JP2530694B2 - 光学記録ディスク用反射膜の製造方法 - Google Patents
光学記録ディスク用反射膜の製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 本発明は、光学記録ディスク用反射膜の製造方法に関
し、さらに詳しくは、イオンプレーティング法によりデ
ィスク基板上に該基板との密着性に優れた反射膜を形成
しうるような光学記録ディスク用反射膜の製造方法に関
する。
し、さらに詳しくは、イオンプレーティング法によりデ
ィスク基板上に該基板との密着性に優れた反射膜を形成
しうるような光学記録ディスク用反射膜の製造方法に関
する。
発明の技術的背景ならびにその問題点 コンパクトディスク、レーザーディスクあるいは書込
み可能な光学記録媒体は、通常、反射膜を有しており、
このような反射膜は、従来、真空蒸着法、イオンプレー
ティング法、スパッタ法などにより製造されてきた。こ
のうち真空蒸着法は、基板と反射膜との密着強度が小さ
いという問題点があった。
み可能な光学記録媒体は、通常、反射膜を有しており、
このような反射膜は、従来、真空蒸着法、イオンプレー
ティング法、スパッタ法などにより製造されてきた。こ
のうち真空蒸着法は、基板と反射膜との密着強度が小さ
いという問題点があった。
このような真空蒸着法の問題点を解決して、基板との
密着性に優れた反射膜を得るため、基板に直流電圧を印
加し、10-1torr程度の真空度で放電を発生させて蒸発粒
子をイオン化させながら成膜を行なう直流イオンプレー
ティング法が開発されている。また蒸発源と基板との間
に高周波電圧を印加したコイルを設け、蒸発粒子をイオ
ン化させながら成膜を行なう高周波イオンプレーティン
グ法が開発されている。このような直流イオンプレーテ
ィング法あるいは高周波イオンプレーティング法によれ
ば、蒸発粒子はイオン化されているため、イオン化され
ていない蒸発粒子よりも基板上へ強く衝突し、基板に密
着強度に優れた反射膜を形成することができる。
密着性に優れた反射膜を得るため、基板に直流電圧を印
加し、10-1torr程度の真空度で放電を発生させて蒸発粒
子をイオン化させながら成膜を行なう直流イオンプレー
ティング法が開発されている。また蒸発源と基板との間
に高周波電圧を印加したコイルを設け、蒸発粒子をイオ
ン化させながら成膜を行なう高周波イオンプレーティン
グ法が開発されている。このような直流イオンプレーテ
ィング法あるいは高周波イオンプレーティング法によれ
ば、蒸発粒子はイオン化されているため、イオン化され
ていない蒸発粒子よりも基板上へ強く衝突し、基板に密
着強度に優れた反射膜を形成することができる。
しかしながら、さらに基板との密着強度に優れた反射
膜を形成しうるような光学記録ディスク用反射膜の製造
方法の出現が望まれていた。
膜を形成しうるような光学記録ディスク用反射膜の製造
方法の出現が望まれていた。
なお、スパッタ法によれば、基板との密着性に優れた
反射膜を形成しうることが知られているが、スパッタ法
は、真空蒸着法あるいはイオンプレーティング法と比較
して成膜速度が小さいという問題点があった。
反射膜を形成しうることが知られているが、スパッタ法
は、真空蒸着法あるいはイオンプレーティング法と比較
して成膜速度が小さいという問題点があった。
発明の目的 本発明は、上記のような従来技術における問題点を解
決しようとするものであって、基板との密着強度に優れ
た反射膜を大きな成膜速度で形成しうるような光学記録
ディスク用反射膜の製造方法を提供することを目的とし
ている。
決しようとするものであって、基板との密着強度に優れ
た反射膜を大きな成膜速度で形成しうるような光学記録
ディスク用反射膜の製造方法を提供することを目的とし
ている。
発明の概要 本発明に係る光学記録ディスク用反射膜の製造方法
は、酸素含有雰囲気中で、真空槽内を３×10-5〜2.6×1
0-4torrに保ちながら、基板部に高周波電圧を印加して
基板部に生ずる直流電圧VDCを0.2〜8KVの範囲にして放
電させ、イオンプレーティング法によって反射膜をディ
スク上に被着させることを特徴としている。
は、酸素含有雰囲気中で、真空槽内を３×10-5〜2.6×1
0-4torrに保ちながら、基板部に高周波電圧を印加して
