CN109256440A - 一种选择性钝化接触晶体硅太阳能电池及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种选择性钝化接触晶体硅太阳能电池的制备方法，包括正面制绒，正面沉积隧穿层、掺杂多晶硅层、减反膜层，正面去膜；正面二次制绒，扩散，刻蚀，背面沉积钝化膜，正面二次沉积减反膜，背面开孔，电极印刷，烧结的步骤。通过本发明的制备方法制备得到了选择性钝化接触晶体硅太阳能电池。本发明的制备方法有效确保了钝化隧穿层选择性的掺杂在正电极区域，有效发挥了钝化作用；同时也不遮挡非电极区域，减少了传统掺杂硅层对于太阳能的吸收，提升了太阳能电池的效率。

Description

一种选择性钝化接触晶体硅太阳能电池及其制备方法
技术领域
本发明涉及晶体硅太阳能电池领域，尤其涉及一种选择性钝化接触晶体硅太阳能电池的制备方法。
背景技术
由于晶体硅电池硅片厚度的不断降低，且对于一定厚度的电池片而言，当少数载流子的扩散长度大于硅片厚度时，表面的复合速率对太阳能电池的效率影响特别明显。因此现行的技术多是对晶体硅表面进行钝化处理；具体的而言，背钝化技术是在电池背面沉积氮化硅膜，降低背面复合速率，有效改善背面晶体硅与金属的接触复合问题，提高电池的效率，可大大提升晶体硅太阳能电池的效率。
背钝化技术的成功给出了一种提高太阳能电池效率的可行方式，即对太阳能电池正面也进行钝化。目前比较主流的钝化技术是在电池正面也沉积氮化硅钝化膜，改善复合问题。一种较为先进的技术是采用隧穿氧化层钝化接触技术(TOPCon)；钝化隧穿技术采用n型硅片作为基底，在硅片正面和背面先沉积一层隧穿层；然后在覆盖一层薄膜硅层；从而形成隧穿氧化层钝化接触。
隧穿氧化层钝化技术能在电极与基底之间形成隧穿薄膜，隔绝金属电极与基底接触，减少接触复合损失，并且电子能隧穿薄膜不会影响电流传递，同时钝化能使表面能带弯曲，减少P型硅片的表面复合损失，能有效的改善正面钝化与金属接触问题。然而，在隧穿氧化层上部设置的薄膜硅层一般都具有很强的光吸收能力，其降低了电池的输出效率，进而影响了太阳能电池的效率。因此，如何开发一种钝化接触晶体硅太阳能电池，即能发挥钝化接触技术的优势，又能避免由晶硅薄膜吸收能力而导致电流变低问题，从而充分提高电池转换效率，成为研究者关注的重点。
发明内容
有鉴于此，本发明要解决的技术问题在于提供一种选择性钝化接触晶体硅太阳能电池的制备方法，其可有效发挥钝化优势，降低表面复合，同时不影响太阳能电池表面光吸收，不降低表面电流。
本发明还要解决的技术问题在于，提供一种选择性钝化基础晶体硅PERC电池，其转化效率高。
为了解决上述技术问题，达到相应的技术效果，本发明提供了一种选择性钝化接触晶体硅太阳能电池的制备方法，包括：
(1)在硅片正面形成绒面；
(2)在硅片正面沉积隧穿层、掺杂多晶硅层；
(3)在硅片正面沉积减反膜层；
(4)采用激光将硅片正面非电极区隧穿层、掺杂多晶硅层、减反膜层去除；
(5)在硅片正面重新形成绒面；
(6)在硅片表面进行磷扩散；
(7)去除硅片背面、周边PN结以及正面磷硅玻璃；
(8)在硅片背面沉积钝化膜；
(9)在硅片正面二次沉积减反膜；
(10)对硅片背面进行激光开孔；
(11)在硅片背面印刷背电极浆料、铝浆；正面印刷正电极浆料并烘干；
(12)将步骤(11)得到的硅片进行高温烧成，形成背电极、铝背电场和正电极，得选择性钝化接触晶体硅太阳能电池成品。
作为上述技术方案的改进，所述隧穿层为SiO2层，其厚度为1-8nm；所述掺杂多晶硅层厚度为为20-100nm。
