CN115084312A - 太阳能电池的制备方法及太阳能电池组件、发电系统 - Google Patents

太阳能电池的制备方法及太阳能电池组件、发电系统 Download PDF

Info

Publication number
CN115084312A
CN115084312A CN202210515095.5A CN202210515095A CN115084312A CN 115084312 A CN115084312 A CN 115084312A CN 202210515095 A CN202210515095 A CN 202210515095A CN 115084312 A CN115084312 A CN 115084312A
Authority
CN
China
Prior art keywords
solar cell
region
seed layer
layer
electroplating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202210515095.5A
Other languages
English (en)
Inventor
王永谦
许文理
朱玮
陈刚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zhejiang Aiko Solar Energy Technology Co Ltd
Guangdong Aiko Technology Co Ltd
Tianjin Aiko Solar Energy Technology Co Ltd
Zhuhai Fushan Aixu Solar Energy Technology Co Ltd
Original Assignee
Zhejiang Aiko Solar Energy Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zhejiang Aiko Solar Energy Technology Co Ltd filed Critical Zhejiang Aiko Solar Energy Technology Co Ltd
Priority to CN202210515095.5A priority Critical patent/CN115084312A/zh
Publication of CN115084312A publication Critical patent/CN115084312A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic System
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/001—Apparatus specially adapted for electrolytic coating of wafers, e.g. semiconductors or solar cells
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/005—Contacting devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/02—Electroplating of selected surface areas
    • C25D5/022—Electroplating of selected surface areas using masking means
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/04—Electroplating with moving electrodes
    • C25D5/06—Brush or pad plating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/48—After-treatment of electroplated surfaces
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
    • C25D7/12—Semiconductors
    • C25D7/123—Semiconductors first coated with a seed layer or a conductive layer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
    • C25D7/12—Semiconductors
    • C25D7/123—Semiconductors first coated with a seed layer or a conductive layer
    • C25D7/126—Semiconductors first coated with a seed layer or a conductive layer for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
    • H01L21/2885—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition using an external electrical current, i.e. electro-deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/6723—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one plating chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0236—Special surface textures
    • H01L31/02363—Special surface textures of the semiconductor body itself, e.g. textured active layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/0745—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells
    • H01L31/0747—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells comprising a heterojunction of crystalline and amorphous materials, e.g. heterojunction with intrinsic thin layer or HIT® solar cells; solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1876—Particular processes or apparatus for batch treatment of the devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
    • H01L31/206—Particular processes or apparatus for continuous treatment of the devices, e.g. roll-to roll processes, multi-chamber deposition

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明公开一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池组件、发电系统，其中制备方法包括步骤：S1，在待设置电极的太阳能电池的第一区域，和/或第二区域进行膜层开孔；S2，在太阳能电池上生长种子层，种子层通过S1的开孔区域与第一区域，和/或第二区域形成导电接触；S3，在水平电镀设备上水平传输待电镀的太阳能电池，使得种子层形成电镀体系的阴极，阳极件设置于电镀槽的电镀液中，设于电镀槽内的移动机构带动太阳能电池自太阳能电池移动机构的入口向出口方向移动，以使太阳能电池在通电及水平传输中实现电镀。本发明在不影响开膜尺寸的前提下保证了太阳能电池的电极宽度，且以水平电镀方式实现了对太阳能电池的规模化电镀。

