JPS61284565A - 複合膜形成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔座業上の利用分野〕 本発明は、スパッタリング装置、イオンブレーティング
装置などのＰＶＤ（物理的蒸着）装置のような薄膜被膜
形成装置として好適な複合膜形成装置に関する。また、
本発明は、銅帯等に多元蒸着金施すための真壁蒸着装置
において、複合膜の組成および皮膜厚さ全均一による複
合膜形成装置に関する。

〔従来の技術〕

第１１図に真壁蒸着法による従来の合金膜作製法を示す
。蒸着室１は図示外の真壁ボングによｐ　１０−’　〜
１０−＠ＴｏｒｒＯ高真空に排気さｎている。蒸発ルツ
ボ４，４′内の蒸着用金属５，５′は抵抗加熱あるいは
電子ビーム等により溶解され蒸気となる。この蒸気は上
方で混合し、円板２に付着する。よって、円板２に蒸着
用金Ｊ！ｊｉ５と蒸着用金属５′の複合被膜が作製でき
る。ま友、マズク３は、被膜が作製さｎる範囲全限定す
るために円板２の直下に設定さｎている。尚、最終的に
、円板２全而に被膜を作製するため、円板２は回転させ
ている。

第１２図は第１１図のＩＶ−ｒｌ／ｌ／矢面断面す。

マスク３の開口部１２は、被膜を作製する範囲全限定す
るために設けらｎているものである。

〔発明が解決しようとする問題点ｊ 第１１図において、蒸発ルツボ４，４′かうＭ生ずる蒸
着用金属５，５′の蒸気の密度はルツボ直上で最大であ
ジ、ルツボ直上から離ｎるに従って蒸気密度は小さくな
る。つまり、第１１図の領域５Ｃ！（５ｃ’）から５ｂ
（５ｂ’）、５ａ（５ａ’）になるに従って、その蒸着
用金属の蒸気密度は小さくなる。又、破膜１３の中央部
１３１）における蒸着用金属５と蒸着用金属ダの組成比
が同じであるとする。すると位置１３ａにおける組成は
蒸着用金属５が蒸着用金属ダよジも高くなり位置１５　
ｃにおける組成は蒸着用金属ダが蒸着金属５よりも高く
なる。よって、膜厚が一定な被膜を作製したとしても、
組成的には不均一な被膜となるためＭ膜不来の特性が得
らｎない結果となる。

〔本発明の目的〕

本発明は、上記問題点を解消することを目的とし几もの
であって、複合膜の組成および該被膜厚さを均一にする
ことができる複合膜形成装置’２提供することを目的と
する。

〔本発明の構成」 すなわち、本発明は、多元蒸着を施す友めの複合膜形成
装置において、被蒸着面と蒸発ルツボとの間に１個以上
の開口部を有するマスク全２個以上配設してなることを
特徴とする複合膜形成装置である。

〔実施例〕

以下第１図お：び第２図に基づいて本発明の詳細な説明
する。第１図は本発明の実施例である合金膜作製を示す
図であり、第２図は第１図１−１矢視断面図である。

本発明は、従来のマスク５と蒸発ルツボ４゜４′との間
に第２図に示すような複数の開口部８゜８′ヲ持つマス
クＺを設は次もので、この開口部８及び８′は蒸発用ル
ツボ５及び５′の上方に位置する。尚、開口部８，８′
の形状は、蒸気密度の高い場所（ルツボ直上）では開口
幅を狭く、蒸気密度の低い場所（ルツボ直上から離ｎ几
場所）では開口幅を広く設定し、被膜６における蒸発用
金属５．ダの組成比がいずれの場所においても同一とな
るようにする。

次に、本発明の詳細な説明すると、今、第１図の領域５
ｂとｓｂ’の蒸気密度が同一であるとすると、被膜の中
央部６ｂにおける蒸着金属５と５′の組成比は同一とな
る。−万、位置６Ｃにおいては、蒸気密度の低い領域５
Ｃではマスク開口幅が広い文め蒸気量か多くなジ、蒸気
密度の高い領域５　ａ’ではマスク開口幅が狭いため蒸
気量が少なくなる。よって、位置６ｃにおける蒸発用金
属５，５′の組成比は同一となる。位置６ａにおいても
同様に、蒸気密度の低い領域５　ｃ’ではマスク開口幅
が広い交め蒸気量が多くなり蒸気密度の高い領域５ａで
はマスク開口幅が狭いため蒸気量が少なくなる。よって
位置６ａにおける蒸発用金属５，５′の組成比は同一と
なる。以上の結果として、広範囲にわたって膜厚。

