JPS63166963A - 薄膜の製造方法 - Google Patents
薄膜の製造方法Info
- Publication number
- JPS63166963A JPS63166963A JP31339086A JP31339086A JPS63166963A JP S63166963 A JPS63166963 A JP S63166963A JP 31339086 A JP31339086 A JP 31339086A JP 31339086 A JP31339086 A JP 31339086A JP S63166963 A JPS63166963 A JP S63166963A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- paper
- target
- metallic
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 8
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 16
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 8
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract 1
- 239000000123 paper Substances 0.000 description 21
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000002655 kraft paper Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 235000013311 vegetables Nutrition 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/46—Sputtering by ion beam produced by an external ion source
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
- C23C14/20—Metallic material, boron or silicon on organic substrates
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は薄膜の製造方法特に紙の表面に金属の薄膜を
形成する方法に関する。
形成する方法に関する。
(従来の技術)
紙の表面に金属の薄膜、たとえば導電性の薄膜を形成す
ることは、広く要求される。たとえばパンチカードに登
載する情報を増やす目的で、その裏面に導電性のパター
ンを形成することがある。
ることは、広く要求される。たとえばパンチカードに登
載する情報を増やす目的で、その裏面に導電性のパター
ンを形成することがある。
従来ではこのような紙の表面に薄膜を形成するのに、真
空蒸着によるのを普通としていた。
空蒸着によるのを普通としていた。
しかし紙は一般的に植物性繊維により作られている関係
上、吸湿性に富んでおり、また熱的に弱い性質がある。
上、吸湿性に富んでおり、また熱的に弱い性質がある。
そのため蒸着の際に熱が加わると、内部から水分かにじ
みでてくることがある。そのため表面に薄膜が形成され
たとしても、その成膜の紙に対する付着力は、どうして
も損われるようになる。
みでてくることがある。そのため表面に薄膜が形成され
たとしても、その成膜の紙に対する付着力は、どうして
も損われるようになる。
このような付着力を高めるためには、薄膜材料が蒸発す
るときのエネルギーが高ければよいのであるが、周知の
ように真空蒸着は薄膜材料を加熱蒸発させ、その蒸発粒
子を基板に沈着させる方法であるため、蒸発させたとき
のエネルギーの向上を期待することはほとんどできない
。
るときのエネルギーが高ければよいのであるが、周知の
ように真空蒸着は薄膜材料を加熱蒸発させ、その蒸発粒
子を基板に沈着させる方法であるため、蒸発させたとき
のエネルギーの向上を期待することはほとんどできない
。
また真空蒸着はるつぼの中で薄膜材料を加熱して蒸発さ
せるものであって、その噴出口は点状であって点源であ
る。そのためその蒸発粒子の飛散方向は一点より放射状
にひろがったものとなる。
せるものであって、その噴出口は点状であって点源であ
る。そのためその蒸発粒子の飛散方向は一点より放射状
にひろがったものとなる。
−力紙の表面は巨視的にみれば粗であるため、飛散方向
がほぼ一定であると、これによって生成される薄膜の均
一性は極めて良くない。
がほぼ一定であると、これによって生成される薄膜の均
一性は極めて良くない。
(発明が解決しようとする問題点)
この発明は紙の表面に薄膜を形成するにあたり、成膜の
付着力を高めるとともに、その膜の均一性を向上させる
ことを目的とする。
付着力を高めるとともに、その膜の均一性を向上させる
ことを目的とする。
(問題点を解決するための手段)
この発明は薄膜材料をターゲットとじ4これにイオンを
照射することによってスパッタ蒸発させ。
照射することによってスパッタ蒸発させ。
このとき蒸発した薄膜材料を、紙の表面に沈着させるこ
とによって、薄膜を形成することを特徴とする。
とによって、薄膜を形成することを特徴とする。
(作用)
イオンをターゲットに照射すると、ターゲット表面の構
造原子、分子と弾性衝突する。その結果ターゲット表面
の原子、分子がスパッタ蒸発して基板上に沈着し、薄膜
が形成される。これを一般にイオンビームスパッタリン
グと呼んでいる。
造原子、分子と弾性衝突する。その結果ターゲット表面
の原子、分子がスパッタ蒸発して基板上に沈着し、薄膜
