CN101853897A - 一种n型晶体硅局部铝背发射极太阳电池的制备方法 - Google Patents

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CN101853897A CN201010141267A CN201010141267A CN101853897A CN 101853897 A CN101853897 A CN 101853897A CN 201010141267 A CN201010141267 A CN 201010141267A CN 201010141267 A CN201010141267 A CN 201010141267A CN 101853897 A CN101853897 A CN 101853897A
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金井升
尹海鹏
朱生宾
何胜
单伟
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Abstract

一种N型晶体硅局部铝背发射极太阳电池的制备方法，选取N型硅片先进行表面织构化制绒，再采用磷扩散形成前表面场，在去除磷扩散时形成的磷硅玻璃后在前表面沉积钝化膜，接着对硅片进行背面化学抛光除去磷扩散时在背面形成的N+层，然后先后经背面沉积钝化膜、背面局部开孔或开槽和背面丝网印刷铝层或银铝层，再进行前表面印刷银浆，最后经一次烧结形成背面局部P+层和前后表面电极的欧姆接触即可；该方法采用了N型基底，并且将局部铝形成的P-N结做在背面；还采用背面化学抛光的方法去边结，代替传统的堆垛式等离子刻蚀工艺，简化了工艺流程，更带来了一系列的电池性能改良。

Description

一种N型晶体硅局部铝背发射极太阳电池的制备方法
技术领域
本发明属于太阳电池技术领域，具体涉及一种N型晶体硅局部铝背发射极太阳电池的制备方法。
背景技术
随着化石能源的日益减少和由此带来的生态环境恶化，人们将目光从传统的化石能源转向新型的绿色能源。而人类获得能源的最直接的方式就是利用太阳能，太阳电池是将太阳能转换为电能的最有效地方式之一。近几年来，太阳电池世界产量以每年30～40％的速度增长，成为目前市场上发展最快的行业之一。
目前晶体硅太阳电池占据市场的主导地位。晶体硅生产线绝大多数都是利用掺硼P型晶体硅制作太阳电池设计，基本上工艺流程包括制绒、扩散、等离子刻蚀、磷硅玻璃清洗、氮化硅沉积、丝网印刷、烧结。该流程制得的单晶硅太阳电池转换效率目前达到17.5％左右。传统的掺硼P型晶体硅太阳电池存在一些弊端：一是P型硅片本身掺硼，而形成硼氧复合对会引起转换效率衰减；二是P型硅片中的少子是电子，对外来杂质引起的复合敏感，所导致少子寿命不高。采用N型硅片制作的太阳电池不存在上述问题，N型硅片本身不含或者含极少量的硼元素，因此硼氧复合对作用很弱，所以没有光致衰减的问题。另一方面，硅片的厚度越来越薄，由此传统晶体硅太阳电池结构呈现出新的问题：一是表面复合速率的影响越来越显著；二是丝网印刷全铝电场引起的电池弯曲越来越严重。
