JP3364692B2 - 電磁波シールド用成膜方法と装置 - Google Patents
電磁波シールド用成膜方法と装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、デジタル機器等から発
生する電磁波からCPU などの電子機器を防護するために
該電子機器に電磁波シールド用の膜を形成する方法と装
置に関する。
生する電磁波からCPU などの電子機器を防護するために
該電子機器に電磁波シールド用の膜を形成する方法と装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体デバイス等の基体主にコン
ピューター用基体、透明なプラスチック容器等に電磁波
シールド用の薄膜を形成することは行なわれており、そ
の装置の一例を図１に示す。同図示の装置は、Arガス等
の不活性ガスや空気を導入するガス導入口ｂと真空ポン
プに接続された真空排気口ｃを有する真空室ａと、基体
ｅを取付けるための電動機ｋにより該真空室ａ内で回転
された基体取付治具ｄと、該真空室ａ内の下方に設けた
電磁波シールド用材料ｆを収めた蒸発源ｇと、該蒸発源
ｇと基体ｅとの間にボンバード用DC電源ｈによりグロー
放電を発生するDCコイルのボンバード機構ｉとで構成さ
れる。ｊは該蒸発源ｇの蒸発用電源である。
ピューター用基体、透明なプラスチック容器等に電磁波
シールド用の薄膜を形成することは行なわれており、そ
の装置の一例を図１に示す。同図示の装置は、Arガス等
の不活性ガスや空気を導入するガス導入口ｂと真空ポン
プに接続された真空排気口ｃを有する真空室ａと、基体
ｅを取付けるための電動機ｋにより該真空室ａ内で回転
された基体取付治具ｄと、該真空室ａ内の下方に設けた
電磁波シールド用材料ｆを収めた蒸発源ｇと、該蒸発源
ｇと基体ｅとの間にボンバード用DC電源ｈによりグロー
放電を発生するDCコイルのボンバード機構ｉとで構成さ
れる。ｊは該蒸発源ｇの蒸発用電源である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】図１に示した装置で電
磁波シールド膜を基体ｅに成膜する場合、真空室ａ内を
１０- 4〜１０- 5Torrの高真空に排気してから、ガス導
入口ｂを開いてArガス等を室内に導入し、該真空室ａ内
を１０- 1〜１０- 2Torrに圧力調整する。そして基体取
付治具ｄを回転させながらボンバード機構ｉにその電源
ｈから数kvのDC電圧を供給し、発生するグロー放電によ
り基体ｅをクリーニングする。この後、ガス導入口を閉
じ、ボンバード用の電源ｈを切り、真空室ａ内を再び１
０- 4〜１０- 5Torrの高真空に排気し、蒸発用電源ｊを
入れて蒸発源ｇからAl等の電磁波シールド用材料ｆを蒸
発させ、基体ｅに電磁波シールド用の金属膜を堆積させ
ている。
磁波シールド膜を基体ｅに成膜する場合、真空室ａ内を
１０- 4〜１０- 5Torrの高真空に排気してから、ガス導
入口ｂを開いてArガス等を室内に導入し、該真空室ａ内
を１０- 1〜１０- 2Torrに圧力調整する。そして基体取
付治具ｄを回転させながらボンバード機構ｉにその電源
ｈから数kvのDC電圧を供給し、発生するグロー放電によ
り基体ｅをクリーニングする。この後、ガス導入口を閉
じ、ボンバード用の電源ｈを切り、真空室ａ内を再び１
０- 4〜１０- 5Torrの高真空に排気し、蒸発用電源ｊを
入れて蒸発源ｇからAl等の電磁波シールド用材料ｆを蒸
発させ、基体ｅに電磁波シールド用の金属膜を堆積させ
ている。
【０００４】この図１の装置では、基体ｅのクリーニン
グにDC電源によるボンバード機構ｉを使用しているの
で、クリーニング時と成膜時では作動圧力（１０- 4Tor
r前後ではグロー放電が発生せず、クリーニングを行な
えない）が異なり、そのため圧力調整に時間が掛って作
業効率が悪く、基体ｅに堆積する膜は単純蒸着状態の膜
で密着性が低く剥がれやすい不都合があった。密着性を
向上させるために基体ｅに直流電圧を印加して発生した
イオンを基体ｅに引くことも行なわれているが、そのた
めの電源や治具に複雑な絶縁機構を必要として装置構成
が複雑化する欠点がある。
グにDC電源によるボンバード機構ｉを使用しているの
で、クリーニング時と成膜時では作動圧力（１０- 4Tor
r前後ではグロー放電が発生せず、クリーニングを行な
