CN109427917A - 一种异质结太阳能电池电极制作方法 - Google Patents
一种异质结太阳能电池电极制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109427917A CN109427917A CN201710760401.0A CN201710760401A CN109427917A CN 109427917 A CN109427917 A CN 109427917A CN 201710760401 A CN201710760401 A CN 201710760401A CN 109427917 A CN109427917 A CN 109427917A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silicon wafer
- copper
- grid line
- sacrificial layer
- solar battery
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 68
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 63
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 63
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 48
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 48
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 48
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 32
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 75
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 9
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 9
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 claims description 8
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 8
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 8
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 8
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 claims description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 7
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 5
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 4
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims description 4
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims description 4
- 229910003322 NiCu Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 2
- 238000012800 visualization Methods 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
- H01L31/0745—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells
- H01L31/0747—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells comprising a heterojunction of crystalline and amorphous materials, e.g. heterojunction with intrinsic thin layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种异质结太阳能电池电极制作方法，所述方法包括如下步骤：提供正、背面已沉积铜种子层的硅片；在硅片正、背面沉积一层牺牲层；在硅片正、背面的牺牲层上分别印刷有栅线图案的耐电镀油墨并固化；通过酸性溶液预处理，去除硅片正、背面的栅线图案区域的牺牲层；在硅片正、背面的栅线图案上电镀铜，形成铜栅线电极；通过碱性溶液，去除硅片正、背面的耐电镀油墨及牺牲层；通过金属蚀刻溶液，去除硅片正、背面的铜栅线区域外的铜种子层。本发明通过印刷价格低廉的耐电镀油墨替代成本昂贵的干膜，大幅降低了生产成本，印刷、紫外或热烘烤固化设备成熟度高，非常适合于大规模自动化生产。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种异质结太阳能电池电极制作方法。
