JPS6289369A - 光起電力装置 - Google Patents

光起電力装置

Info

Publication number
JPS6289369A
JPS6289369A JP60230156A JP23015685A JPS6289369A JP S6289369 A JPS6289369 A JP S6289369A JP 60230156 A JP60230156 A JP 60230156A JP 23015685 A JP23015685 A JP 23015685A JP S6289369 A JPS6289369 A JP S6289369A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
aluminium
layers
aluminum
photovoltaic device
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP60230156A
Other languages
English (en)
Inventor
Zenichiro Ito
伊藤 善一郎
Koshiro Mori
森 幸四郎
Koichi Yamasaka
山坂 孝一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP60230156A priority Critical patent/JPS6289369A/ja
Publication of JPS6289369A publication Critical patent/JPS6289369A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/548Amorphous silicon PV cells

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、非晶質シリコンを用いた太陽電池などの光起
電力装置の複合基板に関するものである。
従来の技術 従来、非晶質シリコン光起電力素子を用いた太陽電池あ
るいは光センサなどの光起電力装置が注目されている。
非晶質シリコンの場合、300℃程度捷での比較的低温
のプラズマCVD装置等によシ基板上に通常1 pm程
度の薄膜を形成すればよく、省資源、省エネルギーとな
り、低コスト化の2べ一7゛ 可能性が大きいためである。
また螢光灯などの低照度の室内光下で比較的に出力が大
きいと云う特長があり、電卓などの民生機器の電源、あ
るいは光センサとして種々の用途に向けて開発が進めら
れている。上述した非晶質シリコン光起電力素子は単素
子当りの出力電圧が0.6〜0.8vと低いため、民生
機器などに用いるためには、複数個の素子を直列接続す
る必要がある。そのため、絶縁材であるガラス板に複数
のパターニングされた透明電極を設けたガラス基板上に
、非晶質シリコン層を堆積させ、その上面に裏面電極と
してパターニングされた金属電極を配設して、同一基板
上で複数の素子が直列接続されるようにした通常「集積
型」と呼ばれる光起電力装置が、従来から電卓用などに
作られてきた。しかし、ガラス基板式のものは、衝撃に
弱くて破損しやすく、可撓性に乏しいなどで、可搬型、
薄型の機器に用いるには不十分な点があった。その改良
案として、光沢研摩したステンレス鋼板の裏面にポリイ
ミド樹脂などの耐熱性の樹脂絶縁材料を塗3ベーヅ 着した基板が考えられた。これはフレキシブルで、耐衝
撃性にすぐれるが、非晶質シリコン堆積時などの加熱に
より、ガス発生が生じやすく性能低下の原因となったり
、ステンレス鋼の研摩加工に手間がかかるなどで基板と
して高価になる等の問題があった。別の案として、加工
性のすぐれたアルミニウムの薄板を用い、その表面を陽
極酸化法などで酸化処理しAAhOxを主体とする絶縁
層を形成し、ガラス基板の代りに用いるものがある(特
開昭54−116347号公報)。第3図は、その−例
を示すもので、同一基板上に4セルの非晶質シリコン光
起電力素子を直列接続されるように配設した光起電力装
置を厚さ方向に拡大した斜視図である。図中21は、厚
さ0.3〜0.5闘の純アルミニウム板211Lの上面
を硫酸あるいはシュウ酸溶液中で、陽極酸化処理を行な
うことにより、2〜1Qμ耐の厚さの酸化膜す々わちア
ルマイト化した絶縁層21bを設けたアルミニウム基板
である。前記絶縁層21bの上面に、チタン、クロム。
ニッケル又はその合金などのメタル電極22をマスクを
用いて所定の形状に4分割して真空蒸着などによって形
成する。次いで、その上面にシラン等のプラズマ分解に
よってn −i −p層から成る厚さ約0.5μmの非
晶質シリコン層23を堆積する。
その上面に、マスクを用いるか又はホトエツチング法に
よりメタル電極22に対応した形状に(ITO膜などの
)透明電極24を真空蒸着法で形成する。この際、各透
明電極の延長部240は隣りのメタル電極22と接続す
るように、捷だ負極端子部24a、正極端子部24bを
形成するように透明電極を蒸着する。さらに上面(矢印
P)から、透明エポキシ樹脂等のパ・ソシベーション塗
膜(図示せず)を設けて電卓用等屋内民生用の光起電力
装置を完成する。この光起電力装置は、落下衝撃に耐え
、比較的に軽量で、若干の円弧状面に沿って取付は可能
であり、基板コストも比較的安価であるなどの特徴を有
する。
発明が解決しようとする問題点 しかし、上記第3図に示した従来の光起電力装置のアル
ミニウム基板21の場合、加工性は良好6ベー7 であるが、機械的強度が低く、弾性力に乏しい。
この基板にプラズマCVD装置を用いて非晶質シリコン
層23を堆積したり、透明電極24を蒸着する際に、基
板は200〜300℃に加熱されることによって、焼鈍
効果が生じて軟化し、さらに強度低下してしまう。その
結果、厚さが0.3朋以下の基板では、工程中で変形し
