CN116314374A - 太阳电池的制备方法及太阳电池 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种太阳电池的制备方法及太阳电池。太阳电池包括完成铜种子层沉积后形成的黄膜片。太阳电池的制备方法包括：对黄膜片进行加工处理，在黄膜片的外表面形成栅线排布区域。将形成栅线排布区域后的黄膜片放入弱碱性溶液中进行除油处理，以使黄膜片形成亲水性表面。可以将黄膜片的表面由疏水性转变为亲水性，如此使得黄膜片的表面可以与电镀溶液进行充分接触，使得电镀形成的栅线可以更加紧密，保证了栅线的结合力。
Description
技术领域
本申请涉及太阳电池技术领域，尤其涉及一种太阳电池的制备方法及太阳电池。
背景技术
随着科学技术的逐步发展，太阳能作为一种清洁能源，广泛地应用于各个领域。其中，太阳电池是一种可以通过光电效应或者光化学效应将光能直接转化成电能的装置。
在太阳电池的制备过程中，需要在黄膜片的外表面电镀形成栅线，一些太阳电池的电镀后形成的栅线结合力较差，导致栅线的拉力测试不合格。
发明内容
本申请提供一种太阳电池的制备方法及太阳电池，保证了栅线的结合力。
本申请提供一种太阳电池的制备方法，所述太阳电池包括完成铜种子层沉积后形成的黄膜片；其中所述太阳电池的制备方法包括：
对所述黄膜片进行加工处理，在所述黄膜片的外表面形成栅线排布区域；
将形成所述栅线排布区域后的所述黄膜片放入弱碱性溶液中进行除油处理，以使所述黄膜片形成亲水性表面。
进一步地，所述将形成所述栅线排布区域后的所述黄膜片放入弱碱性溶液中进行除油处理，包括：
在设定温度下，将形成所述栅线排布区域后的所述黄膜片放入弱碱性溶液中，以第一设定时间对所述黄膜片进行除油处理；
其中，所述设定温度的范围为30℃至40℃之间；和/或
所述第一设定时间的范围为30s至60s之间；和/或
所述弱碱性溶液为碳酸氢钠溶液；和/或
所述弱碱性溶液的浓度的范围为5％至10％之间。
进一步地，所述将形成所述栅线排布区域后的所述黄膜片放入弱碱性溶液中进行除油处理，以使所述黄膜片形成亲水性表面之后，所述制备方法还包括：
去除所述栅线排布区域外侧的氧化层；
在所述栅线排布区域外侧形成栅线。
进一步地，所述去除所述栅线排布区域外侧的氧化层，包括：
将形成所述栅线排布区域的所述黄膜片放入电镀溶液中；
施加第一电流值并维持第二设定时间，以解离所述栅线排布区域外侧的氧化层。
进一步地，所述在所述栅线排布区域外侧形成栅线，包括：
在所述第一电流值的基础上，根据设定差值，将所述第一电流值降低至第二电流值，并维持第三设定时间，以在所述栅线排布区域外侧形成栅线。
进一步地，所述去除所述栅线排布区域外侧的氧化层，包括：去除所述栅线排布区域的外表面的氧化层；
在所述栅线排布区域外侧形成栅线，包括：在所述栅线排布区域的外表面形成铜栅线。
进一步地，用于去除所述栅线排布区域的外表面的氧化层的所述第一电流值为16A±1A；和/或
用于形成所述铜栅线的所述第二电流值为8A±1A；和/或
用于去除所述栅线排布区域的外表面的氧化层的所述第二设定时间的范围为20s至25s之间；和/或
用于形成所述铜栅线的所述第三设定时间的范围为240s至260s之间。
进一步地，所述去除所述栅线排布区域外侧的氧化层，还包括：去除所述铜栅线的外表面的氧化层；
所述在所述栅线排布区域外侧形成栅线，还包括：在去除氧化层后的所述铜栅线的外表面形成锡栅线。
进一步地，用于去除所述铜栅线的外表面的氧化层的所述第一电流值为8A±1A；和/或
用于形成所述锡栅线的所述第二电流值为4A±1A；和/或
用于去除所述铜栅线的外表面的氧化层的所述第二设定时间的范围为20s至25s之间；和/或
用于形成所述锡栅线的所述第三设定时间的范围为70s至90s之间。
本申请提供一种太阳电池，根据如上述任一实施例所述的太阳电池的制备方法获得。
