CN104966760A - 一种太阳能电池生产工艺 - Google Patents
一种太阳能电池生产工艺 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104966760A CN104966760A CN201510391110.XA CN201510391110A CN104966760A CN 104966760 A CN104966760 A CN 104966760A CN 201510391110 A CN201510391110 A CN 201510391110A CN 104966760 A CN104966760 A CN 104966760A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silicon chip
- concentration
- afterwards
- adopts
- wool
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 20
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 65
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 65
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 65
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 23
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 15
- HIVGXUNKSAJJDN-UHFFFAOYSA-N [Si].[P] Chemical compound [Si].[P] HIVGXUNKSAJJDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims abstract description 8
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 64
- 235000008216 herbs Nutrition 0.000 claims description 18
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 claims description 18
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 238000010422 painting Methods 0.000 claims description 13
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 12
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 10
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 10
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 10
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 claims description 8
- 238000010792 warming Methods 0.000 claims description 7
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 5
- 208000020442 loss of weight Diseases 0.000 claims description 5
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 claims description 5
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 claims description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 5
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 5
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 abstract description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 abstract 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 11
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000368 destabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种太阳能电池生产工艺，主要包括制绒、扩散、清洗磷硅片、镀氮化硅、刻蚀与背抛光、丝网印刷和烧结等步骤，其中清洗磷硅片步骤中采用HF或HF与HNO3、HCl的混合溶液，刻蚀与被抛光步骤中，采用浓度为5～35%的碱液浸泡硅片，对硅片背面的进行刻蚀和抛光，经本发明的生产工艺较稳定，刻蚀效果良好，而且抛光程度较好。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体器件，具体涉及一种太阳能电池生产工艺。
背景技术
制造太阳能电池的半导体材料已知的有十几种，目前技术最成熟，并且具有商业价值的太阳能电池要算晶体硅太阳能电池。常规晶体硅太阳能电池生产中，生产工艺顺序为制绒、扩散、刻蚀、PECVD、丝网烧结。在这种工艺顺序下，刻蚀会出现一定的不稳定因素，即过刻或刻蚀不足。过刻会导致正面PN结受损，电池正面出现刻蚀痕，影响外观；刻蚀不足会导致边缘漏电，影响电池品质和电池效率。此外现有的刻蚀有一定的背抛光作用，但程度不高。
发明内容
本发明的目的在提供一种刻蚀较稳定，而且抛光程度较好的太阳能电池生产工艺。
为达到上述目的，本发明的技术方案如下：
一种太阳能电池生产工艺，包括如下步骤：
（1） 制绒，制绒采用的HF浓度为5～10%，HNO3浓度为20～40%，制绒后硅片减重为0.3～0.4g，绒面的尺寸为3～5μm；
（2） 扩散，将制绒后的硅片升温至865～875℃，并通760～820 SCCM磷源，6～12 SLM的氮气气氛，360～430 SCCM的氧气气氛下达到扩散的目的，扩散的方阻控制为75～85Ω/□；
（3） 清洗磷硅片，在HF或者HF、HNO3、HCl的混合酸中采用浸泡或滚轮传动的方式清洗磷硅片，所述HF的浓度为10～20%；
（4） 镀氮化硅，在1150～1240 SCCM硅烷流量和5800～6100 SCCM的氨气流量，以及4900～5200W等离子放电的条件下对硅片正面镀氮化硅膜，制作厚度为80～85nm厚的氮化硅；
（5） 刻蚀与背抛光，采用浓度为5%～35%的NaOH或KOH碱液浸泡硅片，对硅片背面的进行刻蚀和抛光；
（6） 丝网印刷，采用背电极网版对硅片印刷20～50mg背银浆，然后在230～245℃下烘干；背电场网版印刷1200～1500mg背铝浆，然后在290～320℃下烘干，正电极网版印刷100～120mg的正银浆；
（7） 烧结，首先采用280～320℃预热18～22s，之后快速升温至540～555℃保持42～48s，之后升温至780～810℃，之后降温至室温。
采用上述技术方案时，生产工艺的步骤包括镀氮化硅膜，然后采用浓度为5%～35%的NaOH或KOH碱液浸泡硅片，对硅片背面进行刻蚀和抛光，由于NaOH或KOH碱液对Si和SiO2的表面具有腐蚀作用，而对镀氮化硅表面无腐蚀作用，本发明在硅片正面镀氮化硅膜，所以硅片正面的PN结表面能受到氮化硅膜的保护，碱液无法腐蚀PN结，而硅片的背面无氮化硅的保护，碱液腐蚀深度较深，能彻底的去除背面的掺杂层，因此不存在过刻或刻蚀不足的问题，并且提高了背面抛光程度。使用本生产工艺生产的太阳能电池稳定性较常规工艺高，效率较高，能够实现稳定高效量产。
进一步地，步骤（3）还包括采用浓度为0.9～1.2% 的NaOH或KOH碱溶液中和残留酸液，之后采用DI水清洗。一方面，HF或者HF、HNO3、HCl的混合酸对硅片会造成腐蚀，另一方面，硅片上有酸液影响后续处理。中和酸液并清洗后，就能够更容易镀镀氮化硅。
进一步地，步骤（5）还包括采用1.5～2.5%浓度HCl酸溶液中和残留碱液，之后采用DI水清洗。一方面，碱液对硅片会造成腐蚀，另一方面，硅片上有碱液影响后续丝网印刷处理。中和酸液并用DI水清洗后，丝网印刷能顺利进行。
附图说明
图1是本发明一种太阳能电池生产工艺实施例的结构示意图。
具体实施方式
下面通过具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：
实施例的制备步骤基本如附图1所示：
实施例1：
一种太阳能电池生产工艺，包括如下步骤：
（1）制绒，用HF浓度为5%，HNO3浓度为40%，制绒后硅片减重为0.3g左右，绒面的尺寸在3μm；
（2）扩散，将制绒后的硅片升温至865℃的温度下通760 SCCM磷源，6 SLM的氮气气氛，360SCCM的氧气气氛下达到扩散的目的，扩散的方阻控制为75Ω/□；
（3）清洗磷硅片，在浓度为10%的HF中采用滚轮传动的方式清洗磷硅片，在浓度为0.9%的NaOH溶液中采用滚轮传动的方式增加硅片表面洁净度，之后采用DI水（去离子水）清洗硅片；
（4）镀氮化硅，在1150SCCM硅烷流量和5800SCCM的氨气流量，以及4900W等离子放电的条件下对硅片正面镀氮化硅膜，制作厚度为80nm厚的氮化硅；
（5）刻蚀与背抛光，采用浓度为5%的KOH碱液浸泡硅片，对硅片背面的进行刻蚀和抛光，之后采用浓度为1.5%的HCl清洗硅片表面，增加洁净度，之后采用DI水（去离子水）清洗硅片表面；
（6）丝网印刷，采用背电极网版印刷20mg背银浆，然后在230℃下烘干；背电场网版印刷1200mg背铝浆，然后在290℃下烘干，正电极网版印刷100mg的正银浆；
