NL2001015C2

NL2001015C2 - Werkwijze voor het fabriceren van een achterzijde-gecontacteerde fotovoltaïsche cel, en achterzijde-gecontacteerde fotovoltaïsche cel die is gemaakt door een dergelijke werkwijze.

Info

Publication number: NL2001015C2
Application number: NL2001015A
Authority: NL
Inventors: Valentin Dan Mihailetchi
Original assignee: Energieonderzoek Ct Nederland
Priority date: 2007-11-19
Filing date: 2007-11-19
Publication date: 2009-05-20
Also published as: EP2212915B1; AU2008326918A1; CN101919064A; WO2009067005A1; TW200933918A; EP2212915A1; US20110000530A1; JP2011503907A; KR20100095588A

Description

WERKWIJZE VOOR HET FABRICEREN VAN EEN ACHTERZIJDE-GECONTACTEERDE FOTOVOLTAÏSCHE CEL, EN ACHTERZIJDE-GECONTACTEERDE FOTOVOLTAÏSCHE CEL DIE IS GEMAAKT DOOR EEN DERGELIJKE WERKWIJZE 5

De onderhavige uitvinding heeft betrekking op een werkwijze voor het fabriceren van een achterzijde-gecontacteerde fotovoltaïsche cel. Bovendien heeft de onderhavige uitvinding betrekking op een achterzijde-gecontacteerde fotovoltaïsche cel.

Een achterzijde-gecontacteerde fotovoltaïsche cel of zonnecel, die is gebaseerd 10 op ofwel een monokristallijne ofwel polykristallijne siliciumwafer, omvat een metalli-satieschema waarin contacteerelektroden van positieve en negatieve polariteit elk zijn aangebracht op een achterzijde van de zonnecel. Een dergelijk metallisatieschema past ofwel “metallization wrap through” (MWT) ofwel “emitter wrap through” (EWT) toe om de contacteerelektroden naar de achterzijde te brengen om zo een maximaal opper-15 vlak beschikbaar te hebben voor fotovoltaïsche omzetting aan een voorzijde van de zonnecel die tijdens gebruik gericht is naar een stralingsbron (bijvoorbeeld de zon). De bovenlaag van de zonnecel is verbonden met een voorzijde-contacterende elektrode aan de achterzijde van de cel door middel van één of meer metaalpennen in gaten (ook bekend als “via’s”) die zich uitstrekken door de wafer.

20 De achterzijde-gecontacteerde zonnecel uit de stand van de techniek lijdt om een aantal redenen onder een relatief slechte efficiëntie.

Het is bekend dat in conventionele MWT- of EWT-technologie de conductantie door de via’s heen relatief klein kan zijn. De metallisatie van de via’s wordt kenmerkend verkregen door middel van een zeefdrukproces waarbij metaalpasta in de via’s 25 wordt gedrukt. Om via’s te verkrijgen die volledig zijn gevuld met metaal is deze werkwijze moeilijk. Als een resultaat van de lage conductantie is de efficiëntie van de zonnecel daarom gereduceerd.

Uit Internationale Aanvrage WO 5076960 is het bekend om de conductantie binnen een via te verbeteren door de viawanden te doteren met gebruikmaking van een 30 difïusieproces dat vooraf gaat aan het zeefdrukproces. Het difïusieproces moet zijn ingericht om een viawand te verkrijgen met een hogere doteerstofconcentratie dan de optimale (lage) doteerstofconcentratie van de voorzijdelaag van de zonnecel. Een dergelijk difïusieproces voor de via is complex, aangezien het aanvullende productiestap- 2001015 2 pen vereist, die ook ongunstig kunnen interfereren met de vorming van de voorzijde-laag. In het bijzonder kan een relatief hoge doteerstofconcentratie aan de voorzijdelaag van de wafer als gevolg van de dotering van de viawanden de recombinatie verbeteren van minderheidsladingdragers in de voorzijdelaag.

5 Het is ook bekend om galvanisering te gebruiken voor metallisatie van de via’s in de wafer. Deze technologie is echter relatief kostbaar vergeleken met zeefdrukken.