作为上述技术方案的改进，所述隧穿层厚度为1-3nm；所述掺杂多晶硅层厚度为50-80nm。
作为上述技术方案的改进，步骤(2)完成后，所述硅片方阻为40-80Ω/sq。
作为上述技术方案的改进，步骤(3)中，采用等离子体化学气相沉积法沉积减反膜层；所述减反膜层为氮化硅膜层；其厚度为10-40nm。
作为上述技术方案的改进，所述正电极穿过掺杂多晶硅层与减反膜层并与隧穿层接触。
作为上述技术方案的改进，所述硅片为P型单晶硅；所述掺杂多晶硅层为磷掺杂N+型多晶硅层。
作为上述技术方案的改进，采用NaOH、Na2SiO3以及异丙醇的混合溶液对硅片表面进行腐蚀，以制备绒面。
相应的，本发明还公开了一种选择性钝化接触晶体硅太阳能电池，其包括硅片，设于硅片正面的减反膜、正电极；设于硅片背面的钝化膜、背电极和背电场；
所述正电极与硅片之间设有隧穿层、掺杂多晶硅层及减反膜层；
所述选择性钝化接触晶体硅太阳能电池采用上述的制备方法制备而成。
本发明通过正面制绒，正面沉积隧穿层、掺杂多晶硅层、减反膜层，正面去膜；正面制绒，扩散，刻蚀，背面沉积钝化膜，正面沉积减反膜，背面开孔，电极印刷，烧结的工艺，制备得到了选择性钝化接触晶体硅太阳能电池；实施本发明的有益效果如下：
1，本发明采用制绒、沉积、激光去除的制备方法；有效确保了钝化隧穿层选择性的掺杂在正电极区域，有效发挥了钝化作用；同时也不遮挡非电极区域，减少了传统掺杂硅层对于太阳能的吸收，提升了太阳能电池的效率。
2，本发明采用钝化隧穿技术，在硅片与正电极之间沉积了二氧化硅层；其能够使得能带弯曲，阻挡空穴向正面移动；然而多子电子能够隧穿此二氧化硅层；这样就实现了电子与空穴的分离，从而减少了填充因子的损失，提升了太阳能电池的效率。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明提供一种选择性钝化接触晶体硅太阳能电池的制备方法，其包括：
(1)在硅片正面形成绒面；
将硅片进行清洗，去除表面有机物及损伤层；然后进行制绒操作；具体的，采用采用湿法刻蚀技术，在硅片正面形成绒面；优选的，制绒后，硅片减重0.55-0.85g，硅片反射率10.5％-11.5％。控制制绒后硅片的反射率有利于后期控制太阳能电池对于太阳光的反射率，有效增加太阳能电池对太阳光的吸收率，提升太阳能电池转换效率。
(2)在硅片正面沉积隧穿层、掺杂多晶硅层；
其中，隧穿层为二氧化硅层；隧穿层能够有效地分离电子与空穴，减少表面填充因子的损失，提升太阳能电池的效率。优选的，所述隧穿层厚度为1-8nm；所述掺杂多晶硅层厚度为20-100nm；此厚度范围内的隧穿层与掺杂多晶硅层能够有效保证电子的传输，提升太阳能电池的效率。进一步优选的，所述隧穿层厚度为1-5nm，进一步优选为1-3nm；所述掺杂多晶硅层厚度为50-100nm，进一步优选为50-80nm；此厚度范围内的多晶硅层与隧穿层能够更好的发挥钝化作用，提升太阳能电池的效率，同时，也能降低沉降难度。
优选的，所述隧穿层、掺杂多晶硅层采用低压气相沉积法(LPCVD)在硅片表面沉积所述隧穿层与掺杂多晶硅层；低压化学气相沉积法，可在较低温度下通过化学反应在硅片基地上沉积厚度均匀、结合紧密的二氧化硅层；且其反应温度较低，反应温度小于500℃；沉积速度快，节省能量；采用低压气相沉积法能够制备致密的隧穿层与掺杂多晶硅层，保证后期太阳能电池的高效率。
优选的，沉积隧穿层与掺杂多晶硅层后，所述硅片表面方阻为40-80Ω/sq；进一步优选的为40-60Ω/sq；在表面沉积隧穿层与掺杂多晶硅层可有效的降低硅片表面方阻，使得正电极与硅片基底的欧姆接触更加充分，提升太阳能电池的转化效率。
(3)在硅片正面沉积减反膜层；