が形成される。これを一般にイオンビームスパッタリン
グと呼んでいる。
このようなスパッタ蒸発は弾性衝突であるため、スパッ
タ粒子のエネルギーは数eV程度となる。
タ粒子のエネルギーは数eV程度となる。
これしこ対して前記した真空蒸着の場合の蒸発時のエネ
ルギーが約0.1eVであるのに比較すれば、おおよそ
数十倍となる。
ルギーが約0.1eVであるのに比較すれば、おおよそ
数十倍となる。
このような大きなエネルギーをもつ蒸発粒子によれば、
これが基板である紙の表面に沈着するときの付着力も必
然的に大きくなり、したがって紙の表面に少々の水分か
にじみでているようなことがあっても、確実に付着する
ようになる。
これが基板である紙の表面に沈着するときの付着力も必
然的に大きくなり、したがって紙の表面に少々の水分か
にじみでているようなことがあっても、確実に付着する
ようになる。
またこのスパッタはターゲットの表面にイオンを衝突さ
せて行なうものであるから、ターゲットのほとんど全表
面からスパッタ粒子が飛散していくようになる。すなわ
ちこのときの蒸発源は面源である。
せて行なうものであるから、ターゲットのほとんど全表
面からスパッタ粒子が飛散していくようになる。すなわ
ちこのときの蒸発源は面源である。
そのためスパッタ粒子は、四方から基板である紙に向か
っていくため、紙の表面が少々粗であっても、その面に
追随するようにして付着する。これによって形成される
膜の均一性が維持されるようになる。
っていくため、紙の表面が少々粗であっても、その面に
追随するようにして付着する。これによって形成される
膜の均一性が維持されるようになる。
さらにイオンを生成するプラズマは、熱源として基板で
ある紙に熱ストレスを与える可能性があるが、イオンビ
ームスパッタリングでは、プラズマとスパッタ室を分離
しているので、紙への熱ストレスがない。
ある紙に熱ストレスを与える可能性があるが、イオンビ
ームスパッタリングでは、プラズマとスパッタ室を分離
しているので、紙への熱ストレスがない。
(実施例)
この発明の実施例を以下図によって説明する。
図はこの発明に使用するのに適したイオンビームスパッ
タ装置を示す。1はイオン生成室で、内部に熱陰極2、
陽極3およびArガスの導入口4を、また外部に磁界発
生用のコイル5を備えている。
タ装置を示す。1はイオン生成室で、内部に熱陰極2、
陽極3およびArガスの導入口4を、また外部に磁界発
生用のコイル5を備えている。
6はイオン生成室1で生成されたイオンを引出す引出電
極、7はスパッタ室で、内部に引出電極6により引出さ
れたイオンがスパッタされるターゲット8と、スパッタ
されたことによるターゲット8から発せられるスパッタ
粒子が、表面に堆積される基板である紙9とを備えてい
る610は基板ホルダー、11は真空ポンプである。
極、7はスパッタ室で、内部に引出電極6により引出さ
れたイオンがスパッタされるターゲット8と、スパッタ
されたことによるターゲット8から発せられるスパッタ
粒子が、表面に堆積される基板である紙9とを備えてい
る610は基板ホルダー、11は真空ポンプである。
イオン生成室1から引出電極6によって引出されたイオ
ンビームは、200〜5000eV程度のエネルギーを
もってターゲット8に照射される。ターゲット8はたと
えばアルミニュームまたはその合金によって製作されで
あるとすれば、スパッタされたアルミニュームのスパッ
タ粒子は、紙9の表面に沈着されるようになる。
ンビームは、200〜5000eV程度のエネルギーを
もってターゲット8に照射される。ターゲット8はたと
えばアルミニュームまたはその合金によって製作されで
あるとすれば、スパッタされたアルミニュームのスパッ
タ粒子は、紙9の表面に沈着されるようになる。
次に本発明者が行なった成膜試験について説明する。タ
ーゲット8としてアルミニュームを使用し、紙9として
クラフト紙を使用した。そして基板ホルダー10を回転
させ、ビームエネルギーを1000aV、電流量をlo
omA、スパッタ室7内のガス圧を8 X 10−’
Torrとし、成膜時間を5分間として試験を行なった
。
ーゲット8としてアルミニュームを使用し、紙9として
クラフト紙を使用した。そして基板ホルダー10を回転
させ、ビームエネルギーを1000aV、電流量をlo
omA、スパッタ室7内のガス圧を8 X 10−’
Torrとし、成膜時間を5分間として試験を行なった
。
これによって形成された膜の厚さは2000人、膜厚均
一性は±10%であった。またこのときの紙9の温度は
40度前後であって、これを超えて上昇することはなか
った。更に接着テープを膜の表面に貼り付けてからこれ
を剥がす剥離試験を行なっても、膜が紙9から剥離する
ことはなかった。
一性は±10%であった。またこのときの紙9の温度は
40度前後であって、これを超えて上昇することはなか
った。更に接着テープを膜の表面に貼り付けてからこれ
を剥がす剥離試験を行なっても、膜が紙9から剥離する
ことはなかった。
なお前記した試験は、イオン種としてAr”を使用して
行なったものであるが、これ以外のイオン種として、K
r、Xeなとの使用が可能である。
行なったものであるが、これ以外のイオン種として、K
r、Xeなとの使用が可能である。
更にターゲット材料としては、アルミニュームのほかに
、アルミニューム合金、金、銀、銅、亜鉛。
、アルミニューム合金、金、銀、銅、亜鉛。
ニッケルなどが使用できる。
(発明の効果)
以上詳述したようにこの発明によれば、紙への成膜にあ
たり、イオンビームスパッタリング法を使用することに
より、剥離試験に耐える付着力を有し、しかも膜中の膜
厚の均一性が良好な膜の生成が可能となるといった効果
を奏する。
たり、イオンビームスパッタリング法を使用することに
より、剥離試験に耐える付着力を有し、しかも膜中の膜
厚の均一性が良好な膜の生成が可能となるといった効果
を奏する。
図はこの発明の実施にあたって使用するイオンビームス
パッタ装置の一例を示す断面図である。 1・・イオン生成室、7・・・スパッタ室、8・・・タ
ーゲット、9・・・紙、
パッタ装置の一例を示す断面図である。 1・・イオン生成室、7・・・スパッタ室、8・・・タ
ーゲット、9・・・紙、
Claims (1)
- イオン生成室で生成されたイオンを引出電極によって引
出してから、これを金属製の薄膜材料からなるターゲッ
トにスパッタし、このときの前記ターゲットから発せら
れるスパッタ粒子を、紙からなる基板に沈着させること
によって、その基板の表面に薄膜を形成してなる薄膜の
製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31339086A JPS63166963A (ja) | 1986-12-27 | 1986-12-27 | 薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31339086A JPS63166963A (ja) | 1986-12-27 | 1986-12-27 | 薄膜の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63166963A true JPS63166963A (ja) | 1988-07-11 |
Family
ID=18040693
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31339086A Pending JPS63166963A (ja) | 1986-12-27 | 1986-12-27 | 薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63166963A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5283095A (en) * | 1991-04-12 | 1994-02-01 | Nissin Electric Co., Ltd. | Optical recording medium comprising (1,1,1) aluminum |
KR20020075688A (ko) * | 2001-03-27 | 2002-10-05 | 강소대 | 마그네틱 페이퍼 |
KR100365308B1 (ko) * | 1999-12-10 | 2002-12-26 | 강소대 | 마그네틱 페이퍼 제작방법 |
-
1986
- 1986-12-27 JP JP31339086A patent/JPS63166963A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5283095A (en) * | 1991-04-12 | 1994-02-01 | Nissin Electric Co., Ltd. | Optical recording medium comprising (1,1,1) aluminum |
KR100365308B1 (ko) * | 1999-12-10 | 2002-12-26 | 강소대 | 마그네틱 페이퍼 제작방법 |
KR20020075688A (ko) * | 2001-03-27 | 2002-10-05 | 강소대 | 마그네틱 페이퍼 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4622919A (en) | Film forming apparatus | |
US4505798A (en) | Magnetron sputtering apparatus | |
US3968270A (en) | Process for preparation of metal coatings | |
JPS63166963A (ja) | 薄膜の製造方法 | |
JPS619985A (ja) | 金属複合材の製造方法 | |
JP2875892B2 (ja) | 立方晶窒化ほう素膜の形成方法 | |
JP2694058B2 (ja) | アーク蒸着装置 | |
CN115058692B (zh) | 一种中子管靶的靶膜的制备方法 | |
JPH0236673B2 (ja) | ||
JPS63213664A (ja) | イオンプレ−テイング装置 | |
JP2603919B2 (ja) | 立方晶系窒化ホウ素の結晶粒を含む窒化ホウ素膜の作製方法 | |
JPS60211065A (ja) | 箔の製造方法 | |
JPH04346651A (ja) | メタライジング法 | |
JPH02163366A (ja) | 鉄又は、鋼材料表面へのクロム層形成方法 | |
JP3223740B2 (ja) | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 | |
JPS61201772A (ja) | 薄膜形成方法および装置 | |
JPS6053113B2 (ja) | 被膜の形成方法 | |
JPH0428853A (ja) | ステンレス鋼表面に密着強度の高い真空蒸着金属薄膜を形成する方法 | |
JPS58100672A (ja) | 薄膜形成法及びその装置 | |
JPS61284565A (ja) | 複合膜形成装置 | |
JPH05295522A (ja) | 薄膜形成方法 | |
JPS63161168A (ja) | イオンビ−ムスパツタによる成膜方法 | |
JPS6320445A (ja) | イオンプレ−テイング | |
JPH04350156A (ja) | 薄膜形成装置 | |
JPH07292460A (ja) | 表面処理法 |