たり、使用時の僅かな外力が変形し、絶縁層21bを形
成するAAhO3(アルマイト)が硬質であるため亀裂
を生じて、絶縁性が低下し、一部の素子が短絡したりす
る問題があった。
厚さが0.5mm以上の基板では比較的変形しにくくは
なるが、可撓性が乏しくなってしまい特徴が減少してし
まう問題があった。本発明はこのような問題点を解決す
るために、合金鋼板に溶融アルミニウムメッキによりア
ルミニウム層を設けてなる複合基板を使用することを目
的とするものである。
問題点を解決するための手段 本発明は、上記アルミニウム基板方式の問題点6ページ を解決するために、例えばバネ用の鋼板、ステンレス鋼
板などの耐熱性及び弾性力などの機械的強度のすぐれた
合金鋼板に、溶融アルミニウム層・・ツキによりアルミ
ニウム層を設け、このアルミニウムの表面を陽極酸化法
によって酸化して絶縁層を形成し表面が電気的に絶縁さ
れた複合基板上に、メタルマスク等を用いて複数の非晶
質シリコン光起電力素子を構成したものである。
作用 耐熱性及び弾性力などの機械的強度が、アルミ−ニウム
よりすぐれたバネ用の鋼板、ステンレス鋼板などの合金
鋼板に溶融アルミメッキによりアルミニウム層を設け、
その表面を陽極酸化により絶縁層を形成してなる複合基
板を用いた場合、前記したように非晶質シリコン堆積時
などの工程中で200〜3oo℃に加熱され、アルミニ
ウム層が軟化しても合金鋼板は軟化せず、弾性力などの
機械的強度を維持し、容易に変形することなくフレキシ
ブルで耐衝撃性に富んだ光起電力装置が得られる。
7ベーノ 実施例 以下、本発明の一実施例を図面にもとづいて説明する。
第1図において、1は複合基板であり、アルミニウムよ
りも耐熱性及び弾性力など機械的強度のすぐれた合金鋼
板1乙の上面に溶融アルミニウムメッキによりアルミニ
ウム層1 b 、 1 b’を設け、このアルミニウム
層の表面を陽極酸化法によって酸化させ、アルマイトか
ら々る絶縁層1 a 、 1 a’を設けたものである
。次に、この複合基板の製法の一例を述べる。合金鋼板
1aとして厚さ0.1πmのバネ鋼板(JIS記号SU
P )又は5US304゜5US301などのステンレ
ス鋼板の帯材を、脱脂−酸洗い等によって表面を清浄化
した後、KCl−NaC1等の塩化物とNa3AlF6
などのフ・・ノ化物からなる混合フラックス(溶融点5
50〜600°C)を浮遊させた 700〜800℃の
アルミニウム溶融メッキ浴槽に前記の鋼板帯材を浸漬し
てアルメッキの際の酸化防止も兼ねたフラ・ソクスがア
ルミニウム層の表面に残存しているので、直ちにδ係程
度の硝酸溶液の温浴で溶解除去し、水洗乾燥を行なって
清浄化する。このようにして得たアルミニウム層は、表
面が微ないしは粗粒面になりやすく、又ピンホールを生
じることがあり、基板材料として不十分のため、金属薄
板の仕切加工に用いるスキンバスロールを用いて、アル
ミニウム層を1〜2μm (10%以内)の調質圧延を
行ない、アルミニウム層表面の凹凸を押え、ピンホール
を埋めて滑面化し、表面粗さがRmax=o、2μm以
下になるように仕上げる。
次いで、前記アルミニウム層1 b 、 1 b’の表
面をシュウ酸又は硫酸を主体とする化成浴中で、電気化
学的に陽極として通電する陽極酸化法によって処理し、
2〜6μm厚さのAl2203アルマイトを主体とする
酸化膜からなる絶縁層I C、10’を形成し、第1図
に示した複合基板1を得る。この複合基板1の片方の絶
縁層1Cの上面に、クロム又はチタンをメタルマスクを
用いて蒸着し、4個の9ベー/ 独立した所定パターンの厚さ2000人のメタル電極2
を設ける。次いで、プラズマCVD装置に入れて複合基
板1を250℃に加熱し、シラン及びドーピングガスを
所定量流してグロー放電によりプラズマ分解し、n層(
約500ALi層(約4000人)、p層(約100人
)からなる非晶質シリコン層3を順次堆積する。次いで
、メタル電極に対応する所定形状のパターンのメタルマ
スクを用いて、複合基板1全体を260 ”Cに加熱し
ながら、酸化インジウム:酸化スズが0.95:0.0
5重量比の酸化物を真空蒸着し、4分割された厚さ70
0人の透明電極4.負極端子部4a。
正極端子部4bを形成する。この際、分割された各透明
電極からの延長部は第3図に示した従来例の場合と同様
に、隣りの素子のメタル電極上に蒸着され、各素子間が
直列に接続される。さらに、透明電極4の上面(矢印P
方向)から透明エポキシ樹脂を20μm厚さで、スクリ
ーン印刷法により、10ベージ 品質シリコン光起電力素子が直列に接続された太陽電池
としての光起電力装置を得る。第2図に示すものは本発
明の別の実施例であり、0.1m厚さのステンレス鋼板
111Lの片面に、301tmのアルミニウム層11b
をメッキし、表面を調質した後、陽極酸化法により酸化
して5μm厚さの絶縁層110を形成した複合基板11
を用いた例である。この複合基板の場合、鋼板11aを
2枚重ねにして片方の面にアルミニウムメッキ及び、陽
極酸化を行なえば生産性を2倍近くにすることが可能で
ある。
本発明において、複合基板1を形成する合金鋼板1aと
して、Ni、Cr、Mn、Si、V、Cu等の元素を所
定量添加した鋼材、ことにバネ用鋼種JIS記号SUP
などやステンレス鋼とくに、5US301.5US30
4などのバネ用とし作られたものなどの適当な硬さと抗
張力を有し、バネ弾性があり、200〜300℃の加熱
で軟化しない材料を用いる。また材料の表面仕上げ状態
は市販品の程度で問題は無い。バネ用鋼種の場合、アル
ミニウムメッキ後に、非酸化雰囲気で熱処理11ベー/ (焼き入れ)すれば、さらに本発明の効果が得られる。
溶融メッキによりアルミニウム層1bを設けるに際し、
その厚さは10〜5oμmとし、合金鋼板1aの厚さの
10〜40%(両面メッキの場合でも合金鋼板の厚さの
50%以下とする)とするのが望ましい。