其中，所述减反膜层为氮化硅材料，氮化硅(SiNx)可有效降低硅片表面对于太阳光的反射，提升太阳光的吸收，从而提升太阳能电池的效率；同时氮化硅膜也能够起到良好的钝化作用。本发明采用等离子体化学气相沉积法在硅片正面沉积减反膜层。优选的，所述减反膜的厚度为10-40nm，进一步优选为20-40nm；二氧化硅隧穿层、掺杂多晶硅层与氮化硅层的复合能够使得硅片正面形成良好的钝化作用，同时保证载流子的有效传输，提升太阳能电池的效率。
(4)采用激光将硅片正面非电极区隧穿层、掺杂多晶硅层、减反膜层去除；
采用帝尔激光切割机对硅片正面的非电极区域的隧穿层、掺杂多晶硅层、减反膜层进行切割；去除非电极区域的隧穿层、掺杂多晶硅层和减反膜层。经过此步骤后，即在太阳能电池的正极区域形成了选择性钝化接触膜；其去除了非电极区域的掺杂多晶硅层，降低了多晶硅层在非电极区域对于太阳光的吸收，提升了太阳能电池的效率。
需要说明的是，传统隧穿氧化层钝化接触技术是在电池表面覆盖完整的隧穿层与掺杂硅薄膜层，这种设置使得掺杂硅薄膜层吸收了大量的太阳光，降低了太阳能电池的效率；本发明开发了去除非电极区域钝化膜的工艺，只在电极区域保留了钝化膜，形成了选择性钝化接触膜；不仅达到了有效钝化正电极区域的目的，也不影响光的吸收；有效的提升了太阳能电池的效率。
(5)在硅片正面重新形成绒面；
具体的，采用湿法刻蚀技术，在硅片正面形成绒面；重新形成绒面能够有效地去除步骤(4)中产生的损伤层，同时制备绒面，降低晶体硅表面的反射率。优选的，制绒过程中硅片减重0.15-0.35g。控制制绒过程中硅片的减重可有效的控制制绒后硅片的反射率，控制制绒后硅片的反射率有利于后期控制太阳能电池对于太阳光的反射率，有效增加太阳能电池对太阳光的吸收率，提升太阳能电池转换效率。
优选的，采用NaOH、Na2SiO3以及异丙醇的混合溶液对硅片表面进行腐蚀，以制备绒面。湿法蚀刻制绒技术可分为采用酸性溶液腐蚀硅片与采用碱性溶液腐蚀硅片。采用碱性溶液进行制绒，可防止与已经形成的选择性钝化膜发生反应，保证正电极区域的选择性钝化膜的完整。
(6)在硅片表面进行磷扩散；
通过低表面浓度扩散工艺技术，在硅片表面进行磷扩散。优选的，采用至经过步骤(5)的常规硅片作为对比片，对磷扩散过程中硅片的变化进行监控。经过磷掺杂后，所述对比片的方阻为100-160Ω/sq，进一步优选的为120-160Ω/sq；提升硅片的表面方阻，可降低表面掺杂浓度，不仅可以提高电池的短波效应，提高短路电流；而且可以使表面复合导致的暗饱和电流减小，开路电压增大；优化电池性能。
(7)去除硅片背面、周边PN结以及正面磷硅玻璃；
采用HF溶液将硅片背面、周边产生的PN结去除；同时去除硅片正面产生的磷硅玻璃。
(8)在硅片背面沉积钝化膜；
其中，所述钝化膜为叠层钝化膜，具体的，所述钝化膜为两层膜；其中靠近硅片基底的为氧化铝膜，第二层为氮化硅膜；可采用PECAD法沉积所述钝化膜。背面钝化可有效降低硅片背面复合，提高开路电压，提升太阳能电池转化效率。
(9)在硅片正面二次沉积减反膜；
其中，所述减反膜为氮化硅膜；可采用PECAD法沉积所述减反膜；优选的，沉积厚度为50-80nm；进一步优选为60-80nm；正面减反膜可有效提升太阳能的吸收率，提升太阳能电池的转化效率。
(10)对硅片背面进行激光开孔；
其中，采用帝尔激光对背面钝化膜进行开孔，是使得硅片背面的铝与硅基地形成欧姆接触。
(11)在硅片背面印刷背电极浆料、铝浆；正面印刷正电极浆料并烘干；
(12)将步骤(11)得到的硅片进行高温烧成，形成背电极、铝背电场和正电极，得选择性钝化接触晶体硅太阳能电池成品。
