JPS61251589A - セラミツクス基材表面へのコ−テイング方法 - Google Patents
セラミツクス基材表面へのコ−テイング方法Info
- Publication number
- JPS61251589A JPS61251589A JP9119085A JP9119085A JPS61251589A JP S61251589 A JPS61251589 A JP S61251589A JP 9119085 A JP9119085 A JP 9119085A JP 9119085 A JP9119085 A JP 9119085A JP S61251589 A JPS61251589 A JP S61251589A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic substrate
- coating
- etching
- ceramic
- coating method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は蒸着法にエフ、セラミックスの表面へ、金属お
よびその化合物をコーティングする方法に関する。
よびその化合物をコーティングする方法に関する。
（従来の技術）
従来、ム４０１ ＃ ８１ｍ’４等のセラミックス表面
にＮ１ 等の各種金属を蒸着法でコーティングしてい
るが、コーティング層の厚さが数μｍ以上の比較的厚い
場合、基材のセラミックスから金属のコーティング層が
剥離する事例が多数発生している。この剥離現象な、セ
ラミックス基材が複雑な形状の場合、（例えば、鋭いコ
ーナ、曲率半径が小さいｎ場合）や、基材表面全高精度
で研摩および仕上げ加工した場合に発生し、厚膜コーテ
ィングの歩留が低く、コーティングの信頼性に欠けてい
る。
にＮ１ 等の各種金属を蒸着法でコーティングしてい
るが、コーティング層の厚さが数μｍ以上の比較的厚い
場合、基材のセラミックスから金属のコーティング層が
剥離する事例が多数発生している。この剥離現象な、セ
ラミックス基材が複雑な形状の場合、（例えば、鋭いコ
ーナ、曲率半径が小さいｎ場合）や、基材表面全高精度
で研摩および仕上げ加工した場合に発生し、厚膜コーテ
ィングの歩留が低く、コーティングの信頼性に欠けてい
る。
（発明が解決しようとする問題点）
不発ＢＡは、前記、従来の問題を改善し、厚膜コーティ
ングの歩留を向上し、コーティングの密着強度が大きく
、信頼性が高い、コーティング法を提供するものである
。
ングの歩留を向上し、コーティングの密着強度が大きく
、信頼性が高い、コーティング法を提供するものである
。
ところで、セラミックスは、化学的に安定した物質でｔ
ｏｎ、金属にもとよシ、他の物質との間において、反応
性ならびに親和性が弱い。このため、蒸着においてもセ
ラミックスとコーティング層との密着強度は極めて小さ
い。さらに、機器部材として適用されているセラミック
ス扛寸法精度の問題があるため、焼成のまま適用するこ
とは少なく、大部分はセラミックス表面を高精度に研摩
仕上した状態であシ、実績によれば、このような状態の
界面へ金属を蒸着した場合、密着強度が一層低下し、剥
離することが多い。
ｏｎ、金属にもとよシ、他の物質との間において、反応
性ならびに親和性が弱い。このため、蒸着においてもセ
ラミックスとコーティング層との密着強度は極めて小さ
い。さらに、機器部材として適用されているセラミック
ス扛寸法精度の問題があるため、焼成のまま適用するこ
とは少なく、大部分はセラミックス表面を高精度に研摩
仕上した状態であシ、実績によれば、このような状態の
界面へ金属を蒸着した場合、密着強度が一層低下し、剥
離することが多い。
（問題点を解決するための手段）
不発ＦＩＡは以上のようなセラミックス基材の特性、な
らびに蒸着のメカニズムを考慮してなされたものでおる
。即ち、本発明は、セラミックスの溶解が可能な酸又は
アルカリでセラミックス基材の界面をエツチングし、こ
の基材表面に活性にして且つ極めて微細な凹凸を無数に
形成させておき、続いて、この界面に金属を蒸着してコ
ーティングを行う方法に関するものである。
らびに蒸着のメカニズムを考慮してなされたものでおる
。即ち、本発明は、セラミックスの溶解が可能な酸又は
アルカリでセラミックス基材の界面をエツチングし、こ
の基材表面に活性にして且つ極めて微細な凹凸を無数に
形成させておき、続いて、この界面に金属を蒸着してコ
ーティングを行う方法に関するものである。
本発明方法によれば、セラミックス基材の比懺面積が極
度に増大し、これに伴って、蒸着の初期に生成されかつ
コーティングの根となり、密着力を強固にする蒸着核の
生成数も極度に増大し、密着強度の大きな金属のコーテ
ィング層金形成することが可能になる。
度に増大し、これに伴って、蒸着の初期に生成されかつ
コーティングの根となり、密着力を強固にする蒸着核の
生成数も極度に増大し、密着強度の大きな金属のコーテ
