JPS5851511A - 半導体装置の電極形成方法 - Google Patents
半導体装置の電極形成方法Info
- Publication number
- JPS5851511A JPS5851511A JP15032081A JP15032081A JPS5851511A JP S5851511 A JPS5851511 A JP S5851511A JP 15032081 A JP15032081 A JP 15032081A JP 15032081 A JP15032081 A JP 15032081A JP S5851511 A JPS5851511 A JP S5851511A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aluminum
- film
- zinc
- forming
- films
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 30
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 39
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical group [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims abstract 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical class [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000010025 steaming Methods 0.000 claims description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims 3
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 abstract 1
- 229960002050 hydrofluoric acid Drugs 0.000 abstract 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 abstract 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical group [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- LJCNRYVRMXRIQR-OLXYHTOASA-L potassium sodium L-tartrate Chemical compound [Na+].[K+].[O-]C(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O LJCNRYVRMXRIQR-OLXYHTOASA-L 0.000 description 2
- 235000011121 sodium hydroxide Nutrition 0.000 description 2
- 235000011006 sodium potassium tartrate Nutrition 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000270708 Testudinidae Species 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N phosphinic acid Chemical compound O[PH2]=O ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- NWONKYPBYAMBJT-UHFFFAOYSA-L zinc sulfate Chemical compound [Zn+2].[O-]S([O-])(=O)=O NWONKYPBYAMBJT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000368 zinc sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960001763 zinc sulfate Drugs 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は複数個の外S接続用電極を有する半導体装置
、特に組積半導体装置に於て、該半導体基体と良好な接
触を有し、かつ、半田被着を可・能ならしめる半導体装
置の電極形成方法に−するものである。
、特に組積半導体装置に於て、該半導体基体と良好な接
触を有し、かつ、半田被着を可・能ならしめる半導体装
置の電極形成方法に−するものである。
一般に、半導体装置の表面電極としては半導体基体と良
好な接触を・Hするアルミニウム電極、裏面電極として
は、金電極が用いらn1表面−極はアルミニウム線又は
金線のワイヤボンディングにより外部に引き出さnる方
法か用いらnている。
好な接触を・Hするアルミニウム電極、裏面電極として
は、金電極が用いらn1表面−極はアルミニウム線又は
金線のワイヤボンディングにより外部に引き出さnる方
法か用いらnている。
しかし、用途によっては、半田付により外部に引き出す
方法が要求され、アルミニウム電極に直接半田付する事
が困難な拳から、柚々の電極形成方法が考案さnている
。
方法が要求され、アルミニウム電極に直接半田付する事
