CN110085699A - 一种具有钝化接触结构的p型高效电池及其制作方法 - Google Patents
一种具有钝化接触结构的p型高效电池及其制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110085699A CN110085699A CN201910322856.3A CN201910322856A CN110085699A CN 110085699 A CN110085699 A CN 110085699A CN 201910322856 A CN201910322856 A CN 201910322856A CN 110085699 A CN110085699 A CN 110085699A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- silicon
- contact structures
- back side
- type high
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002161 passivation Methods 0.000 title claims abstract description 44
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 87
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 68
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 68
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 67
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 42
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 41
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims abstract description 26
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims abstract description 6
- 235000008216 herbs Nutrition 0.000 claims abstract description 5
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 claims abstract description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 11
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 11
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 5
- 230000009466 transformation Effects 0.000 abstract description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 5
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 3
- 101001073212 Arabidopsis thaliana Peroxidase 33 Proteins 0.000 description 2
- 101001123325 Homo sapiens Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Proteins 0.000 description 2
- 102100028961 Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Human genes 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 2
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 2
- 241000790917 Dioxys <bee> Species 0.000 description 1
- 229910003978 SiClx Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
- H01L31/0745—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells
- H01L31/0747—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells comprising a heterojunction of crystalline and amorphous materials, e.g. heterojunction with intrinsic thin layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L31/182—Special manufacturing methods for polycrystalline Si, e.g. Si ribbon, poly Si ingots, thin films of polycrystalline Si