中国专利申请号200710019392.6的专利申请提供了一种大面积低弯曲超薄型双面照光太阳能电池的制作方法，在对N型电池的制作工艺上，采用了丝网印刷技术将相应的金属浆料按预设图形分别压印在硅片正反表面上，再在其后的烧结工艺中形成导电电极并和硅片表面预设区域形成电导接触。但是该电池结构是双面结构，背面的金属覆盖面积有限，不能很好地与背面的膜层形成有效的大面积背面内反射层，势必减小了太阳光长波段的吸收，而且该专利背面的金属采用的是铝浆和银浆，如果考虑到电池焊接问题，要么选择将银浆印刷在铝浆上，要么将银浆印刷在铝浆未覆盖的面积上，但是这或者将增加两次印刷定位的难度，或者减小背面的受光面积，同时会增加金属元素向硅基底中扩散的量，引起体复合；其次该电池的制作工艺完全是基于传统电池方法，采用的等离子刻蚀去边结，没有考虑去除在管式扩散时在背面形成的N+层，这带来直接恶果就是使得在后面印刷铝浆以形成背面局部P-N结时，提高了铝浆补偿磷杂质的程度，降低了背面P-N结的性能。
发明内容
本发明的目的在于提供一种N型晶体硅局部铝背发射极太阳电池的制备方法，该方法采用N型硅片，将局部铝形成的P-N结做在背面，背面局部铝发射极减少了P+重掺杂带来的复合，减小了复合电流；并且背面采用局部金属接触，与整体金属背场相比大大降低了电池的弯曲程度；同时还采用背面化学抛光的方法去边结，提高了背面P-N结的性能。
为达到上述目的，本发明提供的N型晶体硅局部铝背发射极太阳电池的制备方法，选取N型硅片先进行表面织构化制绒，再采用磷扩散形成前表面场，在去除磷扩散时形成的磷硅玻璃后在前表面沉积钝化膜，接着对硅片进行背面化学抛光除去磷扩散时在背面形成的N+层，然后先后经背面沉积钝化膜、背面局部开孔或开槽和背面丝网印刷铝层或银铝层，再进行前表面印刷银浆，最后经一次烧结形成背面局部P+层和前后表面电极的欧姆接触即可。
优选的，本发明提供的N型晶体硅局部铝背发射极太阳电池的制备方法，包括以下步骤：
(1)选取N型硅片，进行表面织构化制绒
对N型单晶硅片，在重量百分含量为0.5～5％的氢氧化钠去离子水溶液中，在温度为75～90℃的条件下进行表面织构化制绒，对于N型多晶硅片，在硝酸、氢氟酸和去离子水的体积比为1～2∶0.5～1∶1的混合溶液中，在5～15℃的条件下进行表面织构化制绒；
(2)磷扩散形成前表面场
将织构化后的硅片采用三氯氧磷液态源进行管式双面扩散形成前表面场；
(3)去除磷硅玻璃
将磷扩散后硅片浸入体积百分含量为5～20％的氢氟酸中清洗除去在磷扩散时形成的磷硅玻璃；
(4)前表面沉积钝化膜
采用PECVD技术在前表面沉积双层钝化膜；
(5)背面化学抛光
对N型单晶硅片，在加热的碱液中进行抛光除去磷扩散时在背面形成的N+层，对N型多晶硅片，将背面单面接触酸液在低于常温下抛光除去磷扩散时在背面形成的N+层；
(6)背面沉积钝化膜
采用PECVD技术在背面沉积单层或双层钝化膜；
(7)背面开孔或开槽
采用激光或丝网印刷穿透性浆料对覆盖有钝化膜的硅片背面进行开孔或开槽至完全穿透钝化膜层；
(8)背面丝网印刷铝层或银铝层和前表面印刷银浆
