CN101752450B - 晶体硅太阳能电池片多重制绒方法 - Google Patents

晶体硅太阳能电池片多重制绒方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101752450B
CN101752450B CN2008101438304A CN200810143830A CN101752450B CN 101752450 B CN101752450 B CN 101752450B CN 2008101438304 A CN2008101438304 A CN 2008101438304A CN 200810143830 A CN200810143830 A CN 200810143830A CN 101752450 B CN101752450 B CN 101752450B
Authority
CN
China
Prior art keywords
velvet
matte
solar battery
multiplex
pyramid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2008101438304A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101752450A (zh
Inventor
张恩理
娄志林
谢剑刚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
HUNAN TLNZ SOLAR TECHNOLOGY Co Ltd
Original Assignee
HUNAN TLNZ SOLAR TECHNOLOGY Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by HUNAN TLNZ SOLAR TECHNOLOGY Co Ltd filed Critical HUNAN TLNZ SOLAR TECHNOLOGY Co Ltd
Priority to CN2008101438304A priority Critical patent/CN101752450B/zh
Publication of CN101752450A publication Critical patent/CN101752450A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101752450B publication Critical patent/CN101752450B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

一种晶体硅太阳能电池片多重制绒方法。为增加晶体硅太阳能电池片的光线吸收，对于单晶硅片，先用碱液制绒，绒面成金字塔型，然后放入H2NO3和HF的混合液中腐蚀，利用酸的各向同性腐蚀在塔型绒面的表面上再形成一层亚微米级的无规则绒面；对于多晶硅片，先用机械或激光方法刻槽，刻出互相交叉的线条，使硅片表面形成规则的正方形或菱形的金字塔结构，然后将硅片放入酸液中，对硅片表面进行腐蚀，在塔型表面形成一层亚微米级的绒面。主要用于晶体硅太阳能电池片生产和制造中。

Description

晶体硅太阳能电池片多重制绒方法
技术领域
本发明涉及一种晶体硅太阳能电池片多重制绒方法。 
背景技术
目前，晶体硅太阳能电池片的制作多用单一制绒的方法。 
为增加晶体硅太阳能电池片的光线吸收，一般在晶体硅片表面加工一层绒面，由于碱液，如NaoH或KOH溶液，对晶体硅各个晶向的腐蚀速度不同，用于单晶硅片时就能腐蚀出很多2-10μm微型金字塔结构的绒面来，但碱液不能用来多晶硅片制绒，因为多晶硅片内的晶向是不一定的，用碱液腐蚀就会在各个晶体之间出现高低不平凹凸块，因此，对于多晶硅片就用各向同性的酸，即H2NO3和HF混合液，来腐蚀硅片，形成2-10μm凹凸不平的无规则绒面。 
发明内容
本发明的目的是提供一种晶体硅太阳能电池片多重制绒方法。 
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：对于单晶硅片而言，经过碱液的，绒面成金字塔型，绒面高度在2-10μm，虽然对光线的反射大大减少，但对于每个微观的“塔”而言，光线还是有反射和折射，一部分反射和折射会被相邻的塔面吸收，还有一部分会反射到空气中，为了减少这部分反射，将已经用碱液制好绒面的硅片，再短时间放入酸液，即H2NO3和HF的混合液中，利用酸的各向同性腐蚀在塔型绒面的表面上再形成一层亚微米级的无规则绒面，大大的增加了对光线的吸收。 
对于多晶硅片面言，由于经过酸液腐蚀，表面绒面是无规则的，对光线的吸收和反射有很多不确定性，为了解决这个问题先用机械或激光刻槽的方法，刻出互相交叉的线条，线条交叉的角度为60-90度，刻痕成“V”型，表面最大宽度为0.1mm-0.2mm，中心距离0.1-0.3mm，深度10-20μm，使硅片表面形成规则的正方形或菱形的金字塔结构，类似于经碱液腐蚀出来的单晶片，但比单晶片的塔型结构更规则，也对光线有一定的反射作用，为进一步降低该反射将硅片短时间放入酸液中，在硅片表面进行腐蚀，再在塔型表面形成一层亚微米级的绒面。大大增加了硅片表面的对光线的吸收。
本发明的有益效果是，对于单晶体，经过先碱液后酸液的制绒，形成了多重绒面；对于多晶体，先用机械或激光方法刻制，后酸液腐蚀，形成多重绒面。从而，大大增加了硅片表面的对光线的吸收。 
具体实施方式
对于单晶硅片而言，经过碱液的，绒面成金字塔型，绒面高度在2-10μm，虽然对光线的反射大大减少，但对于每个微观的“塔”而言，光线还是有反射和折射，一部分反射和折射会被相邻的塔面吸收，还有一部分会反射到空气中，为了减少这部分反射，将已经用碱液制好绒面的硅片，再短时间放入酸液(H2NO3和HF的混合液)中，利用酸的各向同性腐蚀在塔型绒面的表面上再形成一层亚微米级的无规则绒面，大大的增加了对光线的吸收。 
对于多晶硅片面言，由于经过酸液腐蚀，表面绒面是无规则的，对光线的吸收和反射有很多不确定性，为了解决这个问题先用机械或激光刻槽的方法，刻出互相交叉的线条，线条交叉的角度为60-90度，刻痕成“V”型，表面最大宽度为0.1mm-0.2mm，中心距离0.1-0.3mm，深度10-20μm，使硅片表面形成规则的正方形或菱形的金字塔结构，类似于经碱液腐蚀出来的单晶片，但比单晶片的塔型结构更规则，也对光线有一定的反射作用，为进一步降低该反射将硅片短时间放入酸液中，在硅片表面进行腐蚀，再在塔型表面形成一层亚微米级的绒面。大大增加了硅片表面的对光线的吸收。 
将125×125mm的单晶片放在1.2％的NaoH和5％的异丙醇混合液中，温度80-85℃，时间25分钟，形成2-10μm的塔型绒面，拿出后迅速用纯净水清洗，再将硅片放入8％ H2NO3和0.5-0.8％HF酸混合液中，温度10-12℃，时间10-20秒，经过二次腐蚀，在塔型绒面上再形成亚微米级的无规则绒面. 
将156×156mm的多晶硅片用金钢石刀具刻出交叉的“V”型槽，交叉角度85度，槽深20μm，表面槽宽100μm，中心距100μm，形成一层规则的菱形金字塔绒面，再将硅片放入8％ H2NO3和0.5-0.8％HF的混合液中，温度10-12℃，时间60-90秒，形成一层无规则的绒面。 