（7）烧结，首先采用280℃预热20s，之后快速升温至540℃保持42s，之后快速升温至780℃，之后快速降温至室温。
实施例2
一种太阳能电池生产工艺，包括如下步骤：
（1）制绒，用HF浓度为8%，HNO3浓度为30%，制绒后硅片减重为0.35g左右，绒面的尺寸在4μm；
（2）扩散，将制绒后的硅片升温至870℃的温度下通800 SCCM磷源，9 SLM的氮气气氛，400 SCCM的氧气气氛下达到扩散的目的，扩散的方阻控制为80Ω/□；
（3）清洗磷硅片，在15%的HF中采用滚轮传动的方式清洗磷硅片，在1%的NaOH溶液中采用滚轮传动的方式增加硅片表面洁净度，之后采用DI水清洗硅片；
（4）镀氮化硅，在1200 SCCM硅烷流量和6000 SCCM的氨气流量，以及5000W等离子放电的条件下对硅片正面镀氮化硅膜，制作厚度为83nm厚的氮化硅；
（5）刻蚀与背抛光，采用浓度为20%的KOH碱液浸泡硅片，对硅片背面的进行刻蚀和抛光，之后采用浓度为2%的HCl清洗硅片表面，增加洁净度，之后采用DI水清洗硅片表面；
（6）丝网印刷，采用背电极网版印刷35mg背银浆，然后在240℃下烘干；背电场网版印刷1350mg背铝浆，然后在300℃下烘干，正电极网版印刷115mg的正银浆；
（7）烧结，首先采用300℃预热20s，之后快速升温至550℃保持45s，之后快速升温至800℃，之后快速降温至室温。
实施例3
一种太阳能电池生产工艺，包括如下步骤：
（1）制绒，用HF浓度为10%，HNO3浓度为40%，制绒后硅片减重为0.4g左右，绒面的尺寸在5μm；
（2）扩散，将制绒后的硅片升温至870℃的温度下通820 SCCM磷源，12 SLM的氮气气氛，430 SCCM的氧气气氛下达到扩散的目的，扩散的方阻控制为85Ω/□；
（3）清洗磷硅片，在10%的HF中采用滚轮传动的方式清洗磷硅片，在1.2%的NaOH溶液中采用滚轮传动的方式增加硅片表面洁净度，之后采用DI水清洗硅片；
（4）镀氮化硅，在1240 SCCM硅烷流量和6100 SCCM的氨气流量，以及5200W等离子放电的条件下对硅片正面镀氮化硅膜，制作厚度为85nm厚的氮化硅；
（5）刻蚀与背抛光，采用浓度为35%的KOH碱液浸泡硅片，对硅片背面的进行刻蚀和抛光，之后采用浓度为2.5%的HCl清洗硅片表面，增加洁净度，之后采用DI水清洗硅片表面；
（6）丝网印刷，采用背电极网版印刷50mg背银浆，然后在245℃下烘干；背电场网版印刷1500mg背铝浆，然后在330℃下烘干，正电极网版印刷120mg的正银浆；
（7）烧结，首先采用320℃预热22s，之后快速升温至555℃保持48s，之后快速升温至810℃，之后快速降温至室温。
实施例4：与实施例1的不同之处在于：
步骤（3）：在10%的HF中采用滚轮传动的方式清洗磷硅片，在1%的NaOH溶液中采用滚轮传动的方式增加硅片表面洁净度，之后采用DI水清洗硅片；
步骤（5）采用10%浓度的KOH碱液浸泡硅片，对硅片背面的进行刻蚀和抛光，之后采用2%浓度的HCl清洗硅片表面，增加洁净度，之后采用DI水清洗硅片表面。
实施例5：与实施例1不同之处在于：
步骤（3）：在20%的HF中采用滚轮传动的方式清洗磷硅片，在1%的NaOH溶液中采用滚轮传动的方式增加硅片表面洁净度，之后采用DI水清洗硅片；
步骤（5）采用30%浓度的KOH碱液浸泡硅片，对硅片背面的进行刻蚀和抛光，之后采用2%浓度的HCl清洗硅片表面，增加洁净度，之后采用DI水清洗硅片表面。
对比例：常规生产工艺，与实例3的不同之处在于：
步骤（3）采用5%HF与20%浓度HNO3刻蚀硅片，最后分别经过5%的NaOH和5%的HF增加硅片表面洁净度。
在步骤（4）PECVD（镀氮化硅）后不经过步骤（5），直接进行步骤（6）与步骤（7）。
对比数据：
对比结论：
1. 实施例3与对比例相比，实施例3对应的各项指标均为高，对比例1中只有产量为高，其余指标均较低。从而可以得出，采用本发明的方案制备的太阳能电池的各项指标明显更优。
2. 实施例1-5为采用本发明的制备工艺得到的产品，与对比例相比，除产量外，太阳能电池整体的指标明显更优。
3. 实施例2、实施例3中的各项指标均较高，但实施例2可以兼顾产量、成品率、效率，其工艺参数在最优值附近，是制备太阳能电池较佳的实施例。
以上所述的仅是本发明的实施例，方案中公知的具体结构及特性等常识在此未作过多描述。应当指出，对于本领域的技术人员来说，在不脱离本发明结构的前提下，还可以作出若干变形和改进，这些也应该视为本发明的保护范围，这些都不会影响本发明实施的效果和专利的实用性。本申请要求的保护范围应当以其权利要求的内容为准，说明书中的具体实施方式等记载可以用于解释权利要求的内容。
Claims (3)
1.一种太阳能电池生产工艺，其特征在于，包括如下步骤：
（1）制绒，制绒采用的HF浓度为5～10%，HNO3浓度为20～40%，制绒后硅片减重为0.3～0.4g，绒面的尺寸在3～5μm；
（2）扩散，将制绒后的硅片升温至865～875℃，并通760～820 SCCM磷源，6～12 SLM的氮气气氛，360～430 SCCM的氧气气氛下达到扩散的目的，扩散的方阻控制为75～85Ω/□；