在硅片背面开孔或开槽处采用丝网印刷非穿透性铝浆形成局部铝背发射极和背铝电极，丝网印刷的铝浆单位面积重量为6～10mg/cm2，然后在前表面印刷银浆；
(9)烧结
对前、后表面的金属进行一次烧结，形成背面局部P+层和前后表面电极的欧姆接触。
在上述步骤中：
步骤(1)中所述的氢氧化钠水溶液中还含有有机溶剂，所述的有机溶剂为酒精或异丙醇，其体积百分含量为5～10％。
步骤(2)中扩散后N型硅片的方块电阻为40～80Ω/□，结深为0.2～0.5μm。
步骤(4)中所述的钝化膜为氮化硅双层膜或二氧化硅和氮化硅的叠层膜。
步骤(5)中的碱液为无机碱液或有机碱液，所述的无机碱液为氢氧化钾或氢氧化钠的去离子水溶液，其重量百分含量为10～40％，所述的有机碱液为四甲基氢氧化铵或乙二胺的去离子水溶液，其重量百分含量为10～30％。
在上述碱液中抛光的温度为45～90℃，时间为2～20min。
步骤(5)中的酸液为硝酸、氢氟酸和去离子水的混合溶液，硝酸、氢氟酸和去离子水体积比为4～5∶1～2∶1，在酸液中抛光的温度为10～20℃。
步骤(6)中所述的钝化膜为氮化硅单层膜或氮化硅双层膜或二氧化硅和氮化硅的叠层膜。
步骤(9)中最高烧结温度为700～900℃，形成的背面局部P+层中替代式铝原子的浓度为1018～1019cm-3，结深为5～9μm。
在电池前表面采用PECVD沉积双层氮化硅叠层结构，虽然都是氮化硅，但是性质不完全一样，第一层主要起钝化效果，第二层主要起调节整个膜层光学性质的效果；也可以采用二氧化硅和氮化硅的叠层结构，二氧化硅可以由热氧化、化学氧化、PECVD形成，氮化硅由PECVD沉积而成；也可以采用其它叠层结构。
太阳电池采用了N型基底，N型硅片本身不含硼元素，或者其含量极低，因此没有通常P型电池所存在的光致衰减问题。
采用化学方法进行背面抛光，代替了传统的堆垛式等离子刻蚀工，对于单晶硅抛光，将硅片沉浸在浓碱溶液在加热条件下抛光，在此步骤中，前表面的膜层将作为前表面的掩膜防止抛光液的腐蚀；对于多晶硅抛光，将硅片背面单面接触硝酸、氢氟酸、去离子水的混合溶液在低于常温条件下抛光。
背面化学抛光的作用为：
(1)代替了传统的堆垛式等离子去边结工艺，避免了因为堆垛带来的硅片前表面织构化形貌的损伤；
(2)去除了在管式扩散时在背面形成的N+层，使得在后面印刷铝浆以形成背面局部P-N结时，大大降低铝浆补偿磷杂质的程度，并且避免了背面N+层的存在带来的边缘漏电情况的发生。
(3)去除了在管式扩散时在背面形成的N+层，在背面形成更为理想的P-N结，提高P-N结的反向特性，这在将电池组装成组件后，提高组件的性能。
(4)形成光滑平坦的背面形貌，这与前表面的织构化形貌配合形成理想的陷光结构，增加光生载流子。
(5)形成光滑平坦的背面形貌，减少了背表面的复合面积；并且有利于在背面PECVD沉积更均匀的薄膜。
电池背面采用了等离子化学气相沉积PECVD沉积氮化硅单层膜或者其它叠层膜作为背面钝化膜，减少了背面的复合，同时背面膜层与背面的铝电极层或者银铝电极层形成有效的背面内反射层，增加了光吸收。
采用激光或者丝网印刷穿透性浆料对覆盖有膜层的硅片背面进行开孔或者开槽。采用激光器进行激光开孔，控制打孔或者开槽的深度保证完全打开背面膜层，使激光对硅基底的损伤尽量减到最小，然后采用20％质量浓度的氢氧化钠溶液在加热条件下腐蚀2～25min，以去除激光损伤层。