Claims (2)

1.一种晶体硅太阳能电池片多重制绒方法，其特征是：
对于单晶硅片，先用碱液制绒，绒面成金字塔型，然后放入8％H2NO3和0.5-0.8％HF的混合液中腐蚀，利用酸的各向同性腐蚀在塔型绒面的表面上再形成一层亚微米级的无规则绒面；
对于多晶硅片，先用机械或激光方法刻槽，刻出互相交叉的线条，使硅片表面形成规则的正方形或菱形的金字塔结构，然后将硅片放入8％H2NO3和0.5-0.8％HF的混合液中，对硅片表面进行腐蚀，在塔型表面形成一层亚微米级的绒面。
2.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池片多重制绒方法，其特征是：规则的正方形或菱形的金字塔结构中，交叉线条的角度为60-90度，刻痕成“V”型，表面最大宽度为0.1mm-0.2mm，中心距离0.1-0.3mm，深度10-20μm。
CN2008101438304A 2008-12-08 2008-12-08 晶体硅太阳能电池片多重制绒方法 Expired - Fee Related CN101752450B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2008101438304A CN101752450B (zh) 2008-12-08 2008-12-08 晶体硅太阳能电池片多重制绒方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2008101438304A CN101752450B (zh) 2008-12-08 2008-12-08 晶体硅太阳能电池片多重制绒方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101752450A CN101752450A (zh) 2010-06-23
CN101752450B true CN101752450B (zh) 2012-02-08

Family

ID=42479114

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008101438304A Expired - Fee Related CN101752450B (zh) 2008-12-08 2008-12-08 晶体硅太阳能电池片多重制绒方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101752450B (zh)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101976704B (zh) * 2010-07-28 2013-05-15 常州天合光能有限公司 一种激光与酸刻蚀结合的制绒工艺
CN102400226B (zh) * 2010-09-16 2014-12-17 上海神舟新能源发展有限公司 一种多晶硅太阳能电池的制绒液
CN102185028B (zh) * 2011-04-07 2014-04-16 浙江昱辉阳光能源江苏有限公司 一种p型超大晶粒多晶硅太阳电池表面织构的制造方法
CN102181940B (zh) * 2011-04-08 2012-07-18 光为绿色新能源股份有限公司 一种多晶硅绒面的制备方法
CN102191565B (zh) * 2011-04-15 2012-12-26 中节能太阳能科技（镇江）有限公司 一种单晶硅制绒液及其使用方法
CN102212885B (zh) * 2011-04-27 2013-09-18 浚鑫科技股份有限公司 多晶硅太阳能电池片的制绒方法
CN102220645B (zh) * 2011-04-30 2013-01-02 常州天合光能有限公司 一种金刚线切割硅片的制绒方法
CN102496660A (zh) * 2011-12-30 2012-06-13 常州亿晶光电科技有限公司 一种酸碱结合的单晶硅太阳能电池制绒方法
CN103219428B (zh) * 2013-04-12 2015-08-19 苏州大学 一种晶体硅太阳能电池的绒面结构及其制备方法
CN103882528B (zh) * 2014-03-28 2016-06-29 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 一种多晶硅片绒面的制备方法
CN109755098B (zh) * 2017-11-01 2021-08-10 天津环鑫科技发展有限公司 一种硅片激光与酸液结合制绒工艺
CN110190142B (zh) * 2019-06-14 2021-02-02 京东方科技集团股份有限公司 制绒方法及缓冲层的制造方法
CN112436074A (zh) * 2020-11-30 2021-03-02 中建材浚鑫科技有限公司 一种适用于双面硅太阳能电池的制绒清洗工艺