Description

太阳能电池的制备方法及太阳能电池组件、发电系统
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池组件、发电系统。
背景技术
现有技术中，太阳能电池的电极制备方法通常包括如下步骤：
步骤1，对N型硅片表面通过湿化学法进行织构化处理；
步骤2，在N型硅片正面制作发射极；
步骤3，在N型硅片背面沉积隧穿氧化层，并在隧穿氧化层上沉积掺杂多晶硅；
步骤4，对N型硅片进行双面镀膜；
步骤5，在N型硅片的正面和背面进行激光开膜形成电极栅线预设区以及电镀压针区；
步骤6，电镀电极夹持住电池正面和背面的电镀压针区进行槽式电镀。
通过上述方法制备的电极宽度受限于激光开膜的尺寸，其中激光开膜会引入一定的损伤，所以激光开模尺寸越大，激光损伤越严重；同时电极在正面时，会遮挡太阳光的入射，过宽则会降低电池的转换效率。但窄的激光开膜尺寸却会引起另外两个问题：1)电极宽度越窄越容易引起栅线脱落；2)电极宽度越窄电极的线电阻越小，影响电池的转换效率理想情况下，电极宽度越大，太阳能电池的线电阻越小，更有利于提高太阳能电池的使用效率。因此，如何解决上述方法制备的电极其宽度与开膜尺寸的矛盾，成为太阳能电池制备技术领域目前亟待解决的难题。
另外，上述现有的电极制备方法采用的是垂直电镀的方式，垂直电镀无法以流水线的方式对太阳能电池进行电镀，电镀效率低下，难以满足对太阳能电池的规模化电镀需求；同时垂直电镀的电极压点阻挡了电镀反应，影响电池的外观以及转换效率。
发明内容
本发明以在不影响开膜尺寸的前提下保证太阳能电池的电极宽度，防止栅线脱落，且以满足规模化电镀需求为目的，提供了一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池组件、发电系统。
为达此目的，本发明采用以下技术方案：
提供一种太阳能电池的制备方法，包括：
步骤S1，在待设置电极的太阳能电池的第一区域，和/或第二区域进行膜层开孔；
步骤S2，在所述太阳能电池上生长种子层，所述种子层通过步骤S1的开孔区域与所述第一区域，和/或所述第二区域形成导电接触；
步骤S3，水平传输待电镀的所述太阳能电池，阴极电镀刷与水平传输的所述太阳能电池上的所述种子层接触，使得所述种子层形成电镀体系的阴极，阳极件设置于电镀槽的电镀液中，设于所述电镀槽内的移动机构带动所述太阳能电池自所述太阳能电池移动机构的入口向出口方向移动，以使所述太阳能电池在通电及水平传输中实现电镀。
作为优选，所述第一区域与所述第二区域覆盖有隧穿氧化层以及多晶硅层。
作为优选，利用物理气相沉积法在所述太阳能电池上生长所述种子层。
作为优选，步骤S2中，在生长所述种子层之前，首先利用物理气相沉积法生长透明导电氧化物薄膜。
作为优选，当所述太阳能电池上的所述第一区域和所述第二区域同时存在于硅片背面时，所述制备方法还包括：
步骤S4，在电镀后的样品上的电镀电极区域制备掩膜后对所述样品进行刻蚀，然后将所述第一区域和所述第二区域上的所述电镀电极形成绝缘隔离。
作为优选，当所述太阳能电池上的所述第一区域和所述第二区域同时存在于硅片背面时，在所述步骤S2和所述步骤S3之间还包括：在所述种子层上形成掩膜，以实现所述第一区域和所述第二区域上的电镀层的物理隔离。
作为优选，在步骤S3之后还包括：清洗所述种子层上的掩膜层，然后进行湿化学刻蚀以去除所述种子层，形成所述第一区域和所述第二区域的所述电镀电极的绝缘隔离。
作为优选，当所述太阳能电池上的所述第一区域和所述第二区域同时存在于硅片背面时，在步骤S2之后还包括：
步骤B1，在所述种子层上形成掩膜后进行湿化学刻蚀，以实现所述第一区域和所述第二区域上的所述种子层的绝缘隔离；
步骤B2，去除所述种子层上的掩膜。
作为优选，当所述太阳能电池上的所述第一区域和所述第二区域同时存在于硅片背面时，步骤S2中，在所述太阳能电池上使用掩膜版以形成图形化的物理气相沉积法生长的电镀种子层，以实现所述第一区域和所述第二区域上的种子层的绝缘隔离。
作为优选，所述透明导电氧化物薄膜在湿化学刻蚀去除所述种子层时被一并去除。
作为优选，待设置电极的所述太阳能电池通过以下步骤制备而得：
步骤L1，对硅片表面进行织构化处理；
步骤L2，在所述硅片的背面沉积隧穿氧化层，然后在所述隧穿氧化层上沉积具有第一极性的第一掺杂多晶硅；
步骤L3，在所述第一掺杂多晶硅上沉积第一掩膜；
步骤L4，保留预设在硅片背面的第一区域上的所述第一掩膜，去除预设在硅片背面的第二区域上的所述第一掩膜；
步骤L5，去除沉积在所述第二区域上的所述第一掺杂多晶硅和所述隧穿氧化层后，在所述第二区域上再次制备第二掩膜；
步骤L6，在所述第二区域上沉积所述隧穿氧化层，然后在所述第二区域的所述隧穿氧化层上沉积具有第二极性的第二掺杂多晶硅；
步骤L7，在所述第二区域上沉积的所述第二掺杂多晶硅上制备第三掩膜；
步骤L8，保留所述第二区域上的非GAP区的所述第三掩膜，去除所述第二区域上的GAP区外的所述第三掩膜；
步骤L9，通过湿化学方法去除沉积在所述第一区域上的所述第二掩膜、所述第二掩膜上方的材料层以及硅片背面的所述GAP区域沉积的所述隧穿氧化层以及所述第二掺杂多晶硅；
步骤L10，对所述硅片进行双面镀膜，得到待设置电极的所述太阳能电池。
作为优选，所述种子层包括主组分及强化组分，所述主组分为波长范围在850-1200nm之间平均折射率低于2的任意一种或多种金属，所述强化组分包括Mo、Ni、Ti、W中的任意一种或多种。
作为优选，所述主组分包括Al、Ag、Cu、Mg中的任意一种或多种。
作为优选，所述强化组分还包括非金属成分。
作为优选，所述主组分的含量为>50％。
作为优选，作为所述主组分为Al，含量为≥70％；作为所述强化组分为Ni，含量为≤30％。
作为优选，作为所述主组分为Al，含量为≥70％；作为所述强化组分为W，含量为≤30％。
作为优选，作为所述主组分为Al，含量为≥70％；作为所述强化组分为Ti，含量为≤30％。
作为优选，作为所述主组分为Al，含量为≥70％；作为所述强化组分为Mo，含量为≤30％。
作为优选，作为所述主组分为Al，含量为≥70％；作为所述强化组分为Cr，含量为≤30％。
作为优选，作为所述主组分为Al，含量为≥70％；作为所述强化组分为Si，含量为≤30％。
作为优选，所述种子层以物理气相沉积法、丝网印刷法、化学气相沉积、电镀、化学镀中的任意一项制备方法形成在所述衬底上。
作为优选，所述种子层上方还覆盖有导电层。
作为优选，所述导电层包含Cu、Ag、Al中的任意一种或多种。
作为优选，所述种子层与设置电极的半导体区域之间形成有钝化膜；所述钝化膜上设有开口，所述种子层通过所述开口与所述半导体区域接触。
作为优选，所述种子层与所述钝化膜之间还设置有透明导电氧化物薄膜，所述透明导电氧化物薄膜通过所述钝化膜上设置的所述开口与所述半导体区域接触。
作为优选，所述透明导电氧化物薄膜为掺锡氧化铟或者氧化锌基薄膜。
作为优选，所述半导体区域包含隧穿氧化层和掺杂多晶硅。
作为优选，所述导电层生长在所述种子层上的方法包括电镀、物理气相沉积、丝网印刷、化学镀中的任意一种。
作为优选，所述导电层的上部覆盖有保护层。
作为优选，所述保护层为Sn或Ag层。
作为优选，所述保护层通过电镀或化学镀的方法生长在所述导电层上。