えない）が異なり、そのため圧力調整に時間が掛って作
業効率が悪く、基体ｅに堆積する膜は単純蒸着状態の膜
で密着性が低く剥がれやすい不都合があった。密着性を
向上させるために基体ｅに直流電圧を印加して発生した
イオンを基体ｅに引くことも行なわれているが、そのた
めの電源や治具に複雑な絶縁機構を必要として装置構成
が複雑化する欠点がある。
【０００５】本発明は、高真空状態のままクリーニング
を行なえ、膜の密着性のよい電磁波シールド膜を簡単に
形成する方法と装置を提供することを目的とするもので
ある。
を行なえ、膜の密着性のよい電磁波シールド膜を簡単に
形成する方法と装置を提供することを目的とするもので
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明では、ガス導入口
を有する真空室内に基体と蒸発源及び該基体のクリーニ
ング手段を設け、該クリーニング手段によりクリーニン
グした基体に該蒸発源から蒸発する電磁波シールド用材
料を成膜する方法に於いて、該クリーニング手段をRF電
源に接続されたRFイオン化電極で構成してアノードの該
基体と蒸発源の間に配置し、該真空室内に不活性ガスや
空気を導入して圧力調整したのちRFイオン化電極に通電
してグロー放電により該基体をクリーニングし、続いて
ガス導入口を閉じてその圧力状態で該蒸発源を作動させ
これより蒸発する電磁波シールド用材料の蒸気を該グロ
ー放電内で励起・イオン化して基体に堆積させることに
より、上記の目的を達成するようにした。この方法は、
ガス導入口を有する真空室内に基体と蒸発源及び該基体
のクリーニング手段を備え、クリーニングした基体に該
蒸発源の金属材料を蒸発させて電磁波シールド用薄膜を
成膜する装置に於いて、該クリーニング手段をRF電源に
接続されたRFイオン化電極で構成してこれをアノードの
該基体と蒸発源の間に配置した装置により、簡単な構成
で実施できる。
を有する真空室内に基体と蒸発源及び該基体のクリーニ
ング手段を設け、該クリーニング手段によりクリーニン
グした基体に該蒸発源から蒸発する電磁波シールド用材
料を成膜する方法に於いて、該クリーニング手段をRF電
源に接続されたRFイオン化電極で構成してアノードの該
基体と蒸発源の間に配置し、該真空室内に不活性ガスや
空気を導入して圧力調整したのちRFイオン化電極に通電
してグロー放電により該基体をクリーニングし、続いて
ガス導入口を閉じてその圧力状態で該蒸発源を作動させ
これより蒸発する電磁波シールド用材料の蒸気を該グロ
ー放電内で励起・イオン化して基体に堆積させることに
より、上記の目的を達成するようにした。この方法は、
ガス導入口を有する真空室内に基体と蒸発源及び該基体
のクリーニング手段を備え、クリーニングした基体に該
蒸発源の金属材料を蒸発させて電磁波シールド用薄膜を
成膜する装置に於いて、該クリーニング手段をRF電源に
接続されたRFイオン化電極で構成してこれをアノードの
該基体と蒸発源の間に配置した装置により、簡単な構成
で実施できる。
【０００７】
【作用】真空室内を１０- 5〜１０- 6Torrの高真空に排
気してから、ガス導入口を開いてArガス等の不活性ガス
を導入し、室内を１０- 3〜１０- 5Torrに保った後、基
体を回転させながらRFイオン化電極にRF電源からの高周
波電力を投入する。アノードの基体と蒸発源の間にはグ
ロー放電が発生しこれで基体のクリーニングを数分間行
ない、ガス導入口を閉じ、蒸発源に電力を投入する。該
蒸発源からの電磁波シールド材料の蒸気は、基体と蒸発
源の間で発生しているグロー放電内でイオン化又は励起
され、基体に堆積するが、該RFイオン化電極にはRFグロ
ー放電のためにセルフバイアス電圧が発生するのでグロ
ー放電中で生成するイオン化された蒸気がRFイオン化電
極方向へ移動し、密着性のよい電磁波シールド膜を基体
に形成することができる。
気してから、ガス導入口を開いてArガス等の不活性ガス
を導入し、室内を１０- 3〜１０- 5Torrに保った後、基
体を回転させながらRFイオン化電極にRF電源からの高周
波電力を投入する。アノードの基体と蒸発源の間にはグ
ロー放電が発生しこれで基体のクリーニングを数分間行
ない、ガス導入口を閉じ、蒸発源に電力を投入する。該
蒸発源からの電磁波シールド材料の蒸気は、基体と蒸発
源の間で発生しているグロー放電内でイオン化又は励起