背景技术
太阳能电池是一种能将太阳能转换成电能的半导体器件，在光照条件下太阳能电池内部会产生光生电流，通过电极将电能输出。近年来，太阳能电池生产技术不断进步，生产成本不断降低，转换效率不断提高，太阳能电池发电的应用日益广泛并成为电力供应的重要能源。
硅基异质结电池片是目前高效太阳能电池片研发的方向之一。硅基异质结电池片的衬底一般以N-型单晶硅片为主，一面通过与非晶硅薄膜形成P-N结作为发射极，另一面用以相同方法沉积的同类型的非晶硅层作为背接触。当非晶硅薄膜在硅片正反两边依次形成之后，采用PVD溅射的方法在正反两边依次沉积一层透明导电膜层及种子铜层，在硅片两边贴上干膜，通过曝光、显影在干膜上形成栅线图案，之后通过电镀法在栅线图案区域形成铜金属栅线。
然而干膜成本很高，且贴膜、曝光后需要将干膜表面的保护膜撕掉，之后进行显影才能在硅片表面形成栅线图案，其中曝光一般需要采用平行光源，同时需要在真空环境下进行曝光，使得曝光设备成本很高，除此之外，硅片贴膜到显影之间的设备自动化成熟度较低，不适合于大规模自动化生产，因此，急需寻找一种成本更低、更适合于自动化生产的制作方法。
发明内容
针对上述问题，本发明提供了一种异质结太阳能电池电极制作方法，其制备的太阳能器件成本低廉，更加适合于大规模自动化生产。。
为解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案是：一种异质结太阳能电池电极制作方法，所述方法包括如下步骤：
提供正、背面已沉积铜种子层的硅片；
在硅片正、背面沉积一层牺牲层；
在硅片正、背面的牺牲层上分别印刷有栅线图案的耐电镀油墨并固化；
通过酸性溶液预处理，去除硅片正、背面的栅线图案区域的牺牲层；
在硅片正、背面的栅线图案上电镀铜，形成铜栅线电极；
通过碱性溶液，去除硅片正、背面的耐电镀油墨及牺牲层；
通过金属蚀刻溶液，去除硅片正、背面的铜栅线区域外的铜种子层。
进一步的，所述铜种子层为Cu、TiN、NiCu中的至少一种，厚度为5-300nm，所述铜种子层通过PVD溅射沉积。
进一步的，所述牺牲层为两性金属或两性金属氧化物，所述两性金属或两性金属氧化物为Zn、Al、ZnO或AZO，厚度为5-100nm，所述牺牲层通过PVD溅射沉积。
进一步的，所述耐电镀油墨印刷厚度为10～40um，粘度为200±100Pa.s，细度≤10μm。
进一步的，所述耐电镀油墨印刷后固化采用紫外固化、热烘烤固化中的一种，紫外固化对应的波长为190～400nm，紫外能量为500-2000mj/cm2，热烘烤固化温度范围为50～150℃，烘烤时间为5～60分钟。
进一步的，所述栅线图案为多主栅栅线图案。
进一步的，所述预处理方式为浸泡、喷淋、超声波、鼓泡中的至少一种，预处理时间为10-300S。
进一步的，所述铜栅线包含铜栅线层和铜栅线保护层，所述铜栅线保护层为锡层，所述铜栅线宽度为10-150um，厚度为5-50um。
进一步的，所述去除耐电镀油墨及牺牲层方式为浸泡、喷淋、超声波、鼓泡中的至少一种，去除处理时间为30-300S。
进一步的，所述酸性溶液为H2SO4、HCL、HNO3、HF、磷酸、醋酸中的至少一种，所述碱性溶液为NAOH、KOH溶液中的至少一种，所述金属蚀刻液为碱性蚀刻或酸性蚀刻液。
由上述对本发明结构的描述可知，和现有技术相比，本发明具有如下优点：
本发明通过印刷价格低廉的耐电镀油墨替代成本昂贵的干膜，大幅降低了生产成本，同时印刷的过程直接形成栅线图案，印刷后只需要用紫外或热烘烤固化完成即可进行电镀，与采用干膜贴膜、曝光、显影方式对比，印刷、紫外或热烘烤固化设备成熟度高，非常适合于大规模自动化生产。
附图说明
构成本申请的一部分的附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1为本发明一种异质结太阳能电池电极制作方法的流程图；
图2为本发明正、背面已沉积铜种子层的硅片的结构示意图；
图3为本发明硅片的正、背面沉积一层牺牲层的结构示意图；
图4为本发明硅片正、背面的牺牲层上印刷有栅线图案的耐电镀油墨结构示意图；
图5为本发明印刷有栅线图案的耐电镀油墨表面结构示意图；
图6为本发明通过酸性溶液预处理，去除硅片正、背面的栅线图案区域的牺牲层的结构示意图；
图7为本发明在硅片正、背面的栅线图案上电镀铜，形成铜栅线电极的结构示意图；
图8为本发明通过碱性溶液，去除硅片正、背面的的耐电镀油墨及牺牲层的结构示意图；
图9为本发明通过金属蚀刻溶液，去除硅片正、背面的铜栅线区域外的铜种子层的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
一种异质结太阳能电池电极制作方法，所述方法包括如下步骤：
S101、提供正、背面已沉积铜种子层的硅片，所述铜种子层为Cu、TiN、NiCu中的至少一种，厚度为5-300nm，所述铜种子层通过PVD溅射沉积；
S102、在硅片正、背面沉积一层牺牲层，所述牺牲层为两性金属或两性金属氧化物，所述两性金属或两性金属氧化物为Zn、Al、ZnO或AZO，厚度为5-100nm，所述牺牲层通过PVD溅射沉积；
