本发明不限定于该构成。可以仅进行1次各向同性蚀刻工序，也可以进行3次以上各向同性蚀刻工序。还可以进行2次以上各向异性蚀刻工序。
不一定必须在结晶硅基板的两个主面形成纹理结构。也可以仅在结晶硅基板的一个主面形成纹理结构。
（实验例1）
利用线锯将单晶硅的锭块切片，从而得到单晶硅基板。接着，在下述条件下对该单晶硅基板的表面进行各向同性蚀刻。之后，在下述条件下进行各向异性蚀刻，从而形成纹理结构。图5表示实验例1中制作的单晶硅基板的主面的电子显微镜照片。
另外，在实验例1中，各向同性蚀刻工序的蚀刻速率为1.5μm／分钟、蚀刻量为7μm。各向异性蚀刻工序的蚀刻速率为1.0μm／分钟、蚀刻量为20μm。
（各向同性蚀刻的条件）
蚀刻液：含有4质量％的NaOH的水溶液
蚀刻液的温度：75℃
蚀刻时间：270秒
（各向异性蚀刻的条件）
蚀刻液：含有5质量％的NaOH和0.05mol／l辛酸的水溶液
蚀刻液的温度：85℃
蚀刻时间：1200秒
（实验例2）
与实验例1同样操作，在下述的条件下，对由单晶硅锭块制作的单晶硅基板的表面进行2次各向同性蚀刻。之后，在下述的条件下进行各向异性蚀刻，从而形成纹理结构。图6表示实验例2中制作的单晶硅基板的主面的电子显微镜照片。
另外，在实验例2中，第一各向同性蚀刻工序的蚀刻速率为6μm／分钟、蚀刻量为13μm。第二各向同性蚀刻工序的蚀刻速率为1.5μm／分钟、蚀刻量为7μm。各向异性蚀刻工序的蚀刻速率为1.0μm／分钟、蚀刻量为20μm。
（第一各向同性蚀刻的条件）
蚀刻液：含有3质量％的NaOH的水溶液
蚀刻液的温度：85℃
蚀刻时间：130秒
（第二各向同性蚀刻的条件）
蚀刻液：含有4质量％的NaOH的水溶液
蚀刻液的温度：75℃
蚀刻时间：270秒
（各向异性蚀刻的条件）
蚀刻液：含有的5质量％的NaOH和0.05mol／l辛酸的水溶液
蚀刻液的温度：85℃
蚀刻时间：1200秒
（比较例）
利用线锯将单晶硅的锭块切片，从而得到单晶硅基板。接着，在下述条件下对该单晶硅基板的表面进行各向同性蚀刻。之后，在下述的条件下进行各向异性蚀刻，从而形成纹理结构。图7表示比较例中制作的单晶硅基板的主面的电子显微镜照片。
另外，在比较例中，各向异性蚀刻工序中的蚀刻速率为1.0μm／分钟、蚀刻量为27μm。
（各向异性蚀刻的条件）
蚀刻液：含有16质量％的NaOH和0.05mol／l的辛酸的水溶液
蚀刻液的温度：85℃
蚀刻时间：1620秒
（评价）
如比较例那样操作形成的纹理结构，如图7所示的单晶硅基板的主面的电子显微镜照片那样，由小的凹凸构成。另一方面，如实施例1和实施例2那样操作形成的纹理结构，如图5和图6所示的单晶硅基板的主面的电子显微镜照片那样，由与比较例相比更大的凹凸构成。这样，不仅能够增大构成纹理结构的一个个的凹凸，而且与比较例相比，还能够提高凹凸的大小的均匀性。
符号说明
1太阳能电池
10结晶硅基板
10A蚀刻前的结晶硅基板
10B各向同性蚀刻后的结晶硅基板
10a第一主面
10b第二主面
11p型半导体层
12、14实质上本征的半导体层
13n型半导体层
1516：TCO层
17p侧集电极
18n侧集电极
Claims (10)
1.一种具备结晶硅基板的太阳能电池的制造方法，所述结晶硅基板具有形成有纹理结构的主面，所述制造方法的特征在于：
使用蚀刻液对结晶硅基板的主面进行蚀刻，之后，使用蚀刻成分的浓度高于所述蚀刻液的其他蚀刻液，以比使用所述蚀刻液进行的蚀刻低的蚀刻速度，进行所述结晶硅基板的主面的蚀刻，从而在结晶硅基板的主面形成纹理结构。
2.如权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于：
通过使用含有降低蚀刻速度的添加剂的蚀刻液作为所述其他蚀刻
液，使使用所述其他蚀刻液的蚀刻速度低于使用所述蚀刻液的蚀刻速度。
3.如权利要求2所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于：
所述其他蚀刻液，使用含有辛酸、十二烷酸、4－丙基苯甲酸、4－叔丁基苯甲酸、4－正丁基苯甲酸、4－戊基苯甲酸和4－正辛基苯磺酸中的至少一种作为所述添加剂的蚀刻液。
4.如权利要求1～3中任一项所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于：
利用所述蚀刻液对所述结晶硅基板的主面进行各向同性蚀刻，
利用所述其他蚀刻液对所述结晶硅基板的主面进行各向异性蚀刻。
5.如权利要求1～3中任一项所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于：
在使用所述蚀刻液进行蚀刻之前，以比使用所述蚀刻液进行的蚀刻高的蚀刻速度，对所述结晶硅基板的主面进行蚀刻。
6.如权利要求1～3中任一项所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于：
所述蚀刻液和其他蚀刻液，分别使用碱性的蚀刻液。
7.如权利要求6所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于：
所述蚀刻液和其他蚀刻液，分别使用含有氢氧化钠和氢氧化钾中的至少一种的水溶液。
8.如权利要求1～3中任一项所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于：
使用所述其他蚀刻液进行的蚀刻的速度与使用所述蚀刻液进行的蚀刻的速度之比((使用所述其他蚀刻液进行的蚀刻的速度)/(使用所述蚀刻液进行的蚀刻的速度))在0.10～0.95的范围内。
9.如权利要求1～3中任一项所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于：
所述其他蚀刻液中的蚀刻成分的浓度与所述蚀刻液中的蚀刻成分的浓度之比((所述其他蚀刻液中的蚀刻成分的浓度)/(所述蚀刻液中的蚀刻成分的浓度))在1.03～1.70的范围内。
10.如权利要求1～3中任一项所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于：
所述结晶硅基板，使用单晶硅基板或多晶硅基板。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011-124936 | 2011-06-03 | ||