本申请提供的一种太阳电池的制备方法，可以将形成栅线排布区域后的黄膜片放入弱碱性溶液中进行除油处理，以使黄膜片形成亲水性表面。可以将黄膜片的表面由疏水性转变为亲水性，如此使得黄膜片的表面可以与电镀溶液进行充分接触，使得电镀形成的栅线可以更加紧密，保证了栅线的结合力。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。
图1所示为本申请一示例性实施例的太阳电池的制备方法的流程图；
图2所示为本申请一示例性实施例的太阳电池的结构示意图；
图3所示为图1所示的太阳电池的制备方法的局部流程图；
图4所示为图1所示的太阳电池的制备方法的另一局部流程图；
图5所示为图1所示的太阳电池的制备方法的再一局部流程图；
图6所示为图3所示的太阳电池的制备方法的进一步的流程图；
图7所示为图1所示的太阳电池的制备方法的再一局部流程图。
具体实施方式
这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置和方法的例子。
在本申请使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。除非另作定义，本申请使用的技术术语或者科学术语应当为本申请所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“多个”或者“若干”表示两个及两个以上。除非另行指出，“前部”、“后部”、“下部”和/或“上部”等类似词语只是为了便于说明，而并非限于一个位置或者一种空间定向。“包括”或者“包含”等类似词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者物件及其等同，并不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而且可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。
在本申请使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。在本申请和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。
本申请提供一种太阳电池的制备方法及太阳电池。下面结合附图，对本申请的太阳电池的制备方法及太阳电池进行详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例及实施方式中的特征可以相互组合。
参见图1和图2所示，本申请提供一种太阳电池10的制备方法。其中，太阳电池10可以指铜互连异质结电池。太阳电池10包括完成铜种子层沉积后形成的黄膜片11，黄膜片11可以指在太阳电池10的制备过程中完成铜种子层14的沉积后的半成品。太阳电池10的制备方法可以包括步骤S101～S103。
在步骤S101中，对黄膜片11进行加工处理，在黄膜片11的外表面形成栅线排布区域12。其中，可以通过曝光显影技术在黄膜片11的外表面形成栅线排布区域12。可以根据栅线排布区域12的形状，在栅线排布区域12的外表面形成栅线。
在步骤S102中，将形成栅线排布区域12后的黄膜片11放入弱碱性溶液中进行除油处理，以使黄膜片11形成亲水性表面。可以将黄膜片11的表面由疏水性转变为亲水性，如此使得黄膜片11的表面可以与电镀溶液进行充分接触，使得电镀形成的栅线可以更加紧密，保证了栅线的结合力。
