JP2013538464A - 太陽電池及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 169
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 61
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 56
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 43
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 38
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 35
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 35
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 11
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 7
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 5
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000007745 plasma electrolytic oxidation reaction Methods 0.000 claims description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 4
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 6
- 230000007480 spreading Effects 0.000 abstract description 3
- 238000003892 spreading Methods 0.000 abstract description 3
- 239000011148 porous material Substances 0.000 abstract 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 12
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 5
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 5
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 3
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Se].[Se].[In] Chemical compound [Cu].[Se].[Se].[In] KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000224 chemical solution deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- -1 CGS compound Chemical class 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- YNLHHZNOLUDEKQ-UHFFFAOYSA-N copper;selanylidenegallium Chemical compound [Cu].[Se]=[Ga] YNLHHZNOLUDEKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
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- H01L31/03923—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including AIBIIICVI compound materials, e.g. CIS, CIGS
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- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
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Abstract
【課題】本発明は、支持基板から光電変換部に不純物が広がることを防止することができ、支持基板と光電変換部の剥離現象を防止できる太陽電池及びその製造方法を提供するためのものである。
【解決手段】本発明に係る太陽電池は、支持基板、前記支持基板の上に配置されるバリアー層、及び前記バリアー層の上に配置される光電変換部を含み、前記バリアー層は互いに異なる気孔度を有する第１バリアー層及び第２バリアー層を含む。