ィング層金形成することが可能になる。
セラミックス基材表面のエツチングの程度は前記説明で
推察される通り、マクロ的に粗大な界面を呈するもので
はない。即ち、第１図体）。
推察される通り、マクロ的に粗大な界面を呈するもので
はない。即ち、第１図体）。
０）に示す通り、粗さ計ではセラミックス基材表面のエ
ツチング前後の界面粗さはｓ、ｏｏｏ倍に拡大しても、
第２図（４）、０）の模式図に示すように表面が本来も
っている粗さのバックグランド（り７−１．す）の中に
エツチングによる凹凸の肌アレが埋没して、その差が確
認できない程度に微従ッテ、本発明を実施するにおいて
、エツチングの度合を判断するには電子顕微鏡観察が好
ましい。なお、第１図（Ａ）及び第２図（Ａ）は〒ツチ
ング前、ＷＥ１図の）及び第２図中）はエツチング後の
表面状態を示す図である。
ツチング前後の界面粗さはｓ、ｏｏｏ倍に拡大しても、
第２図（４）、０）の模式図に示すように表面が本来も
っている粗さのバックグランド（り７−１．す）の中に
エツチングによる凹凸の肌アレが埋没して、その差が確
認できない程度に微従ッテ、本発明を実施するにおいて
、エツチングの度合を判断するには電子顕微鏡観察が好
ましい。なお、第１図（Ａ）及び第２図（Ａ）は〒ツチ
ング前、ＷＥ１図の）及び第２図中）はエツチング後の
表面状態を示す図である。
以上のように本発明のエツチングは、セラミックス基材
の表面の粗さの凹凸の中に、さらに微細な凹凸の肌アレ
を形成し、比表面積の拡大によって、蒸着によるコーテ
ィングの密着強度を増強する効果がある。
の表面の粗さの凹凸の中に、さらに微細な凹凸の肌アレ
を形成し、比表面積の拡大によって、蒸着によるコーテ
ィングの密着強度を増強する効果がある。
不発ＢＡは、寸法ｆｆ［、表面粗さが微細な部材が要求
されるセラミックスと金属の接合Ｖｃ＠Ｌ。
されるセラミックスと金属の接合Ｖｃ＠Ｌ。
て、この接合の為のインサート材の金属を蒸着に工って
セラミックス界面にコーティングする場合に適用できる
。また、セラミックス表面に導電性がある金属をコーテ
ィングした電気機器部品等にも応用できる。
セラミックス界面にコーティングする場合に適用できる
。また、セラミックス表面に導電性がある金属をコーテ
ィングした電気機器部品等にも応用できる。
本発明において、セラミックスの溶解が可能な酸トＬテ
ｆｌ、ＨＰ 、 ＨＣｔ、 ＨＮＯ，、ｕ、ｓｏ、等が
あげられ、ＨＯ２とＨＮＯ，とは混合して使用すること
ができる。
ｆｌ、ＨＰ 、 ＨＣｔ、 ＨＮＯ，、ｕ、ｓｏ、等が
あげられ、ＨＯ２とＨＮＯ，とは混合して使用すること
ができる。
また、本発明においてセラミックスの溶解が可能なアル
カリとしてはＮａＯＨ等があげられる。
カリとしてはＮａＯＨ等があげられる。
（実施例）
第１表に本発明の実施例を示す。表中において、セラミ
ックス基材の形状はコーテイング膜の密着性をみるため
、直径５箇、長さ２０ｍの丸棒のサンプルｉＡとし、角
度が５０°、６０°、９０ の三角形で厚さ５ｍの板を
サンプルＢとした。コーティング被膜の密着性はバレル
研摩（アルミナ球径３鱈１回転数１８０ ｒ、ｐ、ｍ、
処理時間１５分）にエフ剥離を生じたものを不良とし剥
離が生じないものを良とした。
ックス基材の形状はコーテイング膜の密着性をみるため
、直径５箇、長さ２０ｍの丸棒のサンプルｉＡとし、角
度が５０°、６０°、９０ の三角形で厚さ５ｍの板を
サンプルＢとした。コーティング被膜の密着性はバレル
研摩（アルミナ球径３鱈１回転数１８０ ｒ、ｐ、ｍ、
処理時間１５分）にエフ剥離を生じたものを不良とし剥
離が生じないものを良とした。
実施例１，２，７，１０，１５，１６．１７゜２５．２
６，２８，５１，５２．！５５など扛研摩した各種セラ
ミックス基材の界面へ直接各種金属を蒸着してコーティ
ングし九ものであり、このような場合、コーティング層
の厚さが２〜５μｍでコーティング層が剥離し、実用的
に信頼のおけるコーティング層が形成されていない。
６，２８，５１，５２．！５５など扛研摩した各種セラ
ミックス基材の界面へ直接各種金属を蒸着してコーティ
ングし九ものであり、このような場合、コーティング層
の厚さが２〜５μｍでコーティング層が剥離し、実用的
に信頼のおけるコーティング層が形成されていない。
一般に、コーティング層の厚さが薄い程、密着性は良好
になる傾向があり、このような従来法ではさらに薄い１
μｍ以下のコーティングの場合にしか適用できないと考
えられる。
になる傾向があり、このような従来法ではさらに薄い１
μｍ以下のコーティングの場合にしか適用できないと考
えられる。
その他の実褐例は本発明法によって形成したコーティン
グ層の密着性を示しているが、従来法に比較して厚膜コ
ーティングを実証している。
グ層の密着性を示しているが、従来法に比較して厚膜コ
ーティングを実証している。
またｉ１嚢の実施例Ｎｏ、 １８で用いたセラミックス
基材について、該セラミックスの焼成後の異面Ｆｉ第３