相应的，本发明还公开了一种选择性钝化接触晶体硅太阳能电池，其包括硅片，设于硅片正面的减反膜、正电极；设于硅片背面的钝化膜、背电极和背电场；
所述正电极与硅片之间设有隧穿层、掺杂多晶硅层及减反膜层。优选的，所述正电极穿过所述减反膜层、掺杂多晶硅层并与所述钝化隧穿层接触。
且所述选择性钝化接触晶体硅太阳能电池采用上述的制备方法制备而成。
下面结合具体实施例进行进一步说明：
实施例1
本实施例中选择性钝化接触晶体硅太阳能电池的制备方法如下：
(1)在硅片正面形成绒面：选用800pcs的P型硅片为基底材料，使用湿法刻蚀技术，在硅片表面形成绒面，减重控制为0.55g，反射率为10.5％；
(2)在硅片正面沉积隧穿层、掺杂多晶硅层：采用LPCVD法沉积；隧穿层为二氧化硅；掺杂多晶硅层为磷掺杂的N+多晶硅；其中，隧穿层厚度为1nm，掺杂多晶硅层厚度为20nm；
(3)在硅片正面沉积减反膜层：采用PECVD沉积；减反膜层为氮化硅；减反膜层厚度为10nm。
(4)采用激光将硅片正面非电极区隧穿层、掺杂多晶硅层、减反膜层去除；采用帝尔激光切割机将正面非电极区域的膜去除；
(5)在硅片正面重新形成绒面；采用NaOH、Na2SiO3与异丙醇的混合溶液腐蚀，在非电极区域形成新的绒面；制绒过程中硅片质量减重0.15g；
(6)在硅片表面进行磷扩散：使用低浓度扩散技术，形成PN结；采用只经过制绒的硅片为对比片，扩散后对比片的方块电阻为100Ω/sq；
(7)去除硅片背面、周边PN结以及正面磷硅玻璃：采用HF溶液去除硅片背面、周边PN结以及正面磷硅玻璃；
(8)在硅片背面沉积钝化膜：采用PECVD法沉积，所述钝化膜为分别为氧化铝和氮化硅；
(9)在硅片正面二次沉积减反膜：采用PECVD法沉积，减反膜为氮化硅材料；其厚度为50nm；
(10)对硅片背面进行激光开孔：采用帝尔激光切割机在硅片背面进行开孔；
(11)在硅片背面印刷背电极浆料、铝浆；正面印刷正电极浆料并烘干；
(12)将步骤(11)得到的硅片进行高温烧成，形成背电极、铝背电场和正电极，得选择性钝化接触晶体硅太阳能电池成品。
实施例2
本实施例中选择性钝化接触晶体硅太阳能电池的制备方法如下：
(1)在硅片正面形成绒面：选用800pcs的P型硅片为基底材料，使用湿法刻蚀技术，在硅片表面形成绒面，减重控制为0.85g，反射率为11.5％；
(2)在硅片正面沉积隧穿层、掺杂多晶硅层：采用LPCVD法沉积；隧穿层为二氧化硅；掺杂多晶硅层为磷掺杂的N+多晶硅；其中，隧穿层厚度为8nm，掺杂多晶硅层厚度为100nm；
(3)在硅片正面沉积减反膜层：采用PECVD沉积；减反膜层为氮化硅；减反膜层厚度为40nm。
(4)采用激光将硅片正面非电极区隧穿层、掺杂多晶硅层、减反膜层去除；采用帝尔激光切割机将正面非电极区域的膜去除；
(5)在硅片正面重新形成绒面；采用NaOH、Na2SiO3与异丙醇的混合溶液腐蚀，在非电极区域形成新的绒面；制绒过程中硅片质量减重0.35g；
(6)在硅片表面进行磷扩散：使用低浓度扩散技术，形成PN结；采用只经过制绒的硅片为对比片，扩散后对比片的方块电阻为160Ω/sq；
(7)去除硅片背面、周边PN结以及正面磷硅玻璃：采用HF溶液去除硅片背面、周边PN结以及正面磷硅玻璃；
(8)在硅片背面沉积钝化膜：采用PECVD法沉积，所述钝化膜为分别为氧化铝和氮化硅材料；
(9)在硅片正面二次沉积减反膜：采用PECVD法沉积，减反膜为氮化硅材料；其厚度为80nm；
(10)对硅片背面进行激光开孔：采用帝尔激光切割机在硅片背面进行开孔；
(11)在硅片背面印刷背电极浆料、铝浆；正面印刷正电极浆料并烘干；