が困難な拳から、柚々の電極形成方法が考案さnている
。
そξで、まずこの種の従来の電極形成方法について説明
する。1li1図は従来の電極構造を示す断1iI1図
である。因に於て、(1月よ半導体基体、(2月よ絶縁
酸化膜、(句はアルミニウム膜、(4)はクロム膜。
する。1li1図は従来の電極構造を示す断1iI1図
である。因に於て、(1月よ半導体基体、(2月よ絶縁
酸化膜、(句はアルミニウム膜、(4)はクロム膜。
(5月よ銅膜、(6)はチタン膜、(7)はニッケル族
、(8)は半田である。
、(8)は半田である。
この従来の電極形成方法としては、まず半導体基体(1
)上の絶縁酸化膜(幻の所望部を開孔した後。
)上の絶縁酸化膜(幻の所望部を開孔した後。
アルミニウムIll! <3)を真空蒸着法により生成
する。
する。
そnから販アルミニウム!!4<B)の所望部を周知の
写真蝕刻法により除去する。次に熱処理によりアルミニ
ウム族(3)と半導体基体(1)との界面を共晶化する
。その後全面にクロム族(4)と銅II (6Jを真空
蒸着法により順次生成する。この場合、クロムII (
43表面の酸化を避ける為、クロム$ <4)と銅膜(
旬とは同一真空中にて連続的に生成さnる。そnから再
び写真蝕刻法により所望部のクロム膜(4)と銅1!(
旬を除去する。次に半導体基体(1)の表面にチタンI
I(・)。
写真蝕刻法により除去する。次に熱処理によりアルミニ
ウム族(3)と半導体基体(1)との界面を共晶化する
。その後全面にクロム族(4)と銅II (6Jを真空
蒸着法により順次生成する。この場合、クロムII (
43表面の酸化を避ける為、クロム$ <4)と銅膜(
旬とは同一真空中にて連続的に生成さnる。そnから再
び写真蝕刻法により所望部のクロム膜(4)と銅1!(
旬を除去する。次に半導体基体(1)の表面にチタンI
I(・)。
とニッケル膜(7)を真空蒸着法により順次生成する。
仁の場合もチタン族(6)表面の酸化を避ける為、チタ
ン膜(6)とニッケル族(1)とは同一真空中にて連続
的に生成さ口る。そして最彼に、半田浸漬法等により表
面の銅膜(57上と裏面のニッケル膜(7)上に半田(
船を被着するものである。
ン膜(6)とニッケル族(1)とは同一真空中にて連続
的に生成さ口る。そして最彼に、半田浸漬法等により表
面の銅膜(57上と裏面のニッケル膜(7)上に半田(
船を被着するものである。
以上の様な従来のkttj形成方法に於ては、アルミニ
ウム族(3)の生成、クロム@ (4)と銅膜(句の生
成及びチタン族(6JとニッケルII (7)の生成の
為8回の興兜m看工社を経て行なわ41.又、2回の写
真独創工程ケ要するi工程が非富に繁雑となる。その上
、クロA III (4)と銅M (6)及びチタン@
(6)とニッケル族(7)のそiLぞiLは同一真空
中に於て連続的に生成する必要があるので、真空熱li
i装翫の機構が複雑になるとともに、高価な設備となる
。さらには。
ウム族(3)の生成、クロム@ (4)と銅膜(句の生
成及びチタン族(6JとニッケルII (7)の生成の
為8回の興兜m看工社を経て行なわ41.又、2回の写
真独創工程ケ要するi工程が非富に繁雑となる。その上
、クロA III (4)と銅M (6)及びチタン@
(6)とニッケル族(7)のそiLぞiLは同一真空
中に於て連続的に生成する必要があるので、真空熱li
i装翫の機構が複雑になるとともに、高価な設備となる
。さらには。
アルミニウム膜(3)の表面は一度大気にさらされるの
でアルミニウム族(3)表向には酸化アルミニウム膜が
必然的に生じてしまいアルミニウムIll (33とク
ロム膜(4〕との界面の&W弛度が不安定になり、アル
ミニウム膜(3)−クロムII (4) mlが剥離す
るというトラブルがしばしば発生する等の欠点があった
。
でアルミニウム族(3)表向には酸化アルミニウム膜が
必然的に生じてしまいアルミニウムIll (33とク
ロム膜(4〕との界面の&W弛度が不安定になり、アル
ミニウム膜(3)−クロムII (4) mlが剥離す
るというトラブルがしばしば発生する等の欠点があった
。
この考案は、上配従米の電極形成方法のもつ種々の欠点
を除去するためになさnたもので、すぐnた半導体1A
Illltの電極形成方法を提供するものである。
を除去するためになさnたもので、すぐnた半導体1A
Illltの電極形成方法を提供するものである。
以下、91図に示すこの発明の一実施例について説明す
る。第2図は上記一実施例の電極構造を示す断面図であ
る。
る。第2図は上記一実施例の電極構造を示す断面図であ
る。
図に於て、(ロ)は亜鉛置換膜、斡はニッケル鍍金膜で
ある。次にこの電極構造の形成方法は、まず半導体基体
(υの絶縁酸化膜(!Jの所望部を開孔した後、アルミ
ニウム@ (II)を真空蒸着法により半導体M 体(
1)の両面に生成する。そnからアルミニウムII (
8)の所望部を周知の写真蝕刻法により除去する。
ある。次にこの電極構造の形成方法は、まず半導体基体
(υの絶縁酸化膜(!Jの所望部を開孔した後、アルミ
ニウム@ (II)を真空蒸着法により半導体M 体(
1)の両面に生成する。そnからアルミニウムII (
8)の所望部を周知の写真蝕刻法により除去する。
次に熱処理により両面のアルミニウム族<8)と半導体
基体(IJとの界面を共晶化する。次に両面のアルミニ
ウムII (3)表面を硝酸、弗酸の混合液により処理
し、アルミニウム114(3)表面を活性化する。その
後活性化さf′した両面のアルミニウム膜(3)表面に
置換メッキ法により亜鉛皺換膜四を生成する。こζ ・