在一些实施例中，将形成栅线排布区域后的黄膜片放入弱碱性溶液中进行除油处理，包括：在设定温度下，将形成栅线排布区域12后的黄膜片11放入弱碱性溶液中，以第一设定时间对黄膜片11进行除油处理。其中，弱碱性溶液可以是碳酸氢钠溶液。弱碱性溶液的浓度的范围可以为5％至10％之间。设定温度的范围可以为30℃至40℃之间。第一设定时间的范围可以为30s至60s之间。在本实施例中，将形成栅线排布区域12后的黄膜片11放入5％浓度的碳酸氢钠溶液中，并在35℃的温度下加热50s，从而对黄膜片11进行除油处理。由于栅线排布区域12的栅线沟槽的宽度的范围为30um至50um之间，栅线沟槽的宽度较窄，且由于在黄膜片11的运输过程中，黄膜片11的外表面会留下油渍等污渍，使得栅线排布区域12的外表面具有疏水性等原因，使得电镀液难以充分进入栅线沟槽中，无法与铜种子层14充分接触，造成电镀形成的铜栅线13疏松。利用5％浓度的碳酸氢钠溶液进行除油处理，可以利用碳酸氢钠溶液的OH-离子进行皂化和乳化，以达到改善栅线排布区域12的外表面的亲水性的目的，使得栅线排布区域12的外表面由疏水性转变为亲水性，如此可以与电镀溶液进行充分接触，使得电镀形成的铜栅线13更加紧密，保证了铜栅线13的结合力。其中，皂化可以指油脂和OH-离子发生反应，生成盐和醇的过程。乳化可以指大颗粒油脂在OH-离子的作用下分裂为小颗粒油珠而形成乳浊液的过程。
参见图2和图3所示，在一些实施例中，将形成栅线排布区域12后的黄膜片11放入弱碱性溶液中进行除油处理，以使黄膜片11形成亲水性表面之后，太阳电池的制备方法还包括步骤S201～S202。
在步骤S201中，去除栅线排布区域12外侧的氧化层。由于黄膜片11的外表面形成的铜种子层14可以通过磁控溅射单质铜的方式沉积形成，单质铜受到水汽、氧气等环境因素影响会在表面形成至少部分氧化层，如此栅线排布区域12的外侧会具有氧化层，去除栅线排布区域12外侧的氧化层有利于在栅线排布区域12外侧形成栅线。其中，栅线可以指铜栅线，也可以指锡栅线。
在步骤S202中，在栅线排布区域12外侧形成栅线。可以在栅线排布区域12外侧电镀形成栅线，在去除栅线排布区域12外侧的氧化层后，再在栅线排布区域12外侧形成栅线，使得形成栅线的结合力更好。
参见图2和图4所示，在一些实施例中，对黄膜片11进行加工处理，在黄膜片11的外表面形成栅线排布区域12之前，太阳电池10的制备方法还包括步骤S301～S304。
在步骤S301中，对硅片15进行制绒清洗处理。其中，硅片15可以是N型单晶硅片。对硅片15进行制绒清洗处理可以去除硅片15表面的机械损伤层，且可以在硅片15的相对两侧外表面形成金字塔式绒面16，以增加光的折射次数。
在步骤S302中，在制绒清洗处理后的硅片15的相对两侧的外表面沉积非晶硅膜。其中，硅片15包括第一表面17和与第一表面17相对的第二表面18，可以在硅片15的第一表面17依次沉积本征非晶硅膜19和N型非晶硅膜20。可以在硅片15的第二表面18依次沉积本征非晶硅膜19和P型非晶硅膜21。
在步骤S303中，在N型非晶硅膜20和P型非晶硅膜21的外表面形成导电层22。可以采用PVD磁控溅射的方式在N型非晶硅膜20和P型非晶硅膜21的外表面沉积形成导电层22。其中，导电层22可以是ITO透明导电层。
在步骤S304中，在导电层22的外表面形成铜种子层14，以获得黄膜片11。可以采用PVD磁控溅射的方式在导电层的外表面沉积形成铜种子层14。其中，铜种子层14的厚度的范围可以是200nm至300nm之间。
参见图2和图5所示，在一些实施例中，黄膜片11包括第三表面23和与第三表面23相对的第四表面24，硅片15的第一表面17相对于第二表面18靠近第三表面23。硅片15的第二表面18相对于第一表面17靠近第四表面24。对黄膜片11进行加工处理，在黄膜片11的外表面形成栅线排布区域12，还包括步骤S401～S404。
在步骤S401中，将黄膜片11的棱角边及棱角位置利用包边胶进行包裹。如此可以防止黄膜片11的侧面电镀形成铜栅线13。其中，包边胶的宽度小于等于50um，包边胶的厚度的范围可以是10um至15um之间。
在步骤S402中，在黄膜片11的第三表面23和第四表面24涂布感光胶，将第三表面23和第四表面24完全覆盖，以形成感光胶层。其中，感光胶层的厚度可以是10um至15um之间。