(12)将步骤(11)得到的硅片进行高温烧成，形成背电极、铝背电场和正电极，得选择性钝化接触晶体硅太阳能电池成品。
实施例3
本实施例中选择性钝化接触晶体硅太阳能电池的制备方法如下：
(1)在硅片正面形成绒面：选用800pcs的P型硅片为基底材料，使用湿法刻蚀技术，在硅片表面形成绒面，减重控制为0.65g，反射率为11％；
(2)在硅片正面沉积隧穿层、掺杂多晶硅层：采用LPCVD法沉积；隧穿层为二氧化硅；掺杂多晶硅层为磷掺杂的N+多晶硅；其中，隧穿层厚度为2nm，掺杂多晶硅层厚度为55nm；
(3)在硅片正面沉积减反膜层：采用PECVD沉积；减反膜层为氮化硅；减反膜层厚度为35nm。
(4)采用激光将硅片正面非电极区隧穿层、掺杂多晶硅层、减反膜层去除；采用帝尔激光切割机将正面非电极区域的膜去除；
(5)在硅片正面重新形成绒面；采用NaOH、Na2SiO3与异丙醇的混合溶液腐蚀，在非电极区域形成新的绒面；制绒过程中硅片质量减重0.22g；
(6)在硅片表面进行磷扩散：使用低浓度扩散技术，形成PN结；采用只经过制绒的硅片为对比片，扩散后对比片的方块电阻为135Ω/sq；
(7)去除硅片背面、周边PN结以及正面磷硅玻璃：采用HF溶液去除硅片背面、周边PN结以及正面磷硅玻璃；
(8)在硅片背面沉积钝化膜：采用PECVD法沉积，所述钝化膜为分别为氧化铝和氮化硅；
(9)在硅片正面二次沉积减反膜：采用PECVD法沉积，减反膜为氮化硅材料；其厚度为65nm；
(10)对硅片背面进行激光开孔：采用帝尔激光切割机在硅片背面进行开孔；
(11)在硅片背面印刷背电极浆料、铝浆；正面印刷正电极浆料并烘干；
(12)将步骤(11)得到的硅片进行高温烧成，形成背电极、铝背电场和正电极，得选择性钝化接触晶体硅太阳能电池成品。
实施例4
本实施例中选择性钝化接触晶体硅太阳能电池的制备方法如下：
(1)在硅片正面形成绒面：选用800pcs的P型硅片为基底材料，使用湿法刻蚀技术，在硅片表面形成绒面，减重控制为0.7g，反射率为10.7％；
(2)在硅片正面沉积隧穿层、掺杂多晶硅层：采用LPCVD法沉积；隧穿层为二氧化硅；掺杂多晶硅层为磷掺杂的N+多晶硅；其中，隧穿层厚度为2.5nm，掺杂多晶硅层厚度为65nm；
(3)在硅片正面沉积减反膜层：采用PECVD沉积；减反膜层为氮化硅；减反膜层厚度为30nm。
(4)采用激光将硅片正面非电极区隧穿层、掺杂多晶硅层、减反膜层去除；采用帝尔激光切割机将正面非电极区域的膜去除；
(5)在硅片正面重新形成绒面；采用NaOH、Na2SiO3与异丙醇的混合溶液腐蚀，在非电极区域形成新的绒面；制绒过程中硅片质量减重0.25g；
(6)在硅片表面进行磷扩散：使用低浓度扩散技术，形成PN结；采用只经过制绒的硅片为对比片，扩散后对比片的方块电阻为140Ω/sq；
(7)去除硅片背面、周边PN结以及正面磷硅玻璃：采用HF溶液去除硅片背面、周边PN结以及正面磷硅玻璃；
(8)在硅片背面沉积钝化膜：采用PECVD法沉积，所述钝化膜为分别为氧化铝和氮化硅；
(9)在硅片正面二次沉积减反膜：采用PECVD法沉积，减反膜为氮化硅材料；其厚度为70nm；
(10)对硅片背面进行激光开孔：采用帝尔激光切割机在硅片背面进行开孔；
(11)在硅片背面印刷背电极浆料、铝浆；正面印刷正电极浆料并烘干；
(12)将步骤(11)得到的硅片进行高温烧成，形成背电极、铝背电场和正电极，得选择性钝化接触晶体硅太阳能电池成品。
对比例1
共分为11个步骤，步骤(1)到步骤(3)与本发明实施例4相同；步骤(4)-步骤(11)与本发明实施例4步骤(5)-步骤(12)相同。