で亜鉛置換j11!四の生成に於ける薬品組成は鉤えば 硫酸ニッケル 8017g 硫酸亜鉛 40 ’1 硫酸銅 6〃 水酸化ナトリウム 106 # ロッシェル塩 40# 前兆カリウム 1o’s 塩化第二鉄 2“ 又は 酸化亜鉛 100g/# 苛性ソーダ 615 N ロッシェル塩 10〃 塩化第2鉄 10〃 である。そnから亜鉛に換さ口た両面に水素化ホウ本タ
イプ又は次亜リン酸タイプによりなる一鈑金液にて、無
111J沫によりニッケル鍍金膜(2)を生成する。そ
してi後に半田浸撫法等によりv4向のニッケル鍍金展
−上に半田(1)を被着するものである。
基体(IJとの界面を共晶化する。次に両面のアルミニ
ウムII (3)表面を硝酸、弗酸の混合液により処理
し、アルミニウム114(3)表面を活性化する。その
後活性化さf′した両面のアルミニウム膜(3)表面に
置換メッキ法により亜鉛皺換膜四を生成する。こζ ・
で亜鉛置換j11!四の生成に於ける薬品組成は鉤えば 硫酸ニッケル 8017g 硫酸亜鉛 40 ’1 硫酸銅 6〃 水酸化ナトリウム 106 # ロッシェル塩 40# 前兆カリウム 1o’s 塩化第二鉄 2“ 又は 酸化亜鉛 100g/# 苛性ソーダ 615 N ロッシェル塩 10〃 塩化第2鉄 10〃 である。そnから亜鉛に換さ口た両面に水素化ホウ本タ
イプ又は次亜リン酸タイプによりなる一鈑金液にて、無
111J沫によりニッケル鍍金膜(2)を生成する。そ
してi後に半田浸撫法等によりv4向のニッケル鍍金展
−上に半田(1)を被着するものである。
こξで、上記アルミニウム膜(3)を半導体基体(IJ
の両面に蒸看生晟する場合、同一真空中にてl&に生成
してt良いが、まず半導体基体(υ表向のみに生成し、
骸アルミニウム@ (3)の所望部を摩去後に半導体基
体(1)裏向に生成してもかまわない。
の両面に蒸看生晟する場合、同一真空中にてl&に生成
してt良いが、まず半導体基体(υ表向のみに生成し、
骸アルミニウム@ (3)の所望部を摩去後に半導体基
体(1)裏向に生成してもかまわない。
以上の様な仁の考案による電極形成方法の場合。
真空蒸暑工程はアルミニウム1ll(3)の生成のみで
。
。
半導体基体(IJ両面同時生成の場合は1回1分けた場
合でも2団となる。又、写真蝕刻工程は1[illで良
くなる。なぜなら、亜鉛亀換ah及びニッケル鍍金an
はアルミニウムM(3)上にしか生成さnなく絶縁酸化
膜(助士には生成さnない。よって不要部を除去する必
要がないからである。従がって工程が簡略化さnる。又
、設備としても大がかりな設備は不要で、しかも大意生
産が可能となる。さらには、アルミニウム膜(3)とニ
ッケル鍍金W4(ロ)との−には亜鉛置換膜的を生成し
ているので、アルミニウムill (21) トニッケ
ル鍍金11QIとの接着強[ニ於ては何ら問題はない。
合でも2団となる。又、写真蝕刻工程は1[illで良
くなる。なぜなら、亜鉛亀換ah及びニッケル鍍金an
はアルミニウムM(3)上にしか生成さnなく絶縁酸化
膜(助士には生成さnない。よって不要部を除去する必
要がないからである。従がって工程が簡略化さnる。又
、設備としても大がかりな設備は不要で、しかも大意生
産が可能となる。さらには、アルミニウム膜(3)とニ
ッケル鍍金W4(ロ)との−には亜鉛置換膜的を生成し
ているので、アルミニウムill (21) トニッケ
ル鍍金11QIとの接着強[ニ於ては何ら問題はない。
必要によりアルミニウム膜(3)表面を亜鉛置換後、T
h−&その亜鉛置換膜(ロ)を除去し、再度亜鉛置換を
行なう拳により、あるいはそれを何重か繰り返す拳によ
りアルミニウム族(3)とニッケル鍍金WA斡との接着
をより強固にする拳が出来る。その上、半導体基体(1
)の裏面に於いては、全面に低電気抵抗率を持つアルミ
ニウム族(3)により接触しているので半導体基体(υ
とwIL極との間の電圧降下を小さくする拳が出来る等
すぐ口た効果がある。
h−&その亜鉛置換膜(ロ)を除去し、再度亜鉛置換を
行なう拳により、あるいはそれを何重か繰り返す拳によ
りアルミニウム族(3)とニッケル鍍金WA斡との接着
をより強固にする拳が出来る。その上、半導体基体(1
)の裏面に於いては、全面に低電気抵抗率を持つアルミ
ニウム族(3)により接触しているので半導体基体(υ
とwIL極との間の電圧降下を小さくする拳が出来る等
すぐ口た効果がある。
第8図はこの発明による他の実施例の断面図を示し1図
に於いて(6)は絶縁膜である。効果については、前記
この考案の一実施例の場合と同等の効果があるのは言う
までもな(、そ口に加えて外部に引き出す電極部のみに
半田(6)を被宥する事が出来る上、半導体基体(υの
鍍金液による汚染を紡ぐ効果があるものである。
に於いて(6)は絶縁膜である。効果については、前記
この考案の一実施例の場合と同等の効果があるのは言う
までもな(、そ口に加えて外部に引き出す電極部のみに
半田(6)を被宥する事が出来る上、半導体基体(υの
鍍金液による汚染を紡ぐ効果があるものである。
以上の様にこの発明によnば半導体基体と良好な接触を
得ながら、半田被看の可能な電極形成が大がかりな設備
を要さずして大凰生産が出来るものである。
得ながら、半田被看の可能な電極形成が大がかりな設備
を要さずして大凰生産が出来るものである。
図中、(1)は半導体基体、(2目よ絶縁酸化膜、(3
)はアルミニウム族、(4)はクロム膜、(旬は銅膜、
(60よチタンm1.(7)はニッケル族、(8)は半
田、(11は亜鉛亀換躾、(ロ)はニッケル鍍金躾、
GOは絶縁膜を示す・尚、各図中、同一符号は同−又は
相当部分を示す。 代理人 高野信− 第1図
)はアルミニウム族、(4)はクロム膜、(旬は銅膜、