Het is een doelstelling van de onderhavige uitvinding om de bovenstaande nadelen te verwijderen of ten minste te reduceren.

Deze doelstelling wordt bereikt door de werkwijze, omvattend: 10 - verschaffen van een halfgeleidersubstraat van een eerste geleidbaarheidstype; - creëren van ten minste één via tussen een voorzijde en een achterzijde van het halfgeleidersubstraat; - aanbrengen, aan de achterzijde, van een voorzijde-contacterende metaalpasta over de ten minste ene via, waarbij de voorzijde-contacterende metaalpasta een eerste contacte- 15 rend metaal omvat; - gloeien van het halfgeleidersubstraat om zo het eerste contacterende metaal te smelten, en gedurende gloeien, creëren, ten minste op de wanden van de ten minste ene via, van een legering van het eerste contacterende metaal en het halfgeleidersubstraat-materiaal.

20 Op voordelige wijze verschaft de werkwijze een verbetering voor het vullen van de ten minste ene via, dankzij een stroom van gesmolten eerste contacterend metaal als gevolg van bevochtiging en/of capillaire werking, wat wordt geholpen door de vorming van een legering aan de wanden van de ten minste ene via.

In een aspect verschaft de werkwijze dat het eerste contacterende metaal van de 25 voorzijde-contacterende metaalpasta een doteerstofelement voor het halfgeleidersubstraat is, waarbij het doteerstofelement een tweede geleidbaarheidstype veroorzaakt, waarbij het tweede geleidbaarheidstype tegengesteld is aan het eerste geleidbaarheidstype.

Op voordelige wijze maakt de werkwijze het in dit aspect mogelijk dat de wan-30 den van de ten minste ene via een geleidbaarheidstype kunnen hebben dat verschillend is van het geleidbaarheidstype van het substraatmateriaal.

In een ander aspect verschaft de werkwijze dat de voorzijde-contacterende metaalpasta ten minste één doteerstofelement omvat dat een tweede geleidbaarheidstype 3 veroorzaakt, waarbij het tweede geleidbaarheidstype tegengesteld is aan het eerste ge-leidbaarheidstype. Op voordelige wijze maakt de werkwijze het bij dit aspect mogelijk dat de wanden van de ten minste ene via een geleidbaarheidstype kunnen hebben dat verschillend is van het geleidbaarheidstype van het substraatmateriaal.

5 Ook heeft de onderhavige uitvinding betrekking op een achterzijde- gecontacteerde fotovoltaïsche cel, omvattend: - een halfgeleidersubstraat van een eerste geleidbaarheidstype; - ten minste één via vanaf een voorzijde naar een achterzijde van het halfgeleidersubstraat; 10 - aan de achterzijde een voorzijde-contacterend metaalpatroon over de ten minste ene via, waarbij het voorzijde-contacterende metaalpatroon een eerste contacterend metaal omvat; waarbij de ten minste ene via ten minste op de wanden een laag omvat van een legering van het eerste contacterende metaal en het halfgeleidersubstraatmateriaal.

15 Voordelige uitvoeringsvormen worden verder gedefinieerd door de afhankelijke conclusies.

Hieronder zal de uitvinding uiteen worden gezet met verwijzing naar een aantal tekeningen, die slechts bedoeld zijn voor illustratieve doeleinden en niet om de be-schermingsreikwijdte zoals gedefinieerd in de begeleidende conclusies te beperken.

20 Figuur 1 toont schematisch een dwarsdoorsnede van een achterzijde- gecontacteerde fotovoltaïsche cel overeenkomstig een uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding gedurende een beginstadium;

Figuur 2 toont schematisch een dwarsdoorsnede van de achterzijde- gecontacteerde fotovoltaïsche cel gedurende een volgend stadium; 25 Figuur 3 toont schematisch een dwarsdoorsnede van de achterzijde- gecontacteerde fotovoltaïsche cel gedurende een navolgend stadium;

Figuur 4 toont schematisch een dwarsdoorsnede van de achterzijde- gecontacteerde fotovoltaïsche cel gedurende nog een volgend stadium;

Figuur 5 toont schematisch een dwarsdoorsnede van de achterzijde- 30 gecontacteerde fotovoltaïsche cel gedurende een verder stadium;

Figuur 6 toont schematisch een dwarsdoorsnede van de achterzijde- gecontacteerde fotovoltaïsche cel gedurende nog een ander navolgend stadium; 4

Figuur 7 toont schematisch een dwarsdoorsnede van de achterzijde-gecontacteerde fotovoltaïsche cel in een verdere uitvoeringsvorm, en

Figuur 8 toont een blokschema van een proces volgens de onderhavige uitvinding.

