JPS60212847A - ダイヤモンド部品 - Google Patents
ダイヤモンド部品Info
- Publication number
- JPS60212847A JPS60212847A JP7021684A JP7021684A JPS60212847A JP S60212847 A JPS60212847 A JP S60212847A JP 7021684 A JP7021684 A JP 7021684A JP 7021684 A JP7021684 A JP 7021684A JP S60212847 A JPS60212847 A JP S60212847A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diamond
- film
- metal
- layer
- nitride
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C14/024—Deposition of sublayers, e.g. to promote adhesion of the coating
- C23C14/025—Metallic sublayers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は円盤状情報記録用体（以下ディスクと記す）に
再生針を接触せしめ、そＤ再生針より情報信号を再生す
る静電容量方式の円盤状情報記録再生装置用再生針に使
用して効果のある表■：て導電性被膜が強固に付着され
たダイヤモンド部品：で関するものである。
再生針を接触せしめ、そＤ再生針より情報信号を再生す
る静電容量方式の円盤状情報記録再生装置用再生針に使
用して効果のある表■：て導電性被膜が強固に付着され
たダイヤモンド部品：で関するものである。
従来例つ構成とその問題点
ダイヤモンド部品を円盤状情報記録再生装置用再生針に
使用する場合、記録再生ｒ度を来めるため、再生針先端
部：てお６４る導電性破摸○幅（寸微祉であり、例え：
・ず１μｍ程度であるっしかも再生針の先端部は、例え
ば９００ｒ、ｐ、ｍで回転するディスクと摺接するため
、導電性り膜はダイヤモンド表面との付着性に優れ、か
つ充分な機櫨的強度を有することが要求される。
使用する場合、記録再生ｒ度を来めるため、再生針先端
部：てお６４る導電性破摸○幅（寸微祉であり、例え：
・ず１μｍ程度であるっしかも再生針の先端部は、例え
ば９００ｒ、ｐ、ｍで回転するディスクと摺接するため
、導電性り膜はダイヤモンド表面との付着性に優れ、か
つ充分な機櫨的強度を有することが要求される。
従来、ダイヤモンド表面に一層からなる導電性被膜を例
えばスパッタ蒸発によって付着させてきた。例えば♀化
チタンを付着させると、機械的強度は強いけれども、被
膜が固いために被膜に発生する歪が大きく、ダイヤモン
ド表面との付着性が悪いという欠点を有する。この場合
、接着テープによっても導電性被膜がダイヤモンド表面
から剥離してし甘い、実用に供せない。そこで比較的ダ
イヤモンド表面になじみ易い例えばチタンを付着させる
と今度はチタンの機械的強度が充分でないため、対摩耗
性の点から円盤状情報配録再生装置用再生針には実用で
きない。
えばスパッタ蒸発によって付着させてきた。例えば♀化
チタンを付着させると、機械的強度は強いけれども、被
膜が固いために被膜に発生する歪が大きく、ダイヤモン
ド表面との付着性が悪いという欠点を有する。この場合
、接着テープによっても導電性被膜がダイヤモンド表面
から剥離してし甘い、実用に供せない。そこで比較的ダ
イヤモンド表面になじみ易い例えばチタンを付着させる
と今度はチタンの機械的強度が充分でないため、対摩耗
性の点から円盤状情報配録再生装置用再生針には実用で
きない。
発明の目的
本発明の目的は、これらの欠点を除去し、機械的強度の
大きな対摩耗性に優れた導電性被膜が、ダイヤモンド表
面に強固に付着した、新規なダイヤモンド部品を提供す
るものである。
大きな対摩耗性に優れた導電性被膜が、ダイヤモンド表
面に強固に付着した、新規なダイヤモンド部品を提供す
るものである。
発明の構成
本発明のダイヤモンド部品は、ダイヤモンドの表面の少
なくとも一部に金属層を付着し、その金属層の上に前記
金属の窒化物、炭化物、硅化物のいずれかの層を設けた
ものである。
なくとも一部に金属層を付着し、その金属層の上に前記
金属の窒化物、炭化物、硅化物のいずれかの層を設けた
ものである。
実施例の説明
第１図は本発明のダイヤモンド部品の一実施例の断面図
を示す。同図において本発明のダイヤモンド部品はダイ
ヤモンド基体１１．金属被膜１２及び前記金属の窒化物
、炭化物、硅化物のいずれかの被膜１３からなる。
を示す。同図において本発明のダイヤモンド部品はダイ
ヤモンド基体１１．金属被膜１２及び前記金属の窒化物
、炭化物、硅化物のいずれかの被膜１３からなる。
ダイヤモンド表面との付着性に優れしかも、層被膜とし
て付着させ、その後に機械的強度の大きな、前記金属の