(60よチタンm1.(7)はニッケル族、(8)は半
田、(11は亜鉛亀換躾、(ロ)はニッケル鍍金躾、
GOは絶縁膜を示す・尚、各図中、同一符号は同−又は
相当部分を示す。 代理人 高野信− 第1図
Claims (1)
- (1)複数個の外部接続用電極を有する半導体装置の電
極形成方法に於て、半導体基体両面にアルミニウム蒸着
層を生成する工程、該アルミニウム蒸着層の所望部を除
去する工程、上記半導体基体両面のアルミニウム蒸着層
と半導体基体と−の界面を共晶化すべく熱処理をする工
程、上記半導体基体両面のアルミニウム蒸II展表面を
活性化する工程。 該活性化さnた両面のアルミニウム蒸暑膜表面を亜鉛置
換する工程、該亜鉛置換された両面にニッケル(無電解
鍍金方法にて)皮膜を生成する工程を備えた半導体装置
のt輪形成方法。 (!J前記、アルミニウム蒸着展表面を亜鉛置換する工
程に於て、亜鉛置換層を一度除去し、6度亜鉛置換を行
なう繰り返し工程を備えたことを特徴とする特許請求の
範囲181項記載の半導体す置の電極形成方法。 (371u配、アル1ニウム蒸l#腺表面を亜鉛置換す
る工程以前に、アルミニウム蒸着膜の所望部のみにニッ
ケル鍍金さ第1る様、アルミニウム蒸NMR向に絶縁膜
を形成する工程を伽えたことを特徴とする特fIfw1
求の範囲第1項または第2項記載の半導体装置の電極形
成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15032081A JPS5851511A (ja) | 1981-09-22 | 1981-09-22 | 半導体装置の電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15032081A JPS5851511A (ja) | 1981-09-22 | 1981-09-22 | 半導体装置の電極形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5851511A true JPS5851511A (ja) | 1983-03-26 |
Family
ID=15494440
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15032081A Pending JPS5851511A (ja) | 1981-09-22 | 1981-09-22 | 半導体装置の電極形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5851511A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60160274U (ja) * | 1984-04-03 | 1985-10-24 | 油谷重工株式会社 | クロ−ラ式建設機械の走行装置 |
JPS61108059A (ja) * | 1984-10-31 | 1986-05-26 | Mazda Motor Corp | 自動車のステアリングハンドル位置調整装置 |
JPH0445179U (ja) * | 1990-08-23 | 1992-04-16 | ||
US5143865A (en) * | 1988-09-02 | 1992-09-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Metal bump type semiconductor device and method for manufacturing the same |
US5583073A (en) * | 1995-01-05 | 1996-12-10 | National Science Council | Method for producing electroless barrier layer and solder bump on chip |
US5767546A (en) * | 1994-12-30 | 1998-06-16 | Siliconix Incorporated | Laternal power mosfet having metal strap layer to reduce distributed resistance |
US6043125A (en) * | 1994-12-30 | 2000-03-28 | Siliconix Incorporated | Method of fabricating vertical power MOSFET having low distributed resistance |
-
1981
- 1981-09-22 JP JP15032081A patent/JPS5851511A/ja active Pending
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60160274U (ja) * | 1984-04-03 | 1985-10-24 | 油谷重工株式会社 | クロ−ラ式建設機械の走行装置 |
JPS61108059A (ja) * | 1984-10-31 | 1986-05-26 | Mazda Motor Corp | 自動車のステアリングハンドル位置調整装置 |
US5143865A (en) * | 1988-09-02 | 1992-09-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Metal bump type semiconductor device and method for manufacturing the same |
