JPS61195968A - 合金蒸着膜の製造方法 - Google Patents
合金蒸着膜の製造方法Info
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- JPS61195968A JPS61195968A JP3713585A JP3713585A JPS61195968A JP S61195968 A JPS61195968 A JP S61195968A JP 3713585 A JP3713585 A JP 3713585A JP 3713585 A JP3713585 A JP 3713585A JP S61195968 A JPS61195968 A JP S61195968A
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- Japan
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/06—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with metals
- C03C17/09—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with metals by deposition from the vapour phase
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く産業上の利用分野〉
本発明は１合金蒸着膜の製造方法に関し、特に所望の合
金組成が得られる合金蒸着膜の製造方法に関する。
金組成が得られる合金蒸着膜の製造方法に関する。
〈従来の技術〉
合金蒸着膜を電子ビーム等を用いた蒸着法で得る場合１
合金を構成する金属の蒸気圧特性を考慮して蒸発源の合
金組成を決定し、この合金を蒸発源として１合金蒸着膜
を得ているが、その場合。
合金を構成する金属の蒸気圧特性を考慮して蒸発源の合
金組成を決定し、この合金を蒸発源として１合金蒸着膜
を得ているが、その場合。
時間変化により合金組成が異なるという問題があり、実
際上１合金組成の制御を行うことは非常に困難であった
。
際上１合金組成の制御を行うことは非常に困難であった
。
このため、実際には電子銃およびるつぼを複数個用意し
、それぞれ制御を行い、それぞれの組成を別々の蒸発源
から一定の比率を持たせて同時蒸着させ所望の合金膜を
得ている。しかしながら、この場合電子銃が複数個必要
になることから、装置が複雑化、大型化し、されに装置
コストが高くなるという問題がある。
、それぞれ制御を行い、それぞれの組成を別々の蒸発源
から一定の比率を持たせて同時蒸着させ所望の合金膜を
得ている。しかしながら、この場合電子銃が複数個必要
になることから、装置が複雑化、大型化し、されに装置
コストが高くなるという問題がある。
〈発明が解決しようとする問題点〉
本発明の目的は、前記した従来技術の欠点を解消し、所
ψどおりの合金組成がえちれ再現性良く、また生産性良
く、しかも装置が小型で安価な合金蒸着膜の製造方法を
提供することにある。
ψどおりの合金組成がえちれ再現性良く、また生産性良
く、しかも装置が小型で安価な合金蒸着膜の製造方法を
提供することにある。
く問題点を解決するための手段〉
本発明は、基板上に合金蒸着膜を形成するに際し、１個
の蒸発源加熱部に対して合金を構成する単体金属をそれ
ぞれ装填した複数個のるつぼを用いて、該蒸発源加熱部
と該複数個のるつぼを相対的に運動させて、所定の合金
組成に応じて単体金属に加熱を与えることにより所望の
組成の合金蒸着膜をうることを特徴とする合金蒸着膜の
製造方法である。
の蒸発源加熱部に対して合金を構成する単体金属をそれ
ぞれ装填した複数個のるつぼを用いて、該蒸発源加熱部
と該複数個のるつぼを相対的に運動させて、所定の合金
組成に応じて単体金属に加熱を与えることにより所望の
組成の合金蒸着膜をうることを特徴とする合金蒸着膜の
製造方法である。
ここで、前記蒸発源加熱部と複数個のるつぼの相対的な