采用丝网印刷穿透性浆料开孔或开槽，丝网的形状按照设计的图形制作，印刷完后等穿透性浆料完全穿透膜层后立即用去离子水进行清洗，以去除孔内或者槽内残留物。
本发明的有益效果是：
(1)在太阳电池结构上，采用了N型基底，并且将局部铝形成的P-N结做在背面，不存在P型电池中硼氧复合对引起光致衰减；
(2)电池背面采用了等离子体化学气相沉积PECVD沉积氮化硅或者叠层膜作为背面钝化膜，减少了背面的复合，同时背面氮化硅膜或者叠层膜与背面的铝电极层或者银铝电极层形成有效的背面内反射层，增加了光吸收；
(3)利用激光或者化学的方法开孔或者开槽，形成背面局部金属接触，背面局部铝发射极减少了因为P+重掺杂带来的复合，减小了复合电流；
(4)因为背面采用的是局部金属接触，减少了硅片和铝金属层的接触面积，所以减小了因为硅和铝热膨胀系数不一样而带来的电池弯曲；
(5)在制作太阳电池的工艺上，采用背面化学抛光的方法代替了传统的堆垛式等离子刻蚀工艺，简化了工艺流程，更重要的是使PECVD镀膜质量更高，光反射增强，表面复合下降，带来了一系列的电池性能改良。
附图说明
图1是本申请的无银铝背电极N型晶体硅局部铝背发射极太阳电池结构示意图，其中，1、前银电极2、表面织构化以及氮化硅或叠层膜3、N+磷前表面场4、N型硅片5、氮化硅或叠层膜6、P+铝局部发射极7、背铝电极；
图2是本申请N型晶体硅背铝点接触发射极太阳电池相对于背铝全接触发射极太阳电池反射率和内量子效率测试结果图。
具体实施方式
以下列举具体实施例对本发明进行说明。需要指出的是，以下实施例只用于对本发明作进一步说明，不代表本发明的保护范围，其他人根据本发明的提示做出的非本质的修改和调整，仍属于本发明的保护范围。
实施例1
本实施例提供的N型晶体硅局部铝背发射极太阳电池的制备方法：选取N型硅片先进行表面织构化制绒，再采用磷扩散形成前表面场，在去除磷扩散时形成的磷硅玻璃后在前表面沉积钝化膜，接着对硅片进行背面化学抛光除去磷扩散时在背面形成的N+层，然后先后经背面沉积钝化膜、背面局部开孔或开槽和背面丝网印刷铝层或银铝层，再进行前表面印刷银浆，最后经一次烧结形成背面局部P+层和前后表面电极的欧姆接触即可。
实施例2
本实施例提供的N型晶体硅局部铝背发射极太阳电池的制备方法，包括以下步骤：
(1)选取N型硅片，进行表面织构化制绒
对N型单晶硅片，在重量百分含量为0.5～5％的氢氧化钠去离子水溶液中，在温度为75～90℃的条件下进行表面织构化制绒，对于N型多晶硅片，在硝酸、氢氟酸和去离子水的体积比为1～2∶0.5～1∶1的混合溶液中，在5～15℃的条件下进行表面织构化制绒；
(2)磷扩散形成前表面场
将织构化后的硅片采用三氯氧磷液态源进行管式双面扩散形成前表面场；
(3)去除磷硅玻璃
将磷扩散后硅片浸入体积百分含量为5～20％的氢氟酸中清洗除去在磷扩散时形成的磷硅玻璃；
(4)前表面沉积钝化膜
采用PECVD技术在前表面沉积双层钝化膜；
(5)背面化学抛光