JPH0445179U (ja) * | 1990-08-23 | 1992-04-16 | ||
US5767546A (en) * | 1994-12-30 | 1998-06-16 | Siliconix Incorporated | Laternal power mosfet having metal strap layer to reduce distributed resistance |
US5945709A (en) * | 1994-12-30 | 1999-08-31 | Siliconix Incorporated | Integrated circuit die having thick bus to reduce distributed resistance |
US6043125A (en) * | 1994-12-30 | 2000-03-28 | Siliconix Incorporated | Method of fabricating vertical power MOSFET having low distributed resistance |
US6066877A (en) * | 1994-12-30 | 2000-05-23 | Siliconix Incorporated | Vertical power MOSFET having thick metal layer to reduce distributed resistance |
US6159841A (en) * | 1994-12-30 | 2000-12-12 | Siliconix Incorporated | Method of fabricating lateral power MOSFET having metal strap layer to reduce distributed resistance |
US5583073A (en) * | 1995-01-05 | 1996-12-10 | National Science Council | Method for producing electroless barrier layer and solder bump on chip |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7993509B2 (en) | Manufacturing method of double-sided wiring glass substrate | |
JPS60500392A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
KR100256135B1 (ko) | 옴 접촉을 갖는 제품의 제조방법 및 그에 의해 얻어지는 광기전셀 | |
FR2097133B1 (ja) | ||
JPH07504785A (ja) | 組み合わせ金属被覆を有する太陽電池及びその製造方法 | |
JPH0260755B2 (ja) | ||
JPS6289369A (ja) | 光起電力装置 | |
KR20120085042A (ko) | 박막증착용 쉐도우마스크 제조 방법 | |
JPS5851511A (ja) | 半導体装置の電極形成方法 | |
US2793178A (en) | Method of providing insulator with multiplicity of conducting elements | |
JP2751530B2 (ja) | マグネシウム合金の表面処理方法 | |
US3322655A (en) | Method of making terminated microwafers | |
US3623961A (en) | Method of providing an electric connection to a surface of an electronic device and device obtained by said method | |
US3314869A (en) | Method of manufacturing multilayer microcircuitry including electropolishing to smooth film conductors | |
US3306830A (en) | Printed circuit boards and their fabrication | |
JP2004346405A (ja) | アルミニウムおよびアルミニウム合金のめっき前処理方法 | |
JPS5984477A (ja) | 太陽電池の電極形成法 | |
KR100555896B1 (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널의 금속 버스 전극 제조방법 | |
US3409466A (en) | Process for electrolessly plating lead on copper | |
JPS5851512A (ja) | 半導体装置の電極形成方法 | |
US3514379A (en) | Electrodeposition of metals on selected areas of a base | |
JPH034634B2 (ja) | ||
JPH0620999A (ja) | 半導体装置の電極の製造方法 | |
JP2003147573A (ja) | 電子部品の製造方法、及び電子部品 | |
US3502555A (en) | Selective etching of chromium-silica laminates |