窒化物、炭化物、硅化物のいずれかを第二層被膜として
付着させればよい。第一層被膜に用いる金属としてはＴ
ｉ 、Ｔａ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｗ。
て付着させ、その後に機械的強度の大きな、前記金属の
窒化物、炭化物、硅化物のいずれかを第二層被膜として
付着させればよい。第一層被膜に用いる金属としてはＴ
ｉ 、Ｔａ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｗ。
Ｚｒ、Ｃｒ、Ｎｉ等またはこれらの金属間の合金が最適
である。導電性被膜の厚さについて調べた結果、０．６
μｍから０．２μｍが最適範囲であり、０．２μｍを超
えるとダイヤモンド表面と導電性被膜の界面が剥離して
し捷い、一方０．０５μｍより薄い場合には導電性被膜
の抵抗値が経時変化をおこす場合があり、また再生針と
して使用した場合、情報信号の検出感度が低いことを確
認している。
である。導電性被膜の厚さについて調べた結果、０．６
μｍから０．２μｍが最適範囲であり、０．２μｍを超
えるとダイヤモンド表面と導電性被膜の界面が剥離して
し捷い、一方０．０５μｍより薄い場合には導電性被膜
の抵抗値が経時変化をおこす場合があり、また再生針と
して使用した場合、情報信号の検出感度が低いことを確
認している。
なおダイヤモンド表面と第一層被膜の間の付着力を更に
高めるためには、第一層被膜をダイヤモンド表面に付着
させる前にダイヤモンド表面を粗面にすればよい。本発
明者らは粗面の形状に最適範囲があることをみつけた。
高めるためには、第一層被膜をダイヤモンド表面に付着
させる前にダイヤモンド表面を粗面にすればよい。本発
明者らは粗面の形状に最適範囲があることをみつけた。
すなわち表面粗さは０．０１μｍから０．１μｍの範囲
が最適である。ダイヤモンド表面の表面粗さが０．１μ
ｍを超えると導電性被膜の付着力は急激に低下し、しか
もダイヤモンド表面の荒れが大きくなり再生針としての
実用性に欠ける。逆にダイヤモンド表面の表面粗さが０
．０１μｍより小さいと、粗面の効果がなくなり導電性
被膜の付着力は向上しない。
が最適である。ダイヤモンド表面の表面粗さが０．１μ
ｍを超えると導電性被膜の付着力は急激に低下し、しか
もダイヤモンド表面の荒れが大きくなり再生針としての
実用性に欠ける。逆にダイヤモンド表面の表面粗さが０
．０１μｍより小さいと、粗面の効果がなくなり導電性
被膜の付着力は向上しない。
前記ダイヤモンド部品は、たとえばスパッタ蒸発にて形
成できる。第２図はスパッタ装置の主要部を示し、同図
を用いてその製造過程の説明を行う。真空槽２１内を高
真空、例えば９ ｘ １０”−’ Ｔｏｒ ｒまで真空
排気する。ダイヤモンド部品２２はあらかじめホールダ
２３上に配置されている。真空排気後翼空槽２１内に例
えばアルゴンガスを例えば４ｘ１０−’Ｔｏｒｒ導入し
、主電極２５に、負の高電圧例えば１．ｏｏｏＶを電源
２４を通じて印加しプラズマ放電を発生させる。生霊ｆ
ｉ２５の表面には、あらかじめ第一層杉膜の金属２６（
以下ターゲットと記す）例えばＴｉ を配置しておく。
成できる。第２図はスパッタ装置の主要部を示し、同図
を用いてその製造過程の説明を行う。真空槽２１内を高
真空、例えば９ ｘ １０”−’ Ｔｏｒ ｒまで真空
排気する。ダイヤモンド部品２２はあらかじめホールダ
２３上に配置されている。真空排気後翼空槽２１内に例
えばアルゴンガスを例えば４ｘ１０−’Ｔｏｒｒ導入し
、主電極２５に、負の高電圧例えば１．ｏｏｏＶを電源
２４を通じて印加しプラズマ放電を発生させる。生霊ｆ
ｉ２５の表面には、あらかじめ第一層杉膜の金属２６（
以下ターゲットと記す）例えばＴｉ を配置しておく。
そうするとアルゴンイオンがターゲット２６に衝突し、
ターゲット２６の分子がスパッタ蒸発してダイヤモンド
部品２２の表面に付着し、第一層被膜が形成される。そ
の状態で新たに例えば窒素ガスを例えば３ｘ１０ Ｔｏ
ｒｒ程度導入するといわれる反応性スパッタが進行し、
Ｔｉ の窒化物であるところ０ＴｉＮが、ダイヤモンド
部品２２の表面に付着し、第二層導電性被膜が形成され
る。
ターゲット２６の分子がスパッタ蒸発してダイヤモンド
部品２２の表面に付着し、第一層被膜が形成される。そ
の状態で新たに例えば窒素ガスを例えば３ｘ１０ Ｔｏ
ｒｒ程度導入するといわれる反応性スパッタが進行し、
Ｔｉ の窒化物であるところ０ＴｉＮが、ダイヤモンド
部品２２の表面に付着し、第二層導電性被膜が形成され
る。
次にダイヤモンド表面と第一層被膜の間の付着力を更に
高めるためてダイヤモンド表面を粗面にする実施例の説
明をする。真空槽内のホールダ２３に電源２４を通じて
負の高電圧例えば１．ｏｏｏｖを印加する。この時真空
槽内に酸素ガスを例え：ず３ｘ１０ Ｔｏｒｒ導入して
、プラズマ放電を発生させる。
高めるためてダイヤモンド表面を粗面にする実施例の説
明をする。真空槽内のホールダ２３に電源２４を通じて
負の高電圧例えば１．ｏｏｏｖを印加する。この時真空
