KR101330973B1 - 태양 전지 및 이의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 출원의 일 실시예에서는 표면에 요철이 형성되어 있는 제1 도전형의 기판, 상기 요철에 형성되어 있는 홈들, 상기 기판에 형성되어 있으며, 상기 제1 도전형과 반대되는 제2 도전형의 불순물을 포함하는 도핑부를 포함하는 태양 전지를 제공한다.
태양 전지, 텍스쳐링, 요철, 홈

Description

태양 전지 및 이의 제조 방법{Solar cell and manufacturing methods thereof}
본 출원은 태양 전지 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다.
최근 석유나 석탄과 같은 기존 에너지 자원의 고갈이 예측되면서 이들을 대체할 대체 에너지에 대한 관심이 높아지고 있다. 그 중에서도 태양 에너지는 에너지 자원이 풍부하고 환경오염에 대한 문제점이 없어 특히 주목받고 있다.
태양 에너지의 이용방법으로는 태양열을 이용하여 터빈을 회전시키는데 필요한 증기를 발생시키는 태양열 에너지와, 반도체의 성질을 이용하여 태양광(photons)을 전기 에너지로 변환시키는 태양광 에너지가 있다. 이 중 태양광 에너지라고 하면 일반적으로 태양 전지를 일컫는다.
이 태양전지는 p형 반도체와 n형 반도체를 접합시켜 만들며, 광전효과로 n형 반도체에서 p형 반도체로 전자가 흘러 전기가 만들어진다.
태양전지의 에너지 변환효율을 향상시키기 위해서는 태양전지 기판 및 전극에서의 저항을 낮추고, 캐리어들의 재결합을 줄여야 함과 동시에 기판에 입사되는 빛에 대한 반사도를 감소시켜야 하는바, 이에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다.
본 출원은 이 같은 기술적 배경에서 제안된 것으로, 빛의 반사도를 줄여서 태양 전지의 에너지 변환 효율을 높이고자 한다.
본 출원의 일 실시예에서는 표면에 요철이 형성되어 있는 제1 도전형의 기판, 상기 요철에 형성되어 있는 홈들, 상기 기판에 형성되어 있으며, 상기 제1 도전형과 반대되는 제2 도전형의 불순물을 포함하는 도핑부를 포함하는 태양 전지를 제공한다.
여기서, 상기 홈들은 상기 요철의 경사면을 따라서 형성되고, 그 형상이 일정하지 않다. 또한 상기 홈들은 상기 요철 전체에 형성될 수 있다.
이 같은 태양 전지는 상기 요철을 덮고 있는 반사 방지막을 더 포함할 수도 있다.
바람직하게. 상기 요철은 상기 홈들 대비 20배~40배의 크기로 형성되는데, 상기 요철은 10(um)~ 20(um)의 크기로, 상기 홈들은 400 내지 500(nm)의 크기로 형성된다.
상기 도핑부는, 상기 제1 도전형과 반대되는 제2 도전형의 불순물을 포함하는 제1 도핑부와, 상기 제2 도전형과 반대되는 제1 도전형의 불순물을 포함하는 제2 도핑부를 포함한다.
이 경우, 상기 제1 도핑부와 제2 도핑부는 상기 기판의 하부면에 각각 형성 될 수 있다.
이 같은 태양 전지는 상기 제1 도핑부와 상기 제2 도핑부를 덮는 보호막을 더 포함할 수도 있다.
본 출원의 다른 실시예에서는 기판의 표면에 요철을 형성하는 단계, 상기 요철에 금속 입자를 공급하는 단계, 상기 금속 입자를 촉매로 이용해서 상기 요철에 홈들을 형성하는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법을 제공한다.
상기 금속 입자를 공급하는 단계는, 상기 금속 입자가 포함되어 있는 에천트를 상기 요철에 공급할 수 있다. 이 경우, 상기 에천트는 HF, AgNo3, H2O2가 1:1:1의 부피비로 혼합되어 있다.
또한, 상기 금속 입자를 공급하는 단계는, 상기 금속 입자가 포함된 잉크를 상기 요철에 도포하는 단계, 그리고 상기 잉크를 건조시켜 상기 금속 입자만을 선택적으로 상기 요철에 부착하는 단계를 포함할 수도 있다. 이 경우, 상기 잉크는 100(nm)~300(㎚) 크기의 금속 입자와, H2O 및 폴리비닐피롤리돈(polyvinylpyrrolidone; PVP)을 포함한다.
이 같은 태양 전지의 제조 방법은 상기 요철에 홈들을 형성한 이후에, 상기 요철에 남아 있는 금속 입자를 제거하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판의 표면에 요철이 형성되어 있으며, 또한 요철에는 미세한 홈들이 형성되어 있으므로, 요철 및 홈들에서 빛의 입사 및 반 사 동작이 늘어나게 되어 기판 내부에 빛이 더 갇히게 된다.
이하, 첨부한 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 당업자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 출원의 일 실시예에 따른 태양 전지의 개략적인 모습을 보여주는 단면도이다.
도 1에서, 기판(10)에는 제1 도전성의 제1 도핑부(30)와, 제1 도전성과 반대되는 제2 도전성의 제2 도핑부(40)가 형성되어 있다.
먼저, 기판(10)은 제2 도전성 불순물이 도핑되어 있는 p형(또는 n형) 반도체로, 단결정 또는 다결정 실리콘으로 형성이 된다. 실시예들에서, 기판(10)은 p형 다결정 실리콘인 것으로 예시한다.
제1 도핑부(30)는 기판(10)과 반대되는 도전성의 불순물로 도핑되어 있다. 따라서, 본 출원의 실시예들에서는 제1 도핑부(30)는 n형 불순물로 도핑되어 있다. 이 같은 제1 도핑부(30)는 빛이 기판(10)에 입사되는 상부면(10a)과 마주하는 하부면(10b)에 부분적으로 형성이 되어 있다. 한편, 기판(10)은 p형 반도체이고, 제1 도핑부(30)는 n형 반도체이므로, 둘 사이에서 p-n 접합이 형성된다.
제2 도핑부(40)는 제1 도핑부(30)와 반대되는 도전성인 p형 불순물로 도핑되어 있다. 제2 도핑부(40)는 제1 도핑부(30) 사이에 선택적으로 형성이 되며, 기판(10)과 동일한 도전성 타입의 불순물이 기판(10)보다 고농도로 도핑된 영역이다. 이 같은 제2 도핑부(40)는 기판(10)의 표면에서 전위 장벽을 줄여 기판(10)의 하부면(10b)에서 전자와 정공이 재결합하여 소멸되는 것을 방지한다.
그리고, 제1 도핑부(30)와 제2 도핑부(40)가 형성되어 있는 하부면(10b)에는 보호막(50)이 형성되어 있다. 이 보호막(50)은 제1 도핑부(30) 및 제2 도핑부(40)를 덮어 대기 중에 노출되는 것을 방지한다. 보호막(50)에는 제1 도핑부(30) 및 제2 도핑부(40)를 노출시키는 컨택홀(51)이 형성되어 있다. 컨택홀(51)을 통해서, 제1 도핑부(30) 및 제2 도핑부(40)가 노출이 된다.
버스바(60)가 컨택홀(51)을 메우면서 보호막(50) 위에 형성되어 있다. 버스바(60)는 알루미늄과 같은 도전성 물질로 이루어지므로, 제1 도핑부(30)와 제2 도핑부(40)는 버스바(60)를 매개로 전기적으로 연결이 된다.
그리고, 기판(10)의 상부면(10a)으로는 요철(11)이 형성되어 있다. 이 같은 요철(11)은 기판(10)의 상부면(10a) 전체에 형성될 수 있으며, 피라미드 형상으로 10(um)~ 20(um)의 크기로 형성되는 것이 바람직하다. 이처럼 기판(10)의 상부면(10a)에 형성되어 있는 조밀한 요철(11)은 빛이 기판(10)에서 반사되는 것을 방지하고, 빛이 기판(10)에서 진행하는 경로를 늘여 준다.
이 같은(11)은 요철(11)에는 홈들(301)이 더 형성되어 있다. 홈들(301)은 요철(11)의 경사면을 따라서 조밀하게 형성되어 있다. 단면상, 기판(10)의 상부면(10a)은 요철(11)에 의해서 톱니 모양을 가지며, 다시 요철(11)은 홈들(301)에 의해서 톱니 모양을 가지는 2중 구조를 가진다. 그 결과로, 기판(10)에 입사되는 빛은 1차적으로 요철(11)에 의해서 반사 및 진행 경로가 늘어나며, 다시 홈들(301) 에 의해서 2차적으로 빛의 반사 및 진행 경로가 늘어나게 된다. 이에 따라, 종전보다 빛 반사도는 줄어드는 반면에 요철(11) 및 홈들(301)에서 빛의 입사 및 반사 동작이 늘어나게 되어서 기판 내부에 빛이 더 갇히게 된다.
이 같은 홈들(301)은 요철(11) 전체에 걸쳐 형성될 수 있으며, 그 형상이 일정하지 않다. 또한, 홈들(11)은 요철(11) 대비 1/40배~1/20배의 크기로 형성될 때, 가장 바람직하게 반사율을 줄일 수 있다. 이 경우, 홈들(11)은 400 내지 500(nm)의 나노 사이즈로 형성되는 것이 바람직하다.
요철(11)이 형성되어 있는 기판(10) 위로는 이 요철(11)을 덮는 반사 방지막(20)이 더 형성되어 있다. 이 같은 반사 방지막(20)은 빛이 기판(10)에서 반사되는 것을 방지해 요철(11), 홈들(301) 과 함께 기판(10)으로 입사되는 빛이 손실되는 것을 효과적으로 방지한다. 이 반사 방지막(20)은 실리콘 질화막(SiNx) 또는 실리콘 산화막(SiO2) 등으로 이루어진다.
이하, 상술한 태양 전지를 제조하는 방법에 대해서 첨부한 도면을 참조로 설명한다.
도 2에서, p형 반도체로 이루어진 기판(10)에 보호막(110)을 형성한다. 이 보호막(110)은 기판(10)의 상부면(10a)과 하부면(10b) 중 하부면(10b)에 대해서만 선택적으로 형성이 된다. 이에 따라서, 상부면(10a)은 대기 중에 노출되지만, 하부면(10b)은 노출되지 않는다. 이 같은 보호막(110)은 화학기상증착법을 이용해서 기판(10)의 상부면(10a)에 SiO2 또는 SiNx를 증착해서 형성할 수 있다.
다음으로 도 3에서와 같이, 대기 중에 노출되어 있는 상부면(10a)에 에천트를 공급해서 기판(10)의 전면을 텍스쳐링한다. 이에 따라, 기판(10)의 상부면(10a)에는 요철(11)이 형성된다. 기판(10)이 단결정 반도체인 경우에, 염기성 용액(예, KOH, NaOH, TMAH 등)을 에천트로 사용하며, 다결정 반도체인 경우에는 산 용액(예, HF, HNO3 등)을 에천트로 사용한다. 여기서, 요철(11)은 3차원적으로 볼 때 피라미드 형상으로 10(um)~ 20(um)의 크기로 형성되는 것이 바람직하다(도 4 참조).
이 같은 표면 조직화 과정에서, 기판(10)의 하부면(10b)으로는 보호막(110)이 형성되어 있어 에천트가 공급되지 못하므로, 하부면(10b)에서는 식각이 일어나지 않는다.
다음으로, 도 5내지 도 7에서와 같이, 요철(11)이 형성되어 있는 기판(10)의 상부면(10a)에 은과 같은 금속입자가 포함된 에천트를 공급힌다. 금속 입자는 Au, Ag, Cu, Al, Pt 및 Pd 중 선택된 어느 하나 또는 이들의 혼합물로 이루어지며, 100 내지 300(㎚)의 나노 사이즈로 존재하는 것이 바람직하다. 본 출원의 실시예들에서는 금속 입자가 Ag인 경우를 예로써 설명한다. 이 경우, 금속입자는 에천트에 AgNO3 형태로 존재한다.
금속 입자가 포함된 에천트가 요철(11)에 공급됨에 따라서, 요철(11)에서 선택적 식각이 일어난다. 금속 입자(201)는 자중 때문에 도 6에서 예시하는 바처럼 요철(11)의 표면에 분포하게 되는데, 이 같은 금속 입자(201)는 촉매 작용을 일으켜서 요철(11)에 다시 미세한 홈들(301)을 만든다.
보다 자세히, 요철(11)의 표면에 분포하는 금속 입자(201)는 촉매 작용을 일으켜서 금속 입자(201)가 부착된 부분이 그렇지 않은 부분보다 빠르게 식각이 이루어지도록 한다. 이 같은 식각 속도의 차이는 요철(11) 표면에 미세한 홈들(301)을 만들 수 있도록 한다. 그런데, 요철(11)에 분포하는 금속 입자(201)는 위치에 따라서 분포하는 양이 다를 수가 있어, 이 경우 홈들(301)의 형상은 식각 속도에 차이가 생겨 일정하지 않다. 이 같은 홈들(301)의 불규칙한 형상은 기판 표면에서 빛의 입사 및 반사 동작을 늘린다.
이 같은 금속 입자(201)가 만드는 홈들(301)은 400 내지 500(nm)의 나노 사이즈로 형성이 되는 것이 바람직하다.
한편, 요철(11)은 피라미드 형상으로 10(um)~ 20(um)의 크기로 형성되는 반면에, 홈들(301)은 400 내지 500(nm)의 나노 사이즈로 형성이 되므로, 홈들(301)은 실질적으로 요철(11)의 경사면을 따라서 조밀하게 분포한다. 이처럼 요철(11)에 홈(301)이 형성된 모습을 도 8 내지 도 9에 예시하였다. 도 8은 요철(11)의 경사면을 따라서 홈이 형성된 모습을 보여주는 SEM 사진이고, 도 9는 평면 모습을 보여주는 SEM 사진이다.
하기 반응식 1은 금속 입자(201)의 촉매 작용에 의한 반응 메커니즘을 보여준다.
[반응식 1]
음극 반응(금속 입자)
Figure 112009014623661-pat00001
Figure 112009014623661-pat00002
양극 반응(요철 표면)
Figure 112009014623661-pat00003
Figure 112009014623661-pat00004
전체 반응
Figure 112009014623661-pat00005
상기 반응식 1에 나타난 바와 같이, 요철(11) 표면에서 금속 입자(201)는 H2O2에서 해리되는 수소이온(H+)의 생성속도를 빠르게 진행시키고, 수소 기체(H2)의 생성속도는 상대적으로 감소시킨다. 높은 농도의 수소이온(H+)은 양극 반응이 일어나는 요철(11) 표면에서 SiF4의 생성을 가속화시켜 금속 입자(201)가 부착된 요철(11) 표면의 식각 속도를 가속화시키는 작용을 한다.
상술한 바 같이 요철(11)에 미세 홈들(301)을 형성하는 과정에서는 HF, AgNo3, H2O2가 1:1:1의 부피비로 혼합된 에천트가 바람직하게 사용될 수 있다. 이 에천트의 조성비는 에칭율(etching rate)의 변화를 위해 조절될 수 있다. 에칭율이 달라지면 홈(301)의 깊이가 변화되며, 그 결과 태양전지의 반사도(reflectance)를 변화시킬 수 있다.
도 10은 이처럼 요철(11)에 홈들(301)을 형성한 경우(실험예)와, 그렇지 않은 경우(비교예)를 비교해서 실험한 결과를 보여주는 그래프이다.
종래, 기판 표면에 반사 방지막을 형성하기 전 태양 전지의 반사율은 11~12(%)이다. 그러나, 도 10에서 확인할 수 있듯이, 요철(11)에 홈(301)을 형성한 경우에는 반사율을 5~6(%) 수준으로 낮출 수가 있다. 이처럼, 본 실시예에 따르면 종래보다 반사율을 50(%) 낮춤으로써 태양 전지의 고효율화를 실현할 수 있다.
한편, 요철(11)에 홈들(301)들을 형성한 후에 요철(11)에 잔류하는 금속 입자(201)는 열 공정 등에서 기판(10)으로 침투해 불순물로 작용하기 때문에, 기판(10)의 불순물 농도를 변화시키게 된다. 따라서, 요철(11)에 홈들(301)들을 형성한 후에 기판(10)에 잔류하는 금속입자(201)는 도 11에서와 같이 제거하는 것이 바람직하다.
도 11로 돌아가서, 홈들(301)이 형성되어 있는 요철(11)에 에천트를 공급해서, 요철(11)에 잔류하는 금속 입자(201)를 제거한다.
금속 입자가 Au인 경우에는 I(iodine) 및 KI(potassium iodine)가 혼합된 에천트를 사용해서 금속 입자(201)를 제거한다. 금속 입자가 Ag인 경우에는 Nitrate 계열(NO3 2-)의 에천트를 사용하며, 금속 입자가 Cu인 경우에는 Bromide 계열, Chloride 계열, Nitrate 계열 및 sulfate 계열의 수용액 중 선택된 어느 하나 또는 이들이 혼합된 에천트를 사용한다. 그리고, 금속 입자가 Al인 경우, H2SO4 및 HNO3가 혼합된 에천트을 사용하며, 금속 입자가 Pt 또는 Pd인 경우, Chloride 계열 및 Nitrate 계열의 수용액 중 선택된 어느 하나 또는 이들이 혼합된 에천트를 사용한다.
다음으로 도 12및 도 13에서, 요철(11) 위로 반사 방지막(20)을 형성하고, 보호막(110)을 제거한다. 먼저, 반사 방지막(20)은 요철(11)을 완전히 덮도록, 요철(11) 위에 형성이 된다. 이 같은 반사 방지막(207)은 빛이 기판(10)에서 반사되는 것을 방지해 요철들(11)과 함께 기판(10)으로 입사되는 빛이 손실되는 것을 효과적으로 방지한다. 이 같은 반사 방지막(20)은 화학기상증착법을 이용해서 기판(10)의 상부면(10a)에 SiO2 또는 SiNx를 증착해서 형성할 수 있다.
요철(11) 위에 반사 방지막(20)을 형성함과 아울러, 기판(10)의 하부면(10b)에 형성되어 있는 보호막(110)에 HF와 같은 에천트를 제공해서 보호막(110)을 제거한다.
이처럼, 보호막(110)을 제거한 다음에는 기판(10)에 불순물을 주입하기 위해서 기판(10)의 하부면(10b)에 레지스트(501)를 도포한 다음, 이를 패터닝하는 사진식각 공정을 진행한다. 다음으로, 패터닝된 레지스트(501)를 베리어로 이용해 불순물을 기판(10)의 하부면(10b)에 확산시켜 제1 도핑부(30)를 형성한다. 여기서, 불순물은 기판(10)이 p형 반도체이므로, 붕소(B), 갈륨(Ga), 인듐(In) 등과 같은 3가 원소들에서 선택된다. 그 결과로, p형 기판(10)과, n형 제1 도핑부(30) 사이에 p-n 접합이 형성된다.
다음으로는 도 14에서와 같이, 레지스트(501)를 베리어로 불순물을 확산시켜서 기판(10)과 동일한 도전성의 제2 도핑부(40)를 형성한다. 여기서, 기판(10)이 p형이므로, 불순물은 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 등과 같이 5가 원소들에서 선택된다. 제2 도핑부(40)는 제1 도핑부(30) 사이에 선택적으로 형성이 되며, 기판(10)과 동일한 도전성 타입의 불순물이 기판(10)보다 고농도로 도핑된 영역이다. 제2 도핑부(40)는 기판(10)에서 전위 장벽을 줄여 기판(10)의 하부면(10b)에서 전자와 정공이 재결합하여 소멸되는 것을 방지한다.
이처럼, 기판(10)의 하부면(10b)에 제1 도핑부(30) 및 제2 도핑부(40)를 형성한 다음에는, 제1 도핑부(30) 및 제2 도핑부(40)를 덮는 보호막(50)을 기판(10)의 하부면(10b)에 형성한다(도 15참조). 바람직하게, 이 보호막(50)은 기판(10)의 하부면(10b) 전체에 대해서 형성이 되고, 화학기상증착법을 이용해서 기판(10)의 상부면(10a)에 SiO2 또는 SiNx를 증착해서 형성할 수 있다.
다음으로, 도 16에서와 같이, 제1 도핑부(30) 및 제2 도핑부(40)를 노출시키는 컨택홀(51)을 보호막(50)에 형성한 다음에, 컨택홀(51)을 통해서 노출된 제1 도핑부(30) 및 제2 도핑부(40)를 전기적으로 연결하는 버스바(60)를 보호막(51) 위에 형성한다. 이 같은 버스바(60)는 니켈(Ni), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 주석(Sn), 아연(Zn), 인듐(In), 티타늄(Ti), 금(Au) 및 이들의 조합에서 선택되어지며, 페이스트를 이용하는 스크린 인쇄법, 스퍼터링법, 화학기상증착법 등을 이용해서 형성이 된다.
이상의 실시예에서는 금속 입자를 에천트에 포함시켜서 요철에 홈을 형성하는 방법에 대해서 설명하였다. 그러나, 금속 입자를 잉크에 포함시켜 형성할 수도 있다. 이하, 도 17 및 도 18을 참조로 본 출원의 다른 실시예에 대해서 설명하면 다음과 같다.
도 5에서와 같이 기판(10)의 상부면(10a)에 요철(11)을 형성한 다음에, 요철(11)에 금속 입자(201)가 함유된 잉크(601)를 도포한다(도 17 참조). 여기서, 잉크(601)는 나노 사이즈의 금속 입자(201)와 H2O 및 계면 활성제인 폴리비닐피롤리돈(polyvinylpyrrolidone; PVP)을 포함한다. 이 잉크(601)는 스크린 인쇄법, 스프레이 코팅법, 스핀 코팅법 등의 다양한 방법으로 요철(11)에 도포된다. 이처럼, 도포된 잉크(601)는 일정 시간 동안 건조 과정을 거친다. 건조 과정에서 잉크(601)에 함유된 금속 입자(201)는 중력 방향으로 침전하게 되고, 금속 입자(201)를 제외한 H2O 및 계면 활성제와 같은 혼합물은 기화되므로, 요철(11)에는 에는 금속 입자(201)만이 남는다. 이 금속 입자(201)는 Au, Ag, Cu, Al, Pt 및 Pd 중 선택된 어느 하나 또는 이들의 혼합물로 이루어지고, 금속 입자(201)의 직경은 100 내지 300(㎚)의 나노 사이즈를 갖는다.
이처럼 요철(11) 에 금속 입자(201)가 부착되어 있는 상태에서, 기판(10)에 에천트를 공급한다. 이에 따라, 금속 입자(201)가 식각 과정에서 촉매 작용을 일으켜서 금속 입자(201)가 부착된 부분이 그렇지 않은 부분보다 빠르게 식각이 이루어 지도록 한다. 이 같은 식각 속도의 차이는 요철(11) 표면에 미세한 홈들(301)을 만들 수 있도록 한다, 이상의 결과로, 상술한 실시예와 동일한 홈들(301)이 요철(11)에 형성이 된다.
이처럼, 잉크를 이용해서 요철(11)에 홈들(301)을 형성한 다음에는, 도 11내지 도 16에서 예시하는 과정을 통해서 기판(10)에 제1 도핑부(30) 및 제2 도핑부(40)를 형성하고, 버스바(60)를 통해서 제1 도핑부(30)와 제2 도핑부(40)를 전기적으로 연결한다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
도 1은 본 출원의 일 실시예에 따른 태양 전지의 모습을 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 2 내지 도 16은 본 출원의 일 실시예에 따른 태양 전지의 제조 방법을 설명하는 도면이다.
도 17 및 도 18은 본 출원의 다른 실시예에 따른 태양 전지의 제조 방법을 설명하는 도면이다.

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  12. 기판의 표면에 요철을 형성하는 단계;
    금속 입자가 포함된 잉크를 상기 요철에 도포하는 단계;
    상기 잉크를 건조시켜 상기 금속 입자만을 선택적으로 상기 요철에 부착하는 단계; 및
    상기 금속 입자를 촉매로 이용해서 상기 요철에 홈들을 형성하는 단계;
    를 포함하는 태양 전지의 제조 방법.
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  16. 제12항에 있어서,
    상기 잉크는 100(nm)~300(㎚) 크기의 금속 입자와, H2O 및 폴리비닐피롤리돈(polyvinylpyrrolidone; PVP)을 포함하는 태양 전지의 제조 방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 금속 입자는 Au, Ag, Cu, Al, Pt 및 Pd 중 선택된 어느 하나 또는 이들의 혼합물인 태양전지의 제조 방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 요철에 홈들을 형성한 이후에, 상기 요철에 남아 있는 금속 입자를 제거하는 단계;를 더 포함하는 태양전지의 제조 방법.
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