作为优选，所述种子层由多层子种子层堆叠组成。
作为优选,沿背离所述衬底的方向堆叠的所述子种子层中的所述主组分的含量逐渐下降。
本发明还提供了一种太阳能电池，应用所述的制备方法制备而成。
本发明还提供一种太阳能电池组件，由若干个所述的制备方法制备而成的太阳能电池电性连接构成。
本发明还提供一种太阳能发电系统，包括若干个电性连接的所述的太阳能电池组件。
本发明具有以下两个有益效果：
1、通过在待设置电极的太阳能电池的第一区域，和/或第二区域进行膜层开孔，并通过在该太阳能电池上生长种子层，该种子层则通过开孔区域与第一区域，和/或第二区域形成导电接触，解决了电极宽度与开膜损伤的矛盾，使得电极宽度可大幅增加，一方面降低了太阳能电池的线电阻，另一方面解决了长期以来电镀电极因线宽过窄容易引起栅线脱落的问题。
2、通过自行研发的水平电镀设备对已完成种子层生长的待电镀的太阳能电池进行流水化的电镀，解决了现有技术中以垂直电镀方式电镀存在的效率低下，无法适于规模化电镀的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面所描述的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明一实施例提供的太阳能电池的制备方法的实现步骤图；
图2是制备待设置电极的太阳能电池的方法步骤图；
图3是制备的太阳能电池的结构示意图；
图4是对太阳能电池以水平传输方式进行电镀的设备结构图；
图5是Cu与其他金属的扩散系数的对比图；
图6是电极脱落失效的示意图；
图7是太阳能电池的主栅与细栅的连接结构示意图；
图8是现有的电极电镀方法示意图；
图9是本发明提供的电极电镀方法示意图。
具体实施方式
下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。
其中，附图仅用于示例性说明，表示的仅是示意图，而非实物图，不能理解为对本专利的限制；为了更好地说明本发明的实施例，附图某些部件会有省略、放大或缩小，并不代表实际产品的尺寸；对本领域技术人员来说，附图中某些公知结构及其说明可能省略是可以理解的。
本发明实施例的附图中相同或相似的标号对应相同或相似的部件；在本发明的描述中，需要理解的是，若出现术语“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此附图中描述位置关系的用语仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。
在本发明的描述中，除非另有明确的规定和限定，若出现术语“连接”等指示部件之间的连接关系，该术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个部件内部的连通或两个部件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
本发明实施例提供的太阳能电池的制备方法，如图1、图3所示，包括：
步骤S1，在待设置电极的太阳能电池的第一区域100，和/或第二区域200进行膜层开孔；
步骤S2，在太阳能电池上生长种子层1，种子层1通过步骤S1的开孔区域2与第一区域100，和/或第二区域200形成导电接触；
步骤S3，利用图4所示的水平电镀设备水平传输待电镀的太阳能电池，图4中的阴极电镀刷1与水平传输的太阳能电池上的种子层接触，使得种子层形成电镀体系的阴极，阳极件设置于图4中所示的电镀槽2的电镀液中，设于电镀槽2内的移动机构带动太阳能电池自太阳能电池移动机构的入口向出口方向移动，以使太阳能电池在通电及水平传输中实现电镀。
如图3所示，本发明利用种子层1通过步骤S1得到的开孔区域2与与第一区域100，和/或第二区域200形成导电接触，解决了现有技术中制备的太阳能电池的电极宽度受限于开膜尺寸的问题，使得电极宽度可大幅增加，一方面降低了太阳能电池的线电阻，另一方面解决了长期以来电镀电极因线宽过窄容易引起栅线脱落的问题。
作为优选，本实施例采用物理气相沉积法(包括溅射、蒸镀)在太阳能电池上生长种子层。
由于本发明在待设置电极的太阳能电池中生长了大面积的种子层，便于槽式电镀电极夹持到种子层上，使得水平电镀方案可应用到该太阳能电池的规模化生产中。水平电镀方案的引入解决了现有的垂直电镀产能低的问题，同时解决了电镀电极压针点电极缺失以及在压针点大面积开膜导致的电镀效率低下的问题。
如图3所示，当太阳能电池上的第一区域100和第二区域200同时存在于硅片背面时，作为优选，在步骤S2和步骤S3之间还包括：在种子层1上形成掩膜，以实现第一区域100和第二区域200上的电镀层的物理隔离。在种子层上形成掩膜后，进一步的，作为优选，在步骤S3后还包括；清洗种子层上的掩膜层，然后进行湿化学刻蚀以去除种子层，形成第一区域和第二区域的电镀电极的绝缘隔离。
作为优选，当太阳能电池上的第一区域和第二区域同时存在于硅片背面时，在步骤S2之后还包括：
步骤B1，在种子层上形成掩膜后进行湿化学刻蚀，以实现第一区域和所述第二区域上的所述种子层的绝缘隔离；
步骤B2，去除种子层上的掩膜。
作为另外一种优选方案，当太阳能电池上的第一区域和第二区域同时存在于硅片背面时，优选地，步骤S2中，在太阳能电池上使用掩膜版以形成图形化的物理气相沉积法(包括溅射、蒸镀)生长种子层，以实现第一区域和第二区域上的种子层的绝缘隔离。
作为优选，当太阳能电池上的第一区域和第二区域同时存在于硅片背面时，如图1所示，太阳能电池的制备方法还包括：
步骤S4，在电镀后的样品上的电镀电极区域制备掩膜后对样品进行刻蚀，然后将第一区域和第二区域上的电镀电极形成绝缘隔离。
本实施例中，如图2所示，待设置电极的太阳能电池通过以下步骤制备而得：
步骤L1，对硅片表面进行织构化处理；
步骤L2，在硅片的背面沉积隧穿氧化层，然后在隧穿氧化层上沉积具有第一极性(正极或负极)的第一掺杂多晶硅；
步骤L3，在第一掺杂多晶硅上沉积第一掩膜；
步骤L4，保留预设在硅片背面的第一区域上的第一掩膜，去除预设在硅片背面的第二区域上的第一掩膜；
步骤L5，去除沉积在第二区域上的第一掺杂多晶硅和隧穿氧化层后，在第二区域上再次制备第二掩膜；
步骤L6，在第二区域上沉积隧穿氧化层，然后在第二区域的隧穿氧化层上沉积具有第二极性的第二掺杂多晶硅；
步骤L7，在第二区域上沉积的第二掺杂多晶硅上制备第三掩膜；
步骤L8，保留第二区域上的非GAP区(图3中用附图标记“3”表示)的第三掩膜，去除第二区域上的GAP区(图3中用附图标记“4”表示)外的第三掩膜；
步骤L9，通过湿化学方法去除沉积在第一区域上的第二掩膜、第二掩膜上方的材料层以及硅片背面的GAP区域沉积的隧穿氧化层以及第二掺杂多晶硅；
步骤L10，对硅片进行双面镀膜，得到待设置电极的太阳能电池。
在制备待设备电极的太阳能电池中，本发明通过掺杂多晶硅层阻挡了物理气相沉积法生长种子层时的粒子轰击，有利于增强所制备的太阳能电池的性能。