され、基体に堆積するが、該RFイオン化電極にはRFグロ
ー放電のためにセルフバイアス電圧が発生するのでグロ
ー放電中で生成するイオン化された蒸気がRFイオン化電
極方向へ移動し、密着性のよい電磁波シールド膜を基体
に形成することができる。
【０００８】
【実施例】本発明の実施例を図面に基づき説明すると、
図２に於いて符号１はArガス等の不活性ガス或いは空気
を導入するためのガス導入口２を有する真空室で、該真
空室１内に、半導体デバイス等の電磁波シールド膜を形
成する基体３とAl等の電磁波シールド材料４ａを収めた
複数個の蒸発源４及び該基体３のクリーニング手段５が
設けられる。該基体３はその複数個を電動機６により回
転される真空室１内の基体取付治具７に取付け、接地状
態になるようにした。該クリーニング手段５はRF電源８
に接続された１本もしくは複数本の長い蛇行させたRFイ
オン化電極９で構成され、図３に示すように、SUS製の
３／８インチパイプ２本で蒸発源４の周囲に約１００mm
のピッチで巻くようにし、アノードの該基体３と蒸発源
４の間に配置した。１０は真空ポンプに接続された排気
口、１１は蒸発源４の蒸発用電源、１２は整合回路であ
る。
図２に於いて符号１はArガス等の不活性ガス或いは空気
を導入するためのガス導入口２を有する真空室で、該真
空室１内に、半導体デバイス等の電磁波シールド膜を形
成する基体３とAl等の電磁波シールド材料４ａを収めた
複数個の蒸発源４及び該基体３のクリーニング手段５が
設けられる。該基体３はその複数個を電動機６により回
転される真空室１内の基体取付治具７に取付け、接地状
態になるようにした。該クリーニング手段５はRF電源８
に接続された１本もしくは複数本の長い蛇行させたRFイ
オン化電極９で構成され、図３に示すように、SUS製の
３／８インチパイプ２本で蒸発源４の周囲に約１００mm
のピッチで巻くようにし、アノードの該基体３と蒸発源
４の間に配置した。１０は真空ポンプに接続された排気
口、１１は蒸発源４の蒸発用電源、１２は整合回路であ
る。
【０００９】上記構成の装置により基体３に電磁波シー
ルド膜を形成するには、まず該真空室１内を１０- 5〜
１０- 6Torrの高真空に排気してから例えばArガスを導
入し、１０- 3〜１０- 5Torrに圧力調整する。このあと
基体取付治具７を作動させて基体３を１０〜５０rpm で
自転または自公転させながらRFイオン化電極９にRF電源
８から電力を供給すると、該基体３と蒸発源４の間にグ
ロー放電が発生し、このグロー放電が基体３の表面に触
れて該基体３が高真空中でクリーニングされる。クリー
ニングの時間は数分間である。クリーニングが終わると
ガス導入口２を閉じ、その高真空状態で該蒸発源４を作
動させ、電磁波シールド材料４ａの蒸気が蒸発源４と基
体３の間の該グロー放電内で励起・イオン化されて基体
３に堆積し、基体と蒸発物との間に膜の密着性を低下さ
せるような汚れが付着しない。また、該グロー放電はRF
放電であり、RFイオン化電極９にはセルフバイアス電圧
が発生するので、この電圧に引かれてイオン化した蒸発
物が蒸発源４から基体３の方向へ加速されるので、約８
０℃程度の低温の基体３に密着性の良い蒸発物の膜を形
成することができる。
ルド膜を形成するには、まず該真空室１内を１０- 5〜
１０- 6Torrの高真空に排気してから例えばArガスを導
入し、１０- 3〜１０- 5Torrに圧力調整する。このあと
基体取付治具７を作動させて基体３を１０〜５０rpm で
自転または自公転させながらRFイオン化電極９にRF電源
８から電力を供給すると、該基体３と蒸発源４の間にグ
ロー放電が発生し、このグロー放電が基体３の表面に触
れて該基体３が高真空中でクリーニングされる。クリー
ニングの時間は数分間である。クリーニングが終わると
ガス導入口２を閉じ、その高真空状態で該蒸発源４を作
動させ、電磁波シールド材料４ａの蒸気が蒸発源４と基
体３の間の該グロー放電内で励起・イオン化されて基体
３に堆積し、基体と蒸発物との間に膜の密着性を低下さ
せるような汚れが付着しない。また、該グロー放電はRF
放電であり、RFイオン化電極９にはセルフバイアス電圧
が発生するので、この電圧に引かれてイオン化した蒸発
物が蒸発源４から基体３の方向へ加速されるので、約８
０℃程度の低温の基体３に密着性の良い蒸発物の膜を形
成することができる。