また、溶融アルミニウム浴の組成として、純アルミニウ
ムにSiを3重量係以内で添加すると鋼材とアルミニウ
ムとの接合面に生ずるFθ−A4合金層の発達を押え、
鋼板の機械的強度の低下を防止できる。
以上の実施例では、電卓その他の薄型小型の民生機器用
のものを示したが、複数の素子を同一基板上に並べる太
陽電池、各種光電デバイスに適用でき、薄型で可撓性を
要求する機器用1曲面への取付は等に好適な光起電力装
置を作ることができる。
発明の効果 以上のように本発明は、アルミニウムよりも耐板に溶融
アルミニウムメッキにより、アルミニウム層を設け、ア
ルミニウム層の表面を陽極酸化法により処理して絶縁層
化した複合基板を用いることにより、薄型の機器、可撓
性を要求する機器など、フレキシブルで機械強度を要求
する用途に、安定した特性を発揮する光起電力装置を提
供することができる。またスキンバスロール等で表面粗
さを所望値以下に容易にできるアルミニウム面が上面に
存在するため合金鋼板の表面を特別に研摩を行なわなく
てもよく、かつポリイミドなど高価な絶縁材料を用いな
くてもよいので、低コストにできると共に、工程中でガ
ス発生が無く、さらに、アルミニウム層が存在するため
熱伝導性が良いので、複合基板を加熱して非晶質シリコ
ン層などを形成する場合にも速やかに基板全面が均一温
度に々るため、太き々面積の基板から複数の光起電力装
置を作る場合にも特性が均一で安定したものが容易にで
きる。寸だ複合基板の強度が強いので工13べ一/゛ 揮する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の光起電力装置を示す斜視図
、第2図は別の実施例の斜視図、第3図は従来例のアル
ミニウム基板を用いた光起電力装置を示す斜視図である
。 1.11・・・・・・複合基板、1a、11tL・・曲
合金鋼板、1b、1b’+ 11b・・・・・・アルミ
ニウム層、10、IC,110・・曲陽極酸化によって
形成された絶縁層、2・・・・・・メタル電極、3・・
・・・・非晶質シリコン層、4・・・・・透明電極。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 合金鋼板に、溶融アルミニウムメッキによりアルミニウ
    ム層を設け、このアルミニウム層の表面に陽極酸化法に
    よって絶縁層を形成した複合基板上に、複数の非晶質シ
    リコン光起電力素子を構成したことを特徴とする光起電
    力装置。
JP60230156A 1985-10-16 1985-10-16 光起電力装置 Pending JPS6289369A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60230156A JPS6289369A (ja) 1985-10-16 1985-10-16 光起電力装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60230156A JPS6289369A (ja) 1985-10-16 1985-10-16 光起電力装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6289369A true JPS6289369A (ja) 1987-04-23

Family

ID=16903471

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60230156A Pending JPS6289369A (ja) 1985-10-16 1985-10-16 光起電力装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6289369A (ja)

Cited By (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7053294B2 (en) * 2001-07-13 2006-05-30 Midwest Research Institute Thin-film solar cell fabricated on a flexible metallic substrate
JP2007231387A (ja) * 2006-03-02 2007-09-13 Fujifilm Corp 構造体およびその製造方法
US7306823B2 (en) 2004-09-18 2007-12-11 Nanosolar, Inc. Coated nanoparticles and quantum dots for solution-based fabrication of photovoltaic cells
WO2009041657A1 (ja) * 2007-09-28 2009-04-02 Fujifilm Corporation 太陽電池用基板および太陽電池
WO2009041658A1 (ja) * 2007-09-28 2009-04-02 Fujifilm Corporation 太陽電池用基板および太陽電池
WO2009041660A1 (ja) * 2007-09-28 2009-04-02 Fujifilm Corporation 太陽電池用基板および太陽電池
WO2009041659A1 (ja) * 2007-09-28 2009-04-02 Fujifilm Corporation 太陽電池
US7732229B2 (en) 2004-09-18 2010-06-08 Nanosolar, Inc. Formation of solar cells with conductive barrier layers and foil substrates
