TWI614912B - 太陽能電池金屬化之強化化學鍍導電性之方法 - Google Patents
太陽能電池金屬化之強化化學鍍導電性之方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI614912B TWI614912B TW102145344A TW102145344A TWI614912B TW I614912 B TWI614912 B TW I614912B TW 102145344 A TW102145344 A TW 102145344A TW 102145344 A TW102145344 A TW 102145344A TW I614912 B TWI614912 B TW I614912B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- metal layer
- solar cell
- metal
- aluminum
- depositing
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 180
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 title description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 360
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 360
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 85
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 71
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 54
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 100
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 100
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 56
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical group [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 56
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims description 37
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 22
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 21
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 18
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 17
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 17
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 16
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 16
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 16
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 10
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Se].[Se].[In] Chemical compound [Cu].[Se].[Se].[In] KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 8
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims description 6
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 5
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims description 5
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 5
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 claims description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 49
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 34
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 19
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 18
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 11
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 10
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 7
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 5
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 5
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 230000012010 growth Effects 0.000 description 4
- 239000004816 latex Substances 0.000 description 4
- 229920000126 latex Polymers 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 3
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- HVMJUDPAXRRVQO-UHFFFAOYSA-N copper indium Chemical compound [Cu].[In] HVMJUDPAXRRVQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 238000011416 infrared curing Methods 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000003847 radiation curing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000005844 autocatalytic reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- -1 gold may be used Chemical compound 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
- H01L31/0682—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells back-junction, i.e. rearside emitter, solar cells, e.g. interdigitated base-emitter regions back-junction cells
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1646—Characteristics of the product obtained
- C23C18/165—Multilayered product
- C23C18/1653—Two or more layers with at least one layer obtained by electroless plating and one layer obtained by electroplating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/10—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
- C25D7/12—Semiconductors
- C25D7/123—Semiconductors first coated with a seed layer or a conductive layer
- C25D7/126—Semiconductors first coated with a seed layer or a conductive layer for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type
- H01L31/0745—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic System