【００１０】本発明の方法の具体的実施例をABS 樹脂材
の基体３にAlの電磁波シールド膜を形成する場合につき
説明すると次の通りである。基体３を基体取付治具７に
取付け、真空室１内を５×１０- 5Torrまで排気したの
ち、ガス導入口２からArガスを８×１０- 4Torrまで導
入する。基体３を３０rpm で自公転させながらRFイオン
化電極９に５００Ｗの高周波電力を供給し、発生したグ
ロー放電により基体３を１分間クリーニングした。この
あとガスの導入を止め、該グロー放電を発生させたまま
蒸発源４からAlを約５００オングストローム／sec で蒸
発させ基体３にAl膜を約２ミクロンの厚さで堆積させ
た。この膜の密着力は約１２kg/mm2 と通常の約６倍の
密着力があった。
の基体３にAlの電磁波シールド膜を形成する場合につき
説明すると次の通りである。基体３を基体取付治具７に
取付け、真空室１内を５×１０- 5Torrまで排気したの
ち、ガス導入口２からArガスを８×１０- 4Torrまで導
入する。基体３を３０rpm で自公転させながらRFイオン
化電極９に５００Ｗの高周波電力を供給し、発生したグ
ロー放電により基体３を１分間クリーニングした。この
あとガスの導入を止め、該グロー放電を発生させたまま
蒸発源４からAlを約５００オングストローム／sec で蒸
発させ基体３にAl膜を約２ミクロンの厚さで堆積させ
た。この膜の密着力は約１２kg/mm2 と通常の約６倍の
密着力があった。
【００１１】図２の実施例では基体３を縦置きして蒸発
源４の周囲を回るように横回転させたが、横置きして縦
回転させる構成としてもよい。基体３の形状に応じて蒸
発源４とRFイオン化電極９の個数を変更することも可能
で、その個数を増やして大面積の基体に電磁波シールド
膜を形成することができる。
源４の周囲を回るように横回転させたが、横置きして縦
回転させる構成としてもよい。基体３の形状に応じて蒸
発源４とRFイオン化電極９の個数を変更することも可能
で、その個数を増やして大面積の基体に電磁波シールド
膜を形成することができる。
【００１２】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、クリーニ
ング手段をRF電源に接続されたRFイオン化電極で構成し
てアノードの該基体と蒸発源の間に配置し、該真空室内
に不活性ガス等を導入して圧力調整したのちRFイオン化
電極に通電してグロー放電により該基体をクリーニング
し、続いてガス導入口を閉じてその圧力状態で該蒸発源
を作動させ、蒸発する電磁波シールド用材料を該グロー
放電内で励起・イオン化して低温の基体に堆積させるの
で、真空室内の圧力を変更せずに低い圧力でクリーニン
グしながら密着性の良い電磁波シールド膜の成膜を簡単
な操作で短時間に行なえ、基体に直流電圧を印加する必
要がないので電源および複雑な基体の絶縁機構が不要で
治具の構成も簡単になる等の効果がある。
ング手段をRF電源に接続されたRFイオン化電極で構成し
てアノードの該基体と蒸発源の間に配置し、該真空室内
に不活性ガス等を導入して圧力調整したのちRFイオン化
電極に通電してグロー放電により該基体をクリーニング
し、続いてガス導入口を閉じてその圧力状態で該蒸発源
を作動させ、蒸発する電磁波シールド用材料を該グロー
放電内で励起・イオン化して低温の基体に堆積させるの
で、真空室内の圧力を変更せずに低い圧力でクリーニン
グしながら密着性の良い電磁波シールド膜の成膜を簡単
な操作で短時間に行なえ、基体に直流電圧を印加する必
要がないので電源および複雑な基体の絶縁機構が不要で
治具の構成も簡単になる等の効果がある。
【図１】 従来例の截断側面図
【図２】 本発明の実施例の截断側面図
【図３】 図２イオン化電極の斜視図
１ 真空室 ２ ガス導入口 ３ 基
体 ４ 蒸発源 ４ａ 電磁波シールド材料 ５ ク
リーニング手段 ８ RF電源 ９ RFイオン化電極
体 ４ 蒸発源 ４ａ 電磁波シールド材料 ５ ク
リーニング手段 ８ RF電源 ９ RFイオン化電極
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 昌谷 陽二
神奈川県相模原市大野台５−16−５ 株
式会社昭和真空内
(72)発明者 チョウ ミン アウン
神奈川県相模原市大野台５−16−５ 株
式会社昭和真空内
(72)発明者 伊井 亨