US20100236606A1 (en) * 2009-03-10 2010-09-23 Fujifilm Corporation Photoelectric conversion device and solar cell, and process for producing the photoelectric conversion device
WO2010109567A1 (ja) * 2009-03-24 2010-09-30 富士電機ホールディングス株式会社 光電変換装置、太陽電池モジュール、及び光電変換装置の製造方法
WO2010114138A1 (en) * 2009-03-30 2010-10-07 Fujifilm Corporation Solar cell device and solar cell device manufacturing method
WO2010116723A1 (en) * 2009-04-08 2010-10-14 Fujifilm Corporation Semiconductor device and solar battery using the same
EP2248662A1 (en) * 2009-05-01 2010-11-10 Fujifilm Corporation Metal composite substrate and method of producing the same
WO2011089880A1 (en) * 2010-01-21 2011-07-28 Fujifilm Corporation Solar cell and solar cell manufacturing method
JP2011151261A (ja) * 2010-01-22 2011-08-04 Fujifilm Corp バッファ層の製造方法および光電変換素子
WO2011096209A1 (en) * 2010-02-08 2011-08-11 Fujifilm Corporation Metal substrate with insulation layer and manufacturing method thereof, semiconductor device and manufacturing method thereof, solar cell and manufacturing method thereof, electronic circuit and manufacturing method thereof, and light-emitting element and manufacturing method thereof
JP2011159685A (ja) * 2010-01-29 2011-08-18 Fujifilm Corp 太陽電池の製造方法
JP2011165790A (ja) * 2010-02-08 2011-08-25 Fujifilm Corp 太陽電池およびその製造方法
JP2011171379A (ja) * 2010-02-16 2011-09-01 Fujifilm Corp 金属複合基板およびその製造方法
CN102782866A (zh) * 2010-02-01 2012-11-14 富士胶片株式会社 绝缘金属基板和半导体器件
CN103026495A (zh) * 2010-07-14 2013-04-03 富士胶片株式会社 电子器件用基板及包含该基板的光电转换器件
JP2013171876A (ja) * 2012-02-17 2013-09-02 Nisshin Steel Co Ltd Cis太陽電池およびその製造方法
JP2013538464A (ja) * 2010-09-16 2013-10-10 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 太陽電池及びその製造方法
US9356172B2 (en) 2010-09-16 2016-05-31 Lg Innotek Co., Ltd. Solar cell and method for manufacturing same
US10565828B2 (en) 2011-08-01 2020-02-18 Cfph, Llc Amusement devices and games involving multiple operators, multiple players, and/or multiple jurisdictions

Cited By (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7053294B2 (en) * 2001-07-13 2006-05-30 Midwest Research Institute Thin-film solar cell fabricated on a flexible metallic substrate
US7732229B2 (en) 2004-09-18 2010-06-08 Nanosolar, Inc. Formation of solar cells with conductive barrier layers and foil substrates
US7306823B2 (en) 2004-09-18 2007-12-11 Nanosolar, Inc. Coated nanoparticles and quantum dots for solution-based fabrication of photovoltaic cells
US8809678B2 (en) 2004-09-18 2014-08-19 Aeris Capital Sustainable Ip Ltd. Coated nanoparticles and quantum dots for solution-based fabrication of photovoltaic cells
JP2007231387A (ja) * 2006-03-02 2007-09-13 Fujifilm Corp 構造体およびその製造方法