【選択図】図１
【解決手段】本発明に係る太陽電池は、支持基板、前記支持基板の上に配置されるバリアー層、及び前記バリアー層の上に配置される光電変換部を含み、前記バリアー層は互いに異なる気孔度を有する第１バリアー層及び第２バリアー層を含む。
【選択図】図１
Description
本発明は、太陽電池及びその製造方法に関するものである。
最近、エネルギーの需要が増加するにつれて、太陽光熱エネルギーを電気エネルギーに変換する太陽電池に対する研究が活発に進められている。
太陽電池は、シリコン系太陽電池、非シリコン系太陽電池、染料感応太陽電池などに分けられる。このうち、非シリコン系太陽電池は薄膜に形成可能であるので、材料の消耗を減らし、かつ太陽電池の活用範囲を広めることができる。また、非シリコン系太陽電池に使われる光吸収層は、光による劣化現象が少なくて寿命が長いという長所がある。
このような太陽電池をフレキシブル（flexible）に具現するために、支持基板として金属物質を用いる技術が適用されている。
本発明の目的は、支持基板から光電変換部に不純物が広がることを防止することができ、支持基板と光電変換部の剥離現象を防止できる太陽電池及びその製造方法を提供することにある。
本発明に係る太陽電池は、支持基板、前記支持基板の上に配置されるバリアー層、及び前記バリアー層の上に配置される光電変換部を含み、前記バリアー層は互いに異なる気孔度を有する第１バリアー層及び第２バリアー層を含む。
本発明に係る太陽電池の製造方法は、支持基板の上に第１バリアー層を形成するステップ、前記第１バリアー層の上に前記第１バリアー層と気孔度が相異する第２バリアー層を形成するステップ、及び前記第２バリアー層の上に光電変換部を形成するステップを含む。
本発明の太陽電池によれば、支持基板に隣接した部分には相対的に緻密に形成された第１バリアー層を形成し、光電変換部に隣接した部分には相対的にあまり緻密でなく形成された第２バリアー層を形成する。これによって、前記第１バリアー層は、前記太陽電池を製造する過程で発生できる不純物が前記光電変換部に広がることを防止することができる。
また、多孔性構造を有する前記第２バリアー層は、前記光電変換部との接触面積を増加させることによって、前記支持基板と前記光電変化部の剥離現象が効果的に防止できるだけでなく、光−電変換効率を向上させることができる。
また、本発明に係る太陽電池の製造方法は、同一の物質で簡単な工程条件だけを変更することによって、前記第１バリアー層及び前記第２バリアー層を形成することができる。したがって、本発明に係る太陽電池の製造費用を減らすことができる。
本発明を説明するに当たって、各基板、層、膜、または電極などが、各基板、層、膜、または電極などの“上（on）”に、または“下（under）”に形成されることと記載される場合において、“上（on）”と“下（under）”は、“直接（directly）”または“他の構成要素を介して（indirectly）”形成されることを全て含む。また、各構成要素の上または下に対する基準は、図面を基準として説明する。図面において、各構成要素のサイズは説明のために誇張することがあり、実際に適用されるサイズを意味するものではない。
以下、添付した図面を参照して本願が属する技術分野で通常の知識を有する者が容易に実施できるように本願の実施形態を詳細に説明する。
図１及び図２は、本発明の実施形態に係る太陽電池の概略的な断面図である。
図１を参照すると、実施形態に係る太陽電池１００は、支持基板１０、前記支持基板１０の上に配置されるバリアー層２０、及び前記バリアー層２０の上に配置される光電変換部３０を含む。また、実施形態に係る太陽電池１００は、図２のように、前記支持基板１０の上に金属層４０をさらに含むことができる。
前記支持基板１０はプレート形状を有し、前記バリアー層２０及び前記光電変換部３０を支持する役割をする。
前記支持基板１０は、リジッド（rigid）基板またはフレキシブル基板でありうる。より詳しくは、前記支持基板１０は、フレキシブル基板でありうる。例えば、前記支持基板１０はフレキシブルな金属基板であり、これによって、前記太陽電池１００をフレキシブル（flexible）に具現することができる。
前記支持基板１０は、当業界で太陽電池の基板に通常的に使われるものであれば、特別に制限無しで使用可能である。例えば、前記支持基板１０は、鉄、鉛、コバルト、ニッケル、銅、スズ、及びこれらの組み合わせよりなる群から選択される物質を含むことができるが、これに制限されるものではない。一実施形態において、前記支持基板１０は、鉄を主成分とするステンレス鋼を含むことができる。
これとは異なり、前記支持基板１０は、ガラスまたはプラスチックなどの絶縁体で形成されてもよい。
前記支持基板１０の上には、前記バリアー層２０が配置される。より詳しくは、前記バリアー層２０は、前記支持基板１０と前記光電変換部３０との間に配置される。前記バリアー層２０の厚さは約５μｍ以下であるが、これに制限されるものではない。