基板部に生ずる直流電圧VDCを0.2〜8KVの範囲にして放
電させ、イオンプレーティング法によって反射膜をディ
スク上に被着させることを特徴としている。
本発明によれば、ディスク基板に反射膜を成膜させる
に際して、酸素含有雰囲気中で、真空槽内を３×10-5〜
2.6×10-4torrに保ちながら基板部に高周波電圧を印加
して基板部に生ずる直流電圧VDCを0.2〜8KVの範囲にし
て放電させてイオンプレーティング法によって反射膜を
ディスク上に被着させているため、基板との密着強度に
優れた反射膜を大きな成膜速度でディスク基板上に被着
させることができる。
に際して、酸素含有雰囲気中で、真空槽内を３×10-5〜
2.6×10-4torrに保ちながら基板部に高周波電圧を印加
して基板部に生ずる直流電圧VDCを0.2〜8KVの範囲にし
て放電させてイオンプレーティング法によって反射膜を
ディスク上に被着させているため、基板との密着強度に
優れた反射膜を大きな成膜速度でディスク基板上に被着
させることができる。
発明の具体的説明 以下本発明に係る光学記録ディスク用反射膜の製造方
法について、具体的に説明する。
法について、具体的に説明する。
本発明では、酸素含有雰囲気中で、真空槽内を３×10
-5〜2.6×10-4torrに保ちながら、基板部に高周波電圧
を印加して基板部に生ずる直流電圧VDCを0.2〜8KVの範
囲にして放電させ、イオンプレーティング法によって反
射膜をディスク上に被着させることによって、光学記録
ディスク用反射膜を製造しているが、以下に本発明に係
る薄膜形成方法について、図面を参照しながら説明す
る。
-5〜2.6×10-4torrに保ちながら、基板部に高周波電圧
を印加して基板部に生ずる直流電圧VDCを0.2〜8KVの範
囲にして放電させ、イオンプレーティング法によって反
射膜をディスク上に被着させることによって、光学記録
ディスク用反射膜を製造しているが、以下に本発明に係
る薄膜形成方法について、図面を参照しながら説明す
る。
第１図には、光学記録ディスク用反射膜を製造する際
に用いられるイオンプレーティング装置を示すが、この
イオンプレーティング装置１では、真空槽２の内部上方
に、基板支持部３が設けられており、この基板支持部３
には、薄膜が被着される基板４が取付けられている。ま
た真空槽２の内部下方には、加熱源５が設けられてお
り、この加熱源５の中央部には蒸着材料６が保持されて
いる。
に用いられるイオンプレーティング装置を示すが、この
イオンプレーティング装置１では、真空槽２の内部上方
に、基板支持部３が設けられており、この基板支持部３
には、薄膜が被着される基板４が取付けられている。ま
た真空槽２の内部下方には、加熱源５が設けられてお
り、この加熱源５の中央部には蒸着材料６が保持されて
いる。
本発明では、このような基板支持部３に高周波電源７
が接続されて、基板支持部３および基板４に高周波電圧
を印加できるようになっている。
が接続されて、基板支持部３および基板４に高周波電圧
を印加できるようになっている。
ここで本明細書では、基板部とは、基板支持部３と基
板４との両者あるいはこのいずれか一方を意味してい
る。
板４との両者あるいはこのいずれか一方を意味してい
る。
なお第１図には、本発明に係る薄膜形成方法で用いら
れる装置の一例を示すが、本発明では第１図に示す装置
以外の装置を用いることができることは云うまでもな
い。
れる装置の一例を示すが、本発明では第１図に示す装置
以外の装置を用いることができることは云うまでもな
い。
上記のようなイオンプレーティング方法においては、
成膜時には、３×10-5〜2.6×10-4torr好ましくは３×1
0-5〜2.0×10-4torrの真空度であることが望ましい。こ
の真空度は、反射膜形成部近傍での値であり、反射膜形
成部近傍とは、放電領域から直線距離で10〜100cm離れ
た領域を意味し、またこれらの間には排気抵抗の大きな
遮蔽物が介在していないものとする。
成膜時には、３×10-5〜2.6×10-4torr好ましくは３×1
0-5〜2.0×10-4torrの真空度であることが望ましい。こ
の真空度は、反射膜形成部近傍での値であり、反射膜形
成部近傍とは、放電領域から直線距離で10〜100cm離れ
た領域を意味し、またこれらの間には排気抵抗の大きな
遮蔽物が介在していないものとする。