（3）清洗磷硅片，在HF或者HF、HNO3、HCl的混合酸中采用浸泡或滚轮传动的方式清洗磷硅片，所述HF的浓度为10～20%；
（4）镀氮化硅，在1150～1240 SCCM硅烷流量和5800～6100 SCCM的氨气流量，以及4900～5200W等离子放电的条件下对硅片正面镀氮化硅膜，制作厚度为80～85nm厚的氮化硅；
（5）刻蚀与背抛光，采用浓度为5%～35%的NaOH或KOH碱液浸泡硅片，对硅片背面的进行刻蚀和抛光；
（6）丝网印刷，采用背电极网版对硅片印刷20～50mg背银浆，然后在230～245℃下烘干；背电场网版印刷1200～1500mg背铝浆，然后在290～320℃下烘干，正电极网版印刷100～120mg的正银浆；
（7）烧结，首先采用280～320℃预热18～22s，之后快速升温至540～555℃保持42～48s，之后升温至780～810℃，之后降温至室温。
2.根据权利要求1所述的一种太阳能电池生产工艺，其特征在于，步骤（3）还包括采用浓度为0.9～1.2% 的NaOH或KOH碱溶液中和残留酸液，之后采用DI水清洗。
3.根据权利要求1所述的一种太阳能电池生产工艺，其特征在于，步骤（5）还包括采用1.5～2.5%浓度HCl酸溶液中和残留碱液，之后采用DI水清洗。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510391110.XA CN104966760A (zh) | 2015-07-07 | 2015-07-07 | 一种太阳能电池生产工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510391110.XA CN104966760A (zh) | 2015-07-07 | 2015-07-07 | 一种太阳能电池生产工艺 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104966760A true CN104966760A (zh) | 2015-10-07 |
Family
ID=54220774
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510391110.XA Pending CN104966760A (zh) | 2015-07-07 | 2015-07-07 | 一种太阳能电池生产工艺 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104966760A (zh) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105428450A (zh) * | 2015-12-16 | 2016-03-23 | 晋能清洁能源科技有限公司 | Perc晶体硅太阳能电池生产中的碱抛光方法 |
| CN106449815A (zh) * | 2016-08-11 | 2017-02-22 | 上海大学 | 基于非晶硅薄膜的异质结太阳能电池器件的制备方法 |
| CN108172661A (zh) * | 2017-12-26 | 2018-06-15 | 温州市赛拉弗能源有限公司 | 一种太阳能电池片生产工艺 |
| CN108922941A (zh) * | 2018-05-30 | 2018-11-30 | 韩华新能源（启东）有限公司 | 一种太阳能perc电池的制备方法 |
| CN109616546A (zh) * | 2018-10-30 | 2019-04-12 | 苏州腾晖光伏技术有限公司 | 一种晶硅太阳能电池的制备方法及生产线 |
| CN109830564A (zh) * | 2018-12-06 | 2019-05-31 | 中建材浚鑫科技有限公司 | 一种太阳能电池片的背抛光工艺 |
| CN110299434A (zh) * | 2019-07-17 | 2019-10-01 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种n型双面电池的制作方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101853897A (zh) * | 2010-03-31 | 2010-10-06 | 晶澳(扬州)太阳能光伏工程有限公司 | 一种n型晶体硅局部铝背发射极太阳电池的制备方法 |
| US20130292741A1 (en) * | 2012-05-05 | 2013-11-07 | Sifotonics Technologies Co., Ltd. | High Performance GeSi Avalanche Photodiode Operating Beyond Ge Bandgap Limits |
-
2015
- 2015-07-07 CN CN201510391110.XA patent/CN104966760A/zh active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101853897A (zh) * | 2010-03-31 | 2010-10-06 | 晶澳(扬州)太阳能光伏工程有限公司 | 一种n型晶体硅局部铝背发射极太阳电池的制备方法 |