神奈川県相模原市大野台２−27−２ 株
式会社昭和真空内
(56)参考文献 特開 昭62−202077（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C23C 14/00 - 14/58
H01L 21/203
Claims (4)
- 【請求項１】 ガス導入口を有する真空室内に基体と蒸
発源及び該基体のクリーニング手段を設け、該クリーニ
ング手段によりクリーニングした基体に該蒸発源から蒸
発する電磁波シールド用材料を成膜して電磁波シールド
用の薄膜を形成する方法に於いて、該クリーニング手段
を、RF電源から供給される電圧によりグロー放電を発生
させるRFイオン化電極で構成してアノードの該基体と蒸
発源の間に配置すると共に、前記基体を該RFイオン化電
極のグロー放電域内に配置し、該真空室内に不活性ガス
や空気を導入して圧力調整したのちRFイオン化電極に通
電してグロー放電により該基体をクリーニングし、続い
てガス導入口を閉じてその圧力状態で該蒸発源を作動さ
せこれより蒸発する電磁波シールド用材料の蒸気を該グ
ロー放電内で励起・イオン化して基体に堆積させること
を特徴とする電磁波シールド用成膜方法。 - 【請求項２】 前記蒸発源を中心として回転可能に構成
された治具に基体を取り付けるようにし、この治具を回
転させた状態でRFイオン化電極に通電させて、基体のク
リーニング及び電磁波シールド用材料の蒸気の励起・イ
オン化を行うことを特徴とする請求項１に記載の電磁波
シールド用成膜方法。 - 【請求項３】 ガス導入口を有する真空室内に基体と蒸
発源及び該基体のクリーニング手段を備え、クリーニン
グした基体に該蒸発源の金属材料を蒸発させて電磁波シ
ールド用薄膜を成膜する装置に於いて、前記クリーニン
グ手段を、前記蒸発源と前記基体との間に配置され、RF
電源から供給される電圧により蒸発源と基体の間にグロ
ー放電を発生させるRFイオン化電極で構成し、前記基体
は、前記RFイオン化電極によるグロー放電の放電域内に
配置されることを特徴とする電磁波シールド用成膜装
置。 - 【請求項４】 前記蒸発源を中心として回転可能に構成
された治具に基体を取り付けることを特徴とする請求項
３に記載の電磁波シールド用成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10083393A JP3364692B2 (ja) | 1993-04-27 | 1993-04-27 | 電磁波シールド用成膜方法と装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10083393A JP3364692B2 (ja) | 1993-04-27 | 1993-04-27 | 電磁波シールド用成膜方法と装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06306578A JPH06306578A (ja) | 1994-11-01 |
| JP3364692B2 true JP3364692B2 (ja) | 2003-01-08 |
Family
ID=14284323
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10083393A Expired - Fee Related JP3364692B2 (ja) | 1993-04-27 | 1993-04-27 | 電磁波シールド用成膜方法と装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3364692B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000024528A (ko) * | 2000-02-18 | 2000-05-06 | 강정구 | Ｒｆ를 이용한 대기압 상온 플라즈마 토치 |
-
1993
- 1993-04-27 JP JP10083393A patent/JP3364692B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06306578A (ja) | 1994-11-01 |
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