本発明では、上記のような真空条件下で基板４に高周
波電圧が印加され、真空槽２内で放電が生ずる。この際
真空槽２には、酸素含有ガスが存在している。この酸素
含有雰囲気中の酸素濃度は、5.0〜100容量％好ましくは
10〜100容量％であることが望ましい。
波電圧が印加され、真空槽２内で放電が生ずる。この際
真空槽２には、酸素含有ガスが存在している。この酸素
含有雰囲気中の酸素濃度は、5.0〜100容量％好ましくは
10〜100容量％であることが望ましい。
本発明では、高周波電圧とは、100KHz以上の周波数を
有する電圧を意味し、この高周波電圧はマッチングボッ
クス（図示せず）を経て基板４に直接印加してもよく、
また基板支持部３に印加してもよい。本発明では、上記
のような高周波電圧だけを基板部に印加してもよく、ま
た高周波電圧を直流電圧に重畳させながら基板部に印加
してもよい。
有する電圧を意味し、この高周波電圧はマッチングボッ
クス（図示せず）を経て基板４に直接印加してもよく、
また基板支持部３に印加してもよい。本発明では、上記
のような高周波電圧だけを基板部に印加してもよく、ま
た高周波電圧を直流電圧に重畳させながら基板部に印加
してもよい。
本発明では、上記のように高周波電圧を単独であるい
は直流電圧に重畳させて基板部に印加するが、基板部に
高周波電圧を印加すると放電が生ずる。そしてこの際基
板部に生ずる直流成分の電圧すなわち直流電圧VDCが0.2
〜8KV好ましくは0.4〜8KVさらに好ましくは1.0〜8KVの
範囲となるようにする。この直流電圧VDCは、高周波電
圧のみを印加した場合であっても、また高周波電圧を直
流電圧に重畳させて印加した場合であっても、上記の範
囲であることが必要である。
は直流電圧に重畳させて基板部に印加するが、基板部に
高周波電圧を印加すると放電が生ずる。そしてこの際基
板部に生ずる直流成分の電圧すなわち直流電圧VDCが0.2
〜8KV好ましくは0.4〜8KVさらに好ましくは1.0〜8KVの
範囲となるようにする。この直流電圧VDCは、高周波電
圧のみを印加した場合であっても、また高周波電圧を直
流電圧に重畳させて印加した場合であっても、上記の範
囲であることが必要である。
基板部に誘起される直流電圧が0.2KV未満であると、
放電の安定性が保てなくなるばかりか、基板への蒸発粒
子の衝突エネルギーが小さくなり、安定性および密着性
に優れた薄膜が得られないため好ましくなく、一方8KV
を超えると、基板の熱損傷が大きくなるため好ましくな
い。
放電の安定性が保てなくなるばかりか、基板への蒸発粒
子の衝突エネルギーが小さくなり、安定性および密着性
に優れた薄膜が得られないため好ましくなく、一方8KV
を超えると、基板の熱損傷が大きくなるため好ましくな
い。
このようにディスク基板上に反射膜をイオンプレーテ
ィング法により被着させるに際して、雰囲気を酸素含有
雰囲気とし、反射膜形成部近傍での真空度を３×10-5〜
2.6×10-4torr程度とするとともに、基板部に高周波電
圧を印加して基板部に生ずる直流電圧VDCを0.2〜8KVの
範囲にして放電させながら基板上に反射膜を被着させる
と、ディスク基板との密着性に優れた反射膜を該基板上
に被着させることができる。この際反射膜形成部近傍で
の真空度は2.6×10-4torr以下とされているため、反射
膜が酸化などによって劣化することがなく、たとえばア
ルゴン雰囲気中でディスク基板に反射膜を被着させる場
合よりも、基板との密着性に優れた反射膜が得られる。
ィング法により被着させるに際して、雰囲気を酸素含有
雰囲気とし、反射膜形成部近傍での真空度を３×10-5〜
2.6×10-4torr程度とするとともに、基板部に高周波電
圧を印加して基板部に生ずる直流電圧VDCを0.2〜8KVの
範囲にして放電させながら基板上に反射膜を被着させる
と、ディスク基板との密着性に優れた反射膜を該基板上
に被着させることができる。この際反射膜形成部近傍で
の真空度は2.6×10-4torr以下とされているため、反射
膜が酸化などによって劣化することがなく、たとえばア
ルゴン雰囲気中でディスク基板に反射膜を被着させる場
合よりも、基板との密着性に優れた反射膜が得られる。
これに対して、従来のイオンプレーティング法では、
放電は4.0×10-4torr程度以上の真空度で行なわれてい