在步骤S403中，根据预设的栅线图形，在感光胶层的表面通过激光打印以形成栅线排布图形。由于感光胶层在激光的作用下可以发生变性，如此将感光胶层区分为感光区域和未感光区域。其中，感光的区域可以溶解于显影液。
在步骤S404中，采用显影液将感光胶层的感光区域溶解去除，以在黄膜片11的外表面形成栅线排布区域12。感光区域溶解去除后，外表面形成氧化层的铜种子层14会露出，露出的部分会形成栅线排布区域12。如此可以形成图案确定的栅线排布区域12。
参见图2和图6所示，在一些实施例中，去除栅线排布区域12外侧的氧化层，包括步骤S501～S502。
在步骤S501中，将形成栅线排布区域12的黄膜片11放入电镀溶液中。
在步骤S502中，施加第一电流值并维持第二设定时间，以解离栅线排布区域12外侧的氧化层。由于镀栅线的过程中，电流密度较大时，阴极极化大，氧化层会在阴极极化的作用下发生解离作用，使得电镀离子可以与栅线排布区域12的铜种子层14接触而形成强有力的金属键，使得两者紧密连接。如此可以利用大电流冲击的方式，去除栅线排布区域12的外表面的氧化层。
在一些实施例中，在栅线排布区域12外侧形成栅线包括：在第一电流值的基础上，根据设定差值，将第一电流值降低至第二电流值，并维持第三设定时间，以在栅线排布区域12外侧形成栅线。可以施加相比于第一电流值更低的电流值，在低电流值的作用下，在栅线排布区域12外侧电镀形成栅线。
在一些实施例中，去除栅线排布区域12外侧的氧化层，包括：去除栅线排布区域12的外表面的氧化层。去除栅线排布区域12的外表面的氧化层有利于在栅线排布区域12的外表面形成铜栅线13。可以将形成栅线排布区域12的黄膜片放入硫酸铜溶液，施加第一电流值并维持第二设定时间，以解离栅线排布区域12的外表面的氧化层。其中，用于去除栅线排布区域12的外表面的氧化层的第一电流值可以为16A±1A。用于去除栅线排布区域12的外表面的氧化层的第二设定时间的范围可以为20s至25s之间。在本实施例中，将铜作为阳极，黄膜片11作为阴极，将铜和黄膜片11放入硫酸铜溶液中，向铜和黄膜片11施加16A的电流，并维持20s。由于镀铜栅线13的过程中的电流密度较大时，阴极极化大，氧化层会在阴极极化的作用下发生解离作用，使得铜离子可以与栅线排布区域12的铜种子层14接触而形成强有力的金属键，使得两者紧密连接。如此可以利用大电流冲击启镀铜的方式，去除栅线排布区域12的外表面的氧化层。
在所述栅线排布区域外侧形成栅线，包括：在栅线排布区域12的外表面形成铜栅线13。可以在栅线排布区域12的外表面电镀形成铜栅线13。在去除栅线排布区域12的外表面的氧化层后，再在栅线排布区域12的外表面形成铜栅线13，如此在栅线排布区域12的外表面形成铜栅线13的过程中，使得铜离子可以与栅线排布区域12去除氧化层后的铜种子层14相结合，两者之间可以形成强有力的金属键，使得形成的铜栅线13的结合力更好。在第一电流值的基础上，根据设定差值，将第一电流值降低至第二电流值，并维持第三设定时间，以在栅线排布区域12的外表面形成铜栅线13。可以施加相比于第一电流值更低的电流值，在低电流值的作用下，在栅线排布区域12的外表面电镀形成铜栅线13。其中，铜栅线13的厚度范围可以是8um至10um之间。其中，用于形成铜栅线13的设定差值可以是定值，设定差值可以是8A。第一电流值降低至第二电流值，其中，用于形成铜栅线13的第二电流值为8A±1A。降低至第二电流值后维持第三设定时间，用于形成铜栅线13的第三设定时间的范围可以为240s至260s之间。本实施例中，将铜作为阳极，黄膜片11作为阴极，可以将铜和黄膜片11放入硫酸铜溶液中，向铜和黄膜片11施加16A的电流，并维持20s，去除栅线排布区域12的外表面的氧化层。再将16A的电流降低至8A，并维持250s，以在栅线排布区域12的外表面电镀铜栅线13，以形成铜栅线13。