5 Figuur 1 toont schematisch een dwarsdoorsnede van een achterzijde- gecontacteerde fotovoltaïsche cel 1 overeenkomstig een uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding gedurende een beginstadium.

Gedurende een beginstadium van het fabricageproces wordt een halfgeleidersub-straat 101 van een eerste geleidbaarheidstype verschaft.

10 Het substraat kan ofwel een monokristallijne wafer ofwel een polykristallijne wafer van silicium zijn.

Het eerste geleidbaarheidstype kan ofwel p-type (acceptor-type) ofwel n-type (donortype) zijn. In een voorkeursuitvoeringsvorm is het eerste geleidbaarheidstype n-type.

15 In het substraat 101 worden één of meer via’s 102 gecreëerd die lopen van een voorzijde 101a naar een achterzijde 101b van het substraat. Via’s kunnen gecreëerd worden door lasergat-boortechnologie (“laser hole drilling”).

Na het creëren van de via’s 102 wordt een bovenlaag 103 gevormd op de voorzijde van het substraat 101 en op de wanden 102a, 102b van de via’s 102, en optioneel op 20 een gedeelte van de achterzijde van het substraat. De bovenlaag 103 heeft een tweede geleidbaarheidstype dat tegengesteld is aan het eerste geleidbaarheidstype van het substraat 101.

In een voorkeursuitvoeringsvorm heeft het substraat n-type geleidbaarheid en heeft de bovenlaag 103 p-type geleidbaarheid. De p-type bovenlaag 103 kan worden 25 gevormd door diffusie van boor (B) als een eerste doteerstofelement van het p-type.

Alternatief kan het eerste doteerstofelement Al, Ga of In omvatten.

Het eerste doteerstofelement kan worden gevormd uit een dampbron of een be-kledingsbron.

De bekledingsbron kan een pasta of een vloeistof zijn die de doteerstof omvat. 30 Deze pasta of vloeistof kan worden gezeefdrukt, spincoated of gesproeid op het oppervlak van het substraat en kan dan bij hoge temperatuur ingedifïundeerd worden.

Figuur 2 toont schematisch een dwarsdoorsnede van de achterzijde-gecontacteerde fotovoltaïsche cel 1 gedurende een volgend stadium.

5

Vervolgens worden basiscontactgebieden 104 voor het contacteren van het substraat 101 gecreëerd op de achterzijde 101b.

Een masker (niet getoond) wordt gebruikt om de gebieden te definiëren waar de basiscontacten 104 gevormd moeten worden.

5 In een voorkeursuitvoeringsvorm, waarin het substraat n-type geleidbaarheid heeft, worden de basiscontactgebieden 104 gecreëerd door een diffusie van een tweede doteerstofelement van het n-type. Het tweede doteerstofelement kan fosfor (P) zijn. Het tweede doteerstofelement kan worden gevormd uit een dampbron of een bekledings-bron.

10 Na het definiëren of creëren van de basiscontactgebieden 104 wordt het masker verwijderd.

Alternatief kan het tweede doteerstofelement lokaal worden aangebracht op de basiscontactgebieden 104 door middel van een doteerstof die pasta omvat dat n-type doteerstof omvat.

15 Figuur 3 toont schematisch een dwarsdoorsnede van de achterzijde- gecontacteerde fotovoltaïsche cel 1 gedurende een navolgend stadium.

Vervolgens wordt een eerste diëlektrische laag 105 gevormd op de voorzijde van het substraat om de bovenlaag 103 te bedekken. Kenmerkend is de eerste diëlektrische laag 105 een siliciumnitridelaag die gecreëerd kan worden door een plasma-verbeterd 20 chemisch dampdepositieproces (PECVD). Alternatief kan de diëlektrische laag worden gevormd door een sputter-depositieproces of een lagedruk-CVD-proces (LPCVD-proces) of een willekeurig verder proces dat uit de stand van de techniek bekend is.