るため、酸素含有雰囲気下で反射膜をディスク基板上に
成膜すると、反射膜は酸化されて劣化が著しくなってし
まう。
放電は4.0×10-4torr程度以上の真空度で行なわれてい
るため、酸素含有雰囲気下で反射膜をディスク基板上に
成膜すると、反射膜は酸化されて劣化が著しくなってし
まう。
上記のように本発明によって酸素含有雰囲気下で反射
膜をディスク基板上に被着させると、ディスク基板がプ
ラズマ中で酸素と反応して蒸着粒子と結合しやすい表面
状態となり、反射膜と基板との密着強度を向上させるこ
とができると考えられる。
膜をディスク基板上に被着させると、ディスク基板がプ
ラズマ中で酸素と反応して蒸着粒子と結合しやすい表面
状態となり、反射膜と基板との密着強度を向上させるこ
とができると考えられる。
本発明では、基板４は、金属、ガラスなどの無機材料
であってもよく、またプラスチックなどの有機材料であ
ってもよい。
であってもよく、またプラスチックなどの有機材料であ
ってもよい。
基板４上に成膜される反射膜としては、具体的には、
Au、Al、Ni、Cr、Pt、Pd、Cuあるいはこれらの合金など
が用いられる。
Au、Al、Ni、Cr、Pt、Pd、Cuあるいはこれらの合金など
が用いられる。
発明の効果 本発明によれば、ディスク基板に反射膜を成膜させる
に際して、酸素含有雰囲気中で、真空槽内を３×10-5〜
2.6×10-4torrに保ちながら基板部に高周波電圧を印加
して基板部に生ずる直流電圧VDCを0.2〜8KVの範囲にし
て放電させてイオンプレーティング法によって反射膜を
ディスク上に被着させているため、基板との密着強度に
優れた反射膜を大きな成膜速度で被着させることができ
る。
に際して、酸素含有雰囲気中で、真空槽内を３×10-5〜
2.6×10-4torrに保ちながら基板部に高周波電圧を印加
して基板部に生ずる直流電圧VDCを0.2〜8KVの範囲にし
て放電させてイオンプレーティング法によって反射膜を
ディスク上に被着させているため、基板との密着強度に
優れた反射膜を大きな成膜速度で被着させることができ
る。
以下本発明を実施例により説明するが、本発明はこれ
ら実施例に限定されるものではない。
ら実施例に限定されるものではない。
実施例１ 厚さ1.1mm、120φのポリカーボート基板を真空槽内に
取付けるとともに、蒸着源としてのAuを蒸着ボート内に
載置した。次いで真空槽を真空度３×10-6torrまで排気
し、次いで酸素ガスを６×10-5torrまで導入した。
取付けるとともに、蒸着源としてのAuを蒸着ボート内に
載置した。次いで真空槽を真空度３×10-6torrまで排気
し、次いで酸素ガスを６×10-5torrまで導入した。
このような基板に、13.56MHzの高周波電圧を、VDCが
2.0KVとなるように印加して放電させ、Au膜を600Åの膜
厚で基板上に形成した。
2.0KVとなるように印加して放電させ、Au膜を600Åの膜
厚で基板上に形成した。
このようにして基板上に成膜したAu膜の剥離強度を、
第２図に示すような装置を用いて測定した。すなわち第
２図では、基板４は支持台８に接着剤層９を介して固着
され、接着強度測定棒10は接着剤層９を介してAu膜11に
接着され、この接着強度測定棒10を上方に引上げてＵ−
ゲージにより、Au膜の剥離強度を測定した。
第２図に示すような装置を用いて測定した。すなわち第
２図では、基板４は支持台８に接着剤層９を介して固着
され、接着強度測定棒10は接着剤層９を介してAu膜11に
接着され、この接着強度測定棒10を上方に引上げてＵ−
ゲージにより、Au膜の剥離強度を測定した。
結果を表１に示す。
実施例２ 実施例１において、真空槽の真空度を2.5×10-6torr
まで排気し、次いで空気を8.5×10-5torrまで導入し、1
3.56MHzの高周波電圧を直流電圧と重畳させて基板に印
加し、VDCを2.5KVとなるようにして、Al膜を600Åの膜
厚で形成した以外は、実施例１と同様にした。
まで排気し、次いで空気を8.5×10-5torrまで導入し、1
3.56MHzの高周波電圧を直流電圧と重畳させて基板に印
加し、VDCを2.5KVとなるようにして、Al膜を600Åの膜
厚で形成した以外は、実施例１と同様にした。
結果を表１に示す。
比較例１ 実施例１において、真空槽を2.5×10-6torrまで排気