組成が均一な被膜が得られる。

〔具体例〕

本発明の装置全使用して銅帯表面にＯｒ　−Ｆθ合金膜
全作製する具体例を従来法と対比させて以下説明する。

第３図（従来法によるＯｒ　−Ｆｅ合金膜の作製を示す
図−）および第５図（第３図■−■矢視図）に示す従来
法、並びに第４図（本発明の装置全使用してＯｒ　−Ｆ
ｅ合金膜を作製する図）および第６図（第５図■−■矢
視図）に示す本発明の具体例によｆ）　Ｏｒ、　Ｆｅを
各々溶解し、対向する銅帯表面にＯｒ　−Ｆｅ合金Ｊ［
（目標７０　ｗｔ％　Ｆｅ）を作製し友。その後、触針
式膜厚計による合金膜の膜厚の測定及びＩＣＰ（プラズ
マ発光分光分析）によるＸＰｅの組成分析全行い均一性
の評価を行つ九〇 この場合のコーテング条件は次のとおりである。

基　板・・・・・・・・・・・・串・　２００ｗＸ１．
２ｔｍ蒸発源・・・・・・・・・・・・・・　電子ビー
ム蒸発源電子ビームパワー＝　　Ｏｒ　２　ｋｗ　、　
ＩＦｅ　４．５ｋｗ蒸発源間距離・・・・・・・・　１
５（１ｍ蒸着距離・・・・・・・・・・・・　２００■
また、被膜作製は、まずＯｒ　９およびＦｅ１０を蒸発
ルツボ４および４′に入社、蒸着室１を高真望にする。

次にＯｒ　９およびＦｅ　１０　ｆｒ：電子ビームによ
り溶解し、−万、鋼帯１１を第５図。

第６図に示す矢印方向に送る。そして、シャッター１４
を開放して蒸着″？を開始し、目標の距離が得らｎるま
で蒸着を行う。蒸着完了後、シャツタ−１４を閉じ、鋼
帯１１の送りを止め、電子ビームのパワー七切る。この
被膜作製手順を従来法（第５図）および本発明の具体例
（第４図）とも同一条件で行う。

膜厚測定結果？第７図（従来法によるもの）及び第８図
（本発明によるもの）に示し、Ｆｅの分析結果全第９図
（従来法によるもの）および第１Ｃ図（本発明によるも
の）に示す。この第７〜１０図からみて、本発明による
被膜（第８図、第１０図）は、従来法により作製した被
膜（第７図、第９図）に比較して、より広い範囲にわ友
って明らかに均一性（膜厚および組成）にすぐｎている
ものである。

尚、第７図、第８図の膜厚比とは、その場における膜厚
と最大膜厚との比のことである０〔本発明の効果〕 本発明は、以上詳記したように、被蒸着面と蒸発ルツボ
との間に１個以上の開口部七肩するマスクを複数個配設
し７’Ｃ％のであるから、複合膜の組成並びに該被膜の
膜厚が均一な複合膜が形成する効果が生ずるものである
。また、本発明は回転基板や銅帯のような基板に対して
適用可能であり、工業的に価値のあるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例である合金膜作製を示す図、第
２図は第１図の１−１矢視断面を示す図、第３図は従来
法の具体例としてＣｒ−Ｆｅ合金膜の作製を示す図、第
４図は本発明の具体例としてＣｊｒ−ＩＦθ合金膜の作
製を示す図、第５図は第５図の■−■矢視断面を示す図
、第６図は第４図引ト■矢視断面を示す図、第７図は従
来法により作製しｆｌ−Ｏｒ−ＸＰｅ合金膜の膜厚を測
定し九結果を示す図、第８図は本発明により作製した０
ｒ−ＩＦｅ合金膜の膜厚を測定し危結果を示す図、第９
図は従来法により作製し友０ｒ−Ｆｅ合金膜のＦｅｉ分
析し友結果を示す図、第１０図は、本発明により作製し
ｆｔ−Ｏｒ　−７６合金膜のＥＦｅ　ｆ分析した結果全
売す図、第１１図は従来法による合金膜作製を示す図、
第１２図は第１１図のＩＩ／−■矢視断面を示す図であ
る。 １・・・蒸着室　　　　　２・・・円　板３・・・マス
ク　　　　４，４′・・−Ｈ発ルツボ５、ダ　・・・蒸
着用金属　６・・・本発明により作製さｎる被膜　７・
・・本発明に係るマスク８．８′　　・・・本発明に係
るマスク開口部９　・・・　Ｏｒ　　　　　　　　　　
　　　１０　　・−・　？θ１１・・−鋼　帯　　　　
１２−−−マスク開口部１３・・・被　膜　　　　１４
・・・シャッター復代理人　　内　１）　　明 復代理人　　萩　原　亮　− 復代理人　　安　酉　篤　夫 第２図 第３図 第４図 第７図 簿８図 鋼帯中心からの距Ｎｈｍ唱 ｅ＋帯中心からの距離（荀ｍ） 鋼帯中心からの距Ｍｒｔｎ屑ン 第１１図 第１２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 多元蒸着を施すための複合膜形成装置において、被蒸着
   面と蒸発ルツボとの間に１個以上の開口部を有するマス
   クを２個以上配設してなることを特徴とする複合膜形成
   装置。