上述技术方案中，种子层包括主组分与强化组分，主组分为波长范围在850nm-1200nm之间平均折射率低于2的任意一种或多种金属(优选为Al(铝)、Ag(银)、Cu(铜)、Mg(镁)中的任意一种或多种)，强化组分包括Mo(钼)、Ni(镍)、Ti(钛)、W(钨)、Cr、Si、Mn、Pd、Bi、Nb、Ta、Pa、V中的任意一种或多种。种子层中主组分的含量优选＞50％。更优选地，主组分为Al，其含量为≥70％，强化组分为Ni，含量为≤30％，或者，主组分为Al，含量为≥70％，强化组分为W，含量为≤30％，或者，主组分为Al，含量为≥70％，强化组分为Ti，含量为≤30％，或者，主组分为Al，含量为≥70％，强化组分为Mo，含量为≤30％,或者，主组分为Al，含量为≥70％，强化组分为Cr，含量为≤30％,或者，主组分为Al，含量为≥70％，强化组分为Si，含量为≤30％。
目前量产化晶体硅太阳电池中使用到Ag浆料作为电极材料，其中Ag浆料的成本占电池非硅成本接近30％的比例。减少Ag用量或者不使用Ag的生产技术将可有效降低太阳电池的生产成本。其中Cu便为Ag的很好替代品，Cu相比较Ag作为导电材料的优势对比请见下表a：
金属 Ag Cu
体电阻率(ohm.cm) 1.60E-06 1.70E-06
价格(元/吨) 5101000 70970
表a
由上表a可知，Cu具有相对稳定的化学特性、优良的延展性、足够低的体电阻以及可大量获取且价格低廉(接近1/72的Ag材料价格)这些优良的特性，使得其成为Ag的有效替代品。但Cu有两个重要的特点限制了其在太阳电池中的应用，第一个是Cu的扩散系数过大，图5为常见金属的扩散系数示意图，图5中的横、纵坐标分别表示温度(单位开尔文K)的倒数、金属元素的扩散系数，由图5可以看到，Cu的扩散系数远高于其它金属，较Ag/Al等高了>5个数量级。
第二个是，Cu缺陷对空穴有较大的捕获截面，其会大幅降低少子寿命，进而降低太阳电池的电性能，Cu含量对少子寿命以及电池性能的影响请见下表b：
Figure BDA0003639191990000081
表b
由上表b可知，随着Cu含量的增加，体少子寿命大幅降低，电池效率也大幅降低。即使只有1E12/cm3的Cu杂质，电池效率也降低0.29％。
现有技术中，通常采用Ni(镍)作为Cu扩散的阻挡层，同时能很好的粘连衬底以及Cu电极，其实现方案大致流程为：准备好镀膜后的衬底—激光开膜—电镀Ni—电镀Cu层。但我们在研究过程中发现Ni作为Cu的阻挡层存在一个较大的缺陷，其长波段反射效果较低，降低了电池的陷光效果，进一步降低了电池的转换效率。
Ni+Cu与Ag作为电极材料的电池光学性能对比数据请见下表c：
Figure BDA0003639191990000091
表c
由上表c可知，Ni+Cu的组合使得电池的短路电流大幅降低，其中模拟结果中预测，短路电流密度将降低0.75mA/cm2，实验结果降低了1.36mA/cm2的短路电流密度，比理论预测更大。
下面我们对常见的金属陷光效果进行分析：
目前成品电池硅片厚度大约在150um，>850nm波长的光即可有效穿透此厚度，通四海Si的禁带宽度为1.12eV，所以>1200nm的光将难以激发电子空穴对，因此我们考虑陷光效果时主要关注850-1200nm波段。下表d为不同金属的界面反射率以及2022年2月份查到的市场价格：
Figure BDA0003639191990000092
表d
由上表d可以看到，不同金属之间界面反射率差异较大，其中Ag/Al/Cu/Mg四种金属可以获得相对理想的短路电流结果，用于种子层中都能形成有效的陷光效果；进一步分析：Cu不能应用为种子层，因为种子层一个重要的作用就是阻挡Cu；Mg化学性质过于活泼也不是很好的一种选择；Ag价格则较高，也不是较好的选择；Al则是一个理想的种子层金属，其具有优良的背反射率效果，同时化学性质相对稳定，且其价格低廉，仅为Ag的1/223，Cu的1/3。
但单纯Al金属做为种子层，却引入另外一个问题：Al与其它金属之间的粘连较弱，使用单纯Al作为种子层的技术会使得产品可靠性不达标，产品在冷热交替或者弯曲的情况，或者组件焊接中焊点的应力都会导致Al与外层金属分离，产生脱落，引起失效。
Al与Cu之间结合力差，容易形成成片的栅线掉落。为解决此问题，我们尝试了多种改善方法，例如增加Al/衬底接触面积、给样品升温促进金属间互扩散、Al/Cu材料之间插入新材料例如TiW等，效果均不理想；最终发现若在Al材料中直接添加与Cu能形成良好互联的强化组分作为种子层，在Cu电镀之后甚至不需要额外的退火处理，即已形成良好种子层/电镀层交连，大幅提升电镀层的粘附力，最终解决此问题。
其中经实验验证，Ni、Mo、Ti、W这四种强化组分起到明显的粘附力提升效果。
进一步地我们通过表d了解到，Ni、Mo、Ti、W这四种材料其反射率偏低，若添加过多，则导致光学性能的降低，其中以W为例，我们简单的假定合金成分的性能为成分的加强平均值，则得到如下表e所示的推算结果：
W含量比例(％) 电池短路电流(J<sub>sc</sub>/cm<sup>2</sup>)
100 40.8
90 40.92
80 41.04
70 41.16
60 41.28
50 41.4
40 41.52
30 41.64
20 41.76
10 41.88
0 42.00
表e
其中当W含量为30％时，其电流损失为0.36mA/cm2，这引起约0.2％的电池转换效率降低，此虽然较大但综合Cu替代Ag带来的成本降低以及对可靠性问题的解决上来看，值得接受，因此认为，强化组分≤30％为推荐值。
进一步地，我们种子层中强化组分的比值可以呈现不均匀分布，这样将获得更佳的性能效果，其原理为：与衬底接近的部分降低强化组分的含量，这样可以增强光的反射，而与导电层金属接触的部分可以相对含有更高的强化组分以提高与导电层金属的结合力。
下表f为不同电极技术的焊接拉力对比：
电极技术 焊接拉力(N/mm)
常规Ag电极 1.3
Al+Cu电极 0.2
Al+TiW+Cu电极 0.5
本专利中Al合金+Cu电极 1.7
表f
由上表f可以看出，单纯Al种子层其栅线拉力较低，远低于常规的Ag电极，而Al与Cu直接插入TiW材料后焊接拉力有所提升，但依然存在不足，本发明中采用Al合金种子层制作的太阳电池，其焊接拉力甚至表现比常规Ag电极更高。
进一步地，种子层厚度优选≥30nm，经实验发现，30nm厚度的种子层足以阻挡Cu金属的扩散，而厚度≤300nm，主要考虑因素为控制成本，例如采用物理气相沉积的方法制作种子层，即使Al相对其它金属价格较低，但Al靶材的成本影响依然不可忽视，种子层厚度越高设备侧产能越低，不利于大规模生产地推广，因此，种子层厚度优选为30-300nm之间
进一步地，为节省合金靶材地成本且进一步限制Cu金属往衬底扩散，我们可以在合金种子层与衬底之间添加一层透明导电氧化物层，长波段的光可穿透明导电氧化物层，在合金层界面进行有效反射，同样能获得理想地性能及可靠性结果。
由上表a、b、c可知，在铜导电层和衬底之间加入本发明沉积的种子层能够增加铜导电层与衬底的结合力，且能够提升太阳能电池的陷光效果。
种子层则优选以物理气相沉积法(包括溅射、蒸镀)、丝网印刷法、化学气相沉积、电镀、化学镀中的任意一项制备方法形成在衬底上。种子层优选由多层子种子层堆叠而成，更优选地，沿背离衬底的方向堆叠的子种子层中的主组分的含量逐渐下降，距离衬底近的子种子层中的主组分的含量大能够增强反光效果，从而提升太阳能电池的陷光效果，而距离衬底远(距离导电层近)的子种子层中强化组分含量大而主组分含量相对少，又能够确保子种子层与导电层的结合力。
种子层的厚度优选为10-1000nm之间，更优选地，种子层的厚度为30-300nm。