Vervolgens wordt een tweede diëlektrische laag 106 gevormd op de achterzijde van het substraat. Kenmerkend is de tweede diëlektrische laag 106 die een verschillen- 25 de samenstelling kan hebben dan de eerste diëlektrische laag 105 een siliciumnitridelaag die ook gecreëerd kan worden door een plasma-verbeterd chemisch dampdeposi-tie-proces (PECVD).

Figuur 4 toont schematisch een dwarsdoorsnede van de achterzijde-gecontacteerde fotovoltaïsche cel 1 gedurende nog een volgend stadium.

30 Gedurende dit stadium wordt een achterzijde-metallisatiepatroon 107 gecreëerd op de tweede diëlektrische laag aan de achterzijde van het substraat. Het achterzijde-metallisatiepatroon 107 wordt althans nagenoeg over de basiscontactgebieden 104 aangebracht.

6

Kenmerkend wordt het achterzijde-metallisatiepatroon 107 gecreëerd door zeefdrukken van een achterzijde-contacterende metaalpasta. Alternatief kan het achterzijde-metallisatiepatroon 107 ook worden gecreëerd door een andere technologie, zoals sten-cildrukken, inkjet-printen, dispensie, decalcomanie, elektrische depositie, stroomloze 5 depositie (maar niet hiertoe beperkt). De achterzijde-metaalpasta van het achterzijde-metallisatiepatroon 107 kan zilver (Ag) als tweede contacterend metaal omvatten.

Figuur 5 toont schematisch een dwarsdoorsnede van de achterzijde-gecontacteerde fotovoltaïsche cel l gedurende een navolgend stadium.

Gedurende dit stadium wordt een voorzijde-contacterend metallisatiepatroon 108 10 gecreëerd aan de achterzijde van het substraat. Het voorzijde-contacterende metallisatiepatroon wordt zodanig gevormd over de achterzijde via openingen, dat de via’s 102 ten minste gedeeltelijk worden gevuld met eerste contacterend metaal.

Het voorzijde-contacterende metallisatiepatroon kan worden gecreëerd door een tweede zeefdrukproces van een contacterende metaalpasta, of door andere technieken 15 zoals die hierboven zijn vermeld met verwijzing naar de fabricage van het achterzijde-metallisatiepatroon.

In een voorkeursuitvoeringsvorm omvat de contacterende metaalpasta van het voorzijde-contacterende metallisatiepatroon 108 aluminium (Al) als eerste contacterend metaal.

20 In het geval van MWT (metallisation wrap through) wordt een aanvullend metal lisatiepatroon (hier niet getoond) ook aangebracht op de voorzijde van het substraat.

Figuur 6 toont schematisch een dwarsdoorsnede van de achterzijde-gecontacteerde fotovoltaïsche cel gedurende nog een ander navolgend stadium.

Gedurende dit stadium wordt de achterzijde-gecontacteerde fotovoltaïsche cel 25 verhit tot een verhoogde gloeitemperatuur. De gloeitemperatuur wordt zodanig geselecteerd dat de vorming van een geleidend contact mogelijk wordt gemaakt tussen het tweede contacterende metaal van het achterzijde-contacterende metallisatiepatroon 107 en de basiscontactgebieden 104, en dat smelting wordt veroorzaakt van ten minste het eerste contacterende metaal in de contacterende metaalpasta van het voorzijde-30 contacterende metallisatiepatroon 108.

Het smelten van de voorzijde-contacterende metaalpasta maakt op voordelige wijze het vullen van de via’s mogelijk, dankzij een stroom van gesmolten contacterend pastamateriaal die wordt veroorzaakt door bevochtiging en/of capillaire werking.

7

Bovendien kan de gloeitemperatuur zodanig worden gekozen dat een reactie wordt verkregen van het eerste contacterende metaal van het voorzijde-contacterende metallisatiepatroon 108 met de wanden 102a, 102b van de via om een intermetallische verbinding 109 te vormen (bijvoorbeeld een eutectische legering).