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
本發明揭露用於形成太陽能電池之接觸區之方法。方法包含沉積由第一金屬組成之糊劑於太陽能電池之基板上、固化糊劑以形成第一金屬層、化學鍍第二金屬層於第一金屬層上並電解鍍第三金屬層於第二金屬層上,此處第二金屬層電性連結第一金屬層於第三金屬層。此方法能進一步包含電解鍍第四金屬層於第三金屬層上。
Description
相關申請案之交互參照
本申請案主張於2012年12月10所提出之美國臨時申請案第61/956,175號與2013年3月15日所提出之美國臨時申請案第61/794,499號之權益,其全部內容係於此併入以作為參考。
於文中所描述之主體之實施例大致上係相關於太陽能電池。更具體地,主體之實施例係相關於太陽能電池結構與製造製程。
太陽能電池為用於轉換太陽輻射為電能之眾所週知的裝置。其能使用半導體製程技術製造於半導體晶圓上。太陽能電池包含P型與N型擴散區。衝擊太陽能電池之太陽能輻射產生遷移至擴散區之電子與電洞,藉此產生電壓差於擴散區間。在背接觸式太陽能電池中,擴散區與結合於其之金屬接觸指位於太陽能電池之背側上。接觸指允許外在電路結合太陽能電池並藉由太陽能電池供電。
當其為標準太陽能電池製造製程之本質部分時,用於改良接觸形成與於製造時電鍍金屬於太陽能電池之技術是相當有益的。此類改良技術可減少製造操作並改良整體輸出產量,降低整體太陽能電池製造時間並因為較少之處理而提升可得產量。
根據本發明之一態樣,提出一種用於形成太陽能電池接觸區之方法,太陽能電池具有於正常運作時面向太陽之前側,以及相對於前側之背側,該方法包含:沉積包含第一金屬之糊劑於太陽能電池之基板上;固化糊劑以形成第一金屬層;化學鍍第二金屬層於第一金屬層上;以及電解鍍第三金屬層於第二金屬層上,其中第二金屬層電性連結第一金屬層於第三金屬層。
根據本發明之另一態樣,提出一種用於形成太陽能電池接觸區之方法,太陽能電池具有於正常運作時面向太陽之前側,以及相對於前側之背側,該方法包含:以交指(interdigitated)圖案沉積鋁糊劑於太陽能電池之基板上;固化鋁糊劑以形成鋁層;化學鍍具有至少0.1微米之厚度之第二金屬層於鋁層上;電解鍍第三金屬層於第二金屬層上,其中第二金屬層電性連結鋁層於第三金屬層;以及電解鍍第四金屬層於第三金屬層上。
根據本發明之再一態樣,提出一種用於形成太陽能電池接觸區之方法,太陽能電池具有於正常運作時面向太陽之前側,以及相對於前側之背側,該方法包含:以交指圖案沉積具有至少0.5微米之厚度之鋁糊劑於太陽能電池之基板上;熱固化該鋁糊劑以形成鋁層;化學鍍包含具有至少0.1微米之厚度之屏障金屬之第二金屬層於鋁層上,其中屏障金屬適用於避免金屬進入基板之擴散;電解鍍第三金屬層於第二金屬層上,其中第二金屬層電性連結鋁層於第三金屬層;以及電解鍍第四金屬層於第三金屬層上。
100、300、400、500、700...太陽能電池
102、302、402、502、602、702...背側
104、304、404、504...前側
110、310、410...基板
112、312、412...第一摻雜區
114、314、414...第二雜區
120、420...抗反射層
122、422...背部抗反射層
124、324、424、524...紋理表面
126...接觸區
130、336、436、536、736...第一金屬層
140、340、440...固化
142、144、342、344...抗蝕刻劑
160、350、450、550、750...第二金屬層
320、420、520...第一介電質層
322、422、522...第二介電質層
326、526...接觸孔洞
330、430、630...第一金屬
332、432、632...黏結基質
334、434...第二態
360、460、560、760...第三金屬層
362、462、562...第四金屬層
510...矽基板
512...第一摻雜多晶矽區
514...第二摻雜多晶矽區
516...第三介電質層
528...溝道區
670...網版印刷器
672...刮漿板
674...網版
676...乳膠
678...框架
680...噴墨印刷器
682...印刷頭
684...印刷噴嘴
752...化學鍍介質
764...電解鍍介質
770...化學鍍設置
772、782...電鍍槽
774、784...懸吊架
776、786...固定物
780...電解鍍設置
790...陽極
792...互連器
801、811、821、831、841、851、861、871...第一操作
802、812、822、832、842、852、862、872...第二操作
803、813、823、833、843、853、863、873...第三操作
804、814、824、834、844、854、864、874...第四操作
805、825、835、845、855、865、875...第五操作
806...第六操作
807...第七操作
808、815、826、836、846、856、866、876...最後操作
當與隨後圖示結合考量時,主體之更完整了解可藉由參閱實施方式及發明申請專利範圍而導出,其中於圖式各處類似之參考符號表示相似之元件。
第1圖至第6圖係為根據標準太陽能電池製造製程之太陽能電池之剖面表示圖;
第7圖至第10圖係為隨單一或多個金屬接觸指之用於導電性模型之圖表表示圖;
第11圖至第18圖係為根據用於形成太陽能電池之接觸區之方法所製造之太陽能電池之剖面表示圖;
第19圖至第23圖係為根據用於形成太陽能電池之接觸區之另一個方法所製造之太陽能電池之剖面表示圖;
第24圖及第25圖係為根據用於形成太陽能電池之接觸區之又一個方法所製造之太陽能電池之剖面表示圖;
第26圖及第27圖係為根據用於形成太陽能電池之接觸區之方法所製造之太陽能電池之剖面表示圖;
第28圖及第29圖係為根據用於形成太陽能電池之接觸區之另一個方法所製造之太陽能電池之剖面表示圖;
第30圖至第37圖係為根據用於形成太陽能電池之接觸區之方法之用於形成太陽能電池之接觸區之方法之流程圖。
以下詳述之實施方式本質上僅為說明性的且不意圖限制主體之實施例或此實施例之應用及使用。如文中所使用的,詞彙「例示性(exemplary)」意味著「作為例子、範例或說明」。任何文中所述作為例示性的實施方式不必然地被詮釋為相比於其他實施方式為較佳的或是有優勢的。更進一步,不意圖為之前的技術領域、先前技術、發明內容或之後的實施方式中之任何所明示的或所暗示的理論限制。
此外,說明例如特定製程流程操作之大量特定細節以提供方法及其實施例之完整了解。對此領域中具有通常知識者而言為明顯的是此方法及其實施例可無需此特定細節地實行。在其他例子中,不詳細描述眾所周知之製造技術,如微影術、蝕刻及電鍍技術,以不會不必要地模糊此方法及其實施例。更進一步,其會被了解的是圖式中所示之各種實施例為說明性的表示且不必然地照比例繪製。
揭露用於形成太陽能電池之接觸區之方法。此方法包含提供具有於正常運作時配置為面向太陽之前側,以及相對於前側之背側之太陽能電池。此方法也包含沉積由第一金屬組成之糊劑於太陽能電池之基板上;固化糊劑以形成第一金屬層;化學鍍第二金屬層於第一金屬層上以及電解鍍第三金屬層於第二金屬層上,此處第二金屬層電性結合第一金屬層於第三金屬層。在實施例中,沉積糊劑於基板上包含沉積糊劑於基板上之多晶矽區上。在另一個實施例中,沉積糊劑包含沉積鋁糊劑。在再一個實施例中,沉積鋁糊劑包含沉積具有至少0.5微米之厚度之鋁糊劑。在又一個實施例中,第二金屬層包含適用於避免來自第三金屬層之金屬進入基板之擴散之屏障金屬。在另一個實施例中,化學鍍第二金屬層包含化學鍍例如,但不限於,鎳、金、銀、銠、鉻、鋅、錫或鎘之金屬。在再一個實施例中,化學鍍第二金屬層包含化學鍍具有至少0.1微米之厚度之金屬層。在又一個實施例中,電解鍍第三金屬層包含電解鍍例如,但不限於,銅、錫、鋁、銀、金、鉻、鐵、鎳、鋅、釕、鈀及鉑之金屬。
揭露用於形成太陽能電池接觸區之另一個方法。此方法包含提供具有於正常運作時配置為面向太陽之前側,以及相對於前側之背側之太陽能電池。此方法也包含沉積由第一金屬組成之糊劑於太陽能電池之基板上;固化糊劑以形成第一金屬層;化學鍍第二金屬層於第一金屬層上以及電解鍍第三金屬層於第二金屬層上,此處第二金屬層電性上結合第一金屬層於第三金屬層。在實施例中,此方法進一步包含電解鍍第四金屬層於第三金屬層上。在另一個實施例中,電解鍍第四金屬層包含包含電解鍍例如,但不限於,銅、錫、鋁、銀、金、鉻、鐵、鎳、鋅、釕、鈀及鉑之金屬。
揭露用於形成太陽能電池接觸區之又一方法。此方法包含提供具有於正常運作時配置為面向太陽之前側,以及相對於前側之背側之太陽能電池。此方法也包含以交指(interdigitated)圖案沉積鋁糊劑於太陽能電池之基板上;固化鋁糊劑以形成鋁層;化學鍍具有至少0.1微米之厚度之第二金屬層於鋁層上;電解鍍第三金屬層於第二金屬層上,此處第二金屬層電性連結鋁層於第三金屬層;以及電解鍍第四金屬層於第三金屬層上。在實施例中,沉積鋁糊劑包含沉積具有至少0.5微米之厚度之鋁糊劑。在另一個實施例中,第二金屬層包含適用於避免來自第三金屬層之金屬進入基板之擴散之屏障金屬。在再一個實施例中,沉積鋁糊劑於基板上包含沉積鋁糊劑於基板上之多晶矽區上。在又一實施例中,沉積鋁糊劑包含使用例如,但不限於,網版印刷、旋塗或噴墨印刷之方法之沉積。在實施例中,電解鍍第三及第四金屬層包含電解鍍例如,但不限於,銅、錫、鋁、銀、金、鉻、鐵、鎳、鋅、釕、鈀或鉑之金屬。
揭露用於形成太陽能電池接觸區之方法。此方法包含提供提供具有於正常運作時配置為面向太陽之前側,以及相對於前側之背側之太陽能電池。此方法也包含以交指圖案沉積具有至少0.5微米之厚度之鋁糊劑於太陽能電池之基板上;熱固化鋁糊劑以形成鋁層以及化學鍍包含具有至少0.1微米之厚度之屏障金屬之第二金屬層於第一金屬層上,此處屏障金屬適用於防止金屬進入基板之擴散。此方法也包含電解鍍第三金屬層於第二金屬層上,此處第二金屬層電性連結鋁層於第三金屬層,以及電解鍍第四金屬層於第三金屬層上。在實施例中,沉積鋁糊劑於基板上包含沉積鋁糊劑於基板上之多晶矽區上。在另一實施例中,沉積鋁糊劑於太陽能電池上包含使用例如,但不限於,網版印刷、旋塗、或噴墨印刷之方法沉積鋁糊劑於太陽能電池上。在又一實施例中,提供太陽能電池包含提供例如,但不限於,背接觸式太陽能電池、前接觸式太陽能電池、單晶矽太陽能電池、多晶矽太陽能電池、非晶矽太陽能電池、薄膜矽太陽能電池、硒化銅銦鎵(CIGS)太陽能電池及碲化鎘太陽能電池之太陽能電池。