- H01L31/1824—Special manufacturing methods for microcrystalline Si, uc-Si
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
- H01L31/1868—Passivation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/545—Microcrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种具有钝化接触结构的P型高效电池及其制作方法,属于晶硅太阳能电池生产制造技术领域,其目的是解决P型电池在生产制作过程转化效率低的问题,本发明中P型高效电池包括硅片以及衬底,所述衬底包括相对设置的正面和背面,所述背面包括背面氮化硅层以及背面氮化硅层所覆盖的钝化接触结构;背面电极,所述背面电极贯穿背面氮化硅层并与钝化接触结构接触;位于所述正面的正面结构。制作上述P型高效电池的制作方法包括制隧穿氧化层;制多晶硅掺杂层;制背面保护层;制绒;扩散;两面清洗;退火;制背面氮化硅;制正面氮化硅;丝网印刷。本发明增强了电池背面整体的钝化效果,降低了电池背面的少子复合,提高了电池的转化效率。
Description
技术领域
本发明属于晶硅太阳能电池生产制造技术领域,具体涉及一种具有钝化接触结构的P型高效电池及其制作方法。
背景技术
随着硅片质量的提升,晶硅电池表面复合已经成为制约其效率的主要因素,表面钝化技术尤为重要。Fraunhofer开发了一种表面钝化技术,其在N型硅片的背面生长了一层超薄的可隧穿氧化层和一层高掺杂磷的多晶硅层,这种钝化结构可以极大的降低N型硅片内部的少子的复合,同时高掺杂磷的多晶硅层对于多子来说具有良好的传导性,这种电池可以实现的优秀的钝化接触效果。
目前PERC电池已成为业界的主流产品,其背面普遍采用了氧化铝和氮化硅的叠层结构。因为这种叠层结构不具有导电性能,需要在印刷电极前利用激光在此叠层结构上开槽,局部形成与电极接触的导电通道。然而,局部激光开槽的通道位置处,氧化铝和氮化硅的叠层会被激光消蚀,对叠层结构造成破坏。由于在开槽位置处电极与硅基体直接接触,此处的复合会显著增加,影响了背面的整体的钝化效果,使得电池的开路电压难以进一步提升,进而影响了电池的转化效率。
发明内容
本发明的目的在于:解决现有技术中P型电池在生产制作过程转化效率低下的问题,提供一种具有钝化接触结构的P型高效电池及其制作方法。
本发明采用的技术方案如下:
一种具有钝化接触结构的P型高效电池,包括:
硅片以及衬底,所述衬底包括相对设置的正面和背面,所述背面包括背面氮化硅层以及背面氮化硅层所覆盖的钝化接触结构;
背面电极,所述背面电极贯穿背面氮化硅层并与钝化接触结构接触;
位于所述正面的正面结构。
其中,所述钝化接触结构包括:
位于所述背面氮化硅层靠近硅片的多晶硅掺杂层;
位于所述多晶硅掺杂层靠近硅片的隧穿氧化层。
其中,所述多晶硅掺杂层为掺杂硼的多晶硅层。
其中,所述隧穿氧化层为二氧化硅层。
一种具有钝化接触结构的P型高效电池的制作方法,包括以下步骤:
S1、表面清洗:对硅片进行两面清洗处理,去除硅片表面的损伤层;
S2、制隧穿氧化层:在硅片背面沉积一层二氧化硅形成隧穿氧化层;
S3、制多晶硅掺杂层:在硅片背面再沉积一层多晶硅层并进行硼掺杂;
S4、制背面保护层:在硅片背面再沉积一层氮化硅形成氮化硅保护层;
S5、制绒:利用碱制绒工艺在正面形成金字塔形的绒面结构;
S6、扩散:在硅片正面进行磷掺杂形成PN结;
S7、两面清洗:对硅片进行两面清洗处理,去除硅片表面的磷硅玻璃以及氮化硅保护层;
S8、退火:在硅片表面沉积一层二氧化硅;
S9、制背面氮化硅:在硅片背面沉积一层氮化硅;
S10、制正面氮化硅:在硅片正面沉积一层氮化硅;
S11、丝网印刷:利用丝网印刷工艺在正面和背面印刷电极;
综上所述,由于采用了上述技术方案,本发明的有益效果是:
1、本发明提供的具有钝化接触结构的P型高效电池及其制作方法,主要利用隧穿氧化层和多晶硅掺杂层对整个背面进行了钝化处理,隧穿氧化层具有良好的表面钝化性能,同时作为后续硼掺杂时的阻挡层,防止硼在掺杂过程中过度渗透到硅基体内。由于多晶硅掺杂层形成了能带扭曲,少子受高势垒影响而被排斥,降低了少子在背表面的复合,而多子可以通过隧穿效应穿过隧穿氧化层到达掺杂多晶层,这样便增强了背面的整体的钝化效果,降低了电池背面的少子复合,进一步提升了电池的开路电压,从而提高了电池的转化效率。
2、由于硼掺杂的工艺温度一般要超过900℃,而磷掺杂的工艺温度一般不超过860℃,为了不影响正面扩散时形成的PN结,需要优化电池制作的工艺流程。而本发明提供的制作方法在制绒前便进行了背面钝化接触结构的制作,这样可避免制作多晶硅掺杂层时硼掺杂工艺对正面PN结的影响,避免了对电池性能的影响。
附图说明
图1为本发明中具有钝化接触结构的P型高效电池的结构示意图;
图中标记:1-硅片、2-正面氮化硅层、3-二氧化硅层、4-绒面、5-隧穿氧化层、6-多晶硅掺杂层、7-背面氮化硅层、8-背面电极、9-正面电极。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
一种具有钝化接触结构的P型高效电池,包括:
硅片1以及衬底,所述衬底包括相对设置的正面和背面,所述背面包括背面氮化硅层7以及背面氮化硅层7所覆盖的钝化接触结构;
背面电极8,所述背面电极8贯穿背面氮化硅层7并与钝化接触结构接触;
位于所述正面的正面结构。
需要说明的是,本发明实施例不限定所述具有钝化接触结构的P型高效电池中钝化接触结构的具体结构,只要能够实现背面正常的钝化,并且能够使电池开路电压进一步提升即可。可选的,本实施例中钝化接触结构包括:位于所述背面氮化硅层7靠近硅片1的多晶硅掺杂层6;位于所述多晶硅掺杂层6靠近硅片1的隧穿氧化层5。
本实施例也不限定多晶硅掺杂层6中所具体掺杂的元素,但作为优选的,所述多晶硅掺杂层6为掺杂硼的多晶硅层;这是因为掺杂硼的多晶硅层在隧穿氧化层上形成了能带扭曲,少子受高势垒影响而被排斥,降低了少子在背表面的复合,而多子可以通过隧穿效应穿过隧穿氧化层到达掺杂多晶层,这样便增强了背面的整体的钝化效果,降低了电池背面的少子复合,进一步提升了电池的开路电压,从而提高了电池的转化效率。
本实施例也不限定隧穿氧化层5的材质,但作为优选的,所述隧穿氧化层5为二氧化硅层,这是由于二氧化硅层具有良好的表面钝化性能,同时作为后续硼掺杂时的阻挡层,防止硼在掺杂过程中过度渗透到硅基体内,从而保障了整体功能的持续有效。
本实施例中不限定正面结构的具体结构,本实施例中正面结构可与常规PERC电池的正面结构相同,可选的,如图1所示,包括覆盖于硅片1上的绒面4,绒面4上覆盖有二氧化硅层3,二氧化硅层3上覆盖有正面氮化硅层2,以及依次贯穿正面氮化硅层2、二氧化硅层3以及绒面4的正面电极9。
一种具有钝化接触结构的P型高效电池的制作方法,包括以下步骤:
S101、表面清洗:对硅片进行两面清洗处理,去除硅片表面的损伤层;
S102、制隧穿氧化层:在背面沉积一层二氧化硅形成隧穿氧化层,可以钝化表面并做为硼掺杂时的阻挡层;
S103、制多晶硅掺杂层:在背面沉积一层多晶硅并进行硼掺杂,在掺杂硼之后,该结构在背面所起的作用是允许空穴隧穿到达多晶硅掺杂层,降低电子在表面的复合,从而对整个背面形成良好的钝化效果,与此同时还会形成硼硅玻璃;
S104、制背面保护层:在背面沉积一层氮化硅形成氮化硅保护层,用于在后续的制绒和扩散时保护背面的多晶硅掺杂层;
S2、制绒:去除正面的硼硅玻璃,利用碱制绒工艺在正面形成金字塔形的绒面结构,增强对光的吸收;
S3、扩散:在正面进行磷掺杂形成PN结,同时生成磷硅玻璃;
S4、两面清洗:去除表面的磷硅玻璃,由于背面氮化硅保护层在扩散时受高温影响钝化效果下降,同时需要去除背面的氮化硅保护层和硼硅玻璃,降低表面的复合;
S5、退火:沉积一层二氧化硅,增强表面的钝化效果;
S6、制背面氮化硅:在背面沉积一层氮化硅,在保护多晶硅掺杂层的同时增强背面的钝化效果;
S7、制正面氮化硅:在正面沉积一层氮化硅作为减反层增强光吸收效果;
S8、丝网印刷:利用丝网印刷工艺在正面和背面印刷电极,在此过程中,背面电极穿透背面氮化硅层且不破坏隧穿氧化层,经过烧结与多晶硅掺杂层形成欧姆接触。
对所公开的实施例的上述说明,使本领域技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域技术人员来说将是显而易见的,本文所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下,在其它实施例中实现。因此,本发明将不会限制于本文所示的这些实施例,而是要符合与本文所公开的原理和新颖性特点相一致的最宽的范围。
Claims (8)
1.一种具有钝化接触结构的P型高效电池,其特征在于,包括:
硅片以及衬底,所述衬底包括相对设置的正面和背面,所述背面包括背面氮化硅层以及背面氮化硅层所覆盖的钝化接触结构;
背面电极,所述背面电极贯穿背面氮化硅层并与钝化接触结构接触;
位于所述正面的正面结构。
2.如权利要求1所述的一种具有钝化接触结构的P型高效电池,其特征在于,所述钝化接触结构包括:
位于所述背面氮化硅靠近硅片的多晶硅掺杂层;
位于所述多晶硅掺杂层靠近硅片的隧穿氧化层。
3.如权利要求2所述的一种具有钝化接触结构的P型高效电池,其特征在于,所述多晶硅掺杂层为掺杂硼的多晶硅层。
4.如权利要求2或3所述的一种具有钝化接触结构的P型高效电池,其特征在于,所述隧穿氧化层为二氧化硅层。
5.一种具有钝化接触结构的P型高效电池的制作方法,其特征在于,用于形成权利要求1-4中任一项所述的具有钝化接触结构的P型高效电池,所述制作方法包括:
S1、提供所述硅片背面的衬底;
S101、制隧穿氧化层:先在背面沉积一层隧穿氧化层;
S102、制多晶硅掺杂层:再在背面沉积一层多晶硅掺杂层;
S103、制背面保护层:最后在背面沉积一层氮化硅;
S2、制绒;
S3、扩散;
S4、两面清洗;
S5、退火;
S6、制背面氮化硅;
S7、制正面氮化硅;
S8、丝网印刷。
6.如权利要求1所述的一种具有钝化接触结构的P型高效电池的制作方法,其特征在于:所述隧穿氧化层为二氧化硅氧化层。
7.如权利要求1所述的一种具有钝化接触结构的P型高效电池的制作方法,其特征在于:步骤S102中在沉积多晶硅掺杂层时并进行硼掺杂。