前記バリアー層２０は、第１バリアー層２２及び第２バリアー層２４を含む。また、前記第１バリアー層２２と前記第２バリアー層２４とは、互いに直接接触して形成できる。
より詳しくは、前記バリアー層２０は前記支持基板の上に配置される第１バリアー層２２、及び前記第１バリアー層２２の上に配置される前記第２バリアー層２４を含む。即ち、前記第１バリアー層２２は前記支持基板１０側に隣接するように形成される。また、前記第２バリアー層２４は前記光電変換部３０と隣接するように形成される。
前記第１バリアー層２２と前記第２バリアー層２４との気孔度は、互いに異なる。より詳しくは、前記支持基板１０に隣接した部分に形成される前記第１バリアー層２２は気孔度が小さく、それによって、前記第１バリアー層は緻密に形成できる。また、前記光電変換部３０に隣接するように形成される前記第２バリアー層２４は、気孔度の大きい多孔性構造でありうる。
前述したように、前記第１バリアー層２２は緻密な構造を有することができ、これによって、前記支持基板１０の物質が光電変換部３０側に広がることを効果的に防止することができる。例えば、前記第１バリアー層２２は、前記光電変換部３０を形成するための高温の熱処理工程で、前記支持基板１０の物質及び前記支持基板１０の上の不純物の、前記光電変換部３０への拡散を防止することができる。
前記第１バリアー層２２の気孔度は約１０％以内であるが、これに制限されるものではない。より詳しくは、前記第１バリアー層２２の気孔度は、約５％または、約１％以内であるが、これに制限されるものではない。
前述したように、前記第２バリアー層２４は、気孔度の大きい多孔性構造でありうる。これによって、前記第２バリアー層２４と前記光電変換部３０との接触面積を増加させることができる。また、前記第２バリアー層２４と前記光電変換部３０との間の剥離現象を効果的に防止できるだけでなく、前記光電変換部３０の表面積を増やして光−電変換効率を向上させることができる。
前記第２バリアー層２４の気孔度は約２０％乃至約４０％であるが、これに制限されるものではない。より詳しくは、前記第２バリアー層２４の気孔度は約３０％乃至約４０％であるが、これに制限されるものではない。
一方、図面及び詳細な説明では、前記バリアー層２０を形成する前記第１バリアー層２２と前記第２バリアー層２４とが互いに別の層をなすことと開示しているが、これに制限されるものではない。即ち、前記第１バリアー層２２と前記第２バリアー層２４との境界が明確でなくても、前記バリアー層２０で支持基板１０側に隣接した部分と前記光電変換部３０側に隣接した部分の気孔度が異なると、本願の実施形態に属することができる。
即ち、実施形態に係る太陽電池は、前記支持基板１０側に位置する緻密な構造を有する第１バリアー層２２と、光電変換部３０側に位置する多孔性の第２バリアー層２４とを含む。これによって、前記バリアー層２０は、不純物拡散及び剥離現象を防止できるだけでなく、光−電変換効率を向上させることができる。
前記第１バリアー層２２及び前記第２バリアー層２４は、酸化物を含むことができる。より詳しくは、前記第１バリアー層２２及び前記第２バリアー層２４は、金属酸化物を含むことができる。例えば、前記第１バリアー層２２及び前記第２バリアー層２４の各々は、アルミニウム酸化物、チタニウム酸化物、マグネシウム酸化物、タングステン酸化物、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される物質を含むことができる。
これとは異なり、前記第１バリアー層２２は金属のみからなるか、前記金属及び前記金属酸化物を共に含むことができる。例えば、前記第１バリアー層２２は、アルミニウム、チタニウム、マグネシウム、タングステン、これらの酸化物、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される物質を全て含むことができる。
前記第１バリアー層２２及び前記第２バリアー層２４を含む前記バリアー層２０の厚さは、約５μｍ以下であるが、これに制限されるものではない。前述したように、前記バリアー層２０は酸化物からなることができ、前記酸化物バリアー層２０は約５μｍを超過すると、曲げる場合、亀裂が発生することがあるので、フレキシブルな太陽電池１００への適用が困難である。
前記第１バリアー層２２及び前記第２バリアー層２４は、同一の物質を含むことができる。この際、前記第１バリアー層２２及び前記第２バリアー層２４は、同一の物質を使用して工程条件だけを変更する簡単な方法により形成できる。したがって、実施形態に係る太陽電池の製造費用は減少する。これと関連して、太陽電池の製造方法を説明しながら以下により詳細に説明する。
前記第１バリアー層２２に対する前記第２バリアー層２４の厚さ比率は、約０．１乃至約０．３でありうる。前記比率が０．３を越える場合、多孔性の第２バリアー層２４の厚さは厚くなり、緻密な第１バリアー層２２の厚さは薄くなる。これによって、前記第１バリアー層は、不純物拡散防止の機能の効果的な遂行が困難である。また、前記比率が０．１未満の場合、前記第２バリアー層２４の厚さが薄くなって接触面積の充分な確保が困難である。