对N型单晶硅片，在加热的碱液中进行抛光除去磷扩散时在背面形成的N+层，对N型多晶硅片，将背面单面接触酸液在低于常温下抛光除去磷扩散时在背面形成的N+层；
(6)背面沉积钝化膜
采用PECVD技术在背面沉积单层或双层钝化膜；
(7)背面开孔或开槽
采用激光或丝网印刷穿透性浆料对覆盖有钝化膜的硅片背面进行开孔或开槽至完全穿透钝化膜层；
(8)背面丝网印刷铝层或银铝层和前表面印刷银浆
在硅片背面开孔或开槽处采用丝网印刷单位面积重量为6～10mg/cm2的非穿透性铝浆形成局部铝背发射极和背铝电极，丝网印刷的铝浆重量为。然后在前表面印刷银浆；
(9)烧结
对前、后表面的金属进行一次烧结，形成背面局部P+层和前后表面电极的欧姆接触。
其中
步骤(1)中氢氧化钠水溶液中还含有有机溶剂酒精或异丙醇，其体积百分含量为5～10％。
步骤(2)中扩散后N型硅片的方块电阻为40～80Ω/□，结深为0.2～0.5μm。
步骤(4)中的钝化膜为氮化硅双层膜。
步骤(5)中的碱液为无机碱液氢氧化钠的去离子水溶液，其重量百分含量为10～40％，在碱液中抛光的温度为45～90℃，时间为2～20min。
步骤(5)中的酸液为硝酸、氢氟酸和去离子水的混合溶液，硝酸、氢氟酸和去离子水体积比为4～5∶1～2∶1，在酸液中抛光的温度为10～20℃。
步骤(6)中所述的钝化膜为氮化硅单层膜。
步骤(9)中最高烧结温度为700～900℃，形成的背面局部P+层中替代式铝原子的浓度为1018～1019cm-3，结深为5～9μm。
实施例3
本实施例提供的N型晶体硅局部铝背发射极太阳电池的制备方法，包括以下步骤：
(1)表面织构化
对于(100)面单晶N型硅片，采用含体积百分含量为5～10％的异丙醇或酒精的氢氧化钠去离子水溶液在加热的条件下进行单面腐蚀(两片并在一起插在花篮槽中)，制作正金字塔陷光结构，上述氢氧化钠水溶液的重量百分含量为0.5～5％，加热温度为75～90℃，将表面织构化后的硅片在10％的稀盐酸中浸泡2分钟后用去离子水漂洗干净，备用；
对于多晶N型硅片，采用体积比为1～2∶0.5～1∶1的硝酸、氢氟酸和去离子水的混合溶液在5～15℃的条件下进行反应，在此步骤中去除表面损伤层和表面织构化一步完成，然后用低浓度的氢氧化钾溶液短时间浸泡，用去离子水漂洗后再用10％的氢氟酸溶液浸泡几分钟，然后用去离子水漂洗干净，备用。
(2)磷扩散形成前表面场
利用三氯氧磷液态源进行管式扩散，扩散方式采用双面扩散，以达到更好的吸杂效果。扩散后方块电阻在40～80Ω/□，结深在0.2～0.5μm。
(3)去除磷硅玻璃
将扩散后的硅片浸入体积百分含量为5～20％的氢氟酸中清洗，以去除在磷扩散时形成的磷硅玻璃，直到表面脱水时再将硅片用去离子水漂洗干净，烘干，备用。
(4)前表面钝化、减反射膜
前表面可以采用PECVD沉积的单层氮化硅，氮化硅中的氢原子可以钝化硅表面和硅基底，同时起减反射膜的作用，使在632nm波长下的反射率最低；也可以采用PECVD沉积双层氮化硅叠层结构；也可以采用二氧化硅和氮化硅的叠层结构；也可以采用其它叠层结构。
在电池前采用PECVD沉积双层氮化硅叠层结构，虽然都是氮化硅，但是性质不完全一样，第一层主要起钝化效果，第二层主要起调节整个膜层光学性质的效果；也可以采用二氧化硅和氮化硅的叠层结构，二氧化硅可以由热氧化、化学氧化、PECVD形成，氮化硅由PECVD沉积而成；也可以采用其它叠层结构。