し、アルゴンガスを7.5×10-5torrになるまで導入し、1
3.56MHzの高周波電圧と直流電圧とを重畳させて印加
し、VDCを2.5KVとなるようにして放電させた以外は、実
施例１と同様にして、Au膜を600Åの膜厚で形成した。
し、アルゴンガスを7.5×10-5torrになるまで導入し、1
3.56MHzの高周波電圧と直流電圧とを重畳させて印加
し、VDCを2.5KVとなるようにして放電させた以外は、実
施例１と同様にして、Au膜を600Åの膜厚で形成した。
このようにして形成されたAu膜の剥離強度を実施例１
と同様にして測定した。
と同様にして測定した。
結果を表１に示す。
比較例２ 実施例１において、真空槽を2.5×10-6torrまで排気
した後、基板に高周波電圧を印加することなく、この真
空度で真空蒸着法によってAu膜を基板上に600Åの膜厚
で形成した以外は、実施例１と同様にした。
した後、基板に高周波電圧を印加することなく、この真
空度で真空蒸着法によってAu膜を基板上に600Åの膜厚
で形成した以外は、実施例１と同様にした。
このようにして形成されたAu膜の剥離強度を実施例１
と同様にして測定した。
と同様にして測定した。
結果を表１に示す。
表１において、実施例２および比較例１〜２の剥離強
度は、実施例１の剥離強度を100とした場合の相対値で
ある。
度は、実施例１の剥離強度を100とした場合の相対値で
ある。
第１図は、本発明に係る薄膜形成方法に用いる装置であ
り、第２図は、薄膜の基板への密着強度を測定する方法
を説明する図である。 １……イオンプレーティング装置 ２……真空槽、３……基板支持部 ４……基板、５……加熱源 ６……蒸着材料、７……高周波電源 11……薄膜
り、第２図は、薄膜の基板への密着強度を測定する方法
を説明する図である。 １……イオンプレーティング装置 ２……真空槽、３……基板支持部 ４……基板、５……加熱源 ６……蒸着材料、７……高周波電源 11……薄膜
Claims (2)
- 【請求項１】酸素含有雰囲気中で、真空槽内を３×10-5
〜2.6×10-4torrに保ちながら、基板部に高周波電圧を
印加して基板部に生ずる直流電圧VDCを0.2〜8KVの範囲
にして放電させ、イオンプレーティング法によって反射
膜をディスク上に被着させることを特徴とする、光学記
録ディスク用反射膜の製造方法。 - 【請求項２】酸素含有雰囲気中の酸素濃度が、5.0〜100
容量％である請求項第１項に記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63245375A JP2530694B2 (ja) | 1988-09-29 | 1988-09-29 | 光学記録ディスク用反射膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63245375A JP2530694B2 (ja) | 1988-09-29 | 1988-09-29 | 光学記録ディスク用反射膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0294042A JPH0294042A (ja) | 1990-04-04 |
| JP2530694B2 true JP2530694B2 (ja) | 1996-09-04 |
Family
ID=17132726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63245375A Expired - Lifetime JP2530694B2 (ja) | 1988-09-29 | 1988-09-29 | 光学記録ディスク用反射膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2530694B2 (ja) |
-
1988
- 1988-09-29 JP JP63245375A patent/JP2530694B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0294042A (ja) | 1990-04-04 |
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