S103、在硅片正、背面的牺牲层上分别印刷有栅线图案的耐电镀油墨并固化，所述耐电镀油墨印刷厚度为10～40um，粘度为200±100Pa.s，细度≤10μm，所述耐电镀油墨印刷后固化采用紫外固化、热烘烤固化中的一种，紫外固化对应的波长为190～400nm，紫外能量为500-2000mj/cm2，热烘烤固化温度范围为50～150℃，烘烤时间为5～60分钟；
S104、通过酸性溶液预处理，去除硅片正、背面的栅线图案区域的牺牲层，所述酸性溶液为H2SO4、HCL、HNO3、HF、磷酸、醋酸中的至少一种，所述预处理方式为浸泡、喷淋、超声波、鼓泡中的至少一种，预处理时间为10-300S，所述栅线图案为多主栅栅线图案；
S105、在硅片正、背面的栅线图案上电镀铜，形成铜栅线电极，所述铜栅线包含铜栅线层和铜栅线保护层，所述铜栅线保护层为锡层，所述铜栅线宽度为10-150um，厚度为5-50um；
S106、通过碱性溶液，去除硅片正、背面的耐电镀油墨及牺牲层，所述碱性溶液为NAOH、KOH溶液中的至少一种，所述去除耐电镀油墨及牺牲层方式为浸泡、喷淋、超声波、鼓泡中的至少一种，去除处理时间为30-300S；
S107、通过金属蚀刻溶液，去除硅片正、背面的铜栅线区域外的铜种子层，所述金属蚀刻液为碱性蚀刻或酸性蚀刻液，所述去除耐电镀油墨及牺牲层方式为浸泡、喷淋、超声波、鼓泡中的至少一种，去除处理时间为30-300S。
本发明通过印刷价格低廉的耐电镀油墨替代成本昂贵的干膜，大幅降低了生产成本，同时印刷的过程直接形成栅线图案，印刷后只需要用紫外或热烘烤固化完成即可进行电镀，与采用干膜贴膜、曝光、显影方式对比，印刷、紫外或热烘烤固化设备成熟度高，非常适合于大规模自动化生产。
实施例1
如图2所示，提供正、背面已沉积铜种子层2的硅片1，所述铜种子层2为Cu层，铜种子层2厚度为100nm；如图3所示，在硅片1的正、背面沉积一层牺牲层3，所述牺牲层3为ZnO，所述牺牲层3厚度为10nm，所述铜种子层2与牺牲层3通过PVD溅射沉积；如图4、图5所示，在硅片1正、背面的牺牲层3上分别印刷有栅线图案51的耐电镀油墨4并固化，所述耐电镀油墨4印刷厚度为10～40um，粘度为200±100Pa.s，细度≤10μm，所述耐电镀油墨4印刷后采用紫外固化，所述紫外固化对应的波长为190～400nm，紫外能量为500-2000mj/cm2，所述栅线图案51为多主栅栅线图案；如图6所示，通过酸性溶液预处理，去除硅片1正、背面的栅线图案51区域的牺牲层3，所述酸性溶液为H2SO4，所述预处理方式为浸泡、喷淋、超声波、鼓泡中的至少一种，预处理时间为30S；如图7所示，在硅片1正、背面的栅线图案52上电镀铜，形成铜栅线电极6，所述铜栅线6包含铜栅线层和铜栅线保护层，所述铜栅线保护层为锡层，所述铜栅线6宽度为50um，厚度为20um；如图8所示，通过碱性溶液，去除硅片正、背面的耐电镀油墨4及牺牲层3,所述碱性溶液为NAOH，所述耐电镀油墨4及牺牲层3去除方式为浸泡，去除处理时间为300S；如图9所示，通过金属蚀刻溶液，去除硅片1正、背面的铜栅线6区域外的铜种子层2，所述金属蚀刻液可以为碱性蚀刻液。
实施例2
与实施例1不同的是，本实施例中所述铜种子层2为Cu与TiN组成的复合薄膜层，铜种子层2厚度为200nm。所述牺牲层3为Zn，所述牺牲层3厚度为50nm。所述耐电镀油墨4印刷后采用热烘烤固化，所述热烘烤固化温度范围为100℃，烘烤时间为10分钟。所述酸性溶液为HNO3，所述预处理方式为浸泡、喷淋、超声波、鼓泡中的至少一种，预处理时间为300S。所述铜栅线6宽度为100um，厚度为10um。所述碱性溶液为KOH溶液，所述耐电镀油墨4及牺牲层3去除方式超声波去除，去除处理时间为100S。如图9所示，通过金属蚀刻溶液，所述金属蚀刻液可以为酸性蚀刻液。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种异质结太阳能电池电极制作方法，其特征在于：所述方法包括如下步骤：
提供正、背面已沉积铜种子层的硅片；
在硅片正、背面沉积一层牺牲层；
在硅片正、背面的牺牲层上分别印刷有栅线图案的耐电镀油墨并固化；
通过酸性溶液预处理，去除硅片正、背面的栅线图案区域的牺牲层；
在硅片正、背面的栅线图案上电镀铜，形成铜栅线电极；
通过碱性溶液，去除硅片正、背面的耐电镀油墨及牺牲层；
通过金属蚀刻溶液，去除硅片正、背面的铜栅线区域外的铜种子层。
2.根据权利要求1所述一种异质结太阳能电池电极制作方法，其特征在于：所述铜种子层为Cu、TiN、NiCu中的至少一种，厚度为5-300nm，所述铜种子层通过PVD溅射沉积。
3.根据权利要求1所述一种异质结太阳能电池电极制作方法，其特征在于：所述牺牲层为两性金属或两性金属氧化物，所述两性金属或两性金属氧化物为Zn、Al、ZnO或AZO，厚度为5-100nm，所述牺牲层通过PVD溅射沉积。
4.根据权利要求1所述一种异质结太阳能电池电极制作方法，其特征在于：所述耐电镀油墨印刷厚度为10～40um，粘度为200±100Pa.s，细度≤10μm。
5.根据权利要求1所述一种异质结太阳能电池电极制作方法，其特征在于：所述耐电镀油墨印刷后固化采用紫外固化、热烘烤固化中的一种，紫外固化对应的波长为190～400nm，紫外能量为500-2000mj/cm2，热烘烤固化温度范围为50～150℃，烘烤时间为5～60分钟。
6.根据权利要求1所述一种异质结太阳能电池电极制作方法，其特征在于：所述栅线图案为多主栅栅线图案。
7.根据权利要求1所述一种异质结太阳能电池电极制作方法，其特征在于：所述预处理方式为浸泡、喷淋、超声波、鼓泡中的至少一种，预处理时间为10-300S。
8.根据权利要求1所述一种异质结太阳能电池电极制作方法，其特征在于：所述铜栅线包含铜栅线层和铜栅线保护层，所述铜栅线保护层为锡层，所述铜栅线宽度为10-150um，厚度为5-50um。
9.根据权利要求1所述一种异质结太阳能电池电极制作方法，其特征在于：所述去除耐电镀油墨及牺牲层方式为浸泡、喷淋、超声波、鼓泡中的至少一种，去除处理时间为30-300S。
10.根据权利要求1所述一种异质结太阳能电池电极制作方法，其特征在于：所述酸性溶液为H2SO4、HCL、HNO3、HF、磷酸、醋酸中的至少一种，所述碱性溶液为NAOH、KOH溶液中的至少一种，所述金属蚀刻液为碱性蚀刻或酸性蚀刻液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710760401.0A CN109427917A (zh) | 2017-08-30 | 2017-08-30 | 一种异质结太阳能电池电极制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710760401.0A CN109427917A (zh) | 2017-08-30 | 2017-08-30 | 一种异质结太阳能电池电极制作方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109427917A true CN109427917A (zh) | 2019-03-05 |
Family
ID=65502125
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710760401.0A Pending CN109427917A (zh) | 2017-08-30 | 2017-08-30 | 一种异质结太阳能电池电极制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109427917A (zh) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110034208A (zh) * | 2018-01-11 | 2019-07-19 | 福建金石能源有限公司 | 一种背接触异质结太阳能电池制作方法 |
| CN113943955A (zh) * | 2021-11-26 | 2022-01-18 | 苏州昶明微电子科技合伙企业(有限合伙) | 一种铜电镀设备及方法 |
| CN115161641A (zh) * | 2022-07-08 | 2022-10-11 | 苏州迈为科技股份有限公司 | 蚀刻液添加剂、蚀刻液及其应用、蚀刻工艺 |
| TWI807907B (zh) * | 2022-07-07 | 2023-07-01 | 國立雲林科技大學 | 電鍍銅析鍍於鋁摻雜氧化鋅電極的方法 |
| WO2024060937A1 (zh) * | 2022-09-23 | 2024-03-28 | 通威太阳能（成都）有限公司 | 太阳电池及其制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103107212A (zh) * | 2013-02-01 | 2013-05-15 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 具有电镀电极的异质结太阳电池及制备方法 |
| CN104538496A (zh) * | 2014-12-26 | 2015-04-22 | 新奥光伏能源有限公司 | 一种高效硅异质结太阳能电池电镀电极制备方法 |
| CN104538495A (zh) * | 2014-12-25 | 2015-04-22 | 新奥光伏能源有限公司 | 一种具有电镀电极的硅异质结太阳能电池及其制作方法 |
| CN104810428A (zh) * | 2014-01-25 | 2015-07-29 | 泉州市博泰半导体科技有限公司 | 一种用于制作硅基异质结电池片时结合层的处理方法 |
-
2017
- 2017-08-30 CN CN201710760401.0A patent/CN109427917A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103107212A (zh) * | 2013-02-01 | 2013-05-15 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 具有电镀电极的异质结太阳电池及制备方法 |
| CN104810428A (zh) * | 2014-01-25 | 2015-07-29 | 泉州市博泰半导体科技有限公司 | 一种用于制作硅基异质结电池片时结合层的处理方法 |
| CN104538495A (zh) * | 2014-12-25 | 2015-04-22 | 新奥光伏能源有限公司 | 一种具有电镀电极的硅异质结太阳能电池及其制作方法 |
| CN104538496A (zh) * | 2014-12-26 | 2015-04-22 | 新奥光伏能源有限公司 | 一种高效硅异质结太阳能电池电镀电极制备方法 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110034208A (zh) * | 2018-01-11 | 2019-07-19 | 福建金石能源有限公司 | 一种背接触异质结太阳能电池制作方法 |
| CN113943955A (zh) * | 2021-11-26 | 2022-01-18 | 苏州昶明微电子科技合伙企业(有限合伙) | 一种铜电镀设备及方法 |
| CN113943955B (zh) * | 2021-11-26 | 2023-01-03 | 苏州昶明微电子科技合伙企业(有限合伙) | 一种铜电镀设备及方法 |
| TWI807907B (zh) * | 2022-07-07 | 2023-07-01 | 國立雲林科技大學 | 電鍍銅析鍍於鋁摻雜氧化鋅電極的方法 |
| CN115161641A (zh) * | 2022-07-08 | 2022-10-11 | 苏州迈为科技股份有限公司 | 蚀刻液添加剂、蚀刻液及其应用、蚀刻工艺 |
| CN115161641B (zh) * | 2022-07-08 | 2024-06-11 | 苏州迈为科技股份有限公司 | 蚀刻液添加剂、蚀刻液及其应用、蚀刻工艺 |
| WO2024060937A1 (zh) * | 2022-09-23 | 2024-03-28 | 通威太阳能（成都）有限公司 | 太阳电池及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN109427917A (zh) | 一种异质结太阳能电池电极制作方法 | |
| TWI614912B (zh) | 太陽能電池金屬化之強化化學鍍導電性之方法 | |
| TW201234621A (en) | Edge isolation by lift-off | |
| CN109148615A (zh) | 一种异质结太阳能电池电极的制作方法 | |
| EP3281232B1 (en) | A material structure for a solar cell, a solar cell and a method for manufacturing a material structure | |
| CN108352417B (zh) | 晶体硅系太阳能电池的制造方法和晶体硅系太阳能电池模块的制造方法 | |
| CN103726088A (zh) | 一种改进的晶硅太阳能电池铜电镀方法 | |
| CN102779905B (zh) | 一种太阳能电池电极的制备方法 | |
| CN106816481A (zh) | 一种异质结太阳能电池的制备方法 | |
| CN113140644A (zh) | 一种单面或双面太阳能电池图形化掩膜和太阳能电池的制备方法 | |
| CN209199951U (zh) | 一种异质结mwt双面太阳能电池片 | |
| CN101969082B (zh) | 一种两次丝网印刷与刻槽结合的太阳能电池制造工艺 | |
| CN102185030A (zh) | 基于n型硅片的背接触式hit太阳能电池制备方法 | |
| CN103081123A (zh) | 用于太阳能发电的装置及其制造方法 | |
| US9761752B2 (en) | Solar cell, solar cell module, method for manufacturing solar cell, and method for manufacturing solar cell module | |
| CN105304730A (zh) | 一种具有背钝化膜的mwt电池及其制备方法 | |
| KR101091379B1 (ko) | 태양전지 및 이의 제조방법 | |
| CN113380950A (zh) | 一种背接触钙钛矿太阳能电池及其制备方法 | |
| CN104681665A (zh) | 一种新型背钝化太阳能电池的制备方法 | |
| WO2023124614A1 (zh) | 一种太阳能电池金属电极及其制备方法与太阳能电池 | |
| CN116995136A (zh) | 一种全版集电单面或双面电池片侧边平整的方法和电池片 | |
| CN204361116U (zh) | 一种制备hit太阳能电池栅线电极的电镀装置 | |
| KR20100003049A (ko) | 집적형 박막 태양전지 및 그 제조 방법 | |
| JP2016195188A (ja) | 太陽電池の製造方法および太陽電池モジュールの製造方法 | |
| CN102185031B (zh) | 基于p型硅片的背接触式hit太阳能电池制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20190305 |
|
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |