JPS5922787B2 - 蒸着膜作成方法 - Google Patents
蒸着膜作成方法Info
- Publication number
- JPS5922787B2 JPS5922787B2 JP12281179A JP12281179A JPS5922787B2 JP S5922787 B2 JPS5922787 B2 JP S5922787B2 JP 12281179 A JP12281179 A JP 12281179A JP 12281179 A JP12281179 A JP 12281179A JP S5922787 B2 JPS5922787 B2 JP S5922787B2
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- JP
- Japan
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- substrate
- metal
- deposited
- frequency coil
- vapor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
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- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、反射鏡の作成等に用いられうる蒸着膜作成方
法に関する。
法に関する。
蒸着膜作成装置を用いて反射鏡を作成するに際しては、
まず基板表面を真空中でグロー放電を用いてボンバード
処理してこの表面を清浄し、そしてその後に蒸着される
金属の密着性を良くするためにクロムなどをアンダーコ
ートし、次いで反射鏡表面となるべき金属たとえばアル
ミニウム、金、銀などを蒸着している。
まず基板表面を真空中でグロー放電を用いてボンバード
処理してこの表面を清浄し、そしてその後に蒸着される
金属の密着性を良くするためにクロムなどをアンダーコ
ートし、次いで反射鏡表面となるべき金属たとえばアル
ミニウム、金、銀などを蒸着している。
反射鏡を作成するために従来用いられてきた蒸着膜作成
装置を第１図に示す。第１図において、排気系２を備え
た蒸着膜作成室１内には基板３とアンダーコート金属蒸
発源４および蒸着金属蒸発源５とを対向して設けかつ高
周波コイル６を前記基板１と前記金属蒸発源４および５
との間に設けていた。従来用いられてきた蒸着装置にお
ける高周波コイル６は、グロー放電を用いるボンバード
処理中にそのコイル表面からの金属原子の放出をなるべ
く防止しラるようステンレス製である。
装置を第１図に示す。第１図において、排気系２を備え
た蒸着膜作成室１内には基板３とアンダーコート金属蒸
発源４および蒸着金属蒸発源５とを対向して設けかつ高
周波コイル６を前記基板１と前記金属蒸発源４および５
との間に設けていた。従来用いられてきた蒸着装置にお
ける高周波コイル６は、グロー放電を用いるボンバード
処理中にそのコイル表面からの金属原子の放出をなるべ
く防止しラるようステンレス製である。
このため反射鏡の作成に際しては、ボンバードおよびア
ンダーコートの両工程が必要であり、したがつてボンバ
ード処理後アンダーコートするまでには時間的な間隔が
あるので、一度ボンバード処理された表面が再び汚染さ
れ、その後に蒸着される金属の密着性に不安があるとい
ラ欠点がある。本発明はこれに鑑み、ボンバードおよび
アンダーコートの両工程を一工程にすることにより効率
を向上させ、しかも蒸着される金属の密着性を向上させ
るようにした蒸着膜作成方法を提供することを目的とす
るものである。
ンダーコートの両工程が必要であり、したがつてボンバ
ード処理後アンダーコートするまでには時間的な間隔が
あるので、一度ボンバード処理された表面が再び汚染さ
れ、その後に蒸着される金属の密着性に不安があるとい
ラ欠点がある。本発明はこれに鑑み、ボンバードおよび
アンダーコートの両工程を一工程にすることにより効率
を向上させ、しかも蒸着される金属の密着性を向上させ
るようにした蒸着膜作成方法を提供することを目的とす
るものである。
かかる目的を達成するために、本発明は、基板表面にボ
ンバード処理およびアンダーコート処理を施こしたのち
に金属を蒸着するようにした蒸着膜作成方法において、
基板と蒸着金属蒸発源との間に、基板表面にアンダーコ
ートしようとする金属または合金と同一組成の金属また
は合金からなる高周波コイルを設け、この高周波コイル
と基板との間でグロー放電を行うに際し前記基板への加
速用直流電源の接続端をはじめプラスとし次いでマイナ
スとすることにより、基板表面のボンバード処理とアン
ダーコート処理とが同時に行われるようにしたことを特
徴としている。以下に本発明を図面に示す実施例を参照
して説明する。
ンバード処理およびアンダーコート処理を施こしたのち
に金属を蒸着するようにした蒸着膜作成方法において、
基板と蒸着金属蒸発源との間に、基板表面にアンダーコ
ートしようとする金属または合金と同一組成の金属また
は合金からなる高周波コイルを設け、この高周波コイル
と基板との間でグロー放電を行うに際し前記基板への加
速用直流電源の接続端をはじめプラスとし次いでマイナ
スとすることにより、基板表面のボンバード処理とアン
ダーコート処理とが同時に行われるようにしたことを特
徴としている。以下に本発明を図面に示す実施例を参照
して説明する。
第２図において排気系７およびガス導入系８を備えた蒸
着膜作成室９内には、基板１０と蒸着金属蒸発源１１と
が対向して設けられている。
着膜作成室９内には、基板１０と蒸着金属蒸発源１１と
が対向して設けられている。
この基板１０の一端は、電流計１２を経て、蒸着膜作成
室９の外部に位置する加速用直流電源１３に接続され、
その電源の一端を接地する。またこの接地の一端は高周
波電源１４に接続され、この高周波電源の他端にはクロ
ム含有合金からなる高周波コイル１５が接続され、該コ
イルは、前記基板１０と蒸着金属蒸発源１１との間に配
設され、この高周波コイル１５と前記基板１０との間で
グロー放電を行なうようにする。蒸着金属蒸発源１１は
蒸発用電源１６に接続されて回路を形成しており、該回
路の一部は接地されている。本実施例においては、高周
波コイルとしてクロム含有合金が用いられるが、クロム
含有合金としては、たとえば、ニツケル８０％、クロム
２０％からなる合金が適している。
室９の外部に位置する加速用直流電源１３に接続され、
その電源の一端を接地する。またこの接地の一端は高周
波電源１４に接続され、この高周波電源の他端にはクロ
ム含有合金からなる高周波コイル１５が接続され、該コ
イルは、前記基板１０と蒸着金属蒸発源１１との間に配
設され、この高周波コイル１５と前記基板１０との間で
グロー放電を行なうようにする。蒸着金属蒸発源１１は
蒸発用電源１６に接続されて回路を形成しており、該回
路の一部は接地されている。本実施例においては、高周
波コイルとしてクロム含有合金が用いられるが、クロム
含有合金としては、たとえば、ニツケル８０％、クロム
２０％からなる合金が適している。
本実施例においては、ホンパート処理とアンダーコート
処理とを一工程で行ない、しかも、基板へのアンダーコ
ート量を調節するために、前記の加速用直流電源３の基
板への接続端をはじめプラスとし次いでマイナスとする
。
処理とを一工程で行ない、しかも、基板へのアンダーコ
ート量を調節するために、前記の加速用直流電源３の基
板への接続端をはじめプラスとし次いでマイナスとする
。
このようにすることにより、基板表面をホンパート処理
しながら高周波コイルと基板表面との間でスパツタ作用
がはたらき、基板表面上にクロム含有合金がアンダーコ
ートされる。この際にはホンパート処理により基板表面
から放出される量よりも、スパッタ作用で高周波コイル
によるクロム含有合金が基板表面上につく量を大きくし
なければならない。このためには、高周波電源のワツト
数を大きくすると同時に、基板に接続された加速用直流
電源の基板側をマイナスにすることによつて達成される
。本発明の蒸着膜作成方法の具体例を以下に説明する。
高周波コイルとしてクロム含有合金を用い、蒸着膜作成
室内にＡｒガスを導入し、圧力を１Ｘ１０−３〜５×１
０−４Ｔ０ｒｒとする。
しながら高周波コイルと基板表面との間でスパツタ作用
がはたらき、基板表面上にクロム含有合金がアンダーコ
ートされる。この際にはホンパート処理により基板表面
から放出される量よりも、スパッタ作用で高周波コイル
によるクロム含有合金が基板表面上につく量を大きくし
なければならない。このためには、高周波電源のワツト
数を大きくすると同時に、基板に接続された加速用直流
電源の基板側をマイナスにすることによつて達成される
。本発明の蒸着膜作成方法の具体例を以下に説明する。
高周波コイルとしてクロム含有合金を用い、蒸着膜作成
室内にＡｒガスを導入し、圧力を１Ｘ１０−３〜５×１
０−４Ｔ０ｒｒとする。
次いで、放電電圧１．０〜１．５Ｋの条件で、まず加速
用直流電源の基板への接続端をプラスにして（基板電圧
十１．０ＫＶ）約５分間ホンパート処理を行なつたのち
、ひきつづき基板への接続端をマイナスに切り換え（基
板電圧−０．５〜−２．０にＶ）てクロム含有合金のス
パツタ作用を数分間行なうことにより、基板上に膜厚０
．１μ程度のクロム含有合金層がアンダーコートされる
。以上のごとく、本発明の蒸着膜作成方法においては、
アンダーコートする金属と同一組成の金属からなる高周
波コイルを用い、しかもホンパートおよびアンダーコー
トの両工程を一挙に行なうようにしたので、蒸着膜作成
工程の短縮化および簡略化が可能となり、また蒸着金属
の密着性が改良される。
用直流電源の基板への接続端をプラスにして（基板電圧
十１．０ＫＶ）約５分間ホンパート処理を行なつたのち
、ひきつづき基板への接続端をマイナスに切り換え（基
板電圧−０．５〜−２．０にＶ）てクロム含有合金のス
パツタ作用を数分間行なうことにより、基板上に膜厚０
．１μ程度のクロム含有合金層がアンダーコートされる
。以上のごとく、本発明の蒸着膜作成方法においては、
アンダーコートする金属と同一組成の金属からなる高周
波コイルを用い、しかもホンパートおよびアンダーコー
トの両工程を一挙に行なうようにしたので、蒸着膜作成
工程の短縮化および簡略化が可能となり、また蒸着金属
の密着性が改良される。
第１図は従来法に用いられる蒸着装置の概略図であり、
第２図は本発明による蒸着装置の概略図である。 ９・・・・・・蒸着膜作成室、１０・・・・・・基板、
１１・・・・・・蒸着金属蒸発源、１５・・・・・・高
周波コイル。
第２図は本発明による蒸着装置の概略図である。 ９・・・・・・蒸着膜作成室、１０・・・・・・基板、
１１・・・・・・蒸着金属蒸発源、１５・・・・・・高
周波コイル。
Claims (1)
- １ 基板表面にボンバード処理およびアンダーコート処
理を施したのちに金属を蒸着するようにした蒸着膜作成
方法において、基板表面にアンダーコートしようとする
金属または合金と同一組成の金属または合金からなる高
周波コイルを基板と蒸着金属蒸発源との間に設け、この
高周波コイルと基板との間でグロー放電を行うに際し前
記基板への加速用直流電源の接続端をはじめプラスとし
次いでマイナスとすることにより、基板表面のボンバー
ド処理とアンダーコート処理とが同時に行なわれるよう
にしたことを特徴とする蒸着膜作成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12281179A JPS5922787B2 (ja) | 1979-09-25 | 1979-09-25 | 蒸着膜作成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12281179A JPS5922787B2 (ja) | 1979-09-25 | 1979-09-25 | 蒸着膜作成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5647562A JPS5647562A (en) | 1981-04-30 |
| JPS5922787B2 true JPS5922787B2 (ja) | 1984-05-29 |
Family
ID=14845219
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12281179A Expired JPS5922787B2 (ja) | 1979-09-25 | 1979-09-25 | 蒸着膜作成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5922787B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6264812B1 (en) * | 1995-11-15 | 2001-07-24 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for generating a plasma |
| US6368469B1 (en) * | 1996-05-09 | 2002-04-09 | Applied Materials, Inc. | Coils for generating a plasma and for sputtering |
| KR100489918B1 (ko) | 1996-05-09 | 2005-08-04 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 플라즈마발생및스퍼터링용코일 |
| US6103070A (en) * | 1997-05-14 | 2000-08-15 | Applied Materials, Inc. | Powered shield source for high density plasma |
-
1979
- 1979-09-25 JP JP12281179A patent/JPS5922787B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5647562A (en) | 1981-04-30 |
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