5 De via kan een plug van één enkelvoudig metaal lichaam omvatten, in het geval dat er geen reactie optreedt met de wanden. Indien er wel een reactie optreedt met de wanden, dan kan de via een plug omvatten die gedeeltelijk of volledig bestaat uit de intermetallische verbinding 109.

In een uitvoeringsvorm waarin de eerste contacterende metaalpasta aluminium 10 omvat en het halfgeleidersubstraat silicium omvat, kan de intermetallische verbinding 109 het Al-Si eutectoïde omvatten. Als gevolg van de vorming van een eutectische legering bij relatief lage liquidustemperatuur (circa 600 °C) in het Al-Si-samenstellingssysteem (of Al-Si fasediagram) kan een uitstekende vulling van via’s worden bereikt, in het bijzonder als gevolg van de relatief lage viscositeit van de eutec-15 tische vloeistof.

Ook wordt opgemerkt dat aluminium kan fungeren als een p-type doteerstof van silicium. Als resultaat wordt de junctie-isolatie (de isolatie van het via-metaal van het n-type substraat 101) en de geleidbaarheid sbinnen de viawand verbeterd, wat leidt tot een verdere verbetering van de efficiëntie van de achterzijde-gecontacteerde fotovoltaï-20 sche cel 1.

In een uitvoeringsvorm waarin de achterzijde-contacterende metaalpasta zilver omvat en het voorzijde-contacterende metaalpasta aluminium omvat, kan een gloeitemperatuur worden gekozen tussen de smelttemperatuur van aluminium en die van zilver. In een dergelijk geval kan legering van aluminium met silicium optreden, terwijl 25 zilverpasta alleen de siliciumnitridelaag 106 opent om contact te maken met de basiscontacten 104.

Er wordt opgemerkt dat in een alternatieve uitvoeringsvorm de achterzijde-contactering (door gloeien) van de achterzijde-contacterende metaalpasta 107 met de basiscontacten 104 gedaan kan worden voorafgaand aan het zeefdrukken van de voor-30 zijde-contacterende metaalpasta 108 en het navolgende gloeien om de via’s te vullen met het contacterende metaal.

8

Aangezien de gloeitemperatuur om aluminium (of Al-Si-legering) te smelten lager is dan de smelttemperatuur van zilver, zijn de achterzijde-zilvercontacten 107 stabiel gedurende het vullen van de via’s.

Er wordt opgemerkt dat in een verdere uitvoeringsvorm de metallische plug in de 5 via een lege ruimte in zijn centrum kan omvatten. In dat geval kan de plug een (quasi-) buisvormige vorm vertonen.

Als gevolg van het gloeien consolideert de voorzijde-contacterende metaalpasta tot een voorzijde-contacterende metaalsamenstelling die het eerste contacterende metaal omvat, en consolideert de achterzijde-contacterende metaalpasta tot een achterzij-10 de-contacterende metaalsamenstelling die het tweede contacterende metaal omvat.

Figuur 7 toont schematisch een dwarsdoorsnede van de achterzijde-gecontacteerde fotovoltaïsche cel in een verdere uitvoeringsvorm.

In figuur 7 verwijzen elementen met hetzelfde verwijzingscijfer zoals getoond in de voorgaande figuren naar de corresponderende elementen.

15 In deze uitvoeringsvorm omvat de voorzijde-contacterende metaalpasta 108 een eerste contacterend metaal en een doteerstofelement. Gedurende een gloeiprocedure kunnen zowel een diffusiereactie van het doteerstofelement dat in het substraatmateri-aal diffundeert als een legeringsreactie van het eerste contacterende metaal met het halfgeleidersubstraatmateriaal optreden. Afhankelijk van de reactie-kinetica van elk 20 van deze reacties kan de plug in de via een gedoteerde laag 111, een intermetallische verbindingslaag 112 en een metaallichaam 110 omvatten. De verhouding van de breedten zal afhangen van de reactie-kinetica bij de geselecteerde gloeitemperatuur, zoals bekend zal zijn voor de vakman.

