JPS5984477A - 太陽電池の電極形成法 - Google Patents
太陽電池の電極形成法Info
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- JPS5984477A JPS5984477A JP57194091A JP19409182A JPS5984477A JP S5984477 A JPS5984477 A JP S5984477A JP 57194091 A JP57194091 A JP 57194091A JP 19409182 A JP19409182 A JP 19409182A JP S5984477 A JPS5984477 A JP S5984477A
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- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims abstract description 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract description 9
- 244000137852 Petrea volubilis Species 0.000 abstract 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N phosphoryl trichloride Chemical compound ClP(Cl)(Cl)=O XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019213 POCl3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005461 lubrication Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- OGFYIDCVDSATDC-UHFFFAOYSA-N silver silver Chemical compound [Ag].[Ag] OGFYIDCVDSATDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、P形シリコンを基板とする太陽電池の電極形
成法に関する。
成法に関する。
従来例の構成とその問題点
従来のこの種太陽電池の電極形成法としては、真空蒸着
法、メッキ法、印刷法が用いられてきた。
法、メッキ法、印刷法が用いられてきた。
真空蒸着法については、高度な熟練した技術を要し生産
性が悪く、また製造装置が高価であるという欠点を有す
るため、低コスト化の方法として、メッキ法、印刷法が
主に利用されるようになってきた。
性が悪く、また製造装置が高価であるという欠点を有す
るため、低コスト化の方法として、メッキ法、印刷法が
主に利用されるようになってきた。
印刷法については〜、銀銀合金のペーストがあるか、寸
だメッキ法に比較して材料費が高いという欠点がある。
だメッキ法に比較して材料費が高いという欠点がある。
アルミニウムペーストラ用いる場合は、半田付は性をよ
くするため、銀等をさらにつける必要がある。そこで印
刷法からメッキ法へ手法が検討され始めている。しかし
メッキ法は、化学反応を利用しているため、メッキ浴の
経時変化。
くするため、銀等をさらにつける必要がある。そこで印
刷法からメッキ法へ手法が検討され始めている。しかし
メッキ法は、化学反応を利用しているため、メッキ浴の
経時変化。
被メッキ体の表面状態の違いにより、メッキの析出状態
に差があり、生産管理が困難である。さらに印刷法に比
較して界面接着力及びシャロージヤンクションに問題が
ある。
に差があり、生産管理が困難である。さらに印刷法に比
較して界面接着力及びシャロージヤンクションに問題が
ある。
発明の目的
本発明は、上記従来の欠点を解消し、安価に半田付は性
の良好な電極を形成することを目的とする。
の良好な電極を形成することを目的とする。
発明の構成
本発明は、P型シリコンを基板とする太陽電池の裏面側
に印刷によってアルミニウムペーストを、寸だ表面の1
拡散層に印刷によって銀ペーストをそれぞれ塗布し、焼
成した後、無電解メッキによシニッケルまた銅を被着す
るものである。
に印刷によってアルミニウムペーストを、寸だ表面の1
拡散層に印刷によって銀ペーストをそれぞれ塗布し、焼
成した後、無電解メッキによシニッケルまた銅を被着す
るものである。
実施例の説明
図面は本発明の実施例による電極形成工程を示す。
第1図において、1はP形のシリコン基板である。これ
に、POCl3の気相拡散を施し、n+層2を形成する
。次に、層2側に反射防止膜3を作成し、層2の露出面
に銀ペーストを印刷し、160℃で20分間熱処理をし
、最後に600℃で10分間焼成して銀電極4を形成す
る。また基板1の裏面側にアルミニウムペーストを印刷
し、同様に焼成してアルミニウム電極6を形成する(第
2図)。
に、POCl3の気相拡散を施し、n+層2を形成する
。次に、層2側に反射防止膜3を作成し、層2の露出面
に銀ペーストを印刷し、160℃で20分間熱処理をし
、最後に600℃で10分間焼成して銀電極4を形成す
る。また基板1の裏面側にアルミニウムペーストを印刷
し、同様に焼成してアルミニウム電極6を形成する(第
2図)。
これらの電極4,5の表面をサンドペーパーで少しみが
き、無電解メッキによってニッケル層6゜7を形成する
。
き、無電解メッキによってニッケル層6゜7を形成する
。
発明の効果
本発明によれば、安価に半田付は性の良好な電極を形成
することができ、またアルミニウム及び銀電極上に無電
解メッキを施すので、シリコン基板上に直接無電解メ・
ツキを施すよりも、界面接着力が向上し、さらにシャロ
ージヤンクションの問題金解決するとともできる。
することができ、またアルミニウム及び銀電極上に無電
解メッキを施すので、シリコン基板上に直接無電解メ・
ツキを施すよりも、界面接着力が向上し、さらにシャロ
ージヤンクションの問題金解決するとともできる。
第1図〜第3図は本発明の実施例の電極形成工程を示す
。 1・・・・・基板、2・・・・・・1層、4・・・・・
・銀電極、5・−・・・・アルミニウム電極、6,7・
・・・・・メッキ層。
。 1・・・・・基板、2・・・・・・1層、4・・・・・
・銀電極、5・−・・・・アルミニウム電極、6,7・
・・・・・メッキ層。
Claims (1)
- P形シリコンを基板とする太陽電池の裏面の基板側にア
ルミニウムペーストを塗布し、焼成してアルミニウム電
極を形成する工程と、受光面のn+拡散層に銀ペースト
を塗布し、銀電極を形成する工程と、前記のアルミニウ
ム電極及び銀電極上に無電解メッキ法によシ銅またはニ
ッケルを被着する工程を有する太陽電池の電極形成法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57194091A JPS5984477A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | 太陽電池の電極形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57194091A JPS5984477A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | 太陽電池の電極形成法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5984477A true JPS5984477A (ja) | 1984-05-16 |
Family
ID=16318796
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57194091A Pending JPS5984477A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | 太陽電池の電極形成法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5984477A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010125861A1 (ja) * | 2009-04-30 | 2010-11-04 | シャープ株式会社 | 裏面電極型太陽電池およびその製造方法 |
JP2010263136A (ja) * | 2009-05-11 | 2010-11-18 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 電極、太陽電池セル及びその製造方法 |
JP2010538471A (ja) * | 2007-08-31 | 2010-12-09 | フエロ コーポレーション | 太陽電池用層状コンタクト構造 |
CN102246319A (zh) * | 2008-12-10 | 2011-11-16 | Sscp株式会社 | 太阳能电池用电极制造方法、利用上述电极的太阳能电池用基板及太阳能电池 |
JP2012525007A (ja) * | 2009-04-21 | 2012-10-18 | テトラサン インコーポレイテッド | 太陽電池内の構造部を形成するための方法 |
JP2016500476A (ja) * | 2012-12-10 | 2016-01-12 | サンパワー コーポレイション | 太陽電池金属被覆の無電解導電率向上の方法 |
JP2016508286A (ja) * | 2012-12-06 | 2016-03-17 | サンパワー コーポレイション | 太陽電池導電性コンタクトのシード層 |
CN110098265A (zh) * | 2019-04-29 | 2019-08-06 | 南通天盛新能源股份有限公司 | 一种n型太阳能电池正面电极金属化方法 |
-
1982
- 1982-11-04 JP JP57194091A patent/JPS5984477A/ja active Pending
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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