本实施例中提供的电极如图3所示，还包括位于种子层1上方的导电层5。制成该导电层5的材料包含Cu、Ag、Al中的任意一种或多种。导电层生长在种子层上的方法包括电镀、物理气相沉积、丝网印刷、化学镀中的任意一种。导电层的厚度优选为1-800μm，更优选地，导电层的厚度为1-100μm。
为了保护导电层，优选地，导电层的上部覆盖有保护层6。更优选地，该保护层6为Sn层或Ag层。保护层6优选通过电镀或化学镀的方法生长在导电层5上。
如图3所示，种子层1与半导体区域之间优选形成有用于保护种子层1的钝化膜7，钝化膜7上设有开口2，种子层1通过该开口2与半导体区域接触。更优选地，种子层1与钝化膜7之间还设置有透明导电氧化物薄膜(TCO:Transparent Conductive Oxide)(图中未示出)，透明导电氧化物薄膜(TCO:Transparent Conductive Oxide)通过钝化膜上设置的开口与半导体区域接触。半导体区域则优选包括隧穿氧化层8和掺杂多晶硅9。
本发明还提供了一种太阳能电池，该太阳能电池应用上述的制备方法制备而成。
本发明还提供了一种太阳能电池组件，由若干个通过上述的制备方法制备而成的太阳能电池电性连接构成。
本发明还提供了一种太阳能发电系统，包括若干个电性连接的太阳能电池组件。
综上，本发明通过在待设置电极的太阳能电池的第一区域，和/或第二区域进行膜层开孔，并通过在该太阳能电池上生长种子层，该种子层则通过开孔区域与第一区域，和/或第二区域形成导电接触，解决了电极宽度与开膜损伤的矛盾，使得电极宽度可大幅增加，一方面降低了太阳能电池的线电阻，另一方面解决了长期以来电镀电极因线宽过窄容易引起栅线脱落的问题。另外，通过自行研发的水平电镀设备对已完成种子层生长的待电镀的太阳能电池进行流水化的电镀，解决了现有技术中以垂直电镀方式电镀存在的效率低下，无法适于规模化电镀的问题。
为方便更好地理解本发明的有益效果，我们先建模计算评估本发明能够带来太阳能电池的性能提升，具体见下表g：
Figure BDA0003639191990000121
表g
由上表g可以看到，现有的方案中随着电极宽度的增长，电极电阻的损失逐渐下降，但正面遮光导致的以及复合导致的效率损失却逐渐上升，这形成了一个矛盾，最终得出的结论是电极宽度越小，损失越小，但即使缩小至30um，其效率损失也已经达到1.3％；同时在此宽度下，栅线的粘接力不足，将导致严重的可靠性问题，这个为电镀技术一直以来无法应用于规模化量产的重要原因。
而本发明解决了现有技术的矛盾：1)采用背接触电池结构正面无电极，解决了电极的遮光损失；2)采用PVD实现种子层，使得电极宽度可以大于开膜尺寸，在大幅降低激光损伤的情况下，获得理想的电极宽度；3)电极足够宽(优选宽度>30um，更优选地，宽度范围为80-400um)，能大幅增加电极与种子层、种子层与衬底之间的粘接力。
对于电极宽度对粘接力、可靠性的影响，下面我们进行着重说明：
请参见图6，电极脱落失效主要三点机理：
1)失效类型1，为横切力。其中图6中的N1代表外力，N2代表粘接力，电极宽度越大，则N2与N1的力臂差异越小，则能降低此类型的失效风险；
2)失效类型2，为垂直拉力。电极宽度越大，则粘接面积越大，进而粘接力越大，可减低此类型失效风险；
3)失效类型3，为组件封装材料分解产物机水汽对电极的刻蚀。其中Ni、Mo、Ti等相对Cu更更为活泼，尤其酸性分解物在长期老化中逐渐刻蚀种子层，电极宽度过窄，将影响到产品的长期老化性能。
限制现有电镀技术大规模量产化的另一个重要因素为：产能过低、均匀性差、电极夹持区域外观/性能较差，下面我们对此进行说明：
现有技术方案需要在电极下面进行激光开膜以暴露需要电镀的区域，然后将阴极连接在开膜区域以使衬底形成电镀系统的阴极，这将遇到下列的问题：
1)如图7所示，竖着穿过整个电池的4根宽电极300称之为主栅，主栅之间细小的电极400称为细栅。其中，主栅承担着汇聚细栅收集的电流以及与焊带焊接的作用，所以需要较大的宽度。若使用激光开膜+电镀的方式，此区域的激光损伤将无法接受；所以部分研究人员折中选择主栅采用Ag浆料，细栅采用电镀的方案，但这样因为依然使用了Ag浆料，带来的成本降低有限。
2)现有的太阳电池电镀电极方法如图8所示，阴电极夹具需要夹持住太阳电池(其中压针与特别设计的开膜区域接触)，然后将电池浸泡在种子层为Ni的镀槽中；镀完Ni后经过清洗槽后再提拉至水槽清洗；清洗后提拉至电镀Cu槽进行Cu电镀；然后再提拉至水槽清洗，后再提拉至Sn槽镀Sn。其中为保证夹持的稳定性以及应力相对较小，电极压电处面积需要足够大，这将导致区域性的激光损伤损失，并影响产品外观；因为硅片衬底导电性不佳，将导致表面电势不均匀性影响电池片内的电镀均匀性，为弥补此问题，往往需要在单片电池上设置多个电极压针，这将进一步恶化前述的影响；因为单片电池不同区域、不同电池之间所处的槽体位置不一致，其表面化学名浓度也存在差异，这将引起产品片内、片间的电镀厚度差异；另外，受限与机械结构限制单槽夹持的电池片数目，其产能有限，难以支撑大规模化的生产。
而本发明中，电极电镀的实现方案如图9所示，电池片背面生长一层种子层，种子层生长方式优选使用物理气相沉积的技术。此种子层可在电镀后部分去除或者在电镀前部分去除，但至少在电镀过程中，种子层覆盖面积依然占总面积>20％。此时种子层将处于电池背面最外表面，使得种子层能完全与阴极电极良好接触。然后电池片在电镀槽中为水平的链式传输，其中滚轮旋转带动电池片移动，其中一侧滚轮为导电材料形成电镀系统的阴电极。电池在水平传输过程中与阴电极滚轮保持连续的或几乎连续的接触，实现电镀。采用上述电镀电极方法具有以下优点：1)只需要设计合适长度的槽体，提高传输的速度，即可实现理想的单位时间产片量，使其满足大规模量产化需求；2)种子层电导率高，同时电池片表面均匀地与药液接触，提高了电镀工艺地均匀性以及稳定性；3)激光开膜面积独立于电极宽度，主栅区域、阴电极接触区域也不需要额外的激光开膜，有效地降低激光损失。
经过上面的介绍，本行业从业人员可以清楚认识到本发明主要的有益效果为：大面积沉积种子层与水平电镀两者的有机结合，若采用现有的电镀种子层技术，其将无法与阴极滚轮形成良好接触，导致水平电镀无法应用于太阳电池制造；若基于大面积种子层的工艺下采用现有的垂直电镀技术，则会因为稳定性、均匀性、产能偏低等问题，使得电镀技术难以实现规模化的推广。
进一步地，若电池电极下的区域若采用钝化接触技术，即生长隧穿氧化层+多晶硅钝化层，其将获得更理想的效果。原因为：1)物理气相沉积法(尤其是溅射)生长种子层，容易在表面引起一定的轰击损伤，而衬底表面的钝化接触结构可以有效抵挡其轰击损伤；2)钝化接触结构可以有效降低激光开膜损伤。所以钝化接触结构与物理气相沉积种子层+水平电镀技术又是一种有机的结合，其有效地解决了物理气相沉积种子层+水平电镀技术带来的负面影响。
需要声明的是，上述具体实施方式仅仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员应该明白，还可以对本发明做各种修改、等同替换、变化等等。但是，这些变换只要未背离本发明的精神，都应在本发明的保护范围之内。另外，本申请说明书和权利要求书所使用的一些术语并不是限制，仅仅是为了便于描述。