(5)背面化学抛光
对于单晶硅抛光，将硅片沉浸在浓碱溶液在加热条件下抛光，在此步骤中，前表面的膜层将作为前表面的掩膜防止抛光液的腐蚀，碱液为氢氧化钾或氢氧化钠的去离子水溶液，其重量百分含量为10～40％，碱液还可以为四甲基氢氧化铵或乙二胺的去离子水溶液，其重量百分含量为10～30％，在碱液中抛光的温度为45～90℃，时间为2～20min。
对于多晶硅抛光，将硅片背面单面接触硝酸、氢氟酸、去离子水的混合溶液在低于常温条件下抛光，其中硝酸、氢氟酸和去离子水体积比为4～5∶1～2∶1，在酸液中抛光的温度范围是10～20℃。
背面化学抛光可以带来几个方面的好处：代替了传统的堆垛式等离子去边结工艺，避免了因为堆垛带来的硅片前表面织构化形貌的损伤；去除了在管式扩散时在背面形成的N+层，使得在后面印刷铝浆以形成背面局部P-N结时，大大降低铝浆补偿磷杂质的程度，并且避免了背面N+层的存在带来的边缘漏电情况的发生；去除了在管式扩散时在背面形成的N+层，在背面形成更为理想的P-N结，提高P-N结的反向特性，这在将电池组装成组件后，提高组件的性能；形成光滑平坦的背面形貌，这与前表面的织构化形貌配合形成理想的陷光结构，增加光生载流子；形成光滑平坦的背面形貌，减少了背表面的复合面积；并且有利于在背面PECVD沉积更均匀的薄膜。
(6)背面钝化、增反射膜
类似前表面钝化、减反射膜的制作，只是此时的膜层需要与背面的铝硅电极层形成有效的背面内反射层，增加内反射，以提高光的吸收。
电池背面采用了等离子化学气相沉积PECVD沉积氮化硅或者其它叠层膜作为背面钝化膜，减少了背面的复合，同时背面膜层与背面的铝电极层或者银铝电极层形成有效的背面内反射层，增加了光吸收。
(7)背面开孔或者开槽及清洗
采用激光或者丝网印刷穿透性浆料对覆盖有膜层的硅片背面进行开孔或者开槽。采用激光器进行激光开孔，控制打孔或者开槽的深度保证完全打开背面膜层，使激光对硅基底的损伤尽量减到最小，然后采用20％质量浓度的氢氧化钠溶液在加热条件下腐蚀2～25min，以去除激光损伤层。
为了实现背铝局部发射极，首先根据硅片基底电阻率进行优化设计，使孔径大小和孔间距或者是槽宽和槽间距达到太阳电池效率的最佳值。背面的开孔或者开槽可以有两种方式实现：一是采用激光方式；二是采用丝网印刷穿透性浆料开孔或开槽，丝网的形状按照设计的图形制作。这两种方式将背面膜层开孔或开槽与背面膜层厚度的优化设计独立开来，既能保证膜层的穿透，以形成理想的P+层，又能优化背面膜层的增反射设计。
(8)背面丝网印刷铝层或银铝层和前表面印刷银浆
采用丝网印刷技术在背面印刷不穿透背面膜层的铝浆。若采用无银铝电极的结构，那么印刷的铝浆可以覆盖整个背面而不预留银铝电极位置；若采用共烧形成银铝电极，那么首先印刷银铝电极，然后再印刷非穿透性的铝浆。背面印刷完成后烘干，然后进行前表面银浆印刷。
在硅片背面开孔或开槽处采用丝网印刷单位面积重量为6～10mg/cm2的非穿透性铝浆形成局部铝背发射极和背铝电极，丝网印刷的铝浆重量为。然后在前表面印刷银.