槽内に酸素ガスを例え：ず３ｘ１０ Ｔｏｒｒ導入して
、プラズマ放電を発生させる。
このプラズマ放電によって酸素イオンはダイヤモンド部
品２２に衝突し、ダイヤモンド表面をいわゆるスパッタ
エツチングし、粗面が形成される。
品２２に衝突し、ダイヤモンド表面をいわゆるスパッタ
エツチングし、粗面が形成される。
発明の効果
本発明のダイヤモンド部品の導電性被膜の付着力は５
Ｋｙ／讐以上で、これは通常の接着材例えばエポキシ接
着剤より強固である。また本発明のダイヤモンド部品を
再生針として実用した場合、再生針先端の導電性被膜の
幅が０．５μｍ程度でも再生時における、被膜の剥離は
皆無であり、機械的強度も充分で対摩耗性の点からも満
足できる被膜である。
Ｋｙ／讐以上で、これは通常の接着材例えばエポキシ接
着剤より強固である。また本発明のダイヤモンド部品を
再生針として実用した場合、再生針先端の導電性被膜の
幅が０．５μｍ程度でも再生時における、被膜の剥離は
皆無であり、機械的強度も充分で対摩耗性の点からも満
足できる被膜である。
以上に述べたように、本発明は、ダイヤモンド表面に導
電性被膜を強固に形成するのにきわめて有効である。
電性被膜を強固に形成するのにきわめて有効である。
第１図は本発明のダイヤモンド部品の基本的な構成を示
す断面図、第２図はスパッタ装置の主要構造を説明する
図。 １１・・・・・・ダイヤモンド基体、１２・・・・・・
金属被膜、１３・・・・・・１２の金属の窒化物、炭化
物、硅化物のいずれかの被膜、２１・・・・・・真空槽
、２２・・・・・ダイヤモンド部品、２３・・・ホルダ
、２４・・・・・電源、２６・・・山土電極、２６・・
・ターゲット。
す断面図、第２図はスパッタ装置の主要構造を説明する
図。 １１・・・・・・ダイヤモンド基体、１２・・・・・・
金属被膜、１３・・・・・・１２の金属の窒化物、炭化
物、硅化物のいずれかの被膜、２１・・・・・・真空槽
、２２・・・・・ダイヤモンド部品、２３・・・ホルダ
、２４・・・・・電源、２６・・・山土電極、２６・・
・ターゲット。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）ダイヤモンドの表面の少なくとも一部に付着さハ
た金属層とその金属層上に設けられた前記金属の窒化物
、炭化物、硅化物のいずれかの層の二層より導電性被膜
を形成したダイヤモンド部品。 （２ン 金属が、Ｔｉ 、Ｔａ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｗ、Ｚｒ
、Ｃｒ、Ｎｉの１つ箇たはこれらの金属間の合金から成
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の夕”イ
ギモンド部品。 （３）導電性被膜の厚さが、０．０５μｍから０ 、２
ｌｔ ｍの範囲にあることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載のダイヤモンド部品。 （４）金属層の設けられるダイヤモンド表面の少なくと
も一部を粗面にしたことを特徴とする特許請求の範囲第
１項に記載のダイヤモンド部品。 （５）粗面の表面粗さが０．０１μｍから０．１μｍの
範囲にしたことを特徴とする特許請求の範囲第４項記載
のダイヤモンド部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7021684A JPS60212847A (ja) | 1984-04-09 | 1984-04-09 | ダイヤモンド部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7021684A JPS60212847A (ja) | 1984-04-09 | 1984-04-09 | ダイヤモンド部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60212847A true JPS60212847A (ja) | 1985-10-25 |
Family
ID=13425114
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7021684A Pending JPS60212847A (ja) | 1984-04-09 | 1984-04-09 | ダイヤモンド部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60212847A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0518879A1 (en) * | 1990-03-09 | 1992-12-23 | Kennametal Inc. | Physical vapor deposition of titanium nitride on a nonconductive substrate |
