CN101976704B - 一种激光与酸刻蚀结合的制绒工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种激光与酸刻蚀结合的制绒工艺，其工艺步骤如下：首先在硅片表面形成掩膜，然后利用激光在硅片表面均匀开孔，孔间隔5～10微米，孔径3～5微米，孔打好后硅片放置在HF和HNO3的混合溶液中进行刻蚀，利用掩膜与酸反应的时间差在小孔处钻蚀，硅片表面形成均匀的绒面。本发明的制绒工艺对单晶或多晶硅片都适合，可以弥补多晶酸制绒反射率高的缺陷。而且利用本发明的工艺完成的绒面，因为均匀性好，故光吸收效果较传统工艺有明显提升，绒面反射率较低。
Description
技术领域
本发明涉及晶体硅太阳能电池生产工艺，尤其是一种激光与酸刻蚀结合的制绒工艺。
背景技术
现有晶体硅太阳能电池制绒工艺有单晶碱制绒工艺、单晶多晶酸制绒工艺、光刻制绒工艺以及纯激光刻蚀制绒工艺。单晶碱制绒工艺是指用碱液对单晶表面进行选择性腐蚀，制成表面金字塔减反结构。单晶多晶的酸制绒工艺是指用酸液对单晶多晶的表面按其切割缺陷进行各晶向同性腐蚀。光刻制绒工艺是指用光刻胶加掩膜版对硅片表面进行选择性掩膜，然后用酸在去除掩膜区进行刻蚀制绒。纯激光刻蚀制绒工艺是直接用激光对硅片表面进行刻蚀制绒。其它还有些如反应离子刻蚀等，主要目的就是在硅片表面制造减反射结构。
但这些现有的工艺都存在一定的局限性，如绒面效果较好的碱制绒工艺一般只适合于单晶。而多晶现阶段产业化工艺一般为酸制绒工艺，其减反射的效果比较差。光刻制绒工艺的效果较好，但其工艺复杂，成本较高。纯激光制绒工艺其制绒后损伤层较为严重，对电池性能影响较大。
发明内容
本发明要解决的技术问题是：克服现有技术的不足，提供一种激光与酸刻蚀结合的制绒工艺，适用于单晶或多晶的制绒，制绒后的绒面均匀性较好，绒面反射率较低。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种激光与酸刻蚀结合的制绒工艺，其工艺步骤如下：首先在硅片表面形成掩膜，然后利用激光在硅片表面均匀开孔，孔间隔5～10微米，孔径3～5微米，孔打好后硅片放置在HF和HNO3的混合溶液中进行刻蚀，利用掩膜与酸反应的时间差在小孔处钻蚀，硅片表面形成均匀的绒面。
本发明的有益效果是：本发明将激光与酸刻蚀结合，利用掩膜与酸反应的时间差，在小孔处钻蚀，硅片表面形成均匀的绒面。本发明的制绒工艺对单晶或多晶硅片都适合，可以弥补多晶酸制绒反射率高的缺陷。而且利用本发明的工艺完成的绒面，因为均匀性好，故光吸收效果较传统工艺有明显提升，绒面反射率较低。
具体实施方式
一种激光与酸刻蚀结合的制绒工艺，其工艺步骤如下：（1）硅片表面损伤层去除；（2）表面掩膜制备：在硅片表面形成掩膜；（3）利用激光在硅片表面均匀开孔，孔间隔5～10微米，孔径3～5微米；（4）孔打好后硅片放置在HF和HNO3的混合溶液中进行刻蚀,硅片表面形成均匀的绒面；（5）清洗。
本发明将激光与酸刻蚀结合，利用掩膜与酸反应的时间差，在小孔处钻蚀，硅片表面形成均匀的绒面。本发明的制绒工艺对单晶或多晶硅片都适合，可以弥补多晶酸制绒反射率高的缺陷。而且利用本发明的工艺完成的绒面，因为均匀性好，故光吸收效果较传统工艺有明显提升，绒面反射率较低。
Claims (1)
1.一种激光与酸刻蚀结合的制绒工艺，其特征在于：其工艺步骤如下：首先在硅片表面形成掩膜，然后利用激光在硅片表面均匀开孔，孔间隔5～10微米，孔径3～5微米，孔打好后硅片放置在HF和HNO3的混合溶液中进行刻蚀，利用掩膜与酸反应的时间差在小孔处钻蚀，硅片表面形成均匀的绒面。
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