図の電子顕微鏡写真（２０００倍）のβのような無定形
の比較的粗い地肌が全域に形成されているが、これを＠
稼的研摩加工するとαのような条溝と、γのような平滑
な異面が形成される。この状態のものを第１宍の実施例
Ｎｏ、 １８の条件でエツチングすると、第４図の電子
顕微鏡写真（２０００倍）に示すよりに、条溝αとの段
差が小さくなり、表面全域に結晶の粒界δが現われる。
基材について、該セラミックスの焼成後の異面Ｆｉ第３
図の電子顕微鏡写真（２０００倍）のβのような無定形
の比較的粗い地肌が全域に形成されているが、これを＠
稼的研摩加工するとαのような条溝と、γのような平滑
な異面が形成される。この状態のものを第１宍の実施例
Ｎｏ、 １８の条件でエツチングすると、第４図の電子
顕微鏡写真（２０００倍）に示すよりに、条溝αとの段
差が小さくなり、表面全域に結晶の粒界δが現われる。
従って、エツチング後の表面は粗さ計では検出できない
第５図ω）の模式断面状態に示すような微細な凹凸が生
成する。
第５図ω）の模式断面状態に示すような微細な凹凸が生
成する。
このため、本発明のエツチング処理によれば、地異面積
が機械的研摩の状態よシ犬きく、″！穴活性な表面を呈
するのである。なお、第５図（Ａ）は模式異面状態を示
す図でちる。
が機械的研摩の状態よシ犬きく、″！穴活性な表面を呈
するのである。なお、第５図（Ａ）は模式異面状態を示
す図でちる。
（発明の効果）
以上の実施例から明らかなように、本発明は蒸着に関し
て、不活性なセラミックス基材の異面に寸法精度の劣化
を極めて微小にとどめるミクロ的なエツチングを施す手
段によシ、信頼性が高く、実用的な金属の蒸着によるコ
ーティングを行うことができる。
て、不活性なセラミックス基材の異面に寸法精度の劣化
を極めて微小にとどめるミクロ的なエツチングを施す手
段によシ、信頼性が高く、実用的な金属の蒸着によるコ
ーティングを行うことができる。
第１図（Ａ）、ＣＢ）は粗さ計によるセラミックス基材
界面のエツチング前（Ａ）後ＣＢ）の異面粗さを示す図
懺、第２図（Ａ）、 （Ｂ）は第１図（Ａ）、（Ｂ）の
一部拡大模式図である。第３図及び第４図はセラミック
ス基材界面のエツチング前（第５図）後（第４図）の界
面結晶状態を示す電子顕微鏡写真（２０００倍）、第５
図（Ａ）、■）は表面結晶状態の模式図で、第５図（Ａ
）が表面状態、第５図■）が断面状態を示している。 復代理人 内 １） 明 復代理人 萩 原 亮 − 第１図 （Ｂ） 第２図 （△）（Ｂ） 第３図 （Ｘ ２００す ２４図 （χ２ＱＱす （Ａ） （Ｂ）
界面のエツチング前（Ａ）後ＣＢ）の異面粗さを示す図
懺、第２図（Ａ）、 （Ｂ）は第１図（Ａ）、（Ｂ）の
一部拡大模式図である。第３図及び第４図はセラミック
ス基材界面のエツチング前（第５図）後（第４図）の界
面結晶状態を示す電子顕微鏡写真（２０００倍）、第５
図（Ａ）、■）は表面結晶状態の模式図で、第５図（Ａ
）が表面状態、第５図■）が断面状態を示している。 復代理人 内 １） 明 復代理人 萩 原 亮 − 第１図 （Ｂ） 第２図 （△）（Ｂ） 第３図 （Ｘ ２００す ２４図 （χ２ＱＱす （Ａ） （Ｂ）
Claims (1)
- セラミックス基材の表面をセラミックスの溶解が可能な
酸又はアルカリで微細にエッチングし、この表面に金属
、合金又はその金属の化合物を蒸着することを特徴とす
るセラミックス基材表面へのコーティング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9119085A JPS61251589A (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | セラミツクス基材表面へのコ−テイング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9119085A JPS61251589A (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | セラミツクス基材表面へのコ−テイング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61251589A true JPS61251589A (ja) | 1986-11-08 |
Family
ID=14019518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9119085A Pending JPS61251589A (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | セラミツクス基材表面へのコ−テイング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61251589A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002201070A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-16 | Kyocera Corp | 炭化珪素質焼結体及びその製造方法 |