Claims (37)

1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：
步骤S1，在待设置电极的太阳能电池的第一区域，和/或第二区域进行膜层开孔；
步骤S2，在所述太阳能电池上生长种子层，所述种子层通过步骤S1的开孔区域与所述第一区域，和/或所述第二区域形成导电接触；
步骤S3，水平传输待电镀的所述太阳能电池，阴极电镀刷与水平传输的所述太阳能电池上的所述种子层接触，使得所述种子层形成电镀体系的阴极，阳极件设置于电镀槽的电镀液中，设于所述电镀槽内的移动机构带动所述太阳能电池自所述太阳能电池移动机构的入口向出口方向移动，以使所述太阳能电池在通电及水平传输中实现电镀；
待设置电极的所述太阳能电池通过以下步骤制备而得：
步骤L1，对硅片表面进行织构化处理；
步骤L2，在所述硅片的背面沉积隧穿氧化层，然后在所述隧穿氧化层上沉积具有第一极性的第一掺杂多晶硅；
步骤L3，在所述第一掺杂多晶硅上沉积第一掩膜；
步骤L4，保留预设在硅片背面的第一区域上的所述第一掩膜，去除预设在硅片背面的第二区域上的所述第一掩膜；
步骤L5，去除沉积在所述第二区域上的所述第一掺杂多晶硅和所述隧穿氧化层后，在所述第二区域上再次制备第二掩膜；
步骤L6，在所述第二区域上沉积所述隧穿氧化层，然后在所述第二区域的所述隧穿氧化层上沉积具有第二极性的第二掺杂多晶硅；
步骤L7，在所述第二区域上沉积的所述第二掺杂多晶硅上制备第三掩膜；
步骤L8，保留所述第二区域上的非GAP区的所述第三掩膜，去除所述第二区域上的GAP区外的所述第三掩膜；
步骤L9，通过湿化学方法去除沉积在所述第一区域上的所述第二掩膜、所述第二掩膜上方的材料层以及硅片背面的所述GAP区域沉积的所述隧穿氧化层以及所述第二掺杂多晶硅；
步骤L10，对所述硅片进行双面镀膜，得到待设置电极的所述太阳能电池。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述第一区域或/与所述第二区域覆盖有隧穿氧化层以及多晶硅层。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，利用物理气相沉积法在所述太阳能电池上生长所述种子层。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤S2中，在生长所述种子层之前，首先利用气相沉积法生长透明导电氧化物薄膜。
5.根据权利要求1、2、3、4任意一项所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，当所述太阳能电池上的所述第一区域和所述第二区域同时存在于硅片背面时，所述制备方法还包括：
步骤A1，在电镀后的样品上的电镀电极区域制备掩膜后对所述样品进行刻蚀，然后将所述第一区域和所述第二区域上的所述电镀电极形成绝缘隔离。
6.根据权利要求1、2、3、4任意一项所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，当所述太阳能电池上的所述第一区域和所述第二区域同时存在于硅片背面时，在所述步骤S2和所述步骤S3之间还包括：在所述种子层上形成掩膜，以实现所述第一区域和所述第二区域上的电镀层的物理隔离。
7.根据权利要求6所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，在步骤S3之后还包括：清洗所述种子层上的掩膜层，然后进行湿化学刻蚀以去除所述种子层，形成所述第一区域和所述第二区域的所述电镀电极的绝缘隔离。
8.根据权利要求7所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述透明导电氧化物薄膜在湿化学刻蚀去除所述种子层时被一并去除。
9.根据权利要求1、2、3、4任意一项所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，当所述太阳能电池上的所述第一区域和所述第二区域同时存在于硅片背面时，在步骤S2之后还包括：
步骤B1，在所述种子层上形成掩膜后进行湿化学刻蚀，以实现所述第一区域和所述第二区域上的所述种子层的绝缘隔离；
步骤B2，去除所述种子层上的掩膜。
10.根据权利要求1、2、3、4任意一项所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，当所述太阳能电池上的所述第一区域和所述第二区域同时存在于硅片背面时，步骤S2中，在所述太阳能电池上使用掩膜版以形成图形化的电镀种子层，以实现所述第一区域和所述第二区域上的种子层的绝缘隔离。
11.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述种子层包括主组分及强化组分，所述主组分为波长范围在850-1200nm之间平均折射率低于2的任意一种或多种金属，所述强化组分包括Mo、Ni、Ti、W、Cr、Si、Mn、Pd、Bi、Nb、Ta、Pa、V中的任意一种或多种。
12.根据权利要求11所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述主组分包括Al、Ag、Cu、Mg中的任意一种或多种。
13.根据权利要求11或12所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述强化组分还包括非金属成分。
14.根据权利要求13所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述主组分的含量为>50％。
15.根据权利要求11所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，作为所述主组分为Al，含量为≥70％；作为所述强化组分为Ni，含量为≤30％。
16.根据权利要求11所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，作为所述主组分为Al，含量为≥70％；作为所述强化组分为W，含量为≤30％。
17.根据权利要求11所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，作为所述主组分为Al，含量为≥70％；作为所述强化组分为Ti，含量为≤30％。
18.根据权利要求11所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，作为所述主组分为Al，含量为≥70％；作为所述强化组分为Mo，含量为≤30％。
19.根据权利要求11所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，作为所述主组分为Al，含量为≥70％；作为所述强化组分为Cr，含量为≤30％。
20.根据权利要求11所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，作为所述主组分为Al，含量为≥70％；作为所述强化组分为Si，含量为≤30％。
21.根据权利要求11所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述种子层以物理气相沉积法、丝网印刷法、化学气相沉积、电镀、化学镀、离子镀中的任意一项制备方法形成在所述衬底上。
22.根据权利要求21所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述物理气相沉积法包括溅射和蒸镀。
23.根据权利要求11所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述种子层上方还覆盖有导电层。
24.根据权利要求23所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述导电层包含Cu、Ag、Al中的任意一种或多种。
25.根据权利要求11所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述种子层与设置电极的半导体区域之间形成有钝化膜；所述钝化膜上设有开口，所述种子层通过所述开口与所述半导体区域接触。
26.根据权利要求25所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述种子层与所述钝化膜之间还设置有透明导电氧化物薄膜，所述透明导电氧化物薄膜通过所述钝化膜上设置的所述开口与所述半导体区域接触。
27.根据权利要求26所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述透明导电氧化物薄膜为掺锡氧化铟或者氧化锌基薄膜。
28.根据权利要求25所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述半导体区域包含隧穿氧化层和掺杂多晶硅。
29.根据权利要求23所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述导电层生长在所述种子层上的方法包括电镀、物理气相沉积、丝网印刷、化学镀中的任意一种。
30.根据权利要求23所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述导电层的上部覆盖有保护层。
31.根据权利要求30所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述保护层为Sn或Ag层。
32.根据权利要求30或31中所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述保护层通过电镀或化学镀的方法生长在所述导电层上。
33.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述种子层由多层子种子层堆叠组成。
34.根据权利要求33所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于,沿背离所述衬底的方向堆叠的所述子种子层中的所述主组分的含量逐渐下降。
35.一种太阳能电池，其特征在于，应用如权利要求1-34任意一项所述的制备方法制备而成。
36.一种太阳能电池组件，其特征在于，由若干个通过权利要求1-34任意一项所述的制备方法制备而成的太阳能电池电性连接构成。
37.一种太阳能发电系统，其特征在于，包括若干个电性连接的如权利要求36所述的太阳能电池组件。
CN202210515095.5A 2022-03-11 2022-03-11 太阳能电池的制备方法及太阳能电池组件、发电系统 Pending CN115084312A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210515095.5A CN115084312A (zh) 2022-03-11 2022-03-11 太阳能电池的制备方法及太阳能电池组件、发电系统