WO2009041658A1 (ja) * 2007-09-28 2009-04-02 Fujifilm Corporation 太陽電池用基板および太陽電池
WO2009041659A1 (ja) * 2007-09-28 2009-04-02 Fujifilm Corporation 太陽電池
JP2009267335A (ja) * 2007-09-28 2009-11-12 Fujifilm Corp 太陽電池用基板および太陽電池
WO2009041660A1 (ja) * 2007-09-28 2009-04-02 Fujifilm Corporation 太陽電池用基板および太陽電池
WO2009041657A1 (ja) * 2007-09-28 2009-04-02 Fujifilm Corporation 太陽電池用基板および太陽電池
US20100236606A1 (en) * 2009-03-10 2010-09-23 Fujifilm Corporation Photoelectric conversion device and solar cell, and process for producing the photoelectric conversion device
JP2010239129A (ja) * 2009-03-10 2010-10-21 Fujifilm Corp 光電変換素子及び太陽電池、光電変換素子の製造方法
JP4629151B2 (ja) * 2009-03-10 2011-02-09 富士フイルム株式会社 光電変換素子及び太陽電池、光電変換素子の製造方法
WO2010109567A1 (ja) * 2009-03-24 2010-09-30 富士電機ホールディングス株式会社 光電変換装置、太陽電池モジュール、及び光電変換装置の製造方法
WO2010114138A1 (en) * 2009-03-30 2010-10-07 Fujifilm Corporation Solar cell device and solar cell device manufacturing method
CN102379045A (zh) * 2009-03-30 2012-03-14 富士胶片株式会社 太阳能电池装置和太阳能电池装置制造方法
WO2010116723A1 (en) * 2009-04-08 2010-10-14 Fujifilm Corporation Semiconductor device and solar battery using the same
JP2010263191A (ja) * 2009-04-08 2010-11-18 Fujifilm Corp 半導体装置及びそれを用いた太陽電池
EP2417636A4 (en) * 2009-04-08 2016-11-09 Fujifilm Corp SEMICONDUCTOR ELEMENT AND SOLAR BATTERY THEREWITH
US8686281B2 (en) 2009-04-08 2014-04-01 Fujifilm Corporation Semiconductor device and solar battery using the same
JP2010263037A (ja) * 2009-05-01 2010-11-18 Fujifilm Corp 金属複合基板およびその製造方法
EP2248662A1 (en) * 2009-05-01 2010-11-10 Fujifilm Corporation Metal composite substrate and method of producing the same
WO2011089880A1 (en) * 2010-01-21 2011-07-28 Fujifilm Corporation Solar cell and solar cell manufacturing method
JP2011171707A (ja) * 2010-01-21 2011-09-01 Fujifilm Corp 太陽電池および太陽電池の製造方法
CN102770965A (zh) * 2010-01-21 2012-11-07 富士胶片株式会社 太阳能电池和太阳能电池制备方法
JP2011151261A (ja) * 2010-01-22 2011-08-04 Fujifilm Corp バッファ層の製造方法および光電変換素子
JP2011159685A (ja) * 2010-01-29 2011-08-18 Fujifilm Corp 太陽電池の製造方法
CN102782866A (zh) * 2010-02-01 2012-11-14 富士胶片株式会社 绝缘金属基板和半导体器件
US20120306040A1 (en) * 2010-02-01 2012-12-06 Fujifilm Corporation Insulating metal substrate and semiconductor device
EP2532029A4 (en) * 2010-02-01 2017-01-18 FUJIFILM Corporation Insulating metal substrate and semiconductor device
JP2011165790A (ja) * 2010-02-08 2011-08-25 Fujifilm Corp 太陽電池およびその製造方法
JP2011181887A (ja) * 2010-02-08 2011-09-15 Fujifilm Corp 絶縁層付金属基板およびその製造方法、半導体装置およびその製造方法、太陽電池およびその製造方法、電子回路およびその製造方法、ならびに発光素子およびその製造方法