| JP2013538464A (ja) * | 2010-09-16 | 2013-10-10 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 太陽電池及びその製造方法 |
| US9356172B2 (en) | 2010-09-16 | 2016-05-31 | Lg Innotek Co., Ltd. | Solar cell and method for manufacturing same |
-
1985
- 1985-04-30 JP JP9119085A patent/JPS61251589A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002201070A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-16 | Kyocera Corp | 炭化珪素質焼結体及びその製造方法 |
| JP2013538464A (ja) * | 2010-09-16 | 2013-10-10 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 太陽電池及びその製造方法 |
| US9356172B2 (en) | 2010-09-16 | 2016-05-31 | Lg Innotek Co., Ltd. | Solar cell and method for manufacturing same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4862318A (en) | Method of forming thin film terminations of low inductance ceramic capacitors and resultant article | |
| EP0198092A1 (en) | Surface-treated magnesium or its alloy, and process for the surface treatment | |
| EP0130063B1 (en) | Magnetic recording media | |
| US7645494B2 (en) | Pre-plating surface treatments for enhanced galvanic-corrosion resistance | |
| US4068022A (en) | Methods of strengthening bonds | |
| KR20000053385A (ko) | 스팟터링 타겟트 및 그 제조방법 | |
| JPS61251589A (ja) | セラミツクス基材表面へのコ−テイング方法 | |
| KR102046419B1 (ko) | 필름 저항의 적용을 위한 에어로졸 증착 공정을 통해 산화알루미늄과 구리 복합 필름의 접착 방법 | |
| JPH08144083A (ja) | 電子部品のメッキ後処理方法 | |
| Ross | Coatings for Video Discs | |
| JPS5918184A (ja) | セラミツクスのメタライズ方法 | |
| JPH1139937A (ja) | 導電性粒子 | |
| JPH01169367A (ja) | 微小電極抵抗測定用プローブ | |
| CN108029201B (zh) | 无压力银烧结的组装方法 | |
| JPS6270563A (ja) | セラミツクスのコ−テイング方法 | |
| WO1998058367A1 (en) | A multilayer hard drive disk and method to produce same | |
| JPS60212847A (ja) | ダイヤモンド部品 | |
| JPH0841660A (ja) | 樹脂被膜銅系金属板及びその製造方法 | |
| JP2000299514A (ja) | 電子部品及びその製造方法 | |
| JP2502040B2 (ja) | 磁気ディスクの製造方法 | |
| JPH05206098A (ja) | 金属多層膜を有するセラミックス基材のエッチング方法 | |
| Yang | Electrostatic adhesion testing of metallizations on silicon substrates | |
| JPH0355142Y2 (ja) | ||
| JPS6128636B2 (ja) | ||
| JPS60154331A (ja) | 磁気記録媒体 |