第1圖至第6圖係為描繪形成太陽能電池100之接觸區之標準製程中之操作。參閱第1圖,標準製程可包含提供具有於正常運作時配置為面向太陽之前側104,以及相對於前側104之背側102之太陽能電池。太陽能電池也能包含基板或矽基板110、第一及第二摻雜區112及114、以及於摻雜區112及114兩者上之接觸區126,此處接觸區126可使用標準蝕刻技術形成。所提供之太陽能電池100也可具有沉積於前側104上紋理區124上之抗反射層(ARC)120。所提供之太陽能電池100也可具有沉積於背側102上之背部抗反射層(BARC)122。在第2圖中,標準製程也可包含使用包含濺射及退火之物理氣相沉積(physical vapor deposition)技術沉積第一金屬層130於太陽能電池100之背側102上。如第3圖所示,標準製程包含固化140第一金屬層130,此處固化140第一金屬層130允許改良第一金屬層130與第一及第二摻雜層112及114間之黏著。標準製程也可如第4圖中所示,包含以交指圖案沉積抗蝕刻墨水142及144於太陽能電池之背側102及沿太陽能電池100之側邊邊緣上。在第5圖中,標準製程也可包含電解鍍第二金屬層160於第一金屬層130之暴露區域上,此處抗蝕刻墨水142及144防止沿著太陽能電池100之背側及側邊邊緣之過量金屬之電鍍。標準製程也能包含移除抗蝕刻劑142及144以及抗蝕刻劑142及144底下之過量金屬,此處第一金屬層130電性連結第二金屬層160於第一及第二摻雜區112及114。第6圖顯示以上述提及之標準製程所製造之習知太陽能電池之剖面圖。
在減少製造太陽能電池100之成本中,以使用印刷沉積方法所形成之第一金屬層130替換藉由物理氣相沉積(PVD)所形成之第一金屬層130係有優勢的。然而,所印刷之第一金屬層相較於如以下討論之藉由物理氣相沉積(PVD)所形成之第一金屬層130可能具有較低之導電性。
藉由參閱第7圖至第10圖,顯示隨印刷之金屬指之導電性損失之模型之圖表表示圖。建模過程使用以不同電阻率值於太陽能電池上印刷之鋁糊劑做為參考。參閱第7圖,建模該過程驗證在從所有金屬指以約100至150cm延伸到指之末端之匯流排之0點位置,導電性沿單一印刷金屬接觸指下降。如從第7圖能觀察到的,沒有電解鍍能發生在金屬指之末端位於排斥任何電鍍發生之去鍍狀態之金屬指之末端。第8圖至第10圖描繪觀察到相似結果之更複雜之交指金屬指情況之結果。印刷鋁糊劑之另一個替代方案為以具有更高導電性之金屬取代鋁。在此情況中,可使用銀或例如金之貴金屬,但對於此類材料而言成本會急速地變得過高。
以上所述標準製程為無成本效益的並對於太陽能電池製造製程中之應用為沒有效率的。描述所提出之方法之實施例細節之其後敘述可提供對以上所述之標準製程之替代性解決方案。
做為對上述問題之解決方案,所提出之方法改為包含化學鍍之使用以提升印刷金屬指之導電性。因為化學鍍不依靠外在電路來電鍍金屬,化學鍍率並不取決於印刷金屬指或印刷金屬層之導電率。在一此類實施例中,化學沉積被用以電鍍金屬到印刷金屬層上,此處印刷金屬層之導電率可被增強。化學式技術可具有均勻地塗佈與填入印刷金屬層之金屬糊粒子間之空缺之優點。填入金屬糊粒子間之空的空間之優點降低全體電阻率並提升印刷金屬層之導電率。此方法也允許減少以上所提及之標準製程中之製程步驟,例如能與沉積步驟結合之熱步驟與抗蝕刻劑施加及移除步驟之移除。因此,一或多個實施例係針對包含印刷於太陽能電池之背側、化學鍍金屬層到印刷金屬層以及接著電解鍍另一金屬層到化學形成之金屬層之用於形成太陽能電池之接觸區之方法。各種方法描述於後。
第11圖描繪揭露用於形成太陽能電池300接觸區之方法。此方法包含提供具有於正常運作時配置為面向太陽以接收光之前側304,以及相對於前側304之背側302之太陽能電池300。在一些實施例中,在第一及第二摻雜區312及314形成前,太陽能電池300之基板或矽基板310被清潔、磨光、平整化及/或變薄或其他處理。在另一實施例中,矽基板310由多晶矽(polysilicon)或多結晶體矽(multi-crystalline silicon)組成。在再一實施例中,第一及第二摻雜區312及314藉由熱製程生長。在又一實施例中,第一摻雜區312藉由習知摻雜製程沉積摻雜物於矽基板中而沉積於矽基板310上。在實施例中,氧化物層沉積於第一摻雜區312上及第二摻雜區314上,用作為兩區域之保護屏障。第一及第二摻雜區312及314各包含摻雜材料但不限於正型摻雜物如硼或負型摻雜物如磷。雖然第一及第二摻雜區312及314被描述為藉由熱製程或藉由習知摻雜製程沉積摻雜物於矽基板中而生長,與描述或敘述於此處之任意其他形成、沉積或生長製程操作相同,各層或物質可使用任何合適製程而形成。舉例來說,可使用化學氣相沉積(CVD)製程、低壓化學氣相沉積(LPCVD)、常壓化學氣相沉積(APCVD)、電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)、熱生長、濺射,以及任何其他所需之技術於所述之形成中。在實施例中,第一及第二摻雜區312及314藉由沉積技術、濺射或例如噴墨印刷或網版印刷之印刷製程而形成於矽基板310上。此方法包含為了提升太陽輻射收集而形成紋理矽區域或形成紋理表面324於太陽能電池300之前側304上。形成紋理之表面324為用於散射入射光、降低太陽能電池表面反射回去之光量之具有規則或不規則形狀之表面。第一介電質層320形成於前側304上之紋理表面324上以進一步提升太陽能電池之光吸收性。在一實施例中,形成第一介電質層320包含形成抗反射塗膜(ARC)。第二介電質層322形成於太陽能電池300之背側302上。在一實施例中,形成第二介電質層322於背側302上包含形成背側抗反射塗膜(BARC)。在另一實施例中,抗反射塗膜(ARC)320與背側抗反射塗膜(BARC)322兩者,不論是單獨或一起,皆由氮化矽(SiN)或任何其他慣常地用於形成太陽能電池之抗反射塗膜之材料組成。此方法包含形成複數個接觸孔洞326於第一及第二摻雜區312及314上並穿過第一介電質層322。在實施例中,接觸孔洞326藉由任意數量之包含濕蝕刻及研磨技術之微影製程形成。在實施例中,太陽能電池300包含例如,但不限於,背接觸式太陽能電池、前接觸式太陽能電池、單晶矽太陽能電池、多晶矽太陽能電池、非晶矽太陽能電池、薄膜矽太陽能電池、硒化銅銦鎵(CIGS)太陽能電池及碲化鎘太陽能電池之太陽能電池。
隨參閱第12圖及第13圖,顯示用於形成太陽能電池300接觸區之方法之後續。此方法包含沉積連續糊劑於太陽能電池300之基板310上。在實施例中,基板310為矽基板且糊劑包含第一金屬330與黏結基質332。在另一實施例中,包含網版印刷、旋塗及噴墨印刷之印刷技術被用於沉積糊劑於基板310上。在再一實施例中,第一金屬330包含金屬粒子。在又一實施例中,糊劑為包含鋁粒子之鋁糊劑。如第13圖中所示,此方法包含固化340糊劑以從第一金屬330形成第一金屬層336。於固化340中,黏結基質可形成第二態334並於進一步固化340後蒸發。在實施例中,沉積糊劑於基板上包含沉積糊劑於設置於基板310上之多晶矽區上。在另一實施例中,糊劑可以鋁糊劑替代。在再一個實施例中,沉積之鋁糊劑具有至少0.5微米之厚度。在又一實施例中,固化340鋁糊劑形成鋁層。在實施例中,固化製程與沉積製程一起執行。在再一實施例中,固化製程執行作為標準單一製程。在又一實施例中,固化製程為選自由熱固化、紫外光(UV)固化、紅外光固化及任何其他輻射固化構成之群組之固化製程。
第14圖至第17圖描繪用於形成太陽能電池300接觸區之方法之後續。此方法包含如第14圖中所示,以交指圖案沉積抗蝕刻墨水342、344於太陽能電池之背側302及沿著太陽能電池之側邊邊緣上。第15圖顯示包含化學鍍第二金屬層350於第一金屬層336之暴露區上之方法。接著,第16圖顯示此方法包含電解鍍第三金屬層360於第二金屬層350之暴露區上。在實施例中,此方法包含如第17圖中所示電解鍍第四金屬層362於第三金屬層360之暴露區上。抗蝕刻墨水342、344防止沿著太陽能電池300之背側302及側邊邊緣電鍍過量金屬。在實施例中,第二金屬層350包含適用於防止來自第三金屬層360之金屬進入矽基板310之擴散之屏障金屬。在另一實施例中,化學鍍第二金屬層350包含化學鍍例如,但不限於,鎳、金、銀、銠、鉻、鋅、錫或鎘之金屬。在再一實施例中,化學鍍第二金屬層350包含化學鍍具有至少0.1微米之厚度之金屬層。在又一實施例中,電解鍍第三及第四金屬層360及362包含電解鍍例如,但不限於,銅、錫、鋁、銀、金、鉻、鐵、鎳、鋅、釕、鈀或鉑之金屬。
隨參閱第18圖,顯示用於形成太陽能電池300接觸區之方法之後續。方法包含移除抗蝕刻劑342及344與抗蝕刻劑342及344底下之過量金屬而形成具有其中第二金屬層350處電性連結第一金屬層336於第三及第四金屬層360及362以及第一金屬層336電性連結金屬層350、360、362於第一及第二摻雜區312及314之交指接觸指之太陽能電池。