| JP2011124936 | 2011-06-03 | ||
| PCT/JP2012/063312 WO2012165288A1 (ja) | 2011-06-03 | 2012-05-24 | 太陽電池の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103597604A CN103597604A (zh) | 2014-02-19 |
| CN103597604B true CN103597604B (zh) | 2016-01-20 |
Family
ID=47259145
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201280027090.2A Expired - Fee Related CN103597604B (zh) | 2011-06-03 | 2012-05-24 | 太阳能电池的制造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8835210B2 (zh) |
| EP (1) | EP2717321B1 (zh) |
| JP (1) | JP6160959B2 (zh) |
| CN (1) | CN103597604B (zh) |
| WO (1) | WO2012165288A1 (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9837259B2 (en) * | 2014-08-29 | 2017-12-05 | Sunpower Corporation | Sequential etching treatment for solar cell fabrication |
| US10026660B2 (en) * | 2014-10-31 | 2018-07-17 | Veeco Precision Surface Processing Llc | Method of etching the back of a wafer to expose TSVs |
| US20200044100A1 (en) * | 2017-02-09 | 2020-02-06 | RENA Technologies GmbH | Method For Texturing A Surface Of A Semiconductor Material And Device For Carrying Out The Method |
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| JPH1117202A (ja) * | 1997-06-26 | 1999-01-22 | Kyocera Corp | 太陽電池素子 |
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| JP2006294696A (ja) * | 2005-04-06 | 2006-10-26 | Sharp Corp | 太陽電池の製造方法および太陽電池用シリコン基板 |
| JP4326545B2 (ja) * | 2006-02-23 | 2009-09-09 | 三洋電機株式会社 | 凹凸基板の製造方法及び光起電力素子の製造方法 |
| US8652869B2 (en) * | 2009-03-25 | 2014-02-18 | Mitsubishi Electric Corporation | Method for roughening substrate surface and method for manufacturing photovoltaic device |
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| WO2011048656A1 (ja) * | 2009-10-19 | 2011-04-28 | 三菱電機株式会社 | 基板の粗面化方法、光起電力装置の製造方法 |
| US20120160296A1 (en) * | 2011-09-30 | 2012-06-28 | Olivier Laparra | Textured photovoltaic cells and methods |
-
2012
- 2012-05-24 EP EP12792011.4A patent/EP2717321B1/en active Active
- 2012-05-24 WO PCT/JP2012/063312 patent/WO2012165288A1/ja unknown
- 2012-05-24 CN CN201280027090.2A patent/CN103597604B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2012-05-24 JP JP2013518013A patent/JP6160959B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-11-27 US US14/091,983 patent/US8835210B2/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20140080246A1 (en) | 2014-03-20 |
| US8835210B2 (en) | 2014-09-16 |
| EP2717321A4 (en) | 2015-05-06 |
| JP6160959B2 (ja) | 2017-07-12 |
| JPWO2012165288A1 (ja) | 2015-02-23 |
| CN103597604A (zh) | 2014-02-19 |
| WO2012165288A1 (ja) | 2012-12-06 |
| EP2717321B1 (en) | 2020-07-29 |
| EP2717321A1 (en) | 2014-04-09 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
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