在一些实施例中，去除栅线排布区域12外侧的氧化层，还包括：去除铜栅线13的外表面的氧化层；由于铜栅线13的外表面受到水汽、氧气等影响会形成至少部分氧化层，如此铜栅线13的外表面会具有氧化层，去除铜栅线13的外表面的氧化层有利于在铜栅线13的外表面形成锡栅线25。可以将形成铜栅线13的黄膜片11放入甲基磺酸锡溶液中，施加第一电流值并维持第二设定时间，以解离铜栅线13的外表面的氧化层。其中，用于去除铜栅线13的外表面的氧化层的第一电流值可以为8A±1A。用于去除铜栅线13的外表面的氧化层的第二设定时间的范围可以为20s至25s之间。在本实施例中，将锡作为阳极，黄膜片11作为阴极，可以将锡和黄膜片11放入甲基磺酸锡溶液中，向锡和黄膜片11施加8A的电流，并维持20s。由于镀锡栅线25的过程中的电流密度较大时，阴极极化大，氧化层会在阴极极化的作用下发生解离作用，使得锡离子可以与铜栅线13的外表面接触而形成强有力的金属键，使得两者紧密连接。如此可以利用大电流冲击启镀锡的方式，去除铜栅线13的外表面的氧化层。
在所述栅线排布区域12外侧形成栅线，还包括：在去除氧化层后的铜栅线13的外表面形成锡栅线25。在铜栅线13的外表面形成锡栅线25。锡栅线25可以起到保护作用。可以在铜栅线13的外表面电镀形成锡栅线25。在去除铜栅线13的外表面的氧化层后，再在铜栅线13的外表面形成锡栅线25，如此在铜栅线13的外表面形成锡栅线25的过程中，使得锡离子可以与铜栅线13相结合，两者之间可以形成强有力的金属键，使得形成的锡栅线25的结合力更好。
在第一电流值的基础上，根据设定差值，将第一电流值降低至第二电流值，并维持第三设定时间，以在铜栅线13的外表面形成锡栅线25。可以施加相比于第一电流值更低的电流值，在低电流值的作用下，在铜栅线13的外表面形成锡栅线25。其中，锡栅线25的厚度范围可以是2um至4um之间。设定差值可以是定值，第二设定差值可以是4A。第一电流值降低至第二电流值，其中，用于形成锡栅线25的第二电流值可以为4A±1A。降低至第二电流值后维持第三设定时间，用于形成锡栅线25的第三设定时间的范围为70s至90s之间。在本实施例中，将锡作为阳极，黄膜片11作为阴极，可以将锡和黄膜片11放入甲基磺酸锡溶液中，向锡和黄膜片11施加8A的电流，并维持20s，去除铜栅线13的外表面的氧化层。再将8A的电流降低至4A，并维持80s，在铜栅线13的外表面电镀锡栅线25，以形成锡栅线25。
参见图2和图7所示，在一些实施例中，在铜栅线13的外表面形成锡栅线25之后，制备方法包括步骤S601～S603。
在步骤S601中，在碱性溶液中去除感光胶层和掩膜材料。其中，碱性溶液可以是NaOH、KOH等溶液。
在步骤S602中，在稀硫酸溶液中去除非栅线排布区域的铜种子层，以使导电层的外表面留下栅线排布区域12处的铜种子层、铜栅线和锡栅线。也即去膜回刻的步骤。
在步骤S603中，进行光注入处理，以获得太阳电池。光注入的温度的范围可以是200℃至220℃之间，光注入维持的时间的范围为60s至120s之间。获得太阳电池后，可以进行太阳电池的栅线的结合力测试，本申请的太阳电池的制备方法获得的太阳电池，其在栅线结合力测试的过程中，栅线可以承受的拉力的范围为大于2N。
本申请提供一种太阳电池，其中，太阳电池根据上述任一实施例所述的太阳电池的制备方法获得。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的申请后，将容易想到本申请的其它实施方案。本申请旨在涵盖本申请的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本申请的一般性原理并包括本申请未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本申请的真正范围和精神由下面的权利要求指出。
应当理解的是，本申请并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本申请的范围仅由所附的权利要求来限制。