図２を参照すると、実施形態に係る太陽電池は、前記支持基板１０の上に金属層４０がさらに配置される。前記金属層４０は金属を含むことができる。例えば、前記金属層４０は、アルミニウム、チタニウム、マグネシウム、タングステン、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される物質を含むことができる。
前記金属層４０は、前記バリアー層２０を形成するために配置される。例えば、前記バリアー層２０は、前記金属層４０を酸化させることによって形成される。この際、前記金属層４０は、図１のように、前記金属層４０の全部が酸化されて前記バリアー層２０に切換できるが、図２のように、前記金属層４０の一部のみ前記バリアー層２０に切換られ、切換られていない前記金属層４０は前記支持基板１０の上に残っている。
前記金属層４０は、前記第１バリアー層２２のように非常に緻密な構造を有する。したがって、前記金属層４０は、前記第１バリアー層２２と共に前記支持基板１０の物質の、光電変換部３０側への拡散を効果的に防止することができる。
前記光電変換部３０は、前記バリアー層２０の上に配置される。より詳しくは、前記光電変換部３０は、前記第２バリアー層２４の上に配置される。前記光電変換部は、太陽エネルギーを電気エネルギーに変換する。
前記光電変換部３０は、第１電極層３１、光吸収層３３、及び第２電極層３９を含む。また、前記光電変換部３０は、前記光吸収層３３と前記第２電極層３９との間にバッファ層３５及び高抵抗バッファ層３７をさらに含むことができるが、これに制限されるものではない。
前記第１電極層３１は、優れた電気的特性を有する物質で構成される。例えば、前記第１電極層３１は、モリブデン、銅、ニッケル、アルミニウム、これらの合金などからなることができる。
前記第１電極層３１の上には前記光吸収層３３が配置される。
前記光吸収層３３は、非シリコン系半導体物質を含むことができる。即ち、前記光吸収層３３は、Ｉ−ＩＩＩ−ＩＶ族化合物を含むことができる。例えば、前記光吸収層３３は、銅−インジウム−ガリウム−セレナイド系（Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２、ＣＩＧＳ系）化合物、銅−インジウム−セレナイド系（ＣＩＳ系）化合物、または銅−ガリウム−セレナイド系（ＣＧＳ系）化合物を含むことができる。
または、前記光吸収層３３は、ＩＩ−ＩＶ族化合物またはＩＩＩ−ＩＶ族化合物を含むことができる。例えば、前記光吸収層３３は、カドミウム（Ｃｄ）−テルニウム（Ｔｅ）化合物、またはガリウム（Ｇａ）−砒素（Ａｓ）化合物を含むことができる。
前記光吸収層３３の上に配置されるバッファ層３５は、第２電極層２９との格子定数差及びエネルギーバンドギャップ差を緩和することができる。例えば、前記光吸収層３３は、硫化カドミウム（ＣｄＳ）を含むことができる。
前記バッファ層３５の上に配置される高抵抗バッファ層３７は、第２電極層３９の形成時、前記バッファ層３５の損傷を防止することができる。例えば、前記バッファ層３５は、酸化亜鉛（ＺｎＯ）からなることができる。
前記第２電極層３９は、透光性伝導性物質で形成される。また、前記第２電極層３９は、ｎ型半導体の特性を有することができる。この際、前記第２電極層３９は、前記バッファ層３５と共にｎ型半導体層を形成して、ｐ型半導体層である前記光吸収層３３とｐｎ接合を形成することができる。前記第２電極層３９は、例えば、アルミニウムドーピングされたジンクオキサイド（ＡＺＯ）で形成される。
前述したように、実施形態に係る太陽電池は、ＣＩＧＳ系化合物、ＣＩＳ系化合物、ＣＧＳ系化合物、Ｃｄ−Ｔｅ化合物、またはＧａ−Ａｓ化合物を含む光吸収層３３を含むことができ、これによって、優れた光−電変換効率を有することができる。したがって、前記太陽電池１００は薄い厚さで形成され、材料の消耗を減らし、かつ多様な産業分野に活用できる。
一方、本実施形態はこれに限定されるものではない。したがって、前記光電変換部３０は、染料感応型太陽電池、有機太陽電池、及びシリコン太陽電池を構成する光電変換部を含むことができる。
以下、図３乃至図６を参照して実施形態に係る太陽電池の製造方法を説明する。本製造方法に関する説明は、前述した太陽電池に対する説明を参考にする。前述した太陽電池に対する説明は、本製造方法に関する説明に本質的に結合できる。
図３ａ乃至図３ｄは、本発明の第１実施形態に係る太陽電池の製造方法のステップを示す断面図である。
まず、図３ａに示すように、支持基板１０の上に第１バリアー層２２を形成する。前記第１バリアー層２２は、アルミニウム酸化物、チタニウム酸化物、マグネシウム酸化物、タングステン酸化物などの酸化物を含むことができ、多様な方法により形成できる。例えば、前記第１バリアー層２２は、スパッタリング工程、電解メッキ工程、マイクロアーク酸化工程、正極酸化工程、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される工程により形成できる。
次に、図３ｂに示すように、前記第１バリアー層２２の上に、前記第１バリアー層２２より高い気孔度を有する第２バリアー層２４を形成する。
前記第２バリアー層２４は、アルミニウム酸化物、チタニウム酸化物、マグネシウム酸化物、タングステン酸化物などの酸化物を含むことができ、多様な方法により形成できる。例えば、前記第２バリアー層２４の各々は、スパッタリング工程、電解メッキ工程、マイクロアーク酸化工程、正極酸化工程、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される工程により形成できる。
前記第１バリアー層２２及び前記第２バリアー層２４は、同一の物質からなることができる。この際、前記第１バリアー層２２及び前記第２バリアー層２４は、同一の工程方法で工程条件のみを変更する簡単な方法により形成できる。例えば、前記第１バリアー層２２を、電解メッキ工程により形成した後、同一の電解メッキ槽でアノード電極とカソード電極に高電圧を交互に印加するマイクロアーク酸化工程を使用して、多孔性の第２バリアー層２４を形成することができる。
このように、実施形態に係る太陽電池の製造方法は、前記支持基板１０側に隣接した部分と前記光電変換部３０側に隣接した部分の気孔度が互いに異なるバリアー層２０を簡単な工程により形成することができる。
前記バリアー層２０の粗さを減少させるために、前記バリアー層２０をポリッシングする工程をさらに遂行することができる。前記ポリッシング工程は、前記バリアー層２０を形成した後、前記バリアー層２０の上に光電変換部３０を形成する前に遂行される。また、前記ポリッシング工程は、機械的及び／または化学的ポリッシング工程を全て含む。
次に、図３ｃに示すように、前記バリアー層２０の上に光電変換部３０を形成して太陽電池１００を製造する。これをより詳細に説明すれば、次の通りである。
まず、前記バリアー層２０の上に第１電極層３１を形成する。例えば、前記第１電極層３１は、スパッタリング工程によりモリブデンを蒸着して形成することができる。また、前記第１電極層３１は２つ以上の層を含むことができるが、この各々の層は同一の金属を含むことができ、互いに異なる金属を含むこともできる。前記２つ以上の層を含む前記第１電極層３１は、工程条件が互いに異なる２回の工程により形成できる。
次に、前記第１電極層３１の上に光吸収層３３を形成する。前記光吸収層３３は、多様な方法により形成できる。例えば、前記光吸収層３３は、蒸発法またはスパッタリング工程などにより形成できる。
前記蒸発法は、銅、インジウム、ガリウム、及びセレニウムを同時または区分して蒸発させることによって、前記ＣＩＧＳ系光吸収層３３を形成することができる。
前記スパッタリング工程の場合、スパッタリング工程で金属プリカーサ膜を形成した後、セレニゼーション（selenization）工程を遂行して、ＣＩＧＳ系光吸収層３３を形成することができる。即ち、スパッタリング工程で、銅ターゲット、インジウムターゲット、及びガリウムターゲットを使用して、銅、インジウム、及びガリウムを含む金属プリカーサ膜を形成し、以後、セレニゼーション工程を遂行してＣＩＧＳ系光吸収層３３を形成することができる。または、スパッタリング工程とセレニゼーション工程とを同時に進行してＣＩＧＳ系光吸収層３３を形成することもできる。
前述した方法では、ＣＩＧＳ系光吸収層３３を形成することを例示したが、所望の物質によって、ターゲット、蒸発物質などを異にして多様な種類の光吸収層３３を形成することができる。
次に、前記光吸収層３３の上にバッファ層３５を形成することができる。このようなバッファ層３５は、化学溶液成長法（chemical bath depositon：ＣＢＤ）、スパッタ、蒸発法、化学気相蒸着法（ＣＶＤ）などにより形成できる。
前記バッファ層３５の上に高抵抗バッファ層３７が形成される。例えば、前記高抵抗バッファ層３７は、酸化亜鉛（ＺｎＯ）などを蒸着して形成される。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではなく、多様な方法を用いて多様な物質を含む高抵抗バッファ層３７を形成することができる。
次に、前記高抵抗バッファ層３７の上に第２電極層３９を形成する。
図４ａ乃至図４ｃは、本発明の第２実施形態に係る太陽電池の製造方法のステップを示す断面図である。
第２実施形態に係る太陽電池の製造方法は、前記第１バリアー層２２ａの上部をエッチングして、高い気孔度の第２バリアー層２４を形成することができる。例えば、弗素エッチング液を用いて前記第１バリアー層２２ａの上部をエッチングすることで、前記第２バリアー層２４を形成することができる。前記第１バリアー層２２ａのうち、エッチングされていない部分は第１バリアー層２２として残るようになる。次に、図４ｃに示すように、バリアー層２０の上に光電変換部３０を形成して太陽電池１００を製造する。
前述したように、第２実施形態では第１バリアー層をエッチングする簡単な工程により、第１バリアー層２２及び第２バリアー層２４を含むバリアー層２０を製造することができる。これによって、前記支持基板１０側に隣接した部分と前記光電変換部３０側に隣接した部分との気孔度が互いに異なるバリアー層２０を、簡単な工程により形成することができる。
図５及び図６は、各々第３実施形態及び第４実施形態により製造された太陽電池の断面を示す断面図である。
第３実施形態及び第４実施形態において、前記バリアー層２０は、前記支持基板１０の上に金属層４０を形成し、前記金属層４０を酸化させることにより形成できる。
前記金属層４０は、スパッタリング、電解メッキ工程など、多様な方法により前記支持基板１０の上に形成される。次に、前記金属層４０を酸化させる。この際、前記金属層４０が酸化される程度によって、図２のように前記金属層４０を前記支持基板１０の上に残したり、図１のように前記金属層４０を全てバリアー層に切換たりすることができる。
図５を参照すると、アルミニウム金属層４０は、前記支持基板１０の上に電解メッキ工程により形成される。その後、前記アルミニウム金属層４０の上部は、マイクロアーク酸化工程により酸化されて、前記アルミニウム金属層４０の上部はバリアー層２０に切換できる。この際、前記アルミニウム金属層４０の一部は酸化されず、前記支持基板１０の上に残っている。
図６は、第４実施形態に係る前記金属層４０及び前記バリアー層２０の断面を示す断面図である。図６を参照すると、前記バリアー層２０は、前記金属層４０を正極酸化することによって形成できる。前記金属層４０を正極酸化する工程で、第１バリアー層２２と第２バリアー層２４とは同時に形成できる。より詳しくは、前記バリアー層２０は、前記支持基板１０に隣接した部分に形成され、緻密な構造を有する前記第１バリアー層２２と、前記光電変換部３０に隣接するように形成され、多孔性構造を有する前記第２バリアー層２４を含むことができる。
以上、実施形態に説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも１つの実施形態に含まれ、必ず１つの実施形態のみに限定されるものではない。延いては、各実施形態で例示された特徴、構造、効果などは、実施形態が属する分野の通常の知識を有する者により他の実施形態に対しても組み合わされまたは変形されて実施可能である。したがって、このような組み合わせと変形に関連した内容は、本発明の範囲に含まれることと解釈されるべきである。
以上、本発明を好ましい実施形態をもとに説明したが、これは単なる例示であり、本発明を限定するのでない。本発明の本質的な特性を逸脱しない範囲内で、多様な変形及び応用が可能であることが同業者にとって明らかである。例えば、実施形態に具体的に表された各構成要素は変形して実施することができ、このような変形及び応用にかかわる差異点も、特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。
Claims (17)
- 支持基板と、
前記支持基板の上に配置されるバリアー層と、
前記バリアー層の上に配置される光電変換部と、を含み、
前記バリアー層は、互いに異なる気孔度を有する第１バリアー層及び第２バリアー層を含むことを特徴とする太陽電池。 - 前記支持基板の上に配置される金属層をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
- 前記第１バリアー層は、前記支持基板の上に配置され、
前記第２バリアー層は、前記第１バリアー層の上に配置されることを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。 - 前記第２バリアー層の気孔度は、前記第１バリアー層の気孔度より高いことを特徴とする請求項３に記載の太陽電池。
- 前記第１バリアー層の気孔度は、１０％であることを特徴とする請求項４に記載の太陽電池。
- 前記第２バリアー層の気孔度は、２０％乃至４０％であることを特徴とする請求項４に記載の太陽電池。
- 前記第１バリアー層及び前記第２バリアー層は、同一の物質を含むことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
- 前記第１バリアー層に対する前記第２バリアー層の厚さ比率は、０．１乃至０．３であることを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
- 前記バリアー層の厚さは５μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
- 前記バリアー層は、酸化物を含むことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
- 前記バリアー層は、アルミニウム酸化物、チタニウム酸化物、マグネシウム酸化物、タングステン酸化物、及びこれらの組み合わせからなる群から選択された物質を少なくとも１つ以上含むことを特徴とする請求項１０に記載の太陽電池。
- 前記光電変換部は、
前記バリアー層の上に配置される第１電極層と、
前記第１電極層の上に配置される光吸収層と、
前記光吸収層の上に配置される第２電極層と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。 - 前記支持基板は、フレキシブル基板を含むことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
- 支持基板の上に第１バリアー層を形成するステップと、
前記第１バリアー層の上に前記第１バリアー層と気孔度が相異する第２バリアー層を形成するステップと、
前記第２バリアー層の上に光電変換部を形成するステップと、
を含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 前記支持基板の上に第１バリアー層を形成するステップは、
前記支持基板の上に金属層を形成するステップと、
前記金属層を酸化させて前記第１バリアー層を形成するステップと、
を含むことを特徴とする請求項１４に記載の太陽電池の製造方法。 - 前記第１バリアー層及び前記第２バリアー層の各々は、スパッタリング工程、電解メッキ工程、マイクロアーク酸化工程、正極酸化工程、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される工程により形成されることを特徴とする請求項１４に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記第２バリアー層は、
前記第１バリアー層の上部をエッチングして形成されることを特徴とする請求項１４に記載の太陽電池の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020100091277A KR101091375B1 (ko) | 2010-09-16 | 2010-09-16 | 태양 전지 및 이의 제조 방법 |
| KR10-2010-0091277 | 2010-09-16 | ||
| PCT/KR2011/006850 WO2012036504A2 (ko) | 2010-09-16 | 2011-09-16 | 태양 전지 및 이의 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2013538464A true JP2013538464A (ja) | 2013-10-10 |
| JP5913320B2 JP5913320B2 (ja) | 2016-04-27 |
Family
ID=45505900
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013529068A Active JP5913320B2 (ja) | 2010-09-16 | 2011-09-16 | 太陽電池 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP2503599B1 (ja) |
| JP (1) | JP5913320B2 (ja) |
| KR (1) | KR101091375B1 (ja) |
| CN (1) | CN103069575B (ja) |
| WO (1) | WO2012036504A2 (ja) |
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- 2010-09-16 KR KR1020100091277A patent/KR101091375B1/ko active IP Right Grant
-
2011
- 2011-09-16 CN CN201180039615.XA patent/CN103069575B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-09-16 EP EP11825464.8A patent/EP2503599B1/en active Active
- 2011-09-16 WO PCT/KR2011/006850 patent/WO2012036504A2/ko active Application Filing
- 2011-09-16 JP JP2013529068A patent/JP5913320B2/ja active Active
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|---|---|
| WO2012036504A3 (ko) | 2012-07-19 |
| KR101091375B1 (ko) | 2011-12-07 |
| EP2503599A2 (en) | 2012-09-26 |
| JP5913320B2 (ja) | 2016-04-27 |
| EP2503599B1 (en) | 2020-11-04 |
| CN103069575A (zh) | 2013-04-24 |
| CN103069575B (zh) | 2015-09-16 |
| WO2012036504A2 (ko) | 2012-03-22 |
| EP2503599A4 (en) | 2017-09-27 |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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