CN101794843A - 一种降低多晶制绒反射率的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种降低多晶制绒反射率的方法，用于降低多晶片表面制绒后的反射率，具有以下步骤：A、酸制绒：采用由多晶硅制成的多晶片，将多晶片进行酸制绒处理，使多晶片单面腐蚀深度为3～5微米，多晶片表面形成酸制绒绒面；B、碱制绒：将已进行酸制绒处理的多晶片放入0.1％～10％的KOH溶液或NaOH溶液中处理10～30分钟，溶液温度为70～100度，多晶片<100>面形成金字塔形的金字塔绒面。采用本发明的方法制成的多晶片表面的反射率较低，用其多晶片制作的太阳能电池的转换效率较高。

Description

一种降低多晶制绒反射率的方法
技术领域
本发明涉及一种降低多晶制绒反射率的方法。
背景技术
太阳能电池发展的重心已经从单晶向多晶方向发展，提高太阳能转换效率是太阳能电池制造领域所要考虑的重要问题，一般采用降低太阳能电池片表面的反射率来提高光电转换效率，对于单晶硅，可应用各向异性化学腐蚀的方法在表面形成金字塔状的绒面结构，降低表面的反射率，但是对于多晶硅，由于其晶向偏离，一般无法用常规的方法形成金字塔状的绒面，常规的多晶硅太阳能电池主要采用酸制绒的方式形成酸制绒绒面，但这种酸制绒绒面的反射率较高，一般在20％～25％，大大地影响了太阳能电池的转换效率。
发明内容
本发明要解决的技术问题是：克服现有技术的不足，提供一种降低多晶制绒反射率的方法，用其方法制作的多晶片表面的反射率较低，用其多晶片制作的太阳能电池的转换效率较高。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种降低多晶制绒反射率的方法，用于降低多晶片表面制绒后的反射率，具有以下步骤：
A、酸制绒：采用由多晶硅制成的多晶片，将多晶片进行酸制绒处理，使多晶片单面腐蚀深度为3～5微米，多晶片表面形成酸制绒绒面；
B、碱制绒：将已进行酸制绒处理的多晶片放入0.1％～10％的KOH溶液或NaOH溶液中处理10～30分钟，溶液温度为70～100度，多晶片<100>面形成金字塔形的金字塔绒面。
本发明的有益效果是：采用本发明的方法可以使多晶片表面同时得到金字塔绒面和酸制绒绒面，金字塔绒面的反射率远低于酸制绒绒面的反射率，所以采用本发明的方法制成的多晶片表面的反射率较低，用其多晶片制作的太阳能电池的转换效率较高。
具体实施方式
一种降低多晶制绒反射率的方法，用于降低多晶片表面制绒后的反射率，具有以下步骤：
A、酸制绒：采用由多晶硅制成的多晶片，将多晶片进行酸制绒处理，使多晶片单面腐蚀深度为3～5微米，多晶片表面形成酸制绒绒面，酸制绒绒面的反射率在20％～25％；
B、碱制绒：将已进行酸制绒处理的多晶片放入0.1％～10％的KOH溶液或NaOH溶液中处理10～30分钟，溶液温度为70～100度，多晶片<100>面形成金字塔形的金字塔绒面。
金字塔绒面的反射率远低于酸制绒绒面的反射率，这样就可以降低多晶片的整体反射率。

Claims (1)

1.一种降低多晶制绒反射率的方法，用于降低多晶片表面制绒后的反射率，其特征在于：具有以下步骤：
A、酸制绒：采用由多晶硅制成的多晶片，将多晶片进行酸制绒处理，使多晶片单面腐蚀深度为3～5微米，多晶片表面形成酸制绒绒面；
B、碱制绒：将已进行酸制绒处理的多晶片放入0.1％～10％的KOH溶液或NaOH溶液中处理10～30分钟，溶液温度为70～100度，多晶片<100>面形成金字塔形的金字塔绒面。
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C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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