Claims (10)
1.一种太阳电池的制备方法，所述太阳电池包括完成铜种子层沉积后形成的黄膜片；其特征在于，所述太阳电池的制备方法包括：
对所述黄膜片进行加工处理，在所述黄膜片的外表面形成栅线排布区域；
将形成所述栅线排布区域后的所述黄膜片放入弱碱性溶液中进行除油处理，以使所述黄膜片形成亲水性表面。
2.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述将形成所述栅线排布区域后的所述黄膜片放入弱碱性溶液中进行除油处理，包括：
在设定温度下，将形成所述栅线排布区域后的所述黄膜片放入弱碱性溶液中，以第一设定时间对所述黄膜片进行除油处理；
其中，所述设定温度的范围为30℃至40℃之间；和/或
所述第一设定时间的范围为30s至60s之间；和/或
所述弱碱性溶液为碳酸氢钠溶液；和/或
所述弱碱性溶液的浓度的范围为5％至10％之间。
3.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述将形成所述栅线排布区域后的所述黄膜片放入弱碱性溶液中进行除油处理，以使所述黄膜片形成亲水性表面之后，所述制备方法还包括：
去除所述栅线排布区域外侧的氧化层；
在所述栅线排布区域外侧形成栅线。
4.根据权利要求3所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述去除所述栅线排布区域外侧的氧化层，包括：
将形成所述栅线排布区域的所述黄膜片放入电镀溶液中；
施加第一电流值并维持第二设定时间，以解离所述栅线排布区域外侧的氧化层。
5.根据权利要求4所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述在所述栅线排布区域外侧形成栅线，包括：
在所述第一电流值的基础上，根据设定差值，将所述第一电流值降低至第二电流值，并维持第三设定时间，以在所述栅线排布区域外侧形成栅线。
6.根据权利要求5所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述去除所述栅线排布区域外侧的氧化层，包括：去除所述栅线排布区域的外表面的氧化层；
在所述栅线排布区域外侧形成栅线，包括：在所述栅线排布区域的外表面形成铜栅线。
7.根据权利要求6所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，用于去除所述栅线排布区域的外表面的氧化层的所述第一电流值为16A±1A；和/或
用于形成所述铜栅线的所述第二电流值为8A±1A；和/或
用于去除所述栅线排布区域的外表面的氧化层的所述第二设定时间的范围为20s至25s之间；和/或
用于形成所述铜栅线的所述第三设定时间的范围为240s至260s之间。
8.根据权利要求6所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述去除所述栅线排布区域外侧的氧化层，还包括：去除所述铜栅线的外表面的氧化层；
所述在所述栅线排布区域外侧形成栅线，还包括：在去除氧化层后的所述铜栅线的外表面形成锡栅线。
9.根据权利要求8所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，用于去除所述铜栅线的外表面的氧化层的所述第一电流值为8A±1A；和/或
用于形成所述锡栅线的所述第二电流值为4A±1A；和/或
用于去除所述铜栅线的外表面的氧化层的所述第二设定时间的范围为20s至25s之间；和/或
用于形成所述锡栅线的所述第三设定时间的范围为70s至90s之间。
10.一种太阳电池，其特征在于，根据权利要求1-9任一项所述的太阳电池的制备方法获得。
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