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6451218B1 (en) * 1998-03-18 2002-09-17 Siemens Solar Gmbh Method for the wet chemical pyramidal texture etching of silicon surfaces
JP2005019605A (ja) * 2003-06-25 2005-01-20 Naoetsu Electronics Co Ltd テクスチャー形成用エッチング液
CN1983645A (zh) * 2005-12-13 2007-06-20 上海太阳能科技有限公司 多晶硅太阳电池绒面的制备方法
CN1983644A (zh) * 2005-12-13 2007-06-20 上海太阳能科技有限公司 制作单晶硅太阳电池绒面的方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6451218B1 (en) * 1998-03-18 2002-09-17 Siemens Solar Gmbh Method for the wet chemical pyramidal texture etching of silicon surfaces
JP2005019605A (ja) * 2003-06-25 2005-01-20 Naoetsu Electronics Co Ltd テクスチャー形成用エッチング液
CN1983645A (zh) * 2005-12-13 2007-06-20 上海太阳能科技有限公司 多晶硅太阳电池绒面的制备方法
CN1983644A (zh) * 2005-12-13 2007-06-20 上海太阳能科技有限公司 制作单晶硅太阳电池绒面的方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN101752450A (zh) 2010-06-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101752450B (zh) 晶体硅太阳能电池片多重制绒方法
EP2891637B1 (en) Monocrystalline silicon wafer texturizing additive and use thereof
CN103614778A (zh) 用于单晶硅片的无醇碱性制绒液、制绒方法、太阳能电池片及其制作方法
CN106206774B (zh) 在硅片上制备均匀微纳复合绒面的方法
CN106653889B (zh) 用于刻蚀太阳能电池硅片表面的制绒液及其应用
CN100388511C (zh) 单晶硅太阳能电池的表面结构及其制作方法
CN110042474A (zh) 一种单晶硅太阳能电池制绒添加剂及其应用
CN102656250A (zh) 含水酸性蚀刻溶液和使单晶和多晶硅衬底的表面纹理化的方法
CN101404307A (zh) 一种多晶硅太阳电池绒面制作方法
CN101962811A (zh) 一种单晶硅片制绒液及其用于制绒的方法
CN1983645A (zh) 多晶硅太阳电池绒面的制备方法
CN104051564A (zh) 湿法刻蚀工艺、设备和太阳能电池及其制造方法
CN102169923A (zh) 钝化n型硅太阳能电池的p型掺杂层的方法及电池结构
JPWO2005117138A1 (ja) 太陽電池用半導体基板とその製造方法および太陽電池
CN102931290A (zh) 一种不损伤绒面的多晶硅太阳能电池返工方法
CN102270702A (zh) 一种制绒白斑单晶硅片的返工工艺
CN103339738A (zh) 太阳能电池用基板的制造方法和太阳能电池
CN209709005U (zh) 具有微纳浊透复合绒面的太阳能电池片
CN103774239A (zh) 一种单晶硅硅片清洗制绒工艺
CN102034900A (zh) 一种准单晶硅片的制绒方法
CN103000763A (zh) 一种晶体硅太阳能电池的绒面结构及其制备方法
CN103426736A (zh) 单晶硅倒金字塔绒面的激光化学次序可控制备方法
EP4318600A1 (en) Texture structure of solar cell and preparation method therefor
CN101976704B (zh) 一种激光与酸刻蚀结合的制绒工艺
CN111105995B (zh) 一种单晶硅片的清洗及制绒方法

Legal Events

Date Code Title Description
C57 Notification of unclear or unknown address
DD01 Delivery of document by public notice

Addressee: Zhang Enli

Document name: Notification of Passing Preliminary Examination of the Application for Invention

C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20120208

Termination date: 20141208

EXPY Termination of patent right or utility model