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210239657.8A CN114335257B (zh) 2022-03-11 2022-03-11 太阳能电池的制备方法及太阳能电池组件、发电系统
CN202210515095.5A CN115084312A (zh) 2022-03-11 2022-03-11 太阳能电池的制备方法及太阳能电池组件、发电系统

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210239657.8A Division CN114335257B (zh) 2022-03-11 2022-03-11 太阳能电池的制备方法及太阳能电池组件、发电系统

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN115084312A true CN115084312A (zh) 2022-09-20

Family

ID=81033608

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210515095.5A Pending CN115084312A (zh) 2022-03-11 2022-03-11 太阳能电池的制备方法及太阳能电池组件、发电系统
CN202210239657.8A Active CN114335257B (zh) 2022-03-11 2022-03-11 太阳能电池的制备方法及太阳能电池组件、发电系统

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210239657.8A Active CN114335257B (zh) 2022-03-11 2022-03-11 太阳能电池的制备方法及太阳能电池组件、发电系统

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20230290901A1 (zh)
EP (1) EP4243089A1 (zh)
JP (1) JP7421671B2 (zh)
KR (1) KR102612797B1 (zh)
CN (2) CN115084312A (zh)
AU (1) AU2023201357A1 (zh)
WO (1) WO2022199883A2 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116314374A (zh) * 2023-03-07 2023-06-23 通威太阳能（成都）有限公司 太阳电池的制备方法及太阳电池

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010129872A (ja) * 2008-11-28 2010-06-10 Kyocera Corp 太陽電池素子
US20120164797A1 (en) * 2007-05-31 2012-06-28 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Method of Manufacturing a Light Emitting, Power Generating or Other Electronic Apparatus
US20130025673A1 (en) * 2010-04-01 2013-01-31 Somont Gmbh Solar cells and method for producing same
WO2017078164A1 (ja) * 2015-11-04 2017-05-11 株式会社カネカ 結晶シリコン系太陽電池の製造方法および結晶シリコン系太陽電池モジュールの製造方法
CN109256440A (zh) * 2018-09-17 2019-01-22 浙江爱旭太阳能科技有限公司 一种选择性钝化接触晶体硅太阳能电池及其制备方法
CN110581198A (zh) * 2019-09-05 2019-12-17 东方日升（常州）新能源有限公司 一种局域接触钝化太阳电池及其制备方法
CN113345970A (zh) * 2021-06-04 2021-09-03 浙江爱旭太阳能科技有限公司 一种p型背接触式晶硅太阳能电池、制备方法及电池组件
CN114005889A (zh) * 2020-07-27 2022-02-01 福建钧石能源有限公司 一种制备太阳能电池金属栅线的方法