In een uitvoeringsvorm omvat het substraat 101 n-type silicium en omvat de 25 voorzijde-contacterende metaalpasta asluminium en boor.

Figuur 8 toont een blokschema van een fabricageproces 800 overeenkomstig een uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding.

Het fabricageproces 800 van een achterzijde-gecontacteerde fotovoltaïsche cel 1 begint bij bewerking 801, waarin een n-type siliciumsubstraat wordt verschaft. De wa-30 fer is ofwel monokristallijn ofwel polykristallijn.

In de volgende bewerking 802 worden gaten (via’s) voor p-type contacten in de wafer geboord door laserboren.

9

Dan wordt, in bewerking 803, aan de voorzijde van de wafer een bovenlaag met p-type geleidbaarheid gevormd door boor (p+)-diffiisie. Dit diffiisieproces kan worden uitgevoerd bij een verhoogde temperatuur met gebruikmaking van gasvormige boor-precursor. Tegelijkertijd worden de wanden van de via’s bedekt met een laag van p-5 type geleidbaarheid.

In bewerking 804 worden contactgebieden gecreëerd aan de achterzijde 101b van de wafer door een diffusie van n-type doteerstof. De n-type doteerstof kan fosfor (P) zijn.

In navolgende bewerking 805 wordt een eerste diëlektrische laag 105 gevormd 10 als passivatie- en antireflectie-laag om de bovenlaag 103 te bedekken. Deze eerste diëlektrische laag 105 kan een siliciumnitridelaag zijn die gecreëerd kan worden door een plasma-verbeterd chemisch dampdepositieproces (PECVD).

In de volgende bewerking 806 wordt een tweede diëlektrische laag 106 gevormd als passivatie- en inteme-reflectie-laag op de achterzijde van de wafer. De tweede sili-15 ciumnitridelaag kan worden gecreëerd door een plasma-verbeterd chemisch dampdepo sitieproces (PECVD).

In bewerking 807 wordt een achterzijde(basis)-contacterend metallisatiepatroon 107 voor het contacteren van de achterzijde-basiscontacten gecreëerd op de achterzijde van de wafer door zeefdrukken van een achterzijde-contacterende metaalpasta dat zil-20 ver (Ag) omvat.

Dan wordt, in bewerking 808, een voorzijde(emitter)-contacterend metallisatiepatroon 108 gecreëerd aan de achterzijde van de wafer door zeefdrukken van een contacterende metaalpasta die aluminium als eerste contacterend metaal omvat. Het voorzij-de-contacterende metallisatiepatroon is zodanig gevormd over de achterzijde via ope-25 ningen, dat de via’s 102 ten minste gedeeltelijk zijn gevuld met voorzijde-contacterende metaalpasta.

Vervolgens, in bewerking 809, wordt de wafer gegloeid bij een verhoogde gloei-temperatuur. Gedurende het gloeien wordt een geleidend contact tussen het achterzijde-zilvermetallisatiepatroon 107 en de basiscontactgebieden 104 gevormd. Tegelijkertijd 30 smelt de contacterende metaalpasta en vult de via’s, als gevolg van een stroom van het gesmolten contacterende metaalpastamateriaal, veroorzaakt door bevochtiging en/of capacillaire werking. Het aluminium van de voorzijde-contacterende metaalpasta reageert met het silicium van de wafer en vormt een intermetallische verbinding die de 10 wanden van de via bedekt. Aangezien aluminium een p-type doteerstof voor silicium is, wordt de junctie-isolatie verbeterd en wordt de efficiëntie van de fotovoltaïsche cel verbeterd.

In een volgende bewerking 810 wordt de wafer afgekoeld en verder verwerkt om 5 een fotovoltaïsche cel te creëren.

Opgemerkt wordt dat in de bovenstaande beschrijving diverse tussenliggende processtappen aanwezig kunnen zijn, in het bijzonder natte of droge chemische stappen, bijvoorbeeld voor etsen en reinigen. Duidelijkheidshalve worden deze tussenliggende stappen die duidelijk zijn voor de vakman hier niet besproken.

10 Het zal voor de vakman duidelijk zijn dat andere uitvoeringsvormen van de uit vinding bedacht en tot de praktijk herleid kunnen worden zonder af te wijken van de ware geest van de uitvinding, waarbij de reikwijdte van de uitvinding alleen wordt beperkt door de bijgevoegde conclusies zoals uiteindelijk verleend. De beschrijving is niet bedoeld om de uitvinding te begrenzen.

2 0 u 1 0 1 5

Claims

1. Werkwijze voor het fabriceren van een fotovoltaïsche cel, omvattend: - verschaffen van een halfgeleidersubstraat van een eerste geleidbaarheidstype; 5. creëren van ten minste één via tussen een voorzijde en een achterzijde van het halfge leidersubstraat; - aanbrengen, op de achterzijde, van een voorzijde-contacterende metaalpasta over de ten minste ene via, waarbij de voorzijde-contacterende metaalpasta een eerste contacterend metaal omvat; 10. gloeien van het halfgeleidersubstraat om zo het eerste contacterende metaal te smel ten, en gedurende het gloeien, creëren, ten minste op de wanden van de ten minste ene via, van een legering van het eerste contacterende metaal en het halfgeleidersubstraatmateriaal.

2. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij - na het creëren van de ten minste ene via, een laag van een tweede geleidbaarheidstype wordt gevormd op ten minste de voorzijde van het halfgeleidersubstraat en op wanden van de ten minste ene via; waarbij het tweede geleidbaarheidstype tegengesteld is aan het eerste geleidbaarheids-20 type.

3. Werkwijze volgens één van de voorgaande conclusies 1-2, waarbij het eerste contacterende metaal van de voorzijde-contacterende metaalpasta een doteerstofele-ment voor het halfgeleidersubstraat is, waarbij het doteerstofelement een tweede ge- 25 leidbaarheidstype veroorzaakt,s waarbij het tweede geleidbaarheidstype tegengesteld is aan het eerste geleidbaarheidstype.

4. Werkwijze volgens één van de voorgaande conclusies 1-3, waarbij de voorzijde-contacterende metaalpasta ten minste één eerste doteerstofelement omvat dat een 30 tweede geleidbaarheidstype veroorzaakt, waarbij het tweede geleidbaarheidstype tegengesteld is aan het eerste geleidbaarheidstype. 2001015-

5. Werkwijze volgens conclusie 2, waarbij, in aanvulling op de vorming van de laag van het tweede geleidbaarheidstype, de werkwijze omvat: - vormen van basiscontactgebieden aan de achterzijde van het halfgeleidersubstraat, waarbij de basiscontactgebieden van het eerste geleidbaarheidstype zijn. 5

6. Werkwijze volgens conclusie 2, waarbij, na de vorming van de laag van het tweede geleidbaarheidstype, de werkwijze omvat: - vormen van een eerste diëlektrische laag om de laag van het tweede geleidbaarheidstype te bedekken. 10

7. Werkwijze volgens conclusie 5, waarbij, na de vorming van de basiscontactgebieden aan de achterzijde van het halfgeleidersubstraat, de werkwijze omvat: - vormen van een tweede diëlektrische laag om de achterzijde van het halfgeleidersubstraat te bedekken. 15

8. Werkwijze volgens conclusie 7, waarbij, na de vorming van de tweede diëlektrische laag, de werkwijze omvat - aanbrengen van achterzijde-contacterende metaalpasta op de basiscontactgebieden; waarbij de achterzijde-contacterende metaalpasta een tweede contacterend metaal om· 20 vat.

9. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij het gloeien van het halfgeleidersubstraat wordt gedaan bij een temperatuur boven ten minste een smelttemperatuur van het eerste contacterende metaal. 25

10. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij het gloeien van het halfgeleidersubstraat wordt gedaan bij een temperatuur boven ten minste een eutectische temperatuur van een samenstellingssysteem van het eerste contacterende metaal en het halfgeleider-substraatmateriaal. 30

11. Werkwijze volgens conclusie 9 of 10, waarbij het eerste contacterende metaal een smelttemperatuur of een eutectische temperatuur heeft in verbinding met het sub-straatmateriaal, lager dan een smelttemperatuur van het tweede contacterende metaal.

12. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij het eerste geleidbaarheidstype n-type is.

13. Werkwijze volgens conclusie 9 of 10, waarbij de voorzijde-contacterende metaalpasta aluminium omvat als eerste contacterend metaal, de achterzijde-contacterende metaalpasta zilver omvat als tweede contacterend metaal, en 10 het halfgeleidersubstraat silicium omvat.

14. Werkwijze volgens conclusie 4, waarbij het ten minste ene eerste doteerstof-element wordt geselecteerd uit ten minste één van een groep van boor, aluminium, gallium en indium. 15

15. Werkwijze volgens conclusie 5, waarbij het vormen van basiscontactgebieden aan de achterzijde van het halfgeleidersubstraat wordt gedaan door diffusie van een tweede doteerstofelement van het eerste geleidbaarheidstype; waarbij het tweede do-teerstofelement wordt geselecteerd uit ten minste één van een groep van fosfor, arseen 20 en antimoon.

16. Fotovoltaïsche cel, omvattend: - een halfgeleidersubstraat van een eerste geleidbaarheidstype; - ten minste één via vanaf een voorzijde naar een achterzijde van het halfgeleidersub-25 straat; - op de achterzijde, een voorzijde-contacterend metaalpatroon over de ten minste ene via, waarbij het voorzijde-contacterende metaalpatroon een eerste contacterend metaal omvat; waarbij de ten minste ene via ten minste op de wanden een laag omvat van een legering 30 van het eerste contacterende metaal en het halfgeleidersubstraatmateriaal.

17. Fotovoltaïsche cel volgens conclusie 16, waarbij de fotovoltaïsche cel basis-contactgebieden aan de achterzijde omvat, waarbij de basiscontactgebieden van het eerste geleidbaarheidstype zijn.

18. Fotovoltaïsche cel volgens conclusie 17, waarbij de basiscontactgebieden zijn voorzien van een achterzijde-contacterend metaalpatroon, waarbij het achterzijde-contacterende metaalpatroon een tweede contacterend metaal omvat.

19. Fotovoltaïsche cel volgens conclusie 16, waarbij de fotovoltaïsche cel een 10 laag van een tweede geleidbaarheid omvat tussen de laag van de legering en het halfge-leidersubstraatmateriaal in de ten minste ene via, en op de voorzijde van het halfgelei-dersubstraat; waarbij het tweede geleidbaarheidstype tegengesteld aan het eerste geleidbaarheidstype is.

20. Fotovoltaïsche cel volgens conclusie 16, waarbij het eerste contacterende me taal van het voorzijde-contacterende metaalpatroon een doteerstofelement is voor de halfgeleider van het eerste geleidbaarheidstype, waarbij het doteerstofelement een tweede geleidbaarheidstype veroorzaakt, waarbij het tweede geleidbaarheidstype tegengesteld aan het eerste geleidbaarheidstype is. 20

21. Fotovoltaïsche cel volgens één van de conclusies 16 of 20, waarbij het voorzijde-contacterende metaalpatroon ten minste één doteerstofelement omvat dat een tweede geleidbaarheidstype veroorzaakt, waarbij het tweede geleidbaarheidstype tegengesteld aan het eerste geleidbaarheidstype is. 25

22. Fotovoltaïsche cel volgens conclusie 21, waarbij het eerste contacterende metaal een smelttemperatuur of een eutectische temperatuur heeft in verbinding met het substraatmateriaal, lager dan een smelttemperatuur van het tweede contacterende metaal. 30

23. Fotovoltaïsche cel volgens één van de conclusies 16-22, waarbij het eerste geleidbaarheidstype n-type is.

24. Fotovoltaïsche cel volgens één van de conclusies 18 - 23, waarbij het voorzijde-contacterende metaalpatroon aluminium omvat als eerste contacterend metaal, het achterzijde-contacterende metaalpatroon zilver omvat als tweede contacterend me-5 taal, en het halfgeleidersubstraat silicium omvat.

25. Fotovoltaïsche cel volgens conclusie 23 of 24, waarbij het ten minste ene do-teerstofelement wordt geselecteerd uit ten minste één van een groep van boor, aluminium, gallium en indium. 10 **************** 2 00 1 0 1 5 *