将实施例1-4中以及对比例的选择性钝化接触晶体硅太阳能电池进行性能测定，其结果如表1。
表1
由表中可以看出，本发明中的选择性钝化基础晶体硅太阳能电池的效率提高了0.8％-1.9％左右，效率有了显著提升。
以上所述仅为本发明的较佳实例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所做作的任何修改，等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种选择性钝化接触晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：
(1)在硅片正面形成绒面；
(2)在硅片正面沉积隧穿层、掺杂多晶硅层；
(3)在硅片正面沉积减反膜层；
(4)采用激光将硅片正面非电极区隧穿层、掺杂多晶硅层、减反膜层去除；
(5)在硅片正面重新形成绒面；
(6)在硅片表面进行磷扩散；
(7)去除硅片背面、周边PN结以及正面磷硅玻璃；
(8)在硅片背面沉积钝化膜；
(9)在硅片正面二次沉积减反膜；
(10)对硅片背面进行激光开孔；
(11)在硅片背面印刷背电极浆料、铝浆；正面印刷正电极浆料并烘干；
(12)将步骤(11)得到的硅片进行高温烧成，形成背电极、铝背电场和正电极，得选择性钝化接触晶体硅太阳能电池成品。
2.如权利要求1所述的选择性钝化接触晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述隧穿层为SiO2层，其厚度为1-8nm；所述掺杂多晶硅层厚度为为20-100nm。
3.如权利要求2所述的选择性钝化接触晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述隧穿层厚度为1-3nm；所述掺杂多晶硅层厚度为50-80nm。
4.如权利要求2所述的选择性钝化接触晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(2)完成后，所述硅片方阻为40-80Ω/sq。
5.如权利要求1所述的选择性钝化接触晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，采用等离子体化学气相沉积法沉积减反膜层；所述减反膜层为氮化硅膜层；其厚度为10-40nm。
6.如权利要求1-5任一项所述的选择性钝化接触晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述正电极穿过掺杂多晶硅层与减反膜层并与隧穿层接触。
7.如权利要求1所述的选择性钝化接触晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述硅片为P型单晶硅；所述掺杂多晶硅层为磷掺杂N+型多晶硅层。
8.如权利要求7所述的选择性钝化接触晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(4)中，采用NaOH、Na2SiO3以及异丙醇的混合溶液对硅片表面进行腐蚀，以制备绒面。
9.一种选择性钝化接触晶体硅太阳能电池，其特征在于，包括硅片，设于硅片正面的减反膜、正电极；设于硅片背面的钝化膜、背电极和背电场；
所述正电极与硅片之间设有隧穿层、掺杂多晶硅层及减反膜层；
所述选择性钝化接触晶体硅太阳能电池采用如权利要求1-8任一项所述的制备方法制备而成。
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