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3599060A (en) * 1968-11-25 1971-08-10 Gen Electric A multilayer metal contact for semiconductor device
JP3839493B2 (ja) * 1992-11-09 2006-11-01 日本発条株式会社 Ｔｉ−Ａｌ系金属間化合物からなる部材の製造方法
US20060189129A1 (en) * 2000-03-21 2006-08-24 Semitool, Inc. Method for applying metal features onto barrier layers using ion permeable barriers
JP2003273383A (ja) * 2002-03-15 2003-09-26 Sharp Corp 太陽電池素子およびその製造方法
KR20060089635A (ko) * 2005-02-04 2006-08-09 가부시키가이샤 에키쇼센탄 기쥬쓰 가이하쓰센타 구리 배선층의 형성방법
US20080128019A1 (en) * 2006-12-01 2008-06-05 Applied Materials, Inc. Method of metallizing a solar cell substrate
US8779280B2 (en) * 2009-08-18 2014-07-15 Lg Electronics Inc. Solar cell and method of manufacturing the same
US9773928B2 (en) * 2010-09-10 2017-09-26 Tesla, Inc. Solar cell with electroplated metal grid
CN102299200B (zh) * 2011-08-22 2013-07-24 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种晶体硅太阳能电池金属电极的制备方法
CN102660761A (zh) * 2012-05-11 2012-09-12 无锡尚德太阳能电力有限公司 一种太阳电池镀膜设备及其镀膜方法
CN102779905B (zh) * 2012-08-23 2015-04-22 马悦 一种太阳能电池电极的制备方法
US10090430B2 (en) * 2014-05-27 2018-10-02 Sunpower Corporation System for manufacturing a shingled solar cell module
JP2014103259A (ja) * 2012-11-20 2014-06-05 Mitsubishi Electric Corp 太陽電池、太陽電池モジュールおよびその製造方法
CN104112789B (zh) * 2013-04-17 2016-04-27 茂迪股份有限公司 太阳能电池及其制造方法
TW201442260A (zh) * 2013-04-23 2014-11-01 Topcell Solar Internat Co Ltd 太陽能電池及其製造方法
CN104178787A (zh) * 2013-05-26 2014-12-03 无锡尚德太阳能电力有限公司 一种太阳电池镀膜设备以及镀膜方法
JP6300712B2 (ja) * 2014-01-27 2018-03-28 三菱電機株式会社 太陽電池および太陽電池の製造方法
US9947812B2 (en) * 2014-03-28 2018-04-17 Sunpower Corporation Metallization of solar cells
US9722105B2 (en) * 2014-03-28 2017-08-01 Sunpower Corporation Conversion of metal seed layer for buffer material
US9620661B2 (en) * 2014-12-19 2017-04-11 Sunpower Corporation Laser beam shaping for foil-based metallization of solar cells
US10164131B2 (en) * 2014-12-19 2018-12-25 Sunpower Corporation Multi-layer sputtered metal seed for solar cell conductive contact
WO2016111339A1 (ja) * 2015-01-07 2016-07-14 株式会社カネカ 太陽電池およびその製造方法、ならびに太陽電池モジュール
TWI615987B (zh) * 2015-12-16 2018-02-21 茂迪股份有限公司 太陽能電池及其製造方法
CN109148616A (zh) * 2017-06-16 2019-01-04 国家电投集团科学技术研究院有限公司 硅异质结太阳电池及其制备方法
CN207904389U (zh) * 2017-12-22 2018-09-25 广东爱旭科技股份有限公司 管式perc双面太阳电池的专用电镀设备
JP2019121627A (ja) * 2017-12-28 2019-07-22 パナソニック株式会社 太陽電池セルの製造方法及び太陽電池セル
CN108400175A (zh) * 2018-01-24 2018-08-14 苏州太阳井新能源有限公司 一种具有电镀电极的异质结太阳能电池及制备方法
DE102018202513B4 (de) * 2018-02-20 2023-08-17 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e. V. Verfahren zur Metallisierung eines Bauelements
CN108660500B (zh) * 2018-06-22 2023-09-29 苏州太阳井新能源有限公司 一种水平电化学沉积金属的方法及其装置
CN108807565B (zh) * 2018-07-13 2024-04-16 苏州太阳井新能源有限公司 一种钝化接触电极结构，其适用的太阳能电池及制作方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120164797A1 (en) * 2007-05-31 2012-06-28 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Method of Manufacturing a Light Emitting, Power Generating or Other Electronic Apparatus
JP2010129872A (ja) * 2008-11-28 2010-06-10 Kyocera Corp 太陽電池素子
US20130025673A1 (en) * 2010-04-01 2013-01-31 Somont Gmbh Solar cells and method for producing same
WO2017078164A1 (ja) * 2015-11-04 2017-05-11 株式会社カネカ 結晶シリコン系太陽電池の製造方法および結晶シリコン系太陽電池モジュールの製造方法
CN109256440A (zh) * 2018-09-17 2019-01-22 浙江爱旭太阳能科技有限公司 一种选择性钝化接触晶体硅太阳能电池及其制备方法
CN110581198A (zh) * 2019-09-05 2019-12-17 东方日升（常州）新能源有限公司 一种局域接触钝化太阳电池及其制备方法
CN114005889A (zh) * 2020-07-27 2022-02-01 福建钧石能源有限公司 一种制备太阳能电池金属栅线的方法
CN113345970A (zh) * 2021-06-04 2021-09-03 浙江爱旭太阳能科技有限公司 一种p型背接触式晶硅太阳能电池、制备方法及电池组件

Also Published As

Publication number Publication date
CN114335257B (zh) 2022-08-19
AU2023201357A1 (en) 2023-09-28
KR20230133769A (ko) 2023-09-19
KR102612797B1 (ko) 2023-12-11
US20230290901A1 (en) 2023-09-14
WO2022199883A3 (en) 2022-12-15
CN114335257A (zh) 2022-04-12
JP2023133150A (ja) 2023-09-22
JP7421671B2 (ja) 2024-01-24
WO2022199883A9 (en) 2022-11-17
EP4243089A1 (en) 2023-09-13
WO2022199883A2 (en) 2022-09-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9437753B2 (en) Device comprising electrical contacts and its production process
JP2000219512A (ja) 酸化亜鉛薄膜の製造方法、それを用いた光起電力素子の製造方法、及び光起電力素子
EP3136451B1 (en) Crystalline-silicon solar cell, crystalline-silicon solar-cell module, and manufacturing methods therefor
JPH10313127A (ja) 酸化亜鉛薄膜の製造方法、それを用いた光起電力素子及び半導体素子基板の製造方法
WO2013073045A1 (ja) 太陽電池及び太陽電池の製造方法
CN108352417B (zh) 晶体硅系太阳能电池的制造方法和晶体硅系太阳能电池模块的制造方法
CN113471337B (zh) 异质结太阳能电池片的制备方法
CN114005889A (zh) 一种制备太阳能电池金属栅线的方法
CN114335257B (zh) 太阳能电池的制备方法及太阳能电池组件、发电系统
NL2034304B1 (en) Solar Cell, Electrode Structure, Cell Module, Power Generation System and Preparation Method
US9391215B2 (en) Device for generating photovoltaic power and method for manufacturing same
JP2014232775A (ja) 太陽電池およびその製造方法、ならびに太陽電池モジュール
TW201340361A (zh) 太陽能電池及製造太陽能電池的方法
CN218585996U (zh) 一种太阳能电池、电极结构、电池组件及发电系统
US20100264035A1 (en) Reel-to-reel plating of conductive grids for flexible thin film solar cells
CN114335197B (zh) 太阳能电池的导电接触结构、组件及发电系统
CN114823968A (zh) 一种p型背接触太阳能电池的制备方法及电池结构、组件、发电系统
CN217468446U (zh) 一种太阳能电池的栅线结构、组件及发电系统
CN115148834B (zh) 太阳能电池及光伏组件
CN114188431B (zh) 一种太阳能电池及其制备方法
JP2003013283A (ja) 酸化亜鉛膜の形成方法、及びそれを用いた半導体素子基板の製造方法及び光起電力素子の製造方法
CN114551611A (zh) 一种太阳能电池的栅线结构、组件及发电系统

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20230512

Address after: 528000 No.3, Qili Avenue South, Leping Town, Sanshui District, Foshan City, Guangdong Province

Applicant after: Guangdong aixu Technology Co.,Ltd.

Applicant after: Tianjin Aixu Solar Energy Technology Co.,Ltd.

Applicant after: ZHEJIANG AIKO SOLAR ENERGY TECHNOLOGY Co.,Ltd.

Applicant after: Zhuhai Fushan aixu Solar Energy Technology Co.,Ltd.

Address before: 322009 no.655, Haopai Road, Suxi Town, Yiwu City, Jinhua City, Zhejiang Province

Applicant before: ZHEJIANG AIKO SOLAR ENERGY TECHNOLOGY Co.,Ltd.