第19圖及第20圖描繪用於形成類似於如以上描述中所提及之太陽能電池300之太陽能電池400接觸區之另一方法。此方法包含提供具有於正常運作時配置為面向太陽以接收光之前側402,以及相對於前側404之背側402之太陽能電池400。在實施例中,基板或矽基板410被類似於以上所述地清潔、磨光、平整化及/或變薄或其他處理。在另一實施例中,矽基板或基板410係由多晶矽或多結晶體矽組成。在再一實施例中,第一及第二摻雜區412及414藉由熱製程生長。在又一實施例中,第一摻雜區412藉由習知摻雜製程而沉積摻雜物於矽基板中而沉積於矽基板410上。在實施例中,氧化物層沉積於第一摻雜區412上及於第二摻雜區414上,用作為兩區之保護屏障。在另一實施例中,第一及第二摻雜區412及414各包含,但不限於,例如硼之正型摻雜物或例如磷之負型摻雜物之摻雜材料。雖然第一及第二摻雜區412及414兩者被描述為藉由熱製程或藉由習知沉積製程沉積摻雜物於矽基板中成長,如所描述於說明書中之其他任意形成、沉積或生長製程操作相同,各層或材料可使用任意合適製程形成。第一介電質層420形成於前側404上之紋理表面424上以進一步提升太陽能電池之光吸收性。在一實施例中,形成第一介電質層420包含形成抗反射層(ARC)。第二介電質層形成於太陽能電池之背側402上。在實施例中,形成第二介電質層422於背側402上包含形成背部抗反射層(BARC)。在另一實施例中,抗反射層(ARC)420與背部抗反射層(BARC)兩者,不論是單獨或一起,皆由氮化矽(SiN)或普遍地使用於形成太陽能電池之抗反射塗膜之任何其他材料組成。此方法包含以交指圖案沉積具有第一金屬430與黏結基質432之連續糊劑於穿過第一及第二摻雜區412及414兩者上之第一介電質層422之接觸區上。如第20圖中所示,此方法包含固化440第一金屬430與黏結基質432以形成第一金屬層436與第二態434之黏結基質,此處於第二態中之黏結基質在固化製程440後蒸發。在實施例中,沉積糊劑於基板上包含沉積糊劑於基板上之多晶矽區上。在另一實施例中,糊劑改為鋁糊劑。在再一實施例中,沉積之鋁糊劑具有至少0.5微米之厚度。在又一實施例中,固化440鋁糊劑形成鋁層。在實施例中,固化製程與沉積製程一起執行。在另一實施例中,固化製程執行作為標準單一製程。在再一實施例中,固化製程為選自由熱固化、紫外光(UV)固化、紅外光固化及任何其他輻射固化構成之群組之固化製程。在又一實施例中,太陽能電池400包含例如,但不限於,背接觸式太陽能電池、前接觸式太陽能電池、單晶矽太陽能電池、多晶矽太陽能電池、非晶矽太陽能電池、薄膜矽太陽能電池、硒化銅銦鎵(CIGS)太陽能電池或碲化鎘太陽能電池之太陽能電池。
隨參閱第21圖至第23圖,顯示用於形成太陽能電池接觸區之方法之後續。此方法包含化學形成第二金屬層450於第一金屬層436之暴露區域上。在化學形成第二金屬層450後,第21圖顯示此方法包含通過電解鍍製程形成第三金屬層460於第二金屬層450之暴露區域上。在實施例中,此方法包含如第22圖中所示,電解鍍第四金屬層462於第三金屬層460上。在實施例中,第二金屬層450包含適用於防止來自第三金屬層之金屬進入基板之擴散之屏障金屬。在另一實施例中,化學鍍第二金屬層450包含化學鍍例如,但不限於,鎳、金、銀、銠、鉻、鋅、錫或鎘之金屬。在再一實施例中,化學鍍第二金屬層450包含化學鍍具有至少0.1微米之厚度之金屬層。在又一實施例中,電解鍍第三及第四金屬460及462包含電解鍍例如,但不限於,銅、錫、鋁、銀、金、鉻、鐵、鎳、鋅、釕、鈀或鉑之金屬。類似於第18圖,第23圖顯示具有其中第二金屬層450處之太陽能電池400電性連結第一金屬層436於第三及第四金屬層460及462且第一金屬層436電性連結金屬層450、460及462於第一及第二摻雜區412及414之交指接觸指。
第24圖描繪用於形成太陽能電池500接觸區之又另一方法。此方法包含提供具有於正常運作時配置為面向太陽之前側502,以及相對於前側504之背側502之太陽能電池500。與上述類似,於第一及第二摻雜多晶矽區512及514之形成前,太陽能電池500之基板或矽基板510被清潔、磨光、平整化及/或變薄或其他處理。在另一實施例中,第一及第二摻雜多晶矽區512及514藉由熱製程生長。在又一實施例中,第一及第二摻雜多晶矽區512及514藉由習知沉積製程沉積摻雜物於矽基板中而沉積於矽基板510上。在再一實施例中,第三介電質層516於形成第一及第二摻雜多晶矽區512及514前沉積於矽基板510上。在又一實施例中,第三介電質層516為穿隧氧化層。第一及第二摻雜多晶矽區512及514各包含但不限於例如硼之正型摻雜物或例如磷之負型摻雜物之摻雜材料。雖然第一及第二摻雜多晶矽區512及514兩者皆被描述為藉由熱製程或藉由習知沉積製程沉積摻雜物於矽基板中而生長,與說明書中描述或敘述之任何其他形成、沉積或生長製程相同,各層或物質係使用如以上所述之任何合適之方法形成。在實施例中,非晶矽層於形成第一及第二摻雜多晶矽區512及514後形成於太陽能電池500之背側502上。在另一實施例中,形成複數個溝道區528,其中溝道區528分離第一及第二摻雜多晶矽區512及514。太陽能電池500提供具有用於提昇太陽輻射收集之於太陽能電池之前側504上之紋理矽區或紋理表面524。紋理表面524相似於之前提到之紋理表面324。在實施例中,溝道區528具有紋理矽區並可於形成紋理表面524於太陽能電池500之前側504上之相同製程時形成。第一介電質層520形成於前側504上之紋理表面524上以進一步提昇太陽能電池之光吸收性。在一實施例中,形成第一介電質層包含形成抗反射塗膜(ARC)。第二介電質層522形成於太陽能電池500之背側502上。在實施例中,形成第二介電質層522於背側502上包含形成背側抗反射塗膜(BARC)。在另一實施例中,抗反射塗膜(ARC)520與抗反射塗膜(BARC)522兩者,不論是單獨或一起,皆由氮化矽(SiN)或任何其他慣常地用於形成太陽能電池之抗反射塗膜之材料形成。複數個接觸孔洞526形成穿過第一介電質層522及於第一及第二摻雜多晶矽區512及514上。接觸孔洞526藉由任意數量之包含濕蝕刻與研磨技術之微影術製程形成。在實施例中,太陽能電池500包含例如,但不限於,背接觸式太陽能電池、前接觸式太陽能電池、單晶矽太陽能電池、多晶矽太陽能電池、非晶矽太陽能電池、薄膜矽太陽能電池、硒化銅銦鎵(CIGS)太陽能電池或碲化鎘太陽能電池之太陽能電池。
隨參閱第25圖,顯示用於形成太陽能電池500接觸區之方法之後續。類似於以上所述之方法,可實行之用於製造太陽能電池之方法包含形成第一金屬層536於太陽能電池500之背側502上。此方法包含以交指圖案沉積具有第一金屬與黏結基質之糊劑於第一及第二摻雜多晶矽區512及514上穿過第一介電質層522之接觸區上。此方法包含固化540第一金屬與黏結基質以形成第一金屬層536。在另一實施例中,糊劑能改為鋁糊劑。在再一實施例中,沉積之鋁糊劑能具有至少0.5微米之厚度。在又一實施例中,固化鋁糊劑形成鋁層。此方法包含化學鍍第二金屬層550於第一金屬層536並接著電解鍍第三金屬層560於第二金屬層550,且其中第二金屬層550電性連結第一金屬層536於第三金屬層560且第一金屬層536電性連結後續金屬層550及560於第一及第二摻雜區512及514。在實施例中,此方法進一步包含電解鍍第四金屬層562於第三金屬層560。在另一實施例中,第二金屬層550包含適用於防止來自第三金屬層之金屬進入基板之擴散之屏障金屬。在再一實施例中,化學鍍第二金屬層550包含化學鍍例如,但不限於,鎳、金、銀、銠、鉻、鋅、錫或鎘之金屬。在又一實施例中,化學鍍第二金屬層550包含化學鍍具有至少0.1微米之厚度之金屬層。在又一實施例中,電解鍍第三及第四金屬層560及562包含電解鍍例如,但不限於,銅、錫、鋁、銀、金、鉻、鐵、鎳、鋅、釕、鈀或鉑之金屬。類似於第18圖及第23圖,第25圖顯示具有其中第二金屬層550電性連結第一金屬層536於第三及第四金屬層560及562且第一金屬層536電性連結金屬層550、560及562於第一及第二摻雜多晶矽區512及514之交指接觸指之太陽能電池500。
第26圖描繪用於形成太陽能電池600接觸區之方法。此方法包含提供類似於先前所述之實施例300、400及500之太陽能電池600。此方法也包含網版印刷具有第一金屬630及黏結基質632之糊劑。網版印刷器670能包含刮漿板672、網版674、框架678以及於網版674上之乳膠676。網版印刷法包含使用刮漿板672以糊劑擴散穿過網版674且到太陽能電池600之背側602上。於網版674上之乳膠676避免糊劑從預定圖案逸散。在實施例中,此方法包含使用於網版674上之乳膠674之交指圖形以交指圖案印刷糊劑之圖案。在另一實施例中,此方法包含通過無任何乳膠676之網版674印刷連續糊劑。
隨參閱第27圖,顯示用於形成太陽能電池接觸區之方法。此方法包含提供類似於之前所述之實施例300、400及500之太陽能電池600。此方法也包含使用噴墨印刷器680印刷具有第一金屬630及黏結基質632之糊劑。噴墨印刷器680包含印刷頭682及複數個印刷噴嘴684,其中噴墨印刷器680結合於電腦。在實施例中,此方法包含使用印刷頭682與複數個印刷噴嘴684以從電腦所產生之圖案沉積糊劑到太陽能電池600之背側602上,其中圖案可為類似於之前所提到的交指圖案或連續圖案。
第28圖描繪用於化學鍍金屬到太陽能電池700之印刷金屬層之方法。此方法包含提供包含具有浸泡於於電鍍槽772中之化學鍍介質752中之第一金屬層736之太陽能電池700之化學鍍設置770。此方法也包含藉由懸吊架774及複數個固定物776懸吊太陽能電池700。此方法包含引起化學鍍介質752中之自催化反應以沉積選自由鎳、金、銀、銠、鉻、鋅、錫及鎘構成之群組之金屬。在實施例中,太陽能電池700可類似於之前的實施例中所提到的太陽能電池300、400、500及600。此方法近一步包含實行化學鍍製程以形成第二金屬層750於太陽能電池700之背側702上之印刷金屬層或第一金屬層736之暴露區上。在實施例中,此方法能包含化學鍍鎳以形成例如鎳之第二金屬層於第一金屬層736上。
隨參閱第29圖,顯示用於電解鍍金屬到太陽能電池700之化學鍍金屬區上之方法。此方法包含提供包含具有浸泡於電鍍槽782中之電解鍍介質764中之化學形成金屬層或第二金屬層750之太陽能電池700之電解鍍設置780。此方法也包含藉由纇似於上述之懸吊架784與複數個固定物786懸吊太陽能電池700。此方法包含提供藉由線路或互連器792連接於外部電源供應之陽極790。此方法也包含引起藉由與外部電源供應結合之陽極790所提供之電流於電解鍍介質762中,其可允許介質中之電子流動並進一步允許例如,但不限於銅、錫、鋁、銀、金、鉻、鐵、鎳、鋅、釕、鈀、鉑之金屬之電解鍍。此方法包含實行電解鍍製程以形成第三金屬層760於太陽能電池700之第二金屬層750上。在實施例中,此方法能進一步包含使用與以上所提相同之電解鍍設置780及方法電解鍍第四金屬層到第三金屬層760。
第30圖描繪用於形成太陽能電池上之接觸區之實施例之流程圖。如前所述,第一操作801可包含提供具有於正常運作時配置為面向太陽之前側304,以及相對於前側304之背側302之太陽能電池300。第二操作802可包含沉積具有第一金屬330之糊劑於太陽能電池之基板或矽基板310上。第三操作803可包含固化340糊劑以形成第一金屬層336。第四操作804可包含以交指圖案沉積抗蝕刻墨水342於太陽能電池300之背側302上。第五操作805可包含沿太陽能電池300之側邊邊緣沉積抗蝕刻劑344。第六操作806可包含化學鍍第二金屬層350於第一金屬層336上。第七操作807可包含電解鍍第三金屬層360於第二金屬層350上,其中第二金屬層350電性連結第一金屬層336於第三金屬層360。最後操作808可包含移除於太陽能電池之背側302與側邊邊緣上之抗蝕刻劑342及344以及移除抗蝕刻劑342及344下之過量金屬。