8.如权利要求7所述的一种具有钝化接触结构的P型高效电池的制作方法,其特征在于:步骤S101之前还包括表面清洗,具体为对P型硅片进行两面清洗处理,去除硅片表面的损伤层。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910322856.3A CN110085699A (zh) | 2019-04-22 | 2019-04-22 | 一种具有钝化接触结构的p型高效电池及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910322856.3A CN110085699A (zh) | 2019-04-22 | 2019-04-22 | 一种具有钝化接触结构的p型高效电池及其制作方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110085699A true CN110085699A (zh) | 2019-08-02 |
Family
ID=67415945
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910322856.3A Pending CN110085699A (zh) | 2019-04-22 | 2019-04-22 | 一种具有钝化接触结构的p型高效电池及其制作方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN110085699A (zh) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111584650A (zh) * | 2020-05-28 | 2020-08-25 | 江西展宇新能科技有限公司 | 一种高效p型太阳能电池及光伏组件 |
CN111816554A (zh) * | 2020-09-03 | 2020-10-23 | 东方日升新能源股份有限公司 | P型背结接触钝化电池正面局域重扩方法及电池制备方法 |
CN112002669A (zh) * | 2020-09-03 | 2020-11-27 | 山东芯源微电子有限公司 | 一种解决硅片单面扩散背面反渗的方法 |
CN113066874A (zh) * | 2021-03-19 | 2021-07-02 | 浙江爱旭太阳能科技有限公司 | 异质结太阳能电池及其制备方法 |
CN115132884A (zh) * | 2022-09-01 | 2022-09-30 | 福建金石能源有限公司 | 一种异质结太阳能电池的制作方法 |
CN115148861A (zh) * | 2022-09-01 | 2022-10-04 | 福建金石能源有限公司 | 异质结太阳能电池的制作方法 |
CN115172481A (zh) * | 2022-09-08 | 2022-10-11 | 福建金石能源有限公司 | 异质结太阳能电池 |
WO2023173930A1 (zh) * | 2022-03-15 | 2023-09-21 | 西安隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种TOPCon电池及其制备方法 |
CN117673208A (zh) * | 2024-02-01 | 2024-03-08 | 通威太阳能(眉山)有限公司 | 一种太阳电池的制备方法、太阳电池及光伏组件 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101919070A (zh) * | 2007-11-13 | 2010-12-15 | 荷兰能源建设基金中心 | 通过硼和磷的共扩散制造晶体硅太阳能电池的方法 |
CN103746043A (zh) * | 2014-01-29 | 2014-04-23 | 北京七星华创电子股份有限公司 | 全铝掺杂n型太阳能电池的制备方法 |
CN107968127A (zh) * | 2017-12-19 | 2018-04-27 | 泰州中来光电科技有限公司 | 一种钝化接触n型太阳能电池及制备方法、组件和系统 |
CN108701727A (zh) * | 2015-09-30 | 2018-10-23 | 泰姆普雷斯艾普公司 | 制造太阳能电池的方法和由此获得的太阳能电池 |
CN109065639A (zh) * | 2018-06-22 | 2018-12-21 | 晶澳(扬州)太阳能科技有限公司 | N型晶体硅太阳能电池及制备方法、光伏组件 |
-
2019
- 2019-04-22 CN CN201910322856.3A patent/CN110085699A/zh active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101919070A (zh) * | 2007-11-13 | 2010-12-15 | 荷兰能源建设基金中心 | 通过硼和磷的共扩散制造晶体硅太阳能电池的方法 |
CN103746043A (zh) * | 2014-01-29 | 2014-04-23 | 北京七星华创电子股份有限公司 | 全铝掺杂n型太阳能电池的制备方法 |
CN108701727A (zh) * | 2015-09-30 | 2018-10-23 | 泰姆普雷斯艾普公司 | 制造太阳能电池的方法和由此获得的太阳能电池 |
CN107968127A (zh) * | 2017-12-19 | 2018-04-27 | 泰州中来光电科技有限公司 | 一种钝化接触n型太阳能电池及制备方法、组件和系统 |
CN109065639A (zh) * | 2018-06-22 | 2018-12-21 | 晶澳(扬州)太阳能科技有限公司 | N型晶体硅太阳能电池及制备方法、光伏组件 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111584650A (zh) * | 2020-05-28 | 2020-08-25 | 江西展宇新能科技有限公司 | 一种高效p型太阳能电池及光伏组件 |
CN111816554A (zh) * | 2020-09-03 | 2020-10-23 | 东方日升新能源股份有限公司 | P型背结接触钝化电池正面局域重扩方法及电池制备方法 |
CN112002669A (zh) * | 2020-09-03 | 2020-11-27 | 山东芯源微电子有限公司 | 一种解决硅片单面扩散背面反渗的方法 |
CN113066874A (zh) * | 2021-03-19 | 2021-07-02 | 浙江爱旭太阳能科技有限公司 | 异质结太阳能电池及其制备方法 |
WO2023173930A1 (zh) * | 2022-03-15 | 2023-09-21 | 西安隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种TOPCon电池及其制备方法 |
CN115132884A (zh) * | 2022-09-01 | 2022-09-30 | 福建金石能源有限公司 | 一种异质结太阳能电池的制作方法 |
CN115148861A (zh) * | 2022-09-01 | 2022-10-04 | 福建金石能源有限公司 | 异质结太阳能电池的制作方法 |
CN115148861B (zh) * | 2022-09-01 | 2023-02-10 | 福建金石能源有限公司 | 异质结太阳能电池的制作方法 |
CN115172481A (zh) * | 2022-09-08 | 2022-10-11 | 福建金石能源有限公司 | 异质结太阳能电池 |
CN117673208A (zh) * | 2024-02-01 | 2024-03-08 | 通威太阳能(眉山)有限公司 | 一种太阳电池的制备方法、太阳电池及光伏组件 |
CN117673208B (zh) * | 2024-02-01 | 2024-05-07 | 通威太阳能(眉山)有限公司 | 一种太阳电池的制备方法、太阳电池及光伏组件 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN110085699A (zh) | 一种具有钝化接触结构的p型高效电池及其制作方法 | |
CN109244194B (zh) | 一种低成本p型全背电极晶硅太阳电池的制备方法 | |
CN109524480B (zh) | 一种局域接触钝化的p型晶硅太阳电池及其制备方法 | |
JP2020129689A (ja) | 太陽電池 | |
CN110707159A (zh) | 一种正背面全面积接触钝化的p型晶硅太阳电池及其制备方法 | |
CN102623517B (zh) | 一种背接触型晶体硅太阳能电池及其制作方法 | |
CN110634964B (zh) | 一种高效晶硅太阳电池及其制备方法 | |
CN110190137B (zh) | 一种用于正面接触钝化的双层钝化膜及其制备方法 | |
CN109585578A (zh) | 一种背结太阳能电池及其制备方法 | |
CN108666393A (zh) | 太阳能电池的制备方法及太阳能电池 | |
CN109346549A (zh) | N型双面太阳电池及其制备方法 | |
EP3618124A1 (en) | Solar battery element and solar battery element manufacturing method | |
CN102403369A (zh) | 一种用于太阳能电池的钝化介质膜 | |
JP2013165160A (ja) | 太陽電池の製造方法及び太陽電池 | |
CN111477720A (zh) | 一种钝化接触的n型背结太阳能电池及其制备方法 | |
CN110137305A (zh) | 一种p型多晶硅选择性发射极双面电池的制备方法 | |
CN210897302U (zh) | 太阳能电池 | |
CN103337561A (zh) | 全背接触太阳电池表面场制备方法 | |
CN112736164A (zh) | 一种正面载流子的选择性钝化方法、基于该方法的太阳能电池及制备方法 | |
CN114256385A (zh) | 一种tbc背接触太阳能电池及其制备方法 | |
CN116705881A (zh) | 一种多掺杂多晶硅层TOPCon电池结构及其制备方法 | |
CN102487106A (zh) | 晶体硅太阳能电池及其制造方法 | |
CN208336240U (zh) | 太阳能电池及太阳能电池组件 | |
CN105470347A (zh) | 一种perc电池的制作方法 | |
CN106449850A (zh) | 一种高效硅基异质结双面电池及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20190802 |