(9)一次烧结
采用链式烧结炉对前、后表面的金属进行一次烧结，以形成背面局部P+层和前后表面电极的欧姆接触。
采用一次烧结方式，针对背面的局部铝背发射极进行工艺优化，最高烧结温度控制在700～900℃，使形成的P+层中替代式铝原子的浓度范围在1018～1019cm-3，结深在5～9μm之间。

Claims (10)

1.一种N型晶体硅局部铝背发射极太阳电池的制备方法，其特征在于，选取N型硅片先进行表面织构化制绒，再采用磷扩散形成前表面场，在去除磷扩散时形成的磷硅玻璃后在前表面沉积钝化膜，接着对硅片进行背面化学抛光除去磷扩散时在背面形成的N+层，然后先后经背面沉积钝化膜、背面局部开孔或开槽和背面丝网印刷铝层或银铝层，再进行前表面印刷银浆，最后经一次烧结形成背面局部P+层和前后表面电极的欧姆接触即可。
2.根据权利要求1所述的N型晶体硅局部铝背发射极太阳电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)选取N型硅片，进行表面织构化制绒
对N型单晶硅片，在重量百分含量为0.5～5％的氢氧化钠去离子水溶液中，在温度为75～90℃的条件下进行表面织构化制绒，对于N型多晶硅片，在硝酸、氢氟酸和去离子水的体积比为1～2∶0.5～1∶1的混合溶液中，在5～15℃的条件下进行表面织构化制绒；
(2)磷扩散形成前表面场
将织构化后的硅片采用三氯氧磷液态源进行管式双面扩散形成前表面场；
(3)去除磷硅玻璃
将磷扩散后硅片浸入体积百分含量为5～20％的氢氟酸中清洗除去在磷扩散时形成的磷硅玻璃；
(4)前表面沉积钝化膜
采用PECVD技术在前表面沉积双层钝化膜；
(5)背面化学抛光
对N型单晶硅片，在加热的碱液中进行抛光除去磷扩散时在背面形成的N+层，对N型多晶硅片，将背面单面接触酸液在低于常温下抛光除去磷扩散时在背面形成的N+层；
(6)背面沉积钝化膜
采用PECVD技术在背面沉积单层或双层钝化膜；
(7)背面开孔或开槽
采用激光或丝网印刷穿透性浆料对覆盖有钝化膜的硅片背面进行开孔或开槽至完全穿透钝化膜层；
(8)背面丝网印刷铝层或银铝层和前表面印刷银浆
在硅片背面开孔或开槽处采用丝网印刷非穿透性铝浆形成局部铝背发射极和背铝电极，丝网印刷的铝浆单位面积重量为6～10mg/cm2，然后在前表面印刷银浆；
(9)烧结
对前、后表面的金属进行一次烧结，形成背面局部P+层和前后表面电极的欧姆接触。
3.根据权利要求2所述的N型晶体硅局部铝背发射极太阳电池的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述的氢氧化钠水溶液中还含有有机溶剂，所述的有机溶剂为酒精或异丙醇，其体积百分含量为5～10％。
4.根据权利要求2所述的N型晶体硅局部铝背发射极太阳电池的制备方法，其特征在于，步骤(2)中扩散后N型硅片的方块电阻为40～80Ω/□，结深为0.2～0.5μm。
5.根据权利要求2所述的N型晶体硅局部铝背发射极太阳电池的制备方法，其特征在于，步骤(4)中所述的钝化膜为氮化硅双层膜或二氧化硅和氮化硅的叠层膜。
6.根据权利要求2所述的N型晶体硅局部铝背发射极太阳电池的制备方法，其特征在于，步骤(5)中的碱液为无机碱液或有机碱液，所述的无机碱液为氢氧化钾或氢氧化钠的去离子水溶液，其重量百分含量为10～40％，所述的有机碱液为四甲基氢氧化铵或乙二胺的去离子水溶液，其重量百分含量为10～30％。
7.根据权利要求6所述的N型晶体硅局部铝背发射极太阳电池的制备方法，其特征在于，在碱液中抛光的温度为45～90℃，时间为2～20min。
8.根据权利要求2所述的N型晶体硅局部铝背发射极太阳电池的制备方法，其特征在于，步骤(5)中的酸液为硝酸、氢氟酸和去离子水的混合溶液，硝酸、氢氟酸和去离子水体积比为4～5∶1～2∶1，在酸液中抛光的温度为10～20℃。
9.根据权利要求2所述的N型晶体硅局部铝背发射极太阳电池的制备方法，其特征在于，步骤(6)中所述的钝化膜为氮化硅单层膜或氮化硅双层膜或二氧化硅和氮化硅的叠层膜。
10.根据权利要求1所述的N型晶体硅局部铝背发射极太阳电池的制备方法，其特征在于，步骤(9)中最高烧结温度为700～900℃，形成的背面局部P+层中替代式铝原子的浓度为1018～1019cm-3，结深为5～9μm。
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