隨參閱第31圖,顯示用於形成太陽能電池300上之接觸區另一實施例之流程圖。如前所述,第一操作811可包含提供具有於正常運作時配置為面向太陽之前側304,以及相對於前側304之背側302之太陽能電池300。第二操作812可包含沉積具有第一金屬330之糊劑於太陽能電池300之基板或矽基板310上。第三操作813可包含固化340糊劑以形成第一金屬層336。第四操作814可包含化學鍍第二金屬層350於第一金屬層336上。最後操作815可包含電解鍍第三金屬層360於第二金屬層350上,其中第二金屬層350電性連結第一金屬層336於第三金屬層360。
第32圖描繪用於形成太陽能電池300上之接觸區之再一實施例之流程圖。如前所述,第一操作821可包含提供具有於正常運作時配置為面向太陽之前側304,以及相對於前側304之背側302之太陽能電池300。第二操作822可包含沉積具有第一金屬330之糊劑於太陽能電池300之基板或矽基板310上。第三操作823可包含固化340糊劑以形成第一金屬層336。第四操作824可包含化學鍍第二金屬層350於第一金屬層336上。第五操作825可包含電解鍍第三金屬層360於第二金屬層350上,其中第二金屬層350電性連結第一金屬層336於第三金屬層360。最後操作可包含電解鍍第四金屬層362於第三金屬層360上。
隨參閱第33圖,顯示用於形成太陽能電池400上之接觸區之又一實施例之流程圖。如前所述,第一操作831可包含提供具有於正常運作時配置為面向太陽之前側404,以及相對於前側404之背側402之太陽能電池400。第二操作832可包含以交指圖案沉積具有第一金屬430之糊劑於太陽能電池400之基板上。第三操作833可包含固化440鋁糊劑430以形成第一金屬層436。第四操作834可包含化學鍍第二金屬層450於第一金屬層436上。第五操作835可包含電解鍍第三金屬層460於第二金屬層450上,其中第二金屬層450電性連結第一金屬層436於第三金屬層460。最後操作836可包含電解鍍第四金屬層462於第三金屬層460上。
第34圖描繪用於形成太陽能電池400上之接觸區之又一實施例之流程圖。如前所述,第一操作841可包含提供具有於正常運作時配置為面向太陽之前側404,以及相對於前側404之背側402之太陽能電池400。第二操作842可包含以交指圖案沉積鋁糊劑430於太陽能電池400之基板上。第三操作843可包含固化440鋁糊劑430以形成鋁層436。第四操作844可包含化學鍍具有至少0.1微米之厚度之第二金屬層450於鋁層436上。第五操作845可包含電解鍍第三金屬層460於第二金屬層450上,其中第二金屬層450電性連結鋁層436於第三金屬層460。最後操作846可包含電解鍍第四金屬層462於第三金屬層460上。
隨參閱第35圖,顯示用於形成太陽能電池400上之接觸區之實施例之流程圖。如前所述,第一操作851可包含提供具有於正常運作時配置為面向太陽之前側404,以及相對於前側404之背側402之太陽能電池400。第二操作852可包含以交指圖案沉積具有至少0.5微米之厚度之鋁糊劑430於太陽能電池400之基板或矽基板410上。第三操作853可包含熱固化440鋁糊劑430以形成鋁層436。第四操作854可包含化學鍍包含具有至少0.1微米之厚度之屏障金屬之第二金屬層450於鋁層436上,其中屏障金屬適用於防止金屬進入基板或矽基板410之擴散。第五操作855可包含電解鍍第三金屬層460於第二金屬層450上,其中第二金屬層450電性連結鋁層436於第三金屬層460。最終操作856可包含電解鍍第四金屬層462於第三金屬層460上。
第36圖描繪用於形成太陽能電池400上之接觸區之另一實施例之流程圖。如前所述,第一操作861可包含提供具有於正常運作時配置為面向太陽之前側404,相對於前側404之背側402以及於矽基板410上之第一及第二摻雜區412及414之太陽能電池400。第二操作862可包含以交指圖案沉積具有至少0.5微米之厚度之鋁糊劑430於太陽能電池400之基板410上。第三操作863可包含熱固化440鋁糊劑430以形成鋁層436。第四操作864可包含化學鍍包含具有至少0.1微米之厚度之屏障金屬之第二金屬層450於鋁層436上,其中屏障金屬適用於防止金屬進入基板或矽基板410之擴散。第五操作865可包含電解鍍第三金屬層460於第二金屬層450上,其中第二金屬層450電性連結鋁層436於第三金屬層460。最終操作866可包含電解鍍第四金屬層462於第三金屬層460上。
隨參閱第37圖,顯示用於形成太陽能電池500上之接觸區之再一實施例之流程圖被。如前所述,第一操作871可包含提供具有於正常運作時配置為面向太陽之前側504,相對於前側504之背側502以及於矽基板510上之第一及第二摻雜多晶矽區512及514之太陽能電池500。第二操作872可包含以交指圖案沉積具有至少0.5微米之厚度之鋁糊劑530於太陽能電池500之基板或矽基板510上。第三操作873可包含熱固化540鋁糊劑530以形成鋁層536。第四操作874可包含化學鍍包含具有至少0.1微米之厚度之屏障金屬之第二金屬層550於鋁層536上,其中屏障金屬適用於防止金屬進入基板或矽基板510之擴散。第五操作875可包含電解鍍第三金屬層560於第二金屬層550上,其中第二金屬層550電性連結鋁層536於第三金屬層560。最終操作876可包含電解鍍第四金屬層562於第三金屬層560上。
雖然至少一例示性實施例已被展示於前述實施方式中,應被理解的是存在大量變體。應被理解的是文中所述之例示性實施例或實施例不意圖以任何方式限制所主張之技術特徵之範疇、應用性及配置。相反地,前述實施方式將提供此技術領域中具有通常知識者對於所述實施例或實施例之實行之便利藍圖。其應被了解的是在元件之功能及排列上可進行各種修改而不脫離包含習知之均等及於提出本專利申請案之時點可預見之均等之申請專利範圍所定義之範疇。
Claims (20)
- 【第1項】一種用於形成太陽能電池接觸區之方法,一太陽能電池具有於正常運作時面向太陽之一前側,以及相對於該前側之一背側,該方法包含: 沉積包含一第一金屬之一糊劑於該太陽能電池之一基板上; 固化該糊劑以形成一第一金屬層; 化學鍍一第二金屬層於該第一金屬層上;以及 電解鍍一第三金屬層於該第二金屬層上,其中該第二金屬層電性連結該第一金屬層於該第三金屬層。
- 【第2項】如申請專利範圍第1項所述之方法,其中沉積該糊劑於該基板上包含沉積該糊劑於該基板上之一多晶矽區上。
- 【第3項】如申請專利範圍第1項所述之方法,其中沉積該糊劑包含沉積一鋁糊劑。
- 【第4項】如申請專利範圍第3項所述之方法,其中沉積該鋁糊劑包含沉積具有至少0.5微米之厚度之該鋁糊劑。
- 【第5項】如申請專利範圍第1項所述之方法,其中該第二金屬層包含適用於避免來自該第三金屬層之金屬進入該基板之擴散之一屏障金屬。
- 【第6項】如申請專利範圍第1項所述之方法,其中化學鍍該第二金屬層包含化學鍍選自由鎳、金、銀、銠、鉻、鋅、錫及鎘構成之群組之金屬。
- 【第7項】如申請專利範圍第1項所述之方法,其中化學鍍該第二金屬層包含化學鍍具有至少0.1微米之厚度之金屬層。
- 【第8項】如申請專利範圍第1項所述之方法,其中電解鍍該第三金屬層包含電解鍍選自由銅、錫、鋁、銀、金、鉻、鐵、鎳、鋅、釕、鈀及鉑構成之群組之金屬。
- 【第9項】如申請專利範圍第1項所述之方法,其進一步包含:電解鍍一第四金屬層於該第三金屬層上。
- 【第10項】如申請專利範圍第9項所述之方法,其中電解鍍該第四金屬層包含電解鍍選自由銅、錫、鋁、銀、金、鉻、鐵、鎳、鋅、釕、鈀及鉑構成之群組之金屬。
- 【第11項】一種用於形成太陽能電池接觸區之方法,一太陽能電池具有於正常運作時面向太陽之一前側,以及相對於該前側之一背側,該方法包含: 以一交指(interdigitated)圖案沉積一鋁糊劑於該太陽能電池之一基板上; 固化該鋁糊劑以形成一鋁層; 化學鍍具有至少0.1微米之厚度之一第二金屬層於該鋁層上; 電解鍍一第三金屬層於該第二金屬層上,其中該第二金屬層電性連結該鋁層於該第三金屬層;以及 電解鍍一第四金屬層於該第三金屬層上。
- 【第12項】如申請專利範圍第11項所述之方法,其中沉積該鋁糊劑包含沉積具有至少0.5微米之厚度之該鋁糊劑。
- 【第13項】如申請專利範圍第11項所述之方法,其中該第二金屬層包含適用於避免來自該第三金屬層之金屬進入該基板之擴散之一屏障金屬。
- 【第14項】如申請專利範圍第11項所述之方法,其中沉積該鋁糊劑於該基板上包含沉積該鋁糊劑於該基板上之一多晶矽區上。
- 【第15項】如申請專利範圍第11項所述之方法,其中沉積該鋁糊劑包含使用選自由網版印刷、旋塗及噴墨印刷構成之群組之方法之沉積。
- 【第16項】如申請專利範圍第11項所述之方法,其中電解鍍該第三金屬層及該第四金屬層包含電解鍍選自由銅、錫、鋁、銀、金、鉻、鐵、鎳、鋅、釕、鈀及鉑構成之群組之金屬。
- 【第17項】一種用於形成太陽能電池接觸區之方法,一太陽能電池具有於正常運作時面向太陽之一前側,以及相對於該前側之一背側,該方法包含: 以一交指圖案沉積具有至少0.5微米之厚度之一鋁糊劑於該太陽能電池之一基板上; 熱固化該鋁糊劑以形成一鋁層; 化學鍍包含具有至少0.1微米之厚度之一屏障金屬之一第二金屬層於該鋁層上,其中該屏障金屬適用於避免金屬進入該基板; 電解鍍一第三金屬層於該第二金屬層上,其中該第二金屬層電性連結該鋁層於該第三金屬層;以及 電解鍍一第四金屬層於該第三金屬層上。
- 【第18項】如申請專利範圍第17項所述之方法,其中沉積該鋁糊劑於該基板上包含沉積該鋁糊劑於該基板上之一多晶矽區上。
- 【第19項】如申請專利範圍第17項所述之方法,其中沉積該鋁糊劑於該太陽能電池上包含使用選自由網版印刷、旋塗及噴墨印刷構成之群組之方法沉積該鋁糊劑於該太陽能電池上。
- 【第20項】如申請專利範圍第17項所述之方法,其中該太陽能電池包含選自由背接觸式太陽能電池、前接觸式太陽能電池、單晶矽太陽能電池、多晶矽太陽能電池、非晶矽太陽能電池、薄膜矽太陽能電池、硒化銅銦鎵(CIGS)太陽能電池及碲化鎘太陽能電池構成之群組之太陽能電池。