| US5314652A (en) * | 1992-11-10 | 1994-05-24 | Norton Company | Method for making free-standing diamond film |
| US5527559A (en) * | 1994-07-18 | 1996-06-18 | Saint Gobain/Norton Industrial Ceramics Corp. | Method of depositing a diamond film on a graphite substrate |
| US5858181A (en) * | 1990-03-09 | 1999-01-12 | Kennametal Inc. | Physical vapor deposition of titanium nitride on a nonconductive substrate |
-
1984
- 1984-04-09 JP JP7021684A patent/JPS60212847A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0518879A1 (en) * | 1990-03-09 | 1992-12-23 | Kennametal Inc. | Physical vapor deposition of titanium nitride on a nonconductive substrate |
| US5858181A (en) * | 1990-03-09 | 1999-01-12 | Kennametal Inc. | Physical vapor deposition of titanium nitride on a nonconductive substrate |
| US5314652A (en) * | 1992-11-10 | 1994-05-24 | Norton Company | Method for making free-standing diamond film |
| US5527559A (en) * | 1994-07-18 | 1996-06-18 | Saint Gobain/Norton Industrial Ceramics Corp. | Method of depositing a diamond film on a graphite substrate |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3984907A (en) | Adherence of metal films to polymeric materials | |
| US4411963A (en) | Thin film recording and method of making | |
| USRE32464E (en) | Thin film recording and method of making | |
| JP3737291B2 (ja) | ダイヤモンドライクカーボン硬質多層膜成形体 | |
| US4277540A (en) | Thin film magnetic recording medium | |
| JPS59103216A (ja) | 電気接点 | |
| JPS60221565A (ja) | ダイヤモンド部品およびその製造方法 | |
| JPS60212847A (ja) | ダイヤモンド部品 | |
| US4056457A (en) | Method of depositing low stress hafnium thin films | |
| JPH0480448B2 (ja) | ||
| EP0052373B1 (en) | Method of manufacturing a pickup stylus | |
| JP2004238696A (ja) | Ｄｌｃコーティング膜 | |
| WO1982004158A1 (en) | Magnetic recording medium | |
| JP2002146523A (ja) | スパッタリングターゲットとそれを用いたスパッタリング装置 | |
| JPS6058200B2 (ja) | ダイヤモンド部品の製造方法 | |
| JPS61210521A (ja) | 磁気デイスクの製造方法 | |
| JPH01138610A (ja) | 磁気ディスク | |
| JPS61183200A (ja) | ダイヤモンド部品 | |
| JP2785650B2 (ja) | 磁気ヘッドスライダ用保護層 | |
| JPS61215294A (ja) | ダイヤモンド部品の製造方法 | |
| JPS58110495A (ja) | ダイヤモンドメツキ法 | |
| JPS6128636B2 (ja) | ||
| CN117144318A (zh) | 一种常温磁控溅射金薄膜的方法 | |
| JP2530694B2 (ja) | 光学記録ディスク用反射膜の製造方法 | |
| JPS6270563A (ja) | セラミツクスのコ−テイング方法 |