KR101340933B1 (ko) * 2010-02-08 2013-12-13 후지필름 가부시키가이샤 절연층을 가진 금속 기판과 그 제조방법, 반도체 디바이스와 그 제조방법, 태양 전지와 그 제조방법, 전자 회로와 그 제조방법, 및 발광 소자와 그 제조방법
CN102754218A (zh) * 2010-02-08 2012-10-24 富士胶片株式会社 具有绝缘层的金属基板及其制备方法、半导体器件及其制备方法、太阳能电池及其制备方法、电子电路及其制备方法以及发光元件及其制备方法
WO2011096209A1 (en) * 2010-02-08 2011-08-11 Fujifilm Corporation Metal substrate with insulation layer and manufacturing method thereof, semiconductor device and manufacturing method thereof, solar cell and manufacturing method thereof, electronic circuit and manufacturing method thereof, and light-emitting element and manufacturing method thereof
EP2534699A4 (en) * 2010-02-08 2017-08-30 FUJIFILM Corporation Metal substrate with insulation layer and manufacturing method thereof, semiconductor device and manufacturing method thereof, solar cell and manufacturing method thereof, electronic circuit and manufacturing method thereof, and light-emitting element and manufacturing method thereof
JP2011171379A (ja) * 2010-02-16 2011-09-01 Fujifilm Corp 金属複合基板およびその製造方法
CN102194977A (zh) * 2010-02-16 2011-09-21 富士胶片株式会社 金属复合基板及其制造方法
CN103026495A (zh) * 2010-07-14 2013-04-03 富士胶片株式会社 电子器件用基板及包含该基板的光电转换器件
JP2013538464A (ja) * 2010-09-16 2013-10-10 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 太陽電池及びその製造方法
US9356172B2 (en) 2010-09-16 2016-05-31 Lg Innotek Co., Ltd. Solar cell and method for manufacturing same
US10565828B2 (en) 2011-08-01 2020-02-18 Cfph, Llc Amusement devices and games involving multiple operators, multiple players, and/or multiple jurisdictions
JP2013171876A (ja) * 2012-02-17 2013-09-02 Nisshin Steel Co Ltd Cis太陽電池およびその製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6289369A (ja) 光起電力装置
JPH04266068A (ja) 光電変換素子及びその製造方法
JPS59125670A (ja) 太陽電池
JP5312368B2 (ja) 金属複合基板およびその製造方法
JP6286821B2 (ja) フレキシブルデバイス用基板およびその製造方法
WO2011021299A1 (ja) 色素増感型太陽電池およびその製造方法
US4543443A (en) Method for manufacturing finger electrode structures forming electric contacts at amorphous silicon solar cells
CN109534460B (zh) 一种钛电极及其制备方法与应用
JP2004139951A (ja) 燃料電池用セパレータおよびその製造方法
US4551575A (en) Substrate for amorphous silicon semiconductor material
CN113921269A (zh) 一种变压器线圈的双层绝缘膜及其制备方法和装置
JP6915307B2 (ja) フレキシブルデバイス用基板用基材及びその製造方法
JPS5984477A (ja) 太陽電池の電極形成法
JPS5851511A (ja) 半導体装置の電極形成方法
GB2117971A (en) Amorphous silicon photovoltaic device
JPS60198782A (ja) 非晶質薄膜太陽電池
JPS60224283A (ja) 薄膜電池用金属基板材
JPS63249380A (ja) 薄膜太陽電池用基板の製造方法
JPS61284970A (ja) 薄膜太陽電池用基板
JPS61194879A (ja) 太陽電池用基板
JPS6218771A (ja) 太陽電池基板用母板
JPS60233868A (ja) 薄膜電池用金属基板材の製造方法
JPS6223180A (ja) 太陽電池基板用母板の製造方法
JPS5822845A (ja) 太陽熱吸収体
JPS60214572A (ja) 薄膜太陽電池およびその製造方法