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201261956175P | 2012-12-10 | 2012-12-10 | |
US61/956,175 | 2012-12-10 | ||
US201361794499P | 2013-03-15 | 2013-03-15 | |
US61/794,499 | 2013-03-15 | ||
US14/097,164 US9293624B2 (en) | 2012-12-10 | 2013-12-04 | Methods for electroless plating of a solar cell metallization layer |
US14/097,164 | 2013-12-04 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201431110A TW201431110A (zh) | 2014-08-01 |
TWI614912B true TWI614912B (zh) | 2018-02-11 |
Family
ID=50881355
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW102145344A TWI614912B (zh) | 2012-12-10 | 2013-12-10 | 太陽能電池金屬化之強化化學鍍導電性之方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9293624B2 (zh) |
EP (1) | EP2929568B1 (zh) |
JP (1) | JP6398144B2 (zh) |
KR (1) | KR102219630B1 (zh) |
CN (1) | CN105074936B (zh) |
AU (1) | AU2013359837B2 (zh) |
TW (1) | TWI614912B (zh) |
WO (1) | WO2014093137A1 (zh) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9293624B2 (en) * | 2012-12-10 | 2016-03-22 | Sunpower Corporation | Methods for electroless plating of a solar cell metallization layer |
US9082925B2 (en) * | 2013-03-13 | 2015-07-14 | Sunpower Corporation | Methods for wet chemistry polishing for improved low viscosity printing in solar cell fabrication |
US9496437B2 (en) | 2014-03-28 | 2016-11-15 | Sunpower Corporation | Solar cell having a plurality of sub-cells coupled by a metallization structure |
US9559236B2 (en) | 2014-09-24 | 2017-01-31 | Sunpower Corporation | Solar cell fabricated by simplified deposition process |
KR102634626B1 (ko) * | 2015-07-27 | 2024-02-08 | 상라오 신위안 웨동 테크놀러지 디벨롭먼트 컴퍼니, 리미티드 | 태양 전지 |
US10217877B2 (en) * | 2015-07-27 | 2019-02-26 | Lg Electronics Inc. | Solar cell |
USD822890S1 (en) | 2016-09-07 | 2018-07-10 | Felxtronics Ap, Llc | Lighting apparatus |
EP3361515B1 (en) * | 2016-12-13 | 2020-04-08 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd | Highly efficient rear-surface electrode type solar cell, solar cell module, and solar power generation system |
US10775030B2 (en) | 2017-05-05 | 2020-09-15 | Flex Ltd. | Light fixture device including rotatable light modules |
USD877964S1 (en) | 2017-08-09 | 2020-03-10 | Flex Ltd. | Lighting module |
USD833061S1 (en) | 2017-08-09 | 2018-11-06 | Flex Ltd. | Lighting module locking endcap |
USD846793S1 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-23 | Flex Ltd. | Lighting module locking mechanism |
USD832494S1 (en) | 2017-08-09 | 2018-10-30 | Flex Ltd. | Lighting module heatsink |
USD862777S1 (en) | 2017-08-09 | 2019-10-08 | Flex Ltd. | Lighting module wide distribution lens |
USD872319S1 (en) | 2017-08-09 | 2020-01-07 | Flex Ltd. | Lighting module LED light board |
USD832495S1 (en) | 2017-08-18 | 2018-10-30 | Flex Ltd. | Lighting module locking mechanism |
USD862778S1 (en) | 2017-08-22 | 2019-10-08 | Flex Ltd | Lighting module lens |
USD888323S1 (en) | 2017-09-07 | 2020-06-23 | Flex Ltd | Lighting module wire guard |
TWI646350B (zh) * | 2017-12-18 | 2019-01-01 | 國家中山科學研究院 | Infrared anti-reflection film structure |
US11127871B2 (en) | 2018-10-17 | 2021-09-21 | Sunpower Corporation | Structures and methods for forming electrodes of solar cells |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080132082A1 (en) * | 2006-12-01 | 2008-06-05 | Applied Materials, Inc. | Precision printing electroplating through plating mask on a solar cell substrate |
CN102386285A (zh) * | 2010-08-24 | 2012-03-21 | 森普雷姆有限公司 | 低成本太阳能电池和制造低成本太阳能电池用基板的方法 |
Family Cites Families (55)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5929474A (ja) * | 1982-08-11 | 1984-02-16 | Toshiba Corp | 太陽電池 |
JPS5984477A (ja) * | 1982-11-04 | 1984-05-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 太陽電池の電極形成法 |
US4650695A (en) | 1985-05-13 | 1987-03-17 | Mobil Solar Energy Corporation | Method of fabricating solar cells |
GB2188774B (en) * | 1986-04-02 | 1990-10-31 | Westinghouse Electric Corp | Method of forming a conductive pattern on a semiconductor surface |
US5011565A (en) * | 1989-12-06 | 1991-04-30 | Mobil Solar Energy Corporation | Dotted contact solar cell and method of making same |
DE19525720C2 (de) | 1995-07-14 | 1998-06-10 | Siemens Solar Gmbh | Herstellungsverfahren für eine Solarzelle ohne Vorderseitenmetallisierung |
AUPP437598A0 (en) | 1998-06-29 | 1998-07-23 | Unisearch Limited | A self aligning method for forming a selective emitter and metallization in a solar cell |