| US20130292741A1 (en) * | 2012-05-05 | 2013-11-07 | Sifotonics Technologies Co., Ltd. | High Performance GeSi Avalanche Photodiode Operating Beyond Ge Bandgap Limits |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105428450A (zh) * | 2015-12-16 | 2016-03-23 | 晋能清洁能源科技有限公司 | Perc晶体硅太阳能电池生产中的碱抛光方法 |
| CN106449815A (zh) * | 2016-08-11 | 2017-02-22 | 上海大学 | 基于非晶硅薄膜的异质结太阳能电池器件的制备方法 |
| CN108172661A (zh) * | 2017-12-26 | 2018-06-15 | 温州市赛拉弗能源有限公司 | 一种太阳能电池片生产工艺 |
| CN108922941A (zh) * | 2018-05-30 | 2018-11-30 | 韩华新能源（启东）有限公司 | 一种太阳能perc电池的制备方法 |
| CN109616546A (zh) * | 2018-10-30 | 2019-04-12 | 苏州腾晖光伏技术有限公司 | 一种晶硅太阳能电池的制备方法及生产线 |
| CN109830564A (zh) * | 2018-12-06 | 2019-05-31 | 中建材浚鑫科技有限公司 | 一种太阳能电池片的背抛光工艺 |
| CN110299434A (zh) * | 2019-07-17 | 2019-10-01 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种n型双面电池的制作方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104966760A (zh) | 一种太阳能电池生产工艺 | |
| CN110197855B (zh) | 用于Topcon电池制作的poly-Si绕镀的去除方法 | |
| CN103456804B (zh) | 在多晶硅上形成倒金字塔型多孔表面纳米织构的方法及制备短波增强型太阳电池的方法 | |
| CN104733555B (zh) | 一种n型双面太阳电池及其制备方法 | |
| WO2017185592A1 (zh) | 一种金刚线切割多晶硅片的制绒方法 | |
| JP6553731B2 (ja) | Ｎ型両面電池のウェットエッチング方法 | |
| TW201703277A (zh) | 一種局部背接觸太陽能電池的製備方法 | |
| CN102959717B (zh) | 太阳能电池单元及其制造方法 | |
| WO2017049801A1 (zh) | 硅片表面钝化方法及n型双面电池的制作方法 | |
| JP2015522951A (ja) | 局所背面電界（ｌｂｓｆ）を有する太陽電池の製造方法 | |
| CN104362221B (zh) | 一种rie制绒的多晶硅太阳电池的制备方法 | |
| WO2019007188A1 (zh) | 双面polo电池及其制备方法 | |
| CN110085699A (zh) | 一种具有钝化接触结构的p型高效电池及其制作方法 | |
| CN108193281A (zh) | 多晶黑硅制绒工艺 | |
| CN102270702A (zh) | 一种制绒白斑单晶硅片的返工工艺 | |
| CN105355671B (zh) | 一种宽光谱高效太阳能光伏电池 | |
| CN109087957A (zh) | 背面钝化层为氧化铝和氢化氮化铝的perc电池及其制备方法 | |
| CN109273557A (zh) | 一种太阳能电池用硅片的处理方法 | |
| CN102623564A (zh) | 一种具有激光开槽正面电极的晶体硅太阳电池的制作方法 | |
| CN103981575B (zh) | 一种单晶硅片的退火制绒方法 | |
| CN102044594A (zh) | 一种提高晶体硅太阳能电池扩散均匀性的工艺 | |
| CN111446331A (zh) | 一种去绕镀方法及钝化接触太阳能电池制备方法 | |
| CN105097997A (zh) | HIT电池用N型硅片a-Si:H薄膜的制备方法 | |
| CN103348489A (zh) | 太阳能电池元件的制造方法及太阳能电池元件 | |
| WO2019007189A1 (zh) | 单面polo电池及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20151007 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |