MX2015004291A - Dispositivos fotovoltaicos con rejillas metalicas galvanizadas. - Google Patents

Dispositivos fotovoltaicos con rejillas metalicas galvanizadas.

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Abstract

Una modalidad de la presente invención proporciona una celda solar; la celda solar incluye una estructura fotovoltaica y una rejilla metálica del lado frontal (300) situada sobre la estructura fotovoltaica; la rejilla metálica del lado frontal también incluye una o más capas metálicas galvanizadas; la rejilla metálica de lado frontal incluye una o más líneas de dedo (302, 304), y cada extremo de una línea de dedo respectiva está acoplada a un extremo correspondiente de una línea de dedo adyacente a través de una línea metálica adicional (306, 308, 314, 316, 318, 320); asegurando de esa forma que la línea de dedo respectiva no tiene ningún extremo abierto.

Description

DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS CON REJILLAS METÁLICAS GALVANIZADAS CAMPO DE LA INVENCIÓN Esta descripción generalmente se refiera a celdas solares. Más específicamente, esta descripción se refiere a una celda solar que incluye una rejilla metálica fabricada mediante una téenica de galvanizado.
ANTECEDENTESDELAINVENCIÓN El impacto ambiental negativo causado por el uso de combustibles fósiles y su costo creciente ha resultado en una necesidad extrema de fuentes de energía alternativas más limpias, más baratas. Entre diferentes formas de fuentes de energía alternativa, la energía solar ha sido favorecida por su limpieza y su gran disponibilidad.
Una celda solar convierte luz en electricidad utilizando el efecto fotovoltaico. Existen varias estructuras de celda solar básicas, incluyendo una celda solar de unión p-n individual, una celda solar p-i-n/n-i-p, y una celda solar de unión múltiple. Una estructura de unión p-n individual típica incluye una capa dopada tipo p y una capa dopada tipo n. Las celdas solares con una unión p-n individual pueden ser celdas solares de homounión o celdas solares de heterounlón. Si ambas capas dopadas p y n están hechas de materiales similares (materiales con bandas prohibidas iguales), las celdas solares es llamada una celda solar de homounión. En contraste, una celda solar de heterounión incluye al menos dos capas de materiales de diferentes bandas prohibidas. Una estructura p-i-n/n-i-p incluye una capa dopaba tipo p, una capa dopada tipo n, y una capa semiconductora (la capa i) intrínseca (no dopada) colocada entre la capa p y la capa n. La estructura de unión múltiple incluye múltiples estructuras de unión individual de diferentes bandas prohibidas afiladas una sobre otra.
En una celda solar, la luz es absorbida cerca de la unión p-n, generando portadores. Los portadores se difunden dentro de la unión p-n y se separan por el campo eléctrico incorporado, produciendo de esa forma una corriente eléctrica a través del dispositivo y circuitos externos. Una réplica importante al determinar una calidad de celda solar es su eficiencia comercial de energía, que se define como la relación entre energía convertida (de luz absorbida a energía eléctrica) y energía recolectada cuando la celda solar se conecta a un circuito eléctrico.
La Figura 1 presenta un diagrama que ilustra una celda solar de homounión ilustrativa con base en un sustrato de Si cristalino (c-S¡) (técnica previa). La celda solar 100 incluye una rejilla de electrodo de Ag de lado frontal 102, una capa anti-reflejo 104, una capa emisora 106, un sustrato 108, y un electrodo de lado posterior de aluminio (AL) 110. Las flechas en la Figura 1 indican luz solar incidente.
En celdas solares con base en c-Si convencionales, la corriente recolectada por rejilla de Ag de lado frontal 102. Para formar rejilla de Ag 102, métodos convencionales involucran imprimir pasta de Ag (que frecuentemente incluye partícula de Ag, aglutinante orgánico, y frita de vidrio) sobre las obleas y entonces encender la pasta de Ag a una temperatura de 700°C y 800°C. El encendido a alta temperatura de la pasta de Ag asegura buen contacto entre Ag y Si, y disminuye la resistividad de las líneas de Ag. La resistividad de la pasta de Ag encendida típicamente está entre 5xl06 y 8xl06, que es muy superior a la resistividad de plata a granel.
Además de la alta resistencia en serie, la rejilla de electrodo obtenida al serigrafiar pasta de Ag también tiene otras ventajas, incluyendo costo del material superior, ancho de línea más amplio, y altura de línea limitada. A medida que el precio se eleva, el costo del material del electrodo del Plata ha excedido la mitad del costo de procesamiento para fabricar celdas solares. Con la teenología de impresión de estado de la técnica, las líneas de Ag típicamente tienen un ancho de línea entre 100 y 120 mieras, y es difícil reducir el ancho de línea adicionalmente. Aunque impresión de chorro de tinta puede resultar en líneas más estrechas, la impresión de chorro de tinta sufre de otros problemas, tal como baja productividad. La altura de las líneas de Ag también está limitada por el método de impresión. Una impresión puede producir líneas de Ag con una altura que es menor a 25 mieras. Aunque múltiple impresión puede producir líneas con altura aumentada, también aumenta el ancho en línea, lo que es indeseable para celdas solares de alta eficiencia. Similarmente, el galvanizado de Ag o Cu sobre las líneas de Ag impresas puede disminuir la altura de línea a costa del ancho y línea aumentado. Además, la resistencia de tales líneas de Ag aún es demasiado alta para satisfacer el requisito de celdas solares de alta eficiencia.
Otras solución es electroforar pila metálica de Ni/Cu/Sn directamente sobre el emisor de Si. Este método puede producir una rejilla metálica con resistencia inferior (la resistividad de Cu revestido típicamente está entre 2xl06 y 3xl06 ohm-cm). Sin embargo, la adición de Ni a Si es menor que lo ideal, y la tensión de la pila metálica puede resultar en desprendimiento de las líneas metálicas completas.
BREVE DESCRIPCIÓN DE LA INVENCIÓN Una modalidad de la presente invención proporciona una celda solar. La celda solar incluye una estructura fotovoltaica y una rejilla metálica de lado frontal situada sobre la estructura fotovoltaica. La rejilla metálica del lado frontal también incluye una o más capas metálicas galvanizadas. La región metálica de lado frontal también incluye una o más líneas de dedo, y cada extremo de una línea de dedo respectiva se acopla con un extremo correspondiente de una línea de dedo adyacente a través de una línea metálica adicional, asegurando de esa forma que la línea de dedo respectiva no tiene extremo abierto.
En una variación de la modalidad, la línea metálica adicional está localizada cerca de un borde de la celda solar y tiene un ancho que es mayor que un ancho de la línea de dedo respectiva.
En una variación en la modalidad, una intersección entre la línea metálica adicional y la línea de dedo respectiva es redondeada o biselada.
En una variación de la modalidad, la rejilla metálica además incluye una capa adhesiva metálica situada entre la capa metálica galvanizada y la estructura fotovoltaica. La capa adhesiva metálica además comprende uno o más de Cu, Al, Co, W, Cr, Mo, Ni, Ti, Ta, nitruro de titanio (TiNx), tungsteno de titanio (TiWx), siliciuro de titanio (TiSix), nitruro de silicio de titanio (TiSiN), nitruro de tántalo (TaNx), nitruro de silicio de tántalo (TaSiNx), vanadio de níquel (NN), nitruro de tungsteno (WNX), y sus combinaciones.
En una variación adicional, la estructura fotovoltaica comprende una capa de óxido conductor transparente (TCO, por sus siglas en inglés), y la capa adhesiva metálica está contacto directo con la capa de TCO.
En una variación en la modalidad, las capas metálicas galvanizadas incluyen uno o más de: una capa de Cu, una tapa de Ag, y una capa de Sn.
En una variación en la modalidad, la reglón metálica además incluye una capa de semilla metálica situada entre la capa metálica galvanizada y estructura fotovoltaica.
En una variación adicional, la capa de semilla metálica está formada utilizando una téenica de posición de vapor físico (PVD, por sus siglas en inglés), incluyendo uno de: evaporación y deposición por pulverización.
En una variación en la modalidad, una porción de borde predeterminada de la línea de dedo respectiva tiene un ancho que es mayor que un ancho de una porción central de la línea de dedo respectiva.
En una variación en la modalidad, la estructura fotovoltaica incluye una capa de base, y una capa emisora situada sobre la capa de base. La capa emisora incluye al menos uno de: regiones difundidas con neutralizador dentro de la capa base, una capa de poli silicio difundida con neutralizadores situado sobre la tapa base, y una capa de silicio amorfo (a-Si) dopada situada sobre la capa base.
En una variación adicional, los neutralizadores incluyen uno de: fósforo y boro.
BREVE DESCRIPCIÓN DE LAS FIGURAS La Figura 1 presenta un diagrama que ilustra una celda solar ilustrativa (téenica previa).
La Figura 2 presenta un diagrama que ilustra una rejilla metálica galvanizada ilustrativa situada sobre la superficie frontal de una celda solar (técnica previa).
La Figura 3A presenta un diagrama que ilustra una rejilla metálica galvanizada ilustrativa situada sobre la superficie de una celda solar, de conformidad con una modalidad de la presente invención.
La Figura 3B presenta un diagrama que ilustra una rejilla metálica galvanizada ilustrativa situada sobre la superficie de una celda solar, de conformidad con una modalidad de la presente invención.
La Figura 3C presenta un diagrama que ¡lustra una rejilla metálica galvanizada ilustrativa situada sobre la superficie de una celda solar, de conformidad con una modalidad de la presente invención.
La Figura 3D presenta un diagrama que ilustra una rejilla metálica galvanizada ilustrativa situada sobre la superficie de una celda solar, de conformidad con una modalidad de la presente invención.
La Figura 4 representa un diagrama que ilustra una rejilla metálica galvanizada ilustrativa situada sobre la superficie de una celda solar, de conformidad con una modalidad de la presente invención.
Las Figuras 5A a 5L presentan un diagrama que ilustra un proceso ilustrativo para fabricar una celda solar de conformidad con una modalidad de la presente invención.
En las figuras, números de referencia similares hacen referencia a los mismos elementos de figura.
DESCRIPCIÓN DETALLADA DE LA INVENCIÓN La siguiente descripción se presenta para permitir a un experto en la técnica hacer y utilizar las modalidades, y se proporciona al contexto una solicitud particulares o requisitos. Varias modificaciones a las modalidades descritas serán fácilmente evidentes para aquellos expertos en la técnica, y los principios generales aquí definidos pueden aplicarse a otras modalidades y aplicaciones sin apartarse del espíritu y alcance la presente descripción. De esa forma, la presente invención no está limitada a las modalidades mostradas, sino que se va a acordar el alcance más amplio consistente con los principios y características aquí descritos.
Vista General Las modalidades de la presente invención proporcionan una solución para evitar desprendimiento metálico en una celda solar que incluye una rejilla metálica galvanizada. La celda solar incluye un sustrato de Si cristalino (c-Si), una capa emisora, una capa pasivación, una capa de adhesión metálica, y rejillas metálicas de electrodo de lado frontal y posterior. La capa de adhesión metálica se forma utilizando una téenica de deposición de vapor físico (PVD), tal como pulverización o evaporación. La rejilla metálica de lado frontal se forma al galvanizar selectivamente la pila metálica, que puede ser una estructura de capa Individual o una de capa múltiple, sobre la capa de adhesión metálica. Para mitigar la atención que puede llevar al desprendimiento de las líneas metálicas, el patrón de rejilla está especialmente diseñado para asegurar que no existe ningún extremo abierto o punto discontinuo. La rejilla metálica de electrodo de lado posterior puede formarse utilizando un mismo método que se utiliza para formar la rejilla metálica del electrodo de lado frontal. Adicionalmente, es posible formar el electrodo de lado posterior mediante serigrafía, galvanizado, o impresión por chorro de aerosol de una rejilla metálica.
Rejilla Metálica Galvanizada Rejillas metálicas galvanizadas utilizadas como electrodos de celda solar han mostrado resistencia inferior que rejillas de Al impresas. Sin embargo, adhesión entre las líneas metálicas galvanizadas y las capas de óxido conductor transparente (TCO, por sus siglas en inglés) subyacentes o capas semiconductoras pueden ser un problema. Incluso con la introducción de una capa de adhesión, a medida que el grosor de las líneas metálicas galvanizadas aumenta (para asegurar resistencia inferior), aún puede ocurrir desprendimiento de línea metálica cuando la tensión es demasiado alta. El desprendimiento de líneas metálicas puede ser un resultado de acumulación de tensión en la interconexión entre el metal galvanizado y las estructuras subyacentes (que puede ser la capa de TCO o la estructura semiconductora). La diferencia en coeficientes de expansión térmica entre el metal y el sustrato de silicio y la circulación térmica del ambiente en donde están situadas las celdas solares frecuentemente lleva a tal tensión. Si la cantidad de la tensión excede la fuerza de adhesión proporcionada por la capa de adhesión, se romperá el enlace entre el metal y las capas subyacentes.
La Figura 2 presenta un diagrama que ilustra una rejilla metálica galvanizada ilustrativa situada sobre la superficie frontal de una celda solar (técnica previa). En la Figura 2, la rejilla metálica 200 incluye un número de tiras de dedo, tal como tiras de dedo 202 y 204, barras colectoras 206 y 208. Observar que las barras colectoras son tiras metálicas más gruesas conectadas directamente a conductores externos, y los dedos son tiras metálicas más finas que recolectan fotocorriente para suministro a las barras colectoras.
Cuando se diseñan celdas solares, para reducir pérdidas debido a resistencia de emisor y sombreado, es deseable diseñar una relación de aspecto de altura a anchura de metal alta. Sin embargo, la relación de aspecto altura a anchura de las líneas de dedo frecuentemente está limitada por la teenología de fabricación utilizada para formar la rejilla metálica. Tecnologías de impresión convencionales, tal como serigrafía, frecuentemente resultan en líneas metálicas con relación de aspecto de altura a anchura relativamente baja. Las tecnologías de galvanizado pueden producir líneas metálicas con relación de aspecto de altura ancho a superior. Sin embargo, líneas metálicas galvanizadas pueden experimentar desprendimiento cuando se colocan en un ambiente con temperaturas cambiantes. Como se discutió previamente, la diferencia en coeficientes de expansión térmica entre el metal y el sustrato de silicio, y la temperatura cambiante puede llevar a acumulación de tensión y la ruptura eventual de la adhesión entre el metal y las capas subyacentes. Incluso aunque la ruptura puede suceder en una ubicación individual, la buena maleabilidad del metal revestido, tal como Cu revestido, puede llevar a desprendimiento de toda la línea metálica.
Observar que la cantidad de tensión se relaciona con la relación de aspecto de altura a anchura de las líneas metálicas, entre más grande sea la relación de aspecto, mayor será la tensión. Sin embargo, asumiendo que las líneas metálicas tienen ancho uniforme (que puede ser bien controlado durante fabricación), la porción más gruesa de la línea experimentará mayor tensión. Para rejilla metálica galvanizada, debido al efecto de aglomeración de corriente que ocurre en el borde de la oblea, metales depositados en el borde de oblea tienden a ser más gruesos que metales depositados en el centro de la oblea. En el ejemplo mostrado en la Figura 2, metales galvanizados localizados en regiones de borde, tal como regiones 210 y 212, tienden a tener un grosor mayor. Como uno puede observar a partir de la Figura 2, rejilla metálica convencional 200 incluye tiras de dedo que tienen extremos abiertos en regiones de borde 210 y 212. Estas porciones de extremo tienden a tener mayores grosores y, de esa forma, pueden experimentar mayores cantidades de tensión térmica.
Para empeorar las cosas, además de tensión térmica, manejo adicional de los dispositivos durante fabricación del módulo solar, tal como almacenamiento, encajado, y ensartamiento, también puede llevar al desprendimiento de la rejilla metálica. Por ejemplo, mientras se están manejando las celdas solares por máquinas o gente, es posible que las líneas de dedo pueden empujarse de lado a lado por otros objetos, tal como bordes de diferentes obleas o líneas metálicas sobre una oblea apilada por encima. De manera coincidente, las porciones de extremo de las tiras de dedo frecuentemente son el punto más débil en términos de fuerzas externas resistentes. Como uno puede observar en la Figura 2, la porción de borde de una tira de dedo no está conectada a otras porciones de la línea metálica, y de esa forma es menos soportada. Mientras se está empujando de lado a lado, es más fácil para el extremo de una tira de dedo que la mitad de la tira de dedo se separa de las capas subyacentes. Una vez que la porción de extremo se separa, la buena maleabilidad del metal frecuentemente lleva al desprendimiento de toda la línea metálica. Observar que el desprendimiento metálico frecuentemente sucede a la tira de dedo debido a su alta relación de aspecto de altura a anchura. La barra colectora, por un lado, es mucho más ancha y usualmente no experimenta desprendimiento.
Por lo tanto, para prevenir desprendimiento de las líneas metálicas, es importante fortalecer el enlace entre las porciones de extremo de la tira de dedo y las capas subyacentes. Con base en el análisis previo, para reforzar el enlace entre el metal en el extremo en línea y las capas subyacentes, uno puede reducir la altura de las porciones de extremo para hacerla igual que el resto de las porciones de línea. Una forma de hacerles aumentar el ancho de la línea es la región extremo. El ancho de línea aumentado significa que la corriente recolectada ahora está esparcida sobre un área más grande, mitigando por lo tanto la aglomeración de corriente en el extremo de línea. Sin embargo, para evitar pérdida de sombreado, el aumento en el ancho de línea tiene que ser más pequeño, y se limita el efecto general. Además, esto aún no puede prevenir desprendimiento de extremo causado por fuerzas externas.
Las modalidades de la presente invención proporcionan una solución que hacen las tiras de dedo más resistentes en desprendimiento al rediseñar el patrón de rejilla. La Figura 3A presenta un diagrama que ilustra una rejilla metálica galvanizada ilustrativa situada sobre la superficie de una celda solar, de conformidad con una modalidad de la presente invención. En la Figura 3A, la rejilla metálica 300 incluye un número. de tiras de dedo horizontalmente orientadas tal como tiras de dedo 302 y 304 y barras colectoras 310 y 312. Sin embargo, diferente a rejilla metálica, en donde cada fila de dedo es un segmento de línea desconectado de otras tiras de dedo, en la Figura 3A, ambos puntos de extremo de cada tira de dedo están conectados a puntos de extremo de una tira de dedo adyacente. Por ejemplo, los puntos de extremo de tira de dedo 302 están conectados a puntos de extremo de tira de dedo 304 a través de dos líneas cortas 306 y 308.
Observar que dos metas pueden lograrse simultáneamente al agregar líneas cortas que unen dos tiras de dedo adyacentes. La primera meta es desviar corriente en el borde de oblea durante galvanizado, reduciendo de esa forma el grosor del metal depositado en los extremos de las tiras de dedo. Comparado con el ejemplo mostrado en la Figura 2, durante el proceso de galvanizado en donde únicamente los patrones de dedos son conductivos, las líneas cortas añadidas, tal como líneas 306 y 308, pueden causar que la corriente que se concentró originalmente en las puntas de las tiras de dedo, tal como tiras de dedo 302 y 304, se desvíen lejos a través de estas líneas cortas agregadas. En consecuencia, densidades de corriente en las puntas de las tiras de dedos se reducen. Esto además puede llevar a una altura más uniforme del metal depositado. La uniformidad de altura aumentada de las líneas metálicas significa que habrá menos acumulación de tensión adicional en los extremos de las tiras de dedo cuando cambia la temperatura.
La segunda meta lograda por las líneas cortas adicionales es eliminar la existencia de extremos abiertos. Al unir el punto de extremo abierto en una tira de dedo a un punto de extremo en una tira de dedo adyacente, las tiras de dedo descontinuadas originales se vuelven líneas continuas sin ningún extremo abierto. Observar que, como se discutió previamente, extremos abiertos o discontinuos pueden romperse cuando se aplican fuerzas externas debido a la falta de soporte estructural. En contraste, en el ejemplo mostrado en la Figura 3A, cuando se aplican fuerzas externas a la tira de dedo 302, tal como cuando la tira de dedo 302 es empujada de lado a lado, debido a que las porciones extremo ahora están conectadas a y soportadas por líneas adicionales 306 y 308, es menos probable que las porciones de dedo de la tira de dedo 302 se separen de las capas subyacentes. Observar que el soporte en las porciones de extremo se proporciona mediante fuerza de adhesión entre aquellas líneas adicionales y las capas subyacentes. La eliminación de los extremos abiertos también elimina el punto más débil en términos de fuerzas externas resistentes. Observar que debido a que el desprendimiento metálico no es un problema para barras colectoras, no hay necesidad de eliminar los extremos abiertos sobre las barras colectoras. En una modalidad, los extremos de las barras colectoras están configurados para alinearse con las tiras de dedo en el borde superior e inferior del oblea, como se muestra en la Figura 3A. En otras palabras, los extremos de las barras colectoras pueden fusionarse en las tiras de dedo de extremo, lo que resulta en que las barras colectoras también tienen extremos abiertos.
Al aumentar simultáneamente uniformidad del grosor y al eliminar extremos abiertos, las modalidades de la presente invención reducen efectivamente la posibilidad de desprendimiento de las tiras de dedo. Además del ejemplo mostrado en la Figura 3A, también pueden utilizarse otros patrones de rejilla para reducir las posibilidades de desprendimiento siempre y cuando agreguen líneas metálicas adicionales en el borde de oblea y los dedos consisten de líneas continuas sin ningún extremo abierto. La Figura 3B representa un diagrama que ilustra una rejilla metálica galvanizada ilustrativa situada sobre la superficie de una celda solar, de conformidad con una modalidad de la presente invención. En el ejemplo mostrado en la Figura 3B, en lugar de simplemente crear conexiones entre dos tiras de dedo adyacentes, se agregan líneas cortas para conectar los puntos de extremo de más de dos tiras de dedo. En la Figura 3B, se agrega un número de líneas cortas, tal como líneas 314 y 316, en el borde de oblea para acoplarse a más de dos tiras de dedo. Como el mostrado en la Figura 3A, el patrón de rejilla resultante incluye líneas de dedo continuas que no tienen extremos abiertos.
La Figura 3C presenta un diagrama que ilustra una rejilla metálica galvanizada ilustrativa situada sobre la superficie de una celda solar, de conformidad con una modalidad de la presente invención. En la Figura 3C, sobre cada borde de la oblea, una línea larga verticalmente orientada, tal como líneas 318 y 320, se agrega para unir puntos de extremo en todas las tiras de dedo horizontalmente orientadas. La Figura 3D presenta un diagrama que ¡lustra una rejilla metálica galvanizada ilustrativa situada sobre la superficie de una celda solar, de acuerdo con una modalidad de la presente Invención. En la Figura 3D, se agregan líneas cortas alternativamente (con la excepción de los bordes superior e Inferior) en los bordes Izquierdo y derecho de la oblea entre dos tiras de dedo adyacentes para asegurar que cada punto de extremo de una tira de dedo se acopla al menos a un punto de extremo de una tira de dedo adyacente a través de una línea metálica corta. Observar que los patrones de dedo mostrados en las Figuras 3A a 3D simplemente son ejemplos, y no pretenden ser exhaustivos o limitar la presente Invención a los patrones de dedo descritos en estas figuras. Modalidades de la presente invención pueden Incluir cualquiera de los patrones de dedo que agregan líneas metálicas en el borde de oblea para conectar las tiras de dedo de otra forma discretas. Tales líneas adicionales juegan papeles Importantes al mitigar el problema de desprendimiento metálico orientado a la rejilla metálica galvanizada debido a que ayudan a desviar corriente desde y proporcionar soporte estructural a las porciones de extremo de las tiras de dedo.
Observar que, aunque las líneas adicionales en el borde de oblea pueden aumentar sombreado, tal efecto puede ser imperceptible en la mayoría de los casos. Por ejemplo, en la Figura 3A, el efecto total de las líneas adicionales puede ser equivalente a la adición de una tira de dedo individual. Para una oblea con un tamaño de 125x125 mm2, una tira de dedo adicional con una anchura de 75 mm únicamente agrega aproximadamente 0.05% de sombreado, que es imperceptible. Además, el sombreado adicional también puede ser desviado por la corriente adicional recolectada por estas líneas adicionales.
En los ejemplos mostrados en las Figuras 3A a 3D, se crean esquinas afiladas en donde las líneas verticales adicionales están conectadas a las tiras de dedo horizontales. Estas esquinas afiladas también pueden acumular tensión lateral que puede causar ruptura de metal. Para mejorar además la adición de las líneas metálicas, en una modalidad, las tiras de dedo están conectadas por líneas con esquina redondeada. La Figura 4 presenta un diagrama que ilustra una rejilla metálica galvanizada Ilustrativa situada sobre la superficie de una celda solar, de conformidad con una modalidad de la presente invención. En la Figura 4, la rejilla metálica 400 incluye tiras de dedo que Incluyen líneas continuas, no divididas. Más específicamente, cada dos tiras de dedo paralelas adyacentes están unidas conjuntamente en los bordes por líneas cortas adicionales para formar un bucle continuo. Para reducir además la tensión, se evitan ángulos rectos y giros marcados cuando se diseñan los patrones de dedo. Por ejemplo, el ángulo recto puede ser redondeado con un arco o biselado con líneas rectas. En la Figura 4, las reglones 402 y 404 ¡lustran vistas detalladas Ilustrativas de las ubicaciones de giro de una tira de dedo.
La vista detalla mostrada en la región 402 ¡lustra que los arcos se utilizan para conectar dos líneas metálicas particulares, una siendo la tira de dedo horizontal, y la otra la línea corta vertical que une dos dedos adyacentes. Esto resulta en una esquina redondeada. En una modalidad, el radio del arco puede estar entre 0.05 mm y la mitad de la separación de dedo. Observar que la separación de dedo puede estar entre 2 y 3 mm. La vista detalla mostrada en la región 404 ¡lustra que se crean biseles en las esquinas de giro para eliminar el ángulo recto formado por las dos líneas metálicas perpendiculares.
En una modalidad, las líneas metálicas en el borde de oblea, tal como en las líneas cortas (incluyendo las secciones redondeadas o biseladas) que conectan las dos tiras de dedo adyacentes, están ligeramente ensanchadas con el fin de reducir adicionalmente densidad de corriente en aquellas ubicaciones. Como un resultado, durante galvanizado, el grosor de metal depositado en esas ubicaciones de borde se reduce, y el área de contacto aumentada también asegura mejor adhesión entre el metal galvanizado y las capas subyacentes. En la Figura 4, la región 406 ilustra una vista detalla ilustrativa de las porciones de borde de una tira de dedo, mostrando que el ancho de la porción de borde es mayor que aquel de la porción central de la tira de dedo. En una modalidad, el ancho de la porción de borde del dedo puede ser al menos 20%-30% mayor que aquel de la porción central. En una modalidad adicional, el ancho de la porción de borde del dedo puede ser hasta 0.2 mm. El ancho de esta porción ensanchada (denotada como L en la Figura 4) puede estar entre 1 y 30 mm. Observar que entre más largo sea el borde de dedo ensanchado, mayor será la adhesión, y mayor será el efecto de sombreado. En algunas modalidades, la interconexión entre la porción central del dedo y la porción de borde ensanchada del dedo puede ser estrechada.
Las Figuras 5A a 5L presentan un diagrama que ilustra un proceso ilustrativo para fabricar una celda solar de conformidad con una modalidad de la presente invención.
En la figura 5A, se prepara un sustrato 500. En una modalidad, el sustrato 500 puede ser oblea de Si cristalina (c-Si). En una modalidad adicional, preparar el sustrato c-Si 500 incluye grabado de baño de sierra (que remueve la capa exterior dañada de Si) y texturizado de superficie. El sustrato de c-Si 500 puede ser ligeramente dopado ya sea con neutralizadores tipo n o tipo p. En una modalidad, el sustrato de c-Si 500 es ligeramente dopado con neutralizadores tipo p. Observar que además de c-Si, también pueden utilizarse otros materiales (tal como Si metalúrgicos) para formar sustrato 500.
En la figura 5B, se forma una capa emisora dopada 502 en la parte superior del sustrato c-Si 500. Dependiendo del tipo de dopaje de sustrato de c-Si 500, la capa emisora 502 puede ser dopada con tipo n o dopada con tipo p. En una modalidad, la emisora 502 está dopada con neutralizador tipo n. En una modalidad adicional, la capa emisora 502 es formada al difundir fósforo. Observar que si se utiliza difusión de fósforo para formar la capa emisora 502, es necesario grabado de vidrio de fosfosilicato (PSG) de aislamiento de borde. También son posibles otros métodos para formar la capa emisora 502. Por ejemplo, uno puede formar primero una capa de poli SI en la parte superior del sustrato 500, y entonces difundir neutrallzadores en la capa de poli Si. Los neutrallzadores pueden incluir ya sea fósforo o boro. Además, la capa emisora 502 también puede formarse al depositar una capa de Si amorfo (a-Si) dopada en la parte superior del sustrato 500.
En la figura 5C, se forma una capa anti-reflejo 504 en la parte superior de la capa emisora 502. En una modalidad, la capa anti-reflejo 504 incluye, pero no está limitada a: nitruro de silicio (SiNx), óxido de silicio (SiOx), oxido de titanio (T¡Ox), óxido de aluminio (Al2O3), y sus combinaciones. En una modalidad, la capa anti-reflejo 504 incluye una capa de un material de óxido conductor transparente (TCO), tal como óxido de indio-estaño (GGO, por sus siglas en inglés), óxido de aluminio-zinc (AZO, por sus siglas en Inglés), óxido de galio-zinc (GZO, por siglas en inglés), óxido de indio dopado con tungsteno (IWO), y sus combinaciones.
En la figura 5D, el electrodo de lado posterior 506 se forma sobre el lado posterior del sustrato de Su 500. En una modalidad, formar el electrodo de extremo posterior 506 incluye imprimir una capa de Al completa y aleación subsecuente a través de encendido. En una modalidad, formar el electrodo de lado posterior 506 incluye imprimir una rejilla de Ag/AI y encendido de horno subsecuente.
En la figura 5E, se forma un número de ventanas de contacto, incluyendo ventanas 508 y 510, en tapa anti-reflejo 504. En una modalidad, las regiones dopadas fuertemente, tal como regiones 502 y 514 se forman en la capa emisora 502, directamente bajo ventanas de contacto cientos 508 y 510, respectivamente. En una modalidad adicional, las ventanas de contacto 508 y 510 y regiones fuertemente dopadas 512 y 514 se forman al rociar fósforo sobre la capa anti-reflejo 504, seguido por un proceso de difusión local de ranura láser. Observar que la figura 5E es opcional, y es necesaria cuando la capa anti-reflejo 504 es eléctricamente aislante. Si la capa anti-reflejo 504 es eléctricamente conductora (por ejemplo, cuando se forma capa antl-reflejó 504 utilizando materiales de TCO), no hay necesidad de formar las ventanas de contacto.
En la figura 5F, se forma una capa adhesiva metálica 516 sobre la capa anti-reflejo 504. En una modalidad, materiales utilizados para formar capa adhesiva 516 incluyen, pero no están limitados a: Ti, nitruro de titanio (TiNx), tungsteno de titanio (TiWx), siliciuro de titanio (TiSix), nitruro de silicio de titanio (TiSiN), nitruro de tántalo (TaNx), nitruro de silicio de tántalo (TaSiNx), vanadio de níquel (NN), nitruro de tungsteno (WNX). Cu, Al, Co,W, Cr, Mo, Ni, y sus combinaciones. En una modalidad adicional, la capa adhesiva metálica 516 se forma utilizando una téenica de deposición de vapor físico (PVD), tal como pulverización o evaporación. El grosor de la capa adhesiva 516 puede variar de pocos nanómetros hasta 100 nm. Observar que Ti y sus aleaciones tienden a formar muy buena adhesión con material de Si, y pueden formar buen contacto único con regiones fuertemente dopadas 512 y 514. Formar capa adhesiva metálica 516 en la parte superior de capa anti-reflejo 504 antes del proceso de galvanizado asegura mejor adhesión a la tapa antl-reflejo 504 de las capas subsecuentemente formadas.
En la figura 5G, se forma una capa de semilla metálica 518 sobre la capa adhesiva 516. La capa de semilla metálica 518 puede incluir Cu o Ag. El grosor de la capa de semilla metálica 516 puede estar entre 5 nm y 500 nm. En una modalidad, la capa de semilla metálica 518 tiene un grosor de 100 nm. Como capa adhesiva metálica 516, la capa de semilla metálica 518 puede formarse utilizando una téenica de PVD. En una modalidad, el metal utilizado para formar la capa de semilla metálica 518 es ei mismo metal que se utilizó para formar la primera capa del metal galvanizado. La capa de semilla metálica proporciona mejor adhesión de la capa metálica subsecuentemente revestida. Por ejemplo, Cu revestido en Cu frecuentemente tiene mejor adhesión que Cu revestido sobre otros materiales.
En figura 5H, se deposita una capa de enmascaramiento con patrón 520 en la parte superior de la capa de semilla metálica 518. Las aberturas de la capa de enmascaramiento 520, tal como aberturas 522 y 524, corresponden a las ubicaciones de ventanas de contacto 508 y 510, y de esa forma se localizan sobre regiones fuertemente dopadas 512 y 514. Observar que las aberturas 522 y 524 son ligeramente más grandes que ventanas de contacto 508 y 510. La capa de enmascaramiento 520 puede incluir una capa fotoresistente con patrón, que puede formarse utilizando una técnica de fotolitografía. En una modalidad, la capa fotoresistente se forma por fotoresistencia de serigrafía sobre la parte superior de la oblea. La fotoresistencia entonces se hornea para remover solvente. Una máscara se dispone sobre la fotoresistencia, y la oblea se expone a luz UV. Después de la exposición UV, la máscara se remueve, y se desarrolla la fotoresistencia en un desarrollador de fotoresistencia. Las aberturas 522 y 524 se forman después de desarrollo. La fotoresistencia también puede ser aplicada al rociar, mediante rociado, revestimiento por inmersión, o revestimiento de cortina. También puede utilizarse fotoresistencia de película seca. Alternativamente, la capa de enmascaramiento 520 puede incluir una capa de óxido de silicio (Si02) con patrón. En una modalidad, la capa de enmascaramiento 520 es formada al depositar una capa de Si02 utilizando una técnica de deposición de vapor químico mejorada por plasma (PECVD, por sus siglas en inglés) de baja temperatura. En una modalidad adicional, la capa de enmascaramiento 520 se forma mediante revestimiento por inmersión de la superficie frontal de la oblea utilizando lechada de sílice, seguido por serigrafía de un agente de grabado que incluye ácido hidrfluórico y floruros. Otros materiales de enmascaramiento también son posibles, siempre y cuando el material de enmascaramiento sea eléctricamente aislante.
Observar que la capa de enmascaramiento 520 define el patrón de la rejilla metálica frontal debido a que, durante el galvanizado subsecuente, pueden depositarse únicamente materiales metálicos sobre regiones sobre las aberturas, tal como aberturas 522 y 524, definidas por capa de enmascaramiento 520. Para asegurar mejor uniformidad de grosor y mejor adhesión, el patrón definido por capa de enmascaramiento 520 incluye tiras de dedo que se forman con líneas continuas, no divididas. Patrones ilustrativos formados por capas de enmascaramiento 520 incluyen patrones mostrados en las Figuras 3A a 3D. En una modalidad adicional, las aberturas que definen líneas localizada cerca del borde de oblea se ensanchan. Patrones ilustrativos en el borde de oblea incluyen patrones mostrados en la Figura 4. La Figura 5G ilustra una vista superior de la capa de enmascaramiento con patrón de conformidad con una modalidad de la presente invención. Como uno puede observar en la Figura 5G, el área sombreada sobre la superficie de la oblea se cubre con capa de enmascaramiento 520, y por lo tanto no es eléctricamente conductora. Las aberturas exponen la capa semilla metálica subyacente 518 que es eléctricamente conductiva. En el patrón ilustrativo mostrado en la Figura 51, aberturas con ancho más pequeño definen el patrón de dedo, que incluyen líneas continuas sin ningún extremo abierto. Por otro lado, las aberturas con mayor ancho definen las barras colectoras, que pueden incluir segmentos de línea con extremos abiertos debido a que, para barras colectoras, el desprendimiento metálico es un problema.
En la figura 5J, una o más capas de metal se depositan en las aberturas de la capa de enmascaramiento 520 para formar una rejilla metálica de lado frontal 526. La rejilla metálica de lado frontal 526 puede formarse utilizando una téenica de electrogalvanizado, que puede incluir electrodeposición, revestimiento inducido por luz, y/o deposición sin electrón. En una modalidad, la capa de semilla metálica 518 y/o capa adhesiva 516 se acoplan al cátodo del suministro de energía del revestimiento, que puede ser un suministro de energía de corriente directa (DC, por sus siglas en inglés), a través de un electrodo. La capa de semilla metálica 518 y capa de enmascaramiento 520 que incluye las aberturas, se sumergen en una solución de electrólito, que permite el flujo de electricidad. Observar que, debido a que la capa de enmascaramiento 520 es eléctricamente aislante, los metales se depositarán selectivamente dentro de las aberturas, formando de esa forma una rejilla metálica con un patrón correspondiente a uno definido por aquellas aberturas. Dependiendo del material que forma la capa de semilla metálica 518, la rejilla metálica de lado frontal 526 puede formarse utilizando Cu o Ag. Por ejemplo, si se forma una capa de semilla metálica 518 utilizando Cu, la rejilla metálica del lado frontal 526 también se forma utilizando Cu. Además, la rejilla metálica del lado frontal 526 puede incluir una estructura de capa múltiple, tal como una estructura bicapa Cu/Sn, o una estructura bicapa Cu/Ag. La capa superior de Sn o Ag se deposita para ayudar a un proceso de soldadura subsecuente. Cuando se deposita Cu, se utiliza una placa de Cu en el ánodo, y la celda solar se sumerge en el electrólito adecuado para revestimiento con Cu. La corriente utilizada para revestimiento con Cu está entre 0.1 amperes y 2 amperes para una oblea con una dimensión de 125 mm x 125 mm, y el grosor de la capa de Cu es aproximadamente decenas de mieras. En una modalidad, el grosor de la capa metálica el galvanizado está entre 30 mm y 50 pm.
En la figura 5K, se remueve la capa de enmascaramiento 520.
En la figura 5L, porciones de capa adhesiva 516 y capa de semilla metálica 518 que se están cubriendo originalmente por la capa de enmascaramiento 520 se graban, dejando únicamente las porciones que están debajo de la rejilla metálica del lado frontal 526. En una modalidad, el proceso de grabado químico húmedo se utiliza. Observar que, debido a que la rejilla metálica del lado frontal 526 es mucho más gruesa (por varias magnitudes) que la capa adhesiva 516 y la capa de semilla metálica 518, el grabado tiene un efecto imperceptible sobre rejilla metálica del lado frontal 526. En una modalidad, el grosor de la rejilla metálica resultante puede variar de 30 pm a 50 pm. El ancho de las tiras de dedo puede estar entre 10 pm a 100 mm, y el ancho de las barras colectoras puede estar entre 0.5 a 2 pm. Además, la separación entre las tiras de dedo pueden estar entre 2 mm y 3 mm.
Durante fabricación, después de la formación de la capa adhesiva metálica y la capa metálica de semilla, también es posible formar una capa de enmascaramiento con patrón que cubre áreas que corresponden a las ubicaciones de ventanas de contacto y las regiones fuertemente dopadas, y graban porciones de la capa adhesiva metálica y la capa de semilla metálica que no son cubiertas por la capa de enmascaramiento con patrón. En una modalidad, las porciones restantes de la capa adhesiva metálica y la capa de semilla metálica forman un patrón que es similar a aquellos mostrados en las Figuras 3A a 3D y la Figura 4. Observar que tales patrones incluyen tiras de dedo que consisten de líneas continuas, no divididas. Una vez que se remueve la capa de enmascaramiento con patrón, una o más capas de metales pueden ser galvanizadas a la superficie de la celda solar. Sobre la superficie de celda solar, únicamente las ubicaciones de las porciones restantes de la capa de semilla metálica son eléctricamente conductivas, un proceso de revestimiento puede depositar selectivamente metales sobre las porciones restantes de la capa de semilla metálica.
En el ejemplo mostrado en las Figuras 5A a 5L, se forma el electrodo de lado posterior utilizando una téenica de impresión convencional (figura 5D). En la práctica, el electrodo de lado posterior también puede formarse al galvanizar una o más capas metálicas sobre el lado posterior de la celda solar. En una modalidad, el electrodo del lado posterior puede formarse utilizando operaciones que son similares a las figuras 5F a 5L, que incluyen formar una capa adhesiva metálica, una capa de semilla metálica, y una capa de enmascaramiento con patrón sobre el lado posterior del sustrato. Observar que la capa de enmascaramiento con patrón sobre el lado posterior define el patrón de la rejilla metálica del lado posterior. En una modalidad, la rejilla metálica del lado posterior incluye tiras de dedo que se forman con líneas continuas, no divididas. En una modalidad adicional, la rejilla metálica del lado posterior puede incluir patrones ilustrativos mostrados en las Figuras 3A a 3D y la Figura 4.
Las descripciones anteriores de varias modalidades se han presentado únicamente para propósitos de ilustración y descripción. No pretenden ser exhaustivas o limitar la presente invención a las formas descritas. Por consiguiente, serán evidentes muchas modificaciones y variaciones para practicantes y expertos en la téenica. Adicionalmente, la descripción anterior no pretende limitar la presente invención.

Claims (24)

NOVEDAD DE LA INVENCIÓN REIVINDICACIONES
1.- Una celda solar, que comprende: una estructura fotovoltalca que tiene una región dopada; y una rejilla metálica de lado frontal que incluye una o más capas metálicas galvanizadas, en donde la capa metálica galvanizada está conectada a una capa de semilla metálica que está eléctricamente conectada a la región dopada a través de una capa de adhesión, y en donde la rejilla metálica de lado frontal incluye una o más líneas de dedo, y en donde un extremo de una línea de dedo respectiva está acoplada a un extremo correspondiente de una línea de dedo adyacente a través de una línea metálica adicional, asegurando de esa forma que la línea de dedo respectiva no tiene extremo abierto
2.- La celda solar de conformidad con la reivindicación 1, caracterizada además porque la línea metálica adicional está localizada cerca de un borde de la celda solar, y en donde la línea metálica solar tiene un ancho que es mayor que un ancho de la línea de dedo respectiva.
3.- La celda solar de conformidad con la reivindicación 1, caracterizada además porque una intersección entre la línea metálica adicional y la línea de dedo respectiva está redondeada o biselada.
4.- La celda solar de conformidad con la reivindicación 1, caracterizada además porque la capa adhesiva metálica comprende uno o más de Cu, Al, Co, W, Cr, Mo, Ni, Ti, Ta nitruro de titanio (TiNx), tungsteno de titanio (TiW2), siliciuro de titanio (TiSix), nitruro de silicio de titanio (TiSiN), nitruro de tántalo (TaNx), nitruro de silicio de tántalo (TaSiNx), vanadio de níquel (NN), nitruro de tungsteno (WNX), y sus combinaciones.
5.- La celda solar de conformidad con la reivindicación 1, caracterizada además porque la estructura fotovoltaica comprende una capa de óxido conductor transparente (TCO), y en donde la capa adhesiva metálica está en contacto directo con la capa de TCO.
6.- La celda solar de conformidad con la reivindicación 1, caracterizada además porque las capas metálicas galvanizadas incluyen uno o más de: una capa de Cu; una capa de Ag; y una capa de Sn.
7.- La celda solar de conformidad con la reivindicación 1, caracterizada además porque la capa metálica galvanizada consiste de Cu.
8.- La celda solar de conformidad con la reivindicación 1, caracterizada además porque la capa de semilla metálica se forma utilizando la téenica de deposición de vapor físico (PVD), incluyendo uno de: evaporación y deposición por pulverización.
9.- La celda solar de conformidad con la reivindicación 1, caracterizada además porque una porción de borde predeterminada de la línea de dedo respectiva tiene un ancho que es mayor que un ancho de una porción central de la línea de dedo respectiva.
10.- La celda solar de conformidad con la reivindicación 1, caracterizada además porque la estructura fotovoltaica incluye: una capa base que comprende Si; y una capa emisora colocada sobre un lado de la capa base, en donde la capa emisora incluye al menos uno de: regiones difundidas con neutralizadores localizados dentro de la capa base; una capa de poli Si difundida con neutralizadores colocados sobre un lado de la capa base; y una capa de Si amorfo (a-Si) dopada colocada sobre un lado de la capa base.
11.- La celda solar de conformidad con la reivindicación 10, caracterizada además porque los neutralizadores incluyen uno de: fósforo; y boro.
12.- La celda solar de conformidad con la reivindicación 1, caracterizada además porque comprende adicionalmente una rejilla metálica de lado posterior que comprende una o más capas metálicas galvanizadas y una o más líneas de dedo, y en donde un extremo de una línea de dedo respectiva se acopla a un extremo correspondiente de una línea dedo adyacente a través de una línea metálica adicional, asegurando de esa forma que la línea de dedo respectiva no tiene extremo abierto.
13.- Un método para fabricar una celda solar, que comprende: depositar una capa de óxido conductor transparente (TCO) sobre una estructura semiconductora para formar una estructura fotovoltaica que tiene una región dopada; formar una rejilla metálica de lado frontal sobre la estructura fotovoltaica, en donde la rejilla metálica del lado frontal incluye una o más capas metálicas galvanizadas, en donde la capa metálica galvanizada está conectada a una capa de semilla metálica que está eléctricamente conectada a la región dopada a través de una capa de adhesión, y en donde la rejilla metálica del lado frontal incluye una o más líneas de dedo, y en donde un extremo de una línea de dedo respectiva está acoplada a un extremo correspondiente una línea de dedo adyacente a través de una línea metálica adicional, asegurando de esa forma que la línea de dedo respectiva no tiene ningún extremo abierto.
14.- El método de conformidad con la reivindicación 13, caracterizado además porque la línea metálica adicional está localizada cerca de un borde de la celda solar, y en donde la línea metálica adicional tiene un ancho que es menor que un ancho de la línea de dedo respectiva.
15.- El método de conformidad con la reivindicación 13, caracterizado además porque una intersección entre la línea metálica adicional y la línea de dedo respectiva es redondeada o biselado.
16.- El método de conformidad con la reivindicación 13, caracterizado además porque la capa adhesiva metálica comprende uno o más de Cu, Al, Co, W, Cr, Mo, Ni, Ti, Ta nitruro de titanio (TiNx), tungsteno de titanio (TiW2), siliciuro de titanio (TiSix), nitruro de silicio de titanio (TiSiN), nitruro de tántalo (TaNx), nitruro de silicio de tántalo (TaS¡Nx), vanadio de níquel (NN), nitruro de tungsteno (WNX), y sus combinaciones.
17.- El método de conformidad con la reivindicación 13, caracterizado además porque las capas metálicas galvanizadas incluyen uno o más de: una capa de Cu; una capa de Ag; y una capa de Sn.
18.- El método de conformidad con la reivindicación 13, caracterizado además porque la capa metálica galvanizada consiste de Cu.
19.- El método de conformidad con la reivindicación 13, caracterizado además porque formar las capas metálicas galvanizadas comprende: depositar una capa de enmascaramiento con patrón sobre la parte superior de la capa de semilla metálica, en donde aberturas de la capa de enmascaramiento corresponde a posiciones de la rejilla de electrodo de lado frontal, y en donde la capa enmascaramiento es eléctricamente aislante; galvanizar una o más capas de metal sobre la capa de enmascaramiento con patrón al sumergir la celda solar en una solución electrólito; remover la capa de enmascaramiento con patrón; y realizar un proceso de grabado para remover porciones de la capa de semilla metálica que no están cubiertas por las capas metálicas galvanizadas.
20.- El método de conformidad con la reivindicación 13, caracterizado además porque una porción de borde predeterminado de la línea de dedo respectiva tiene un ancho que es mayor que un ancho de una porción central de la línea de dedo respectiva.
21.- El método de conformidad con la reivindicación 13, caracterizado además porque formar la estructura fotovoltaica además comprende formar una capa emisora sobre un lado de una capa base ligeramente dopada, y en donde formar la capa emisora comprende al menos uno de: difundir neutralizadores dentro de la capa base ligeramente dopada que comprende Si; difundir neutralizadores en una poli capa de Si colocada sobre un lado de la capa base; y depositar una capa de Si amorfo dopada.
22.- El método de conformidad con la reivindicación 21, caracterizado además porque los neutralizadores incluyen uno de: fósforo; y boro.
23.- El método de conformidad con la reivindicación 13, caracterizado además porque comprende adicionalmente formar una rejilla metálica de lado posterior que comprende una o más capas metálicas galvanizadas y una o más líneas de dedo, en donde un extremo de una línea de dedo respectiva está acoplada a un extremo correspondiente de una línea de dedo adyacente a través de una línea metálica adicional, asegurando de esa forma que la línea de dedo respectiva no tiene ningún extremo abierto.
24.- Una celda solar, que comprende: una estructura fotovoltaica que tiene una región dopada; y una rejilla metálica de lado frontal que incluye una o más capas metálicas galvanizadas, en donde la capa metálica galvanizada está conectada a una capa de semilla metálica que está eléctricamente conectada a la región dopada a través de una capa de adhesión, y en donde la rejilla metálica del lado frontal incluye una o más líneas de dedo, y en donde cada extremo de una línea de dedo respectiva está acoplada a un extremo correspondiente de una línea dedo adyacente a través de una línea metálica adicional, asegurando de esa forma que la línea de dedo respectiva no tiene ningún extremo abierto.
MX2015004291A 2012-10-04 2013-10-03 Dispositivos fotovoltaicos con rejillas metalicas galvanizadas. MX342532B (es)

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US (3) US9461189B2 (es)
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MX (2) MX351564B (es)
WO (1) WO2014055781A1 (es)

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8969122B2 (en) 2011-06-14 2015-03-03 International Business Machines Corporation Processes for uniform metal semiconductor alloy formation for front side contact metallization and photovoltaic device formed therefrom
CN104781936A (zh) * 2012-10-04 2015-07-15 喜瑞能源公司 具有电镀的金属格栅的光伏器件
EP2916361B1 (en) * 2012-11-01 2023-12-27 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Solar cell and solar cell module
USD933584S1 (en) 2012-11-08 2021-10-19 Sunpower Corporation Solar panel
US20140124014A1 (en) 2012-11-08 2014-05-08 Cogenra Solar, Inc. High efficiency configuration for solar cell string
USD1009775S1 (en) 2014-10-15 2024-01-02 Maxeon Solar Pte. Ltd. Solar panel
WO2014083846A1 (ja) * 2012-11-30 2014-06-05 三洋電機株式会社 太陽電池
US9219174B2 (en) 2013-01-11 2015-12-22 Solarcity Corporation Module fabrication of solar cells with low resistivity electrodes
JP2016528738A (ja) * 2013-08-21 2016-09-15 ジーティーエイティー・コーポレーション 金属片を太陽電池へ連結するためのアクティブはんだの使用
KR101620431B1 (ko) * 2014-01-29 2016-05-12 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 이의 제조 방법
US10309012B2 (en) 2014-07-03 2019-06-04 Tesla, Inc. Wafer carrier for reducing contamination from carbon particles and outgassing
DE102014217165A1 (de) * 2014-08-28 2016-03-03 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Halbleiterstruktur, Verfahren zu deren Herstellung und deren Verwendung
US9147875B1 (en) 2014-09-10 2015-09-29 Cellink Corporation Interconnect for battery packs
US10211443B2 (en) 2014-09-10 2019-02-19 Cellink Corporation Battery interconnects
USD933585S1 (en) 2014-10-15 2021-10-19 Sunpower Corporation Solar panel
USD999723S1 (en) 2014-10-15 2023-09-26 Sunpower Corporation Solar panel
USD896747S1 (en) 2014-10-15 2020-09-22 Sunpower Corporation Solar panel
USD913210S1 (en) 2014-10-15 2021-03-16 Sunpower Corporation Solar panel
KR20180031626A (ko) * 2015-02-03 2018-03-28 셀링크 코포레이션 조합된 열 및 전기 에너지 전달을 위한 시스템 및 방법
CN104882566B (zh) * 2015-05-21 2017-12-22 京东方科技集团股份有限公司 一种发光二极管封装结构和封装方法
US9761744B2 (en) 2015-10-22 2017-09-12 Tesla, Inc. System and method for manufacturing photovoltaic structures with a metal seed layer
TWI615992B (zh) * 2015-12-10 2018-02-21 茂迪股份有限公司 太陽能電池之製造方法
CN105552147A (zh) * 2016-02-29 2016-05-04 浙江晶科能源有限公司 一种太阳能电池及其制备方法
US10396219B2 (en) * 2016-06-16 2019-08-27 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Transparent conductive oxide in silicon heterojunction solar cells
KR102591805B1 (ko) * 2016-11-04 2023-10-23 삼성전자주식회사 웨어러블 전자 장치의 안테나
CN107093649B (zh) * 2017-03-28 2019-08-30 浙江正泰太阳能科技有限公司 一种hjt光伏电池的制备方法
KR102459719B1 (ko) * 2017-06-14 2022-10-27 상라오 징코 솔라 테크놀러지 디벨롭먼트 컴퍼니, 리미티드 태양 전지, 태양전지 모듈과 그 제조 방법
US10672919B2 (en) * 2017-09-19 2020-06-02 Tesla, Inc. Moisture-resistant solar cells for solar roof tiles
DE102018202513B4 (de) * 2018-02-20 2023-08-17 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e. V. Verfahren zur Metallisierung eines Bauelements
US11190128B2 (en) 2018-02-27 2021-11-30 Tesla, Inc. Parallel-connected solar roof tile modules
ES2754148A1 (es) 2018-10-11 2020-04-15 Fund Cener Ciemat Celula solar fotovoltaica y procedimiento de fabricacion
US10998730B1 (en) 2019-04-26 2021-05-04 NeoVolta, Inc. Adaptive solar power battery storage system
JP2024512188A (ja) 2021-03-24 2024-03-19 セルリンク コーポレーション 多層フレキシブルバッテリー相互接続及びその製造方法

Family Cites Families (338)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US819360A (en) 1905-03-22 1906-05-01 Edward Newton A Electrical switch.
US2626907A (en) 1951-05-14 1953-01-27 Petrolite Corp Process for breaking petroleum emulsions
US2938938A (en) 1956-07-03 1960-05-31 Hoffman Electronics Corp Photo-voltaic semiconductor apparatus or the like
US3116171A (en) 1961-03-14 1963-12-31 Bell Telephone Labor Inc Satellite solar cell assembly
US3094439A (en) 1961-07-24 1963-06-18 Spectrolab Solar cell system
US3459597A (en) 1966-02-04 1969-08-05 Trw Inc Solar cells with flexible overlapping bifurcated connector
US3969163A (en) 1974-09-19 1976-07-13 Texas Instruments Incorporated Vapor deposition method of forming low cost semiconductor solar cells including reconstitution of the reacted gases
JPS5758075B2 (es) 1974-10-19 1982-12-08 Sony Corp
US3961997A (en) 1975-05-12 1976-06-08 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Fabrication of polycrystalline solar cells on low-cost substrates
US4082568A (en) 1977-05-10 1978-04-04 Joseph Lindmayer Solar cell with multiple-metal contacts
US4193975A (en) 1977-11-21 1980-03-18 Union Carbide Corporation Process for the production of improved refined metallurgical silicon
US4124410A (en) 1977-11-21 1978-11-07 Union Carbide Corporation Silicon solar cells with low-cost substrates
US4342044A (en) 1978-03-08 1982-07-27 Energy Conversion Devices, Inc. Method for optimizing photoresponsive amorphous alloys and devices
US4200621A (en) 1978-07-18 1980-04-29 Motorola, Inc. Sequential purification and crystal growth
US4284490A (en) 1978-09-28 1981-08-18 Coulter Systems Corporation R.F. Sputtering apparatus including multi-network power supply
US4213798A (en) 1979-04-27 1980-07-22 Rca Corporation Tellurium schottky barrier contact for amorphous silicon solar cells
US4251285A (en) 1979-08-14 1981-02-17 Westinghouse Electric Corp. Diffusion of dopant from optical coating and single step formation of PN junction in silicon solar cell and coating thereon
DE2944185A1 (de) 1979-11-02 1981-05-07 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Solarzelle
US4315096A (en) 1980-07-25 1982-02-09 Eastman Kodak Company Integrated array of photovoltaic cells having minimized shorting losses
DE3280455T3 (de) 1981-11-04 2000-07-13 Kanegafuchi Kagaku Kogyo K.K., Osaka Biegsame photovoltaische Vorrichtung.
US4571448A (en) 1981-11-16 1986-02-18 University Of Delaware Thin film photovoltaic solar cell and method of making the same
US4431858A (en) 1982-05-12 1984-02-14 University Of Florida Method of making quasi-grain boundary-free polycrystalline solar cell structure and solar cell structure obtained thereby
DE3308269A1 (de) 1983-03-09 1984-09-13 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh Solarzelle
US4586988A (en) 1983-08-19 1986-05-06 Energy Conversion Devices, Inc. Method of forming an electrically conductive member
US4589191A (en) 1983-10-20 1986-05-20 Unisearch Limited Manufacture of high efficiency solar cells
US4514579A (en) 1984-01-30 1985-04-30 Energy Conversion Devices, Inc. Large area photovoltaic cell and method for producing same
DE3419137A1 (de) 1984-05-23 1985-11-28 Bayer Ag, 5090 Leverkusen Verfahren und vorrichtung zur herstellung von halbleiterfolien
US4567642A (en) 1984-09-28 1986-02-04 The Standard Oil Company Method of making photovoltaic modules
US4577051A (en) 1984-09-28 1986-03-18 The Standard Oil Company Bypass diode assembly for photovoltaic modules
US4633033A (en) 1985-02-08 1986-12-30 Energy Conversion Devices, Inc. Photovoltaic device and method
US4617421A (en) 1985-04-01 1986-10-14 Sovonics Solar Systems Photovoltaic cell having increased active area and method for producing same
US4667060A (en) 1985-05-28 1987-05-19 Spire Corporation Back junction photovoltaic solar cell
US4652693A (en) 1985-08-30 1987-03-24 The Standard Oil Company Reformed front contact current collector grid and cell interconnect for a photovoltaic cell module
FR2597662B1 (fr) 1986-04-22 1988-06-17 Thomson Csf Photodiode pin realisee a partir de semi-conducteur amorphe
US4694115A (en) 1986-11-04 1987-09-15 Spectrolab, Inc. Solar cell having improved front surface metallization
DE3708548A1 (de) 1987-03-17 1988-09-29 Telefunken Electronic Gmbh Solarzellenmodul mit parallel und seriell angeordneten solarzellen
US4771017A (en) 1987-06-23 1988-09-13 Spire Corporation Patterning process
US5698451A (en) 1988-06-10 1997-12-16 Mobil Solar Energy Corporation Method of fabricating contacts for solar cells
US5075763A (en) 1988-09-28 1991-12-24 Kopin Corporation High temperature metallization system for contacting semiconductor materials
US4933061A (en) 1988-12-29 1990-06-12 Trifari, Krussman & Fishel, Inc. Electroplating tank
DE3901042A1 (de) 1989-01-14 1990-07-26 Nukem Gmbh Verfahren und vorrichtung zur herstellung eines halbleiter-schichtsystems
US5091018A (en) 1989-04-17 1992-02-25 The Boeing Company Tandem photovoltaic solar cell with III-V diffused junction booster cell
US5118361A (en) 1990-05-21 1992-06-02 The Boeing Company Terrestrial concentrator solar cell module
US5217539A (en) 1991-09-05 1993-06-08 The Boeing Company III-V solar cells and doping processes
JPH036867A (ja) 1989-06-05 1991-01-14 Mitsubishi Electric Corp 光発電素子の電極構造、形成方法、及びその製造装置
DE4009336A1 (de) 1990-03-23 1991-09-26 Telefunken Systemtechnik Solarzelle
DE69128080T2 (de) 1990-05-18 1998-02-26 Hitco Technologies Inc., Gardena, Calif. Werkstoffe für cdv-verfahren
DK170189B1 (da) 1990-05-30 1995-06-06 Yakov Safir Fremgangsmåde til fremstilling af halvlederkomponenter, samt solcelle fremstillet deraf
US5213628A (en) 1990-09-20 1993-05-25 Sanyo Electric Co., Ltd. Photovoltaic device
DE4030713A1 (de) 1990-09-28 1992-04-02 Telefunken Systemtechnik Photovoltaischer solargenerator
JPH04245683A (ja) 1991-01-31 1992-09-02 Tonen Corp 太陽電池の製造方法
US5364518A (en) 1991-05-28 1994-11-15 Leybold Aktiengesellschaft Magnetron cathode for a rotating target
ES2115671T3 (es) 1991-06-11 1998-07-01 Ase Americas Inc Celula solar mejorada y metodo para la fabricacion de la misma.
US5178685A (en) 1991-06-11 1993-01-12 Mobil Solar Energy Corporation Method for forming solar cell contacts and interconnecting solar cells
US5181968A (en) 1991-06-24 1993-01-26 United Solar Systems Corporation Photovoltaic device having an improved collector grid
US5455430A (en) 1991-08-01 1995-10-03 Sanyo Electric Co., Ltd. Photovoltaic device having a semiconductor grade silicon layer formed on a metallurgical grade substrate
US5705828A (en) 1991-08-10 1998-01-06 Sanyo Electric Co., Ltd. Photovoltaic device
US5286306A (en) 1992-02-07 1994-02-15 Shalini Menezes Thin film photovoltaic cells from I-III-VI-VII compounds
US5808315A (en) 1992-07-21 1998-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor having transparent conductive film
JPH0794431A (ja) 1993-04-23 1995-04-07 Canon Inc アモルファス半導体用基板、該基板を有するアモルファス半導体基板、及び該アモルファス半導体基板の製造方法
US5401331A (en) 1993-09-07 1995-03-28 Midwest Research Institute Substrate for thin silicon solar cells
DE4333407C1 (de) 1993-09-30 1994-11-17 Siemens Ag Solarzelle mit einer Chalkopyritabsorberschicht
JPH07249788A (ja) 1994-03-11 1995-09-26 Tonen Corp 太陽電池
JPH07326664A (ja) 1994-05-31 1995-12-12 Fuji Electric Co Ltd ウエハの誘電体分離溝の充填方法
FR2722612B1 (fr) 1994-07-13 1997-01-03 Centre Nat Rech Scient Procede de fabrication d'un materiau ou dispositif photovoltaique, materiau ou dispositif ainsi obteu et photopile comprenant un tel materiau ou dispositif
JP2992464B2 (ja) 1994-11-04 1999-12-20 キヤノン株式会社 集電電極用被覆ワイヤ、該集電電極用被覆ワイヤを用いた光起電力素子及びその製造方法
US5627081A (en) 1994-11-29 1997-05-06 Midwest Research Institute Method for processing silicon solar cells
EP0729189A1 (en) 1995-02-21 1996-08-28 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw Method of preparing solar cells and products obtained thereof
ES2202439T3 (es) 1995-04-25 2004-04-01 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Sistema de pulverizacion que utiliza un magnetron cilindrico rotativo alimentado electricamente utilizando corriente alterna.
JP3459947B2 (ja) 1996-06-18 2003-10-27 シャープ株式会社 太陽電池の製造方法
US6552414B1 (en) 1996-12-24 2003-04-22 Imec Vzw Semiconductor device with selectively diffused regions
JPH1131834A (ja) 1997-07-10 1999-02-02 Showa Shell Sekiyu Kk ガラスサンドイッチ型太陽電池パネル
US6091019A (en) 1997-09-26 2000-07-18 Sanyo Electric Co., Ltd. Photovoltaic element and manufacturing method thereof
EP0915523A3 (en) 1997-10-29 2005-11-02 Canon Kabushiki Kaisha A photovoltaic element having a back side transparent and electrically conductive layer with a light incident side surface region having a specific cross section and a module comprising said photovoltaic element
US5903382A (en) 1997-12-19 1999-05-11 Rockwell International Corporation Electrodeposition cell with high light transmission
DE19980447D2 (de) 1998-03-13 2001-04-12 Steffen Keller Solarzellenanordnung
DE69943141D1 (de) 1998-05-20 2011-03-03 Canon Kk Photovoltaische Leistungserzeugungsvorrichtung
US20070108437A1 (en) 1998-06-08 2007-05-17 Avto Tavkhelidze Method of fabrication of high temperature superconductors based on new mechanism of electron-electron interaction
US6232545B1 (en) 1998-08-06 2001-05-15 Jx Crystals Inc. Linear circuit designs for solar photovoltaic concentrator and thermophotovoltaic applications using cell and substrate materials with matched coefficients of thermal expansion
US6303853B1 (en) 1998-08-06 2001-10-16 Jx Crystals Inc. Shingle circuits for thermophotovoltaic systems
US6488824B1 (en) 1998-11-06 2002-12-03 Raycom Technologies, Inc. Sputtering apparatus and process for high rate coatings
US8222513B2 (en) 2006-04-13 2012-07-17 Daniel Luch Collector grid, electrode structures and interconnect structures for photovoltaic arrays and methods of manufacture
US7635810B2 (en) 1999-03-30 2009-12-22 Daniel Luch Substrate and collector grid structures for integrated photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays
US8076568B2 (en) 2006-04-13 2011-12-13 Daniel Luch Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
US6034322A (en) 1999-07-01 2000-03-07 Space Systems/Loral, Inc. Solar cell assembly
JP2001148500A (ja) 1999-11-22 2001-05-29 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池モジュール
US6538193B1 (en) 2000-04-21 2003-03-25 Jx Crystals Inc. Thermophotovoltaic generator in high temperature industrial process
US6586270B2 (en) 2000-06-01 2003-07-01 Canon Kabushiki Kaisha Process for producing a photovoltaic element
JP2002057357A (ja) 2000-08-11 2002-02-22 Fuji Electric Co Ltd 薄膜太陽電池とその製造方法
US6333457B1 (en) 2000-08-29 2001-12-25 Sunpower Corporation Edge passivated silicon solar/photo cell and method of manufacture
DE10042733A1 (de) 2000-08-31 2002-03-28 Inst Physikalische Hochtech Ev Multikristalline laserkristallisierte Silicium-Dünnschicht-Solarzelle auf transparentem Substrat
JP3490964B2 (ja) 2000-09-05 2004-01-26 三洋電機株式会社 光起電力装置
US20020189939A1 (en) 2001-06-14 2002-12-19 German John R. Alternating current rotatable sputter cathode
US6620645B2 (en) 2000-11-16 2003-09-16 G.T. Equipment Technologies, Inc Making and connecting bus bars on solar cells
JP4055358B2 (ja) 2000-12-12 2008-03-05 サンケン電気株式会社 半導体装置及びその製造方法
WO2002079814A2 (en) 2000-12-19 2002-10-10 Coventor Incorporated Method for fabricating a through-wafer optical mems device having an anti-reflective coating
KR100366349B1 (ko) * 2001-01-03 2002-12-31 삼성에스디아이 주식회사 태양 전지 및 그의 제조 방법
CN1291502C (zh) 2001-03-19 2006-12-20 信越半导体株式会社 太阳能电池及其制造方法
US7283519B2 (en) 2001-04-13 2007-10-16 Esn, Llc Distributed edge switching system for voice-over-packet multiservice network
US7173275B2 (en) 2001-05-21 2007-02-06 Regents Of The University Of Colorado Thin-film transistors based on tunneling structures and applications
JP2003069055A (ja) 2001-06-13 2003-03-07 Sharp Corp 太陽電池セルとその製造方法
US7399385B2 (en) 2001-06-14 2008-07-15 Tru Vue, Inc. Alternating current rotatable sputter cathode
US6713670B2 (en) 2001-08-17 2004-03-30 Composite Optics, Incorporated Electrostatically clean solar array
US6664589B2 (en) 2001-08-30 2003-12-16 Micron Technology, Inc. Technique to control tunneling currents in DRAM capacitors, cells, and devices
US6563040B2 (en) 2001-10-11 2003-05-13 Pinnacle West Capital Corporation Structure for supporting a photovoltaic module in a solar energy collection system
US6672018B2 (en) 2001-10-12 2004-01-06 Jefferson Shingleton Solar module mounting method and clip
US7469299B2 (en) 2001-10-25 2008-12-23 Verizon Business Global Llc Bridging user agent and a proxy server for supporting network services
US20030116185A1 (en) 2001-11-05 2003-06-26 Oswald Robert S. Sealed thin film photovoltaic modules
JP3902534B2 (ja) 2001-11-29 2007-04-11 三洋電機株式会社 光起電力装置及びその製造方法
US20030121228A1 (en) 2001-12-31 2003-07-03 Stoehr Robert P. System and method for dendritic web solar cell shingling
US6736948B2 (en) 2002-01-18 2004-05-18 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Cylindrical AC/DC magnetron with compliant drive system and improved electrical and thermal isolation
US6683360B1 (en) 2002-01-24 2004-01-27 Fillfactory Multiple or graded epitaxial wafers for particle or radiation detection
US20030154667A1 (en) 2002-02-20 2003-08-21 Dinwoodie Thomas L. Shingle system
JP4070483B2 (ja) 2002-03-05 2008-04-02 三洋電機株式会社 光起電力装置並びにその製造方法
US20030173217A1 (en) 2002-03-14 2003-09-18 Sputtering Components, Inc. High-power ion sputtering magnetron
DE10213049A1 (de) 2002-03-22 2003-10-02 Dieter Wurczinger Drehbare Rohrkatode
JP2003298077A (ja) 2002-03-29 2003-10-17 Ebara Corp 太陽電池
US7388146B2 (en) 2002-04-24 2008-06-17 Jx Crystals Inc. Planar solar concentrator power module
US6803513B2 (en) 2002-08-20 2004-10-12 United Solar Systems Corporation Series connected photovoltaic module and method for its manufacture
EP1398837A1 (en) 2002-09-09 2004-03-17 Interuniversitair Microelektronica Centrum ( Imec) Photovoltaic device
US7126052B2 (en) 2002-10-02 2006-10-24 The Boeing Company Isoelectronic surfactant induced sublattice disordering in optoelectronic devices
JP2004134672A (ja) 2002-10-11 2004-04-30 Sony Corp 超薄型半導体装置の製造方法および製造装置、並びに超薄型の裏面照射型固体撮像装置の製造方法および製造装置
JP2004193350A (ja) 2002-12-11 2004-07-08 Sharp Corp 太陽電池セルおよびその製造方法
US6870600B2 (en) 2003-01-13 2005-03-22 Nikon Corporation Vibration-attenuation devices and methods using pressurized bellows exhibiting substantially zero lateral stiffness
JP2004235274A (ja) 2003-01-28 2004-08-19 Kyocera Corp 多結晶シリコン基板およびその粗面化法
JP2004304167A (ja) 2003-03-20 2004-10-28 Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd 配線、表示装置及び、これらの形成方法
US7388147B2 (en) 2003-04-10 2008-06-17 Sunpower Corporation Metal contact structure for solar cell and method of manufacture
JP4118187B2 (ja) 2003-05-09 2008-07-16 信越半導体株式会社 太陽電池の製造方法
US20050064247A1 (en) 2003-06-25 2005-03-24 Ajit Sane Composite refractory metal carbide coating on a substrate and method for making thereof
US7560750B2 (en) 2003-06-26 2009-07-14 Kyocera Corporation Solar cell device
CN2626907Y (zh) 2003-07-01 2004-07-21 何学东 一体化组件的防伪盖
US7455787B2 (en) 2003-08-01 2008-11-25 Sunpower Corporation Etching of solar cell materials
US7172184B2 (en) 2003-08-06 2007-02-06 Sunpower Corporation Substrate carrier for electroplating solar cells
JP4515208B2 (ja) 2003-09-25 2010-07-28 富士フイルム株式会社 画像処理方法および装置並びにプログラム
JP4232597B2 (ja) 2003-10-10 2009-03-04 株式会社日立製作所 シリコン太陽電池セルとその製造方法
US20050189015A1 (en) 2003-10-30 2005-09-01 Ajeet Rohatgi Silicon solar cells and methods of fabrication
JP2005142268A (ja) 2003-11-05 2005-06-02 Canon Inc 光起電力素子およびその製造方法
JP2005159312A (ja) 2003-11-05 2005-06-16 Canon Inc 太陽電池用多結晶シリコン基板の母材および太陽電池用多結晶シリコン基板
EP1687240A1 (en) 2003-12-04 2006-08-09 Dow Corning Corporation Method of removing impurities from metallurgical grade silicon to produce solar grade silicon
DE10357698A1 (de) 2003-12-09 2005-07-14 Schunk Kohlenstofftechnik Gmbh Träger für zu behandelnde Gegenstände sowie Verfahren zur Herstellung eines solchen
US7887632B2 (en) 2004-01-15 2011-02-15 Japan Science And Technology Agency Process for producing monocrystal thin film and monocrystal thin film device
US20080283115A1 (en) 2004-01-28 2008-11-20 Yuko Fukawa Solar Battery Module and Photovoltaic Generation Device
EP1560272B1 (en) 2004-01-29 2016-04-27 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Solar cell module
US20060060238A1 (en) 2004-02-05 2006-03-23 Advent Solar, Inc. Process and fabrication methods for emitter wrap through back contact solar cells
US20050252544A1 (en) 2004-05-11 2005-11-17 Ajeet Rohatgi Silicon solar cells and methods of fabrication
EP1598874A1 (en) 2004-05-19 2005-11-23 Dutch Space B.V. Solar cell assembly
US7772484B2 (en) 2004-06-01 2010-08-10 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic module architecture
FR2871157A1 (fr) 2004-06-04 2005-12-09 Aventis Pharma Sa Produits biaryl aromatiques, compositions les contenant et utilisation
KR100624765B1 (ko) 2004-06-25 2006-09-20 한국전기연구원 광감응형 태양전지와 p-n 접합 실리콘계 태양전지의복합구조를 갖는 태양전지 및 그 제조방법
KR100659044B1 (ko) 2004-07-05 2006-12-19 전자부품연구원 산화아연 박막을 가지는 태양전지 및 그 제조 방법
EP1766490A4 (en) 2004-07-13 2007-12-05 Univ Central Queensland DEVICE FOR DETECTING MAXIMUM DISTRIBUTED POWER FOR SOLAR PANELS
US7087906B2 (en) 2004-09-08 2006-08-08 Nikon Corporation Bellows with spring anti-gravity device
US20060130891A1 (en) 2004-10-29 2006-06-22 Carlson David E Back-contact photovoltaic cells
US7432119B2 (en) 2005-01-11 2008-10-07 Semileds Corporation Light emitting diode with conducting metal substrate
FR2880989B1 (fr) 2005-01-20 2007-03-09 Commissariat Energie Atomique Dispositif semi-conducteur a heterojonctions et a structure inter-digitee
US7723215B2 (en) 2005-02-11 2010-05-25 Sarnoff Corporation Dark current reduction in back-illuminated imaging sensors and method of fabricating same
US20080121932A1 (en) 2006-09-18 2008-05-29 Pushkar Ranade Active regions with compatible dielectric layers
EP2439780B1 (en) 2005-02-25 2019-10-02 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Photovoltaic cell
DE102005013668B3 (de) 2005-03-14 2006-11-16 Universität Stuttgart Solarzelle
US7759158B2 (en) 2005-03-22 2010-07-20 Applied Materials, Inc. Scalable photovoltaic cell and solar panel manufacturing with improved wiring
US7494607B2 (en) 2005-04-14 2009-02-24 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electroconductive thick film composition(s), electrode(s), and semiconductor device(s) formed therefrom
DE102005019225B4 (de) 2005-04-20 2009-12-31 Helmholtz-Zentrum Berlin Für Materialien Und Energie Gmbh Heterokontaktsolarzelle mit invertierter Schichtstrukturgeometrie
US7375378B2 (en) 2005-05-12 2008-05-20 General Electric Company Surface passivated photovoltaic devices
JP5301758B2 (ja) * 2005-05-19 2013-09-25 信越半導体株式会社 太陽電池
EP1734589B1 (en) 2005-06-16 2019-12-18 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Method for manufacturing photovoltaic module
US20070023082A1 (en) 2005-07-28 2007-02-01 Venkatesan Manivannan Compositionally-graded back contact photovoltaic devices and methods of fabricating such devices
US20070023081A1 (en) 2005-07-28 2007-02-01 General Electric Company Compositionally-graded photovoltaic device and fabrication method, and related articles
JP5171001B2 (ja) 2005-09-30 2013-03-27 三洋電機株式会社 太陽電池モジュールの製造方法、太陽電池セルおよび太陽電池モジュール
WO2007120197A2 (en) 2005-11-04 2007-10-25 Dow Corning Corporation Encapsulation of photovoltaic cells
KR20080075156A (ko) 2005-11-07 2008-08-14 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 광전지 콘택 및 배선 형성 방법
JP5249040B2 (ja) 2005-11-18 2013-07-31 レプリソールス グループ エスアーエス 電極およびその形成方法
EP1806684A1 (en) 2005-12-05 2007-07-11 Sap Ag Creation of structured order items during availability check
US20070132034A1 (en) 2005-12-14 2007-06-14 Giuseppe Curello Isolation body for semiconductor devices and method to form the same
US20070137699A1 (en) 2005-12-16 2007-06-21 General Electric Company Solar cell and method for fabricating solar cell
US8196360B2 (en) 2006-01-12 2012-06-12 Msr Innovations Inc. Photovoltaic solar roof tile assembly system
JP5025135B2 (ja) 2006-01-24 2012-09-12 三洋電機株式会社 光起電力モジュール
EP1816684A2 (en) 2006-02-01 2007-08-08 Sanyo Electric Co. Ltd. Solar battery module
US7769887B1 (en) 2006-02-03 2010-08-03 Sprint Communications Company L.P. Opportunistic data transfer over heterogeneous wireless networks
US8168880B2 (en) 2006-04-26 2012-05-01 Certainteed Corporation Shingle with photovoltaic element(s) and array of same laid up on a roof
US7737357B2 (en) 2006-05-04 2010-06-15 Sunpower Corporation Solar cell having doped semiconductor heterojunction contacts
US8571012B2 (en) 2006-05-12 2013-10-29 Oracle International Corporation Customized sip routing to cross firewalls
US20070283996A1 (en) 2006-06-13 2007-12-13 Miasole Photovoltaic module with insulating interconnect carrier
US20070283997A1 (en) 2006-06-13 2007-12-13 Miasole Photovoltaic module with integrated current collection and interconnection
JP4290747B2 (ja) 2006-06-23 2009-07-08 シャープ株式会社 光電変換素子およびインターコネクタ付き光電変換素子
US20080000522A1 (en) 2006-06-30 2008-01-03 General Electric Company Photovoltaic device which includes all-back-contact configuration; and related processes
WO2008019349A2 (en) 2006-08-04 2008-02-14 Solopower, Inc. Thin film solar cell with finger pattern
US20080047602A1 (en) 2006-08-22 2008-02-28 Guardian Industries Corp. Front contact with high-function TCO for use in photovoltaic device and method of making same
US7893348B2 (en) 2006-08-25 2011-02-22 General Electric Company Nanowires in thin-film silicon solar cells
US20080053519A1 (en) 2006-08-30 2008-03-06 Miasole Laminated photovoltaic cell
DE102006042617B4 (de) 2006-09-05 2010-04-08 Q-Cells Se Verfahren zur Erzeugung von lokalen Kontakten
FR2906406B1 (fr) 2006-09-26 2008-12-19 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation de cellule photovoltaique a heterojonction en face arriere.
US20080264477A1 (en) 2006-10-09 2008-10-30 Soltaix, Inc. Methods for manufacturing three-dimensional thin-film solar cells
US20080092947A1 (en) 2006-10-24 2008-04-24 Applied Materials, Inc. Pulse plating of a low stress film on a solar cell substrate
DE102006051735A1 (de) 2006-10-30 2008-05-08 Merck Patent Gmbh Druckfähiges Medium zur Ätzung von oxidischen, transparenten, leitfähigen Schichten
US8013474B2 (en) 2006-11-27 2011-09-06 Xslent Energy Technologies, Llc System and apparatuses with multiple power extractors coupled to different power sources
US20080121276A1 (en) 2006-11-29 2008-05-29 Applied Materials, Inc. Selective electroless deposition for solar cells
US7799182B2 (en) 2006-12-01 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Electroplating on roll-to-roll flexible solar cell substrates
JP4429306B2 (ja) 2006-12-25 2010-03-10 三洋電機株式会社 太陽電池セル及び太陽電池モジュール
US7825329B2 (en) 2007-01-03 2010-11-02 Solopower, Inc. Thin film solar cell manufacturing and integration
CN101226968A (zh) 2007-01-17 2008-07-23 易斌宣 降低聚光太阳能电池串联电阻阻值的方法及由该方法获得的聚光太阳能电池
US20080173350A1 (en) 2007-01-18 2008-07-24 Applied Materials, Inc. Multi-junction solar cells and methods and apparatuses for forming the same
EP2654089A3 (en) 2007-02-16 2015-08-12 Nanogram Corporation Solar cell structures, photovoltaic modules and corresponding processes
JP2008205137A (ja) 2007-02-19 2008-09-04 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池及び太陽電池モジュール
US7534632B2 (en) 2007-02-20 2009-05-19 Advanced Chip Engineering Technology Inc. Method for circuits inspection and method of the same
US7968792B2 (en) 2007-03-05 2011-06-28 Seagate Technology Llc Quantum dot sensitized wide bandgap semiconductor photovoltaic devices & methods of fabricating same
EP1973167B1 (en) 2007-03-19 2018-06-13 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Photovoltaic device and method of manufacturing the same
FR2914785B1 (fr) 2007-04-06 2009-05-15 Saint Gobain Ct Recherches Revetement de toiture photovoltaique
US8471141B2 (en) 2007-05-07 2013-06-25 Nanosolar, Inc Structures for low cost, reliable solar roofing
US20080308145A1 (en) 2007-06-12 2008-12-18 Guardian Industries Corp Front electrode including transparent conductive coating on etched glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same
KR200438601Y1 (ko) 2007-07-13 2008-02-26 임준희 연필심 깎이
KR101492946B1 (ko) 2007-07-26 2015-02-13 주성엔지니어링(주) 결정질 실리콘 태양전지와 그 제조방법 및 제조시스템
US20090056797A1 (en) 2007-08-28 2009-03-05 Blue Square Energy Incorporated Photovoltaic Thin-Film Solar Cell and Method Of Making The Same
US7709730B2 (en) 2007-09-05 2010-05-04 Skyline Solar, Inc. Dual trough concentrating solar photovoltaic module
US7749883B2 (en) 2007-09-20 2010-07-06 Fry's Metals, Inc. Electroformed stencils for solar cell front side metallization
CN101779290B (zh) 2007-09-25 2013-02-27 第一太阳能有限公司 包括界面层的光伏器件
TWI371112B (en) 2007-10-02 2012-08-21 Univ Chang Gung Solar energy photoelectric conversion apparatus
WO2009047815A1 (en) 2007-10-12 2009-04-16 System S.P.A. A process for connecting photovoltaic cells in series, a photovoltaic cell connectable in series using the process, and a module obtained with the process
EP2193527A1 (en) 2007-10-18 2010-06-09 E. I. du Pont de Nemours and Company Lead-free conductive compositions and processes for use in the manufacture of semiconductor devices: mg-containing additive
WO2009061963A2 (en) 2007-11-06 2009-05-14 Krause Richard H Photovoltaic roofing systems and methods for installing them
US20090139512A1 (en) 2007-11-30 2009-06-04 Lima Daniel D De Solar Line Boiler Roof
AT506129B1 (de) 2007-12-11 2009-10-15 Heic Hornbachner En Innovation Gekrümmte photovoltaik-module und verfahren zu deren herstellung
US8021487B2 (en) 2007-12-12 2011-09-20 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier with hub
TWI379425B (en) 2007-12-13 2012-12-11 Nexpower Technology Corp Translucent solar cell and manufacturing method thereof
US9263895B2 (en) 2007-12-21 2016-02-16 Sunpower Corporation Distributed energy conversion systems
CN100580957C (zh) 2007-12-28 2010-01-13 中国科学院上海技术物理研究所 亚稳态辅助量子点共振隧穿二极管及工作条件
US20090188561A1 (en) 2008-01-25 2009-07-30 Emcore Corporation High concentration terrestrial solar array with III-V compound semiconductor cell
WO2009105190A2 (en) 2008-02-20 2009-08-27 Corning Incorporated Solar heat collection element with glass-ceramic central tube
US8222516B2 (en) 2008-02-20 2012-07-17 Sunpower Corporation Front contact solar cell with formed emitter
US9054254B2 (en) 2008-02-21 2015-06-09 Sharp Kabushiki Kaisha Solar cell and method of manufacturing solar cell
US8187906B2 (en) 2008-02-28 2012-05-29 Sunlight Photonics Inc. Method for fabricating composite substances for thin film electro-optical devices
US7977220B2 (en) 2008-03-05 2011-07-12 Sri International Substrates for silicon solar cells and methods of producing the same
US20100043863A1 (en) 2008-03-20 2010-02-25 Miasole Interconnect assembly
US7833808B2 (en) 2008-03-24 2010-11-16 Palo Alto Research Center Incorporated Methods for forming multiple-layer electrode structures for silicon photovoltaic cells
US20090250108A1 (en) 2008-04-02 2009-10-08 Applied Materials, Inc. Silicon carbide for crystalline silicon solar cell surface passivation
US20090255574A1 (en) 2008-04-14 2009-10-15 Sierra Solar Power, Inc. Solar cell fabricated by silicon liquid-phase deposition
US20090283145A1 (en) 2008-05-13 2009-11-19 Kim Yun-Gi Semiconductor Solar Cells Having Front Surface Electrodes
TWI513014B (zh) 2008-05-19 2015-12-11 Tatung Co 高性能光電元件
US20090293948A1 (en) 2008-05-28 2009-12-03 Stichting Energieonderzoek Centrum Nederland Method of manufacturing an amorphous/crystalline silicon heterojunction solar cell
EP2308097A2 (en) 2008-06-12 2011-04-13 Yissum Research Development Company of the Hebrew University of Jerusalem Ltd. Solar volumetric structure
US8338218B2 (en) 2008-06-26 2012-12-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device module and manufacturing method of the photoelectric conversion device module
KR101244027B1 (ko) 2008-07-08 2013-03-14 시너스 테크놀리지, 인코포레이티드 플렉서블 태양전지 제조방법
TWI390756B (zh) 2008-07-16 2013-03-21 Applied Materials Inc 使用摻質層遮罩之混合異接面太陽能電池製造
WO2011011864A1 (en) * 2009-07-29 2011-02-03 Cyrium Technologies Incorporated Solar cell and method of fabrication thereof
DE102008045522A1 (de) 2008-09-03 2010-03-04 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Heterosolarzelle und Verfahren zur Herstellung von Heterosolarzellen
US8637761B2 (en) 2008-09-16 2014-01-28 Silevo, Inc. Solar cells fabricated by using CVD epitaxial Si films on metallurgical-grade Si wafers
US8088675B2 (en) 2008-09-19 2012-01-03 Applied Materials, Inc. Methods of making an emitter having a desired dopant profile
JP2010085949A (ja) 2008-10-03 2010-04-15 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置
US8070925B2 (en) 2008-10-17 2011-12-06 Applied Materials, Inc. Physical vapor deposition reactor with circularly symmetric RF feed and DC feed to the sputter target
US20100108134A1 (en) 2008-10-31 2010-05-06 Crystal Solar, Inc. Thin two sided single crystal solar cell and manufacturing process thereof
US8586857B2 (en) 2008-11-04 2013-11-19 Miasole Combined diode, lead assembly incorporating an expansion joint
WO2010056764A2 (en) 2008-11-12 2010-05-20 Mehrdad Nikoonahad High efficiency solar panel and system
US9150966B2 (en) 2008-11-14 2015-10-06 Palo Alto Research Center Incorporated Solar cell metallization using inline electroless plating
KR100993511B1 (ko) 2008-11-19 2010-11-12 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 그 제조 방법
US20100132774A1 (en) 2008-12-11 2010-06-03 Applied Materials, Inc. Thin Film Silicon Solar Cell Device With Amorphous Window Layer
TW201036183A (en) 2008-12-16 2010-10-01 Solopower Inc Thin film photovoltaic module manufacturing methods and structures
DE102008055028A1 (de) 2008-12-19 2010-07-01 Q-Cells Se Solarzelle
WO2010075606A1 (en) 2008-12-29 2010-07-08 Shaun Joseph Cunningham Improved photo-voltaic device
US7945663B2 (en) 2008-12-29 2011-05-17 Genband Inc. Systems, methods, and computer program products for adaptively adjusting a registration interval of an endpoint
US20100175743A1 (en) 2009-01-09 2010-07-15 Solopower, Inc. Reliable thin film photovoltaic module structures
US20100186802A1 (en) 2009-01-27 2010-07-29 Peter Borden Hit solar cell structure
DE202009001817U1 (de) 2009-01-31 2009-06-04 Roth & Rau Ag Substratträger zur Halterung einer Vielzahl von Solarzellenwafern
US8283557B2 (en) 2009-03-10 2012-10-09 Silevo, Inc. Heterojunction solar cell based on epitaxial crystalline-silicon thin film on metallurgical silicon substrate design
DE102009012539A1 (de) 2009-03-10 2010-09-23 Tyco Electronics Amp Gmbh Verbindungsvorrichtung zum Anschluss an ein Solarmodul und Solarmodul mit einer solchen Verbindungsvorrichtung
US8182662B2 (en) 2009-03-27 2012-05-22 Sputtering Components, Inc. Rotary cathode for magnetron sputtering apparatus
CA2759708C (en) 2009-04-21 2019-06-18 Tetrasun, Inc. High-efficiency solar cell structures and methods of manufacture
WO2010125679A1 (ja) 2009-04-30 2010-11-04 三菱電機株式会社 太陽電池セル
US20100279492A1 (en) 2009-05-02 2010-11-04 Atomic Energy Council-Institute Of Nuclear Energy Research Method of Fabricating Upgraded Metallurgical Grade Silicon by External Gettering Procedure
JP4797083B2 (ja) 2009-05-15 2011-10-19 シャープ株式会社 薄膜太陽電池モジュール
WO2010133224A2 (de) 2009-05-18 2010-11-25 Solarion Ag Anordnung und verschaltung, sowie verfahren zur verschaltung von flächenartigen solarzellen
US9537032B2 (en) 2009-06-02 2017-01-03 Solarcity Corporation Low-cost high-efficiency solar module using epitaxial Si thin-film absorber and double-sided heterojunction solar cell with integrated module fabrication
US20100300507A1 (en) 2009-06-02 2010-12-02 Sierra Solar Power, Inc. High efficiency low cost crystalline-si thin film solar module
CN102804392A (zh) 2009-06-22 2012-11-28 国际商业机器公司 半导体光学检测器结构
US20110146781A1 (en) 2009-06-26 2011-06-23 E.I. Du Pont De Nemours And Company Process of forming a grid cathode on the front-side of a silicon wafer
US20110220194A1 (en) 2009-07-14 2011-09-15 Spectrawatt, Inc. Light conversion efficiency-enhanced solar cell fabricated with downshifting nanomaterial
JP5602498B2 (ja) * 2009-07-30 2014-10-08 三洋電機株式会社 太陽電池モジュール
US8343795B2 (en) 2009-09-12 2013-01-01 Yuhao Luo Method to break and assemble solar cells
KR101656118B1 (ko) 2009-09-18 2016-09-08 파나소닉 아이피 매니지먼트 가부시키가이샤 태양 전지, 태양 전지 모듈 및 태양 전지 시스템
DE102009043047A1 (de) 2009-09-28 2011-04-14 Schott Solar Ag Solarzelle
US20110073175A1 (en) 2009-09-29 2011-03-31 Twin Creeks Technologies, Inc. Photovoltaic cell comprising a thin lamina having emitter formed at light-facing and back surfaces
KR101301029B1 (ko) 2009-10-30 2013-08-28 엘지전자 주식회사 박막 태양전지 모듈
JP5706439B2 (ja) 2009-12-11 2015-04-22 カーゲーテー・グラフィート・テヒノロギー・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング 基板支持体
US20130000705A1 (en) 2009-12-16 2013-01-03 Yissum Research Development Company Of The Hebrew University Of Jerusalem, Ltd. Photovoltaic device and method of its fabrication
US8759664B2 (en) 2009-12-28 2014-06-24 Hanergy Hi-Tech Power (Hk) Limited Thin film solar cell strings
TWI425597B (zh) 2009-12-31 2014-02-01 Kingpak Tech Inc 具有黑色膠體之影像感測器封裝結構
TWI396292B (zh) 2010-01-11 2013-05-11 Tatung Co 太陽能電池及其製造方法
CN102130190A (zh) 2010-01-20 2011-07-20 美国迅力光能公司 具有改进型电流收集系统的光伏电池
EP2362430A1 (en) 2010-02-18 2011-08-31 SAVIO S.p.A. A photovoltaic module
US20110220182A1 (en) 2010-03-12 2011-09-15 Rfmarq, Inc. Solar Panel Tracking and Performance Monitoring Through Wireless Communication
EP2553137B1 (en) 2010-03-31 2016-10-05 Mustang Vacuum Systems, Inc. Rotating magnetron sputtering cathode apparatus and method of depositing material with the same
US20110245957A1 (en) 2010-04-06 2011-10-06 Applied Materials, Inc. Advanced platform for processing crystalline silicon solar cells
WO2011127318A2 (en) 2010-04-07 2011-10-13 Applied Materials, Inc. Use of al barrier layer to produce high haze zno films on glass substrates
US8686283B2 (en) 2010-05-04 2014-04-01 Silevo, Inc. Solar cell with oxide tunneling junctions
US20120318340A1 (en) 2010-05-04 2012-12-20 Silevo, Inc. Back junction solar cell with tunnel oxide
US9240513B2 (en) 2010-05-14 2016-01-19 Solarcity Corporation Dynamic support system for quartz process chamber
US20110277825A1 (en) 2010-05-14 2011-11-17 Sierra Solar Power, Inc. Solar cell with metal grid fabricated by electroplating
TW201203574A (en) * 2010-07-14 2012-01-16 Solapoint Corp Solar cell device having an air-bridge type contact
US8846451B2 (en) 2010-07-30 2014-09-30 Applied Materials, Inc. Methods for depositing metal in high aspect ratio features
US8883552B2 (en) 2010-08-11 2014-11-11 Crystal Solar Inc. MWT architecture for thin SI solar cells
JP2013537000A (ja) 2010-09-07 2013-09-26 ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー 改良された光起電力セルアセンブリ
US9773928B2 (en) * 2010-09-10 2017-09-26 Tesla, Inc. Solar cell with electroplated metal grid
US8221600B2 (en) 2010-09-23 2012-07-17 Sunpower Corporation Sealed substrate carrier for electroplating
US9800053B2 (en) 2010-10-08 2017-10-24 Tesla, Inc. Solar panels with integrated cell-level MPPT devices
KR101275575B1 (ko) 2010-10-11 2013-06-14 엘지전자 주식회사 후면전극형 태양전지 및 이의 제조 방법
US20120125391A1 (en) 2010-11-19 2012-05-24 Solopower, Inc. Methods for interconnecting photovoltaic cells
JP5857237B2 (ja) 2010-11-29 2016-02-10 パナソニックIpマネジメント株式会社 太陽電池セル及び太陽電池モジュール
US20120152349A1 (en) 2010-12-17 2012-06-21 Solopower, Inc. Junction box attachment for photovoltaic thin film devices
US20120192932A1 (en) 2011-03-25 2012-08-02 Neo Solar Power Corp. Solar cell and its electrode structure
WO2012135052A1 (en) 2011-03-25 2012-10-04 Kevin Michael Coakley Foil-based interconnect for rear-contact solar cells
US8525191B2 (en) 2011-04-01 2013-09-03 Sabic Innovative Plastics Ip B.V. Optoelectronic devices and coatings therefore
US20130112239A1 (en) 2011-04-14 2013-05-09 Cool Earh Solar Solar energy receiver
US20120285517A1 (en) 2011-05-09 2012-11-15 International Business Machines Corporation Schottky barrier solar cells with high and low work function metal contacts
US20130130430A1 (en) 2011-05-20 2013-05-23 Solexel, Inc. Spatially selective laser annealing applications in high-efficiency solar cells
US9054256B2 (en) 2011-06-02 2015-06-09 Solarcity Corporation Tunneling-junction solar cell with copper grid for concentrated photovoltaic application
US20120318319A1 (en) 2011-06-17 2012-12-20 Solopower, Inc. Methods of interconnecting thin film solar cells
JP5014503B2 (ja) * 2011-06-20 2012-08-29 三洋電機株式会社 太陽電池セル及び太陽電池モジュール
US20120325282A1 (en) 2011-06-24 2012-12-27 Solopower, Inc. Solar cells with grid wire interconnections
EP2546889B1 (en) 2011-07-12 2020-06-17 Airbus Defence and Space GmbH Solar cell assembly and method of fabrication of solar cell assembly
WO2013020590A1 (de) 2011-08-09 2013-02-14 Kioto Photovoltaics Gmbh Rechteckige solarzelle und zugehörige solarzellen-anordnung
US20130096710A1 (en) 2011-10-17 2013-04-18 Solopower, Inc. Tracking system and method for solar cell manufacturing
CN202434533U (zh) * 2011-12-23 2012-09-12 昆山允升吉光电科技有限公司 太阳能电池正电极网板主栅线与细栅线的连接结构
KR101449942B1 (ko) 2012-01-17 2014-10-17 주식회사 호진플라텍 전기도금 및 광 유도 도금을 병행하는 태양전지 기판용 도금장치 및 도금 방법
KR101894585B1 (ko) 2012-02-13 2018-09-04 엘지전자 주식회사 태양전지
US20130206221A1 (en) 2012-02-13 2013-08-15 John Anthony Gannon Solar cell with metallization compensating for or preventing cracking
US10741712B2 (en) 2012-02-15 2020-08-11 Alta Devices, Inc. Photovoltaic module containing shingled photovoltaic tiles and fabrication processes thereof
US9379269B2 (en) 2012-02-29 2016-06-28 Bakersun Bifacial crystalline silicon solar panel with reflector
KR101918738B1 (ko) 2012-04-17 2018-11-15 엘지전자 주식회사 태양 전지
DE102012010151A1 (de) 2012-05-24 2013-11-28 Manz Ag Thermisch optimierter elektrostatischer Substrathalter
US20140000682A1 (en) 2012-06-27 2014-01-02 E I Du Pont De Nemours And Company Integrated back-sheet for back contact photovoltaic module
US9050517B2 (en) 2012-09-05 2015-06-09 Bryan P. Oliver Ski training device and method
CN104781936A (zh) * 2012-10-04 2015-07-15 喜瑞能源公司 具有电镀的金属格栅的光伏器件
US9947820B2 (en) 2014-05-27 2018-04-17 Sunpower Corporation Shingled solar cell panel employing hidden taps
US20140124013A1 (en) 2012-11-08 2014-05-08 Cogenra Solar, Inc. High efficiency configuration for solar cell string
US20140124014A1 (en) 2012-11-08 2014-05-08 Cogenra Solar, Inc. High efficiency configuration for solar cell string
US9780253B2 (en) 2014-05-27 2017-10-03 Sunpower Corporation Shingled solar cell module
US9219174B2 (en) 2013-01-11 2015-12-22 Solarcity Corporation Module fabrication of solar cells with low resistivity electrodes
US20140345674A1 (en) 2013-05-24 2014-11-27 Silevo, Inc. Moisture ingress resistant photovoltaic module
US20150349176A1 (en) 2014-05-27 2015-12-03 Cogenra Solar, Inc. High voltage solar panel
CN104409402B (zh) 2014-12-30 2018-06-19 厦门市三安光电科技有限公司 用于led外延晶圆制程的石墨承载盘

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