US7898054B2 (en) * | 2000-02-04 | 2011-03-01 | Daniel Luch | Substrate structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays |
US7898053B2 (en) * | 2000-02-04 | 2011-03-01 | Daniel Luch | Substrate structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays |
US20110067754A1 (en) * | 2000-02-04 | 2011-03-24 | Daniel Luch | Substrate structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays |
JP2002217434A (ja) * | 2001-01-19 | 2002-08-02 | Sharp Corp | 太陽電池、太陽電池用インターコネクターおよびストリング |
JP2002305311A (ja) * | 2001-01-31 | 2002-10-18 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 太陽電池の製造方法および太陽電池 |
JP2002373996A (ja) * | 2001-04-11 | 2002-12-26 | Daido Steel Co Ltd | 太陽電池セルおよびその製造方法 |
US7388147B2 (en) * | 2003-04-10 | 2008-06-17 | Sunpower Corporation | Metal contact structure for solar cell and method of manufacture |
US20060060238A1 (en) * | 2004-02-05 | 2006-03-23 | Advent Solar, Inc. | Process and fabrication methods for emitter wrap through back contact solar cells |
US8129822B2 (en) * | 2006-10-09 | 2012-03-06 | Solexel, Inc. | Template for three-dimensional thin-film solar cell manufacturing and methods of use |
US8783577B2 (en) * | 2005-03-15 | 2014-07-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device having the same |
KR100764362B1 (ko) * | 2005-11-01 | 2007-10-08 | 삼성전자주식회사 | 태양전지용 투명 전극, 그의 제조방법 및 그를 포함하는반도체 전극 |
NO20061668L (no) * | 2006-04-12 | 2007-10-15 | Renewable Energy Corp | Solcelle og fremgangsmate for fremstilling av samme |
US8084684B2 (en) * | 2006-10-09 | 2011-12-27 | Solexel, Inc. | Three-dimensional thin-film solar cells |
US8168465B2 (en) * | 2008-11-13 | 2012-05-01 | Solexel, Inc. | Three-dimensional semiconductor template for making high efficiency thin-film solar cells |
TW200939509A (en) * | 2007-11-19 | 2009-09-16 | Applied Materials Inc | Crystalline solar cell metallization methods |
NL2001015C2 (nl) * | 2007-11-19 | 2009-05-20 | Energieonderzoek Ct Nederland | Werkwijze voor het fabriceren van een achterzijde-gecontacteerde fotovoltaïsche cel, en achterzijde-gecontacteerde fotovoltaïsche cel die is gemaakt door een dergelijke werkwijze. |
JPWO2009069551A1 (ja) | 2007-11-28 | 2011-04-14 | 株式会社フジクラ | 光電変換素子用電極基板 |
JP2009135338A (ja) * | 2007-11-30 | 2009-06-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池及び太陽電池の製造方法 |
JP5306670B2 (ja) * | 2008-03-05 | 2013-10-02 | 独立行政法人科学技術振興機構 | シリコンを母材とする複合材料及びその製造方法 |
WO2009110431A1 (ja) * | 2008-03-07 | 2009-09-11 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 複合材料及びその製造方法、並びにその製造装置 |
JP5281847B2 (ja) * | 2008-08-19 | 2013-09-04 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 複合材料及びその製造方法、並びにその製造装置 |
KR20100066817A (ko) | 2008-12-10 | 2010-06-18 | 에스에스씨피 주식회사 | 태양 전지용 전극의 제조방법, 이를 이용하여 제조된 태양 전지용 기판 및 태양 전지 |
CN102484051B (zh) * | 2009-02-11 | 2015-07-29 | 新南创新私人有限公司 | 光致电压器件结构和方法 |
JP5449849B2 (ja) * | 2009-04-30 | 2014-03-19 | シャープ株式会社 | 太陽電池およびその製造方法 |
US8551866B2 (en) * | 2009-05-29 | 2013-10-08 | Solexel, Inc. | Three-dimensional thin-film semiconductor substrate with through-holes and methods of manufacturing |
EP2312641A1 (en) * | 2009-10-13 | 2011-04-20 | Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL) | Device comprising electrical contacts and its production process |
US20110120518A1 (en) * | 2009-10-24 | 2011-05-26 | Photon Energy Systems | Manufacturing Photovoltaic Devices And Devices Formed |
US20130125974A1 (en) * | 2010-05-14 | 2013-05-23 | Silevo, Inc. | Solar cell with metal grid fabricated by electroplating |
US20110277825A1 (en) * | 2010-05-14 | 2011-11-17 | Sierra Solar Power, Inc. | Solar cell with metal grid fabricated by electroplating |
JP2011243806A (ja) * | 2010-05-19 | 2011-12-01 | Sharp Corp | 太陽電池 |
US20140020746A1 (en) * | 2010-07-02 | 2014-01-23 | Newsouth Innovations Pty Limited | Metal contact scheme for solar cells |
US20130000715A1 (en) * | 2011-03-28 | 2013-01-03 | Solexel, Inc. | Active backplane for thin silicon solar cells |
KR101665722B1 (ko) | 2010-09-27 | 2016-10-24 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 및 이의 제조 방법 |
EP2650923B1 (en) * | 2010-12-06 | 2021-06-02 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Solar cell, solar cell module and method of making a solar cell |
US8536448B2 (en) * | 2010-12-29 | 2013-09-17 | Gtat Corporation | Zener diode within a diode structure providing shunt protection |
GB201103810D0 (en) * | 2011-03-04 | 2011-04-20 | G24 Innovations Ltd | Photovoltaic cell |
TWI535043B (zh) * | 2011-06-29 | 2016-05-21 | 國立屏東科技大學 | 以活性焊料製做的太陽能電池電極及其方法 |
US20130228221A1 (en) * | 2011-08-05 | 2013-09-05 | Solexel, Inc. | Manufacturing methods and structures for large-area thin-film solar cells and other semiconductor devices |
US20130213469A1 (en) * | 2011-08-05 | 2013-08-22 | Solexel, Inc. | High efficiency solar cell structures and manufacturing methods |
EP2742536A4 (en) * | 2011-08-09 | 2015-08-12 | Solexel Inc | HIGH-PERFORMANCE SOLAR PHOTOVOLTAIC MODULES AND CELLS USING THIN CRYSTALLINE SEMICONDUCTOR THIN ABSORBERS |
WO2013071343A1 (en) * | 2011-11-15 | 2013-05-23 | Newsouth Innovations Pty Limited | Metal contact scheme for solar cells |
CN103329281B (zh) * | 2011-11-22 | 2014-10-08 | 株式会社钟化 | 太阳能电池及其制造方法以及太阳能电池模块 |
US10014425B2 (en) * | 2012-09-28 | 2018-07-03 | Sunpower Corporation | Spacer formation in a solar cell using oxygen ion implantation |
US9293624B2 (en) * | 2012-12-10 | 2016-03-22 | Sunpower Corporation | Methods for electroless plating of a solar cell metallization layer |
US20140179056A1 (en) * | 2012-12-21 | 2014-06-26 | Michael MORSE | Laser-absorbing seed layer for solar cell conductive contact |
US9263601B2 (en) * | 2012-12-21 | 2016-02-16 | Sunpower Corporation | Enhanced adhesion of seed layer for solar cell conductive contact |
US8916038B2 (en) * | 2013-03-13 | 2014-12-23 | Gtat Corporation | Free-standing metallic article for semiconductors |
EP2973734A4 (en) * | 2013-03-15 | 2016-04-13 | Sunpower Corp | IMPROVING THE CONDUCTIVITY OF SOLAR CELLS |
-
2013
- 2013-12-04 US US14/097,164 patent/US9293624B2/en active Active
- 2013-12-05 WO PCT/US2013/073441 patent/WO2014093137A1/en active Application Filing
- 2013-12-05 JP JP2015545856A patent/JP6398144B2/ja active Active
- 2013-12-05 EP EP13862746.8A patent/EP2929568B1/en active Active
- 2013-12-05 KR KR1020157015657A patent/KR102219630B1/ko active IP Right Grant
- 2013-12-05 AU AU2013359837A patent/AU2013359837B2/en not_active Ceased
- 2013-12-05 CN CN201380064533.XA patent/CN105074936B/zh active Active
- 2013-12-10 TW TW102145344A patent/TWI614912B/zh active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080132082A1 (en) * | 2006-12-01 | 2008-06-05 | Applied Materials, Inc. | Precision printing electroplating through plating mask on a solar cell substrate |
CN102386285A (zh) * | 2010-08-24 | 2012-03-21 | 森普雷姆有限公司 | 低成本太阳能电池和制造低成本太阳能电池用基板的方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2014093137A1 (en) | 2014-06-19 |
KR102219630B1 (ko) | 2021-02-23 |
CN105074936B (zh) | 2019-04-12 |
EP2929568A1 (en) | 2015-10-14 |
CN105074936A (zh) | 2015-11-18 |
AU2013359837A1 (en) | 2015-06-04 |
TW201431110A (zh) | 2014-08-01 |
JP2016500476A (ja) | 2016-01-12 |
US9293624B2 (en) | 2016-03-22 |
US20140162399A1 (en) | 2014-06-12 |
EP2929568A4 (en) | 2015-12-09 |
KR20150095676A (ko) | 2015-08-21 |
AU2013359837B2 (en) | 2018-01-04 |
JP6398144B2 (ja) | 2018-10-03 |
EP2929568B1 (en) | 2018-10-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI614912B (zh) | 太陽能電池金屬化之強化化學鍍導電性之方法 | |
CN105449014B (zh) | 具有电镀的金属格栅的太阳能电池 | |
US9553228B2 (en) | Solar cell, production method therefor, and solar cell module | |
TWI565092B (zh) | 接觸端子/電解蝕刻模組設計的多孔半導體光伏電池以及相關的生產線 | |
US9484485B2 (en) | Solar cell, manufacturing method therefor, solar-cell module, and manufacturing method therefor | |
US20140349441A1 (en) | Solar cell with metal grid fabricated by electroplating | |
CN103518264B (zh) | 用于光伏电池的低电阻、低反射且低成本的接触栅格 | |
US20130125974A1 (en) | Solar cell with metal grid fabricated by electroplating | |
MX2015004291A (es) | Dispositivos fotovoltaicos con rejillas metalicas galvanizadas. | |
CN104011881A (zh) | 混合型多晶硅异质结背接触电池 | |
TWI675491B (zh) | 太陽能電池導電性能之提升 | |
Glunz et al. | New concepts for the front side metallization of silicon solar cells | |
US9680037B2 (en) | Solar cell and method of manufacturing same, and solar cell module | |
EP2999005B1 (en) | Solar cell, manufacturing method therefor, solar-cell module, and manufacturing method therefor | |
CN105702757A (zh) | 一种晶体硅太阳能电池透明导电组合体及其制备方法 | |
TWI499073B (zh) | 矽晶太陽電池之背面電極製造方法 | |
JP2016195188A (ja) | 太陽電池の製造方法および太陽電池モジュールの製造方法 | |
CN102779906B (zh) | 太阳能电池电极的电化学制备方法 | |
TW201906187A (zh) | 太陽能電池及其製造方法、及太陽能電池模組 | |
CN102832263A (zh) | 具有背电场结构的太阳能电池及其制造方法 | |
CN114864754A (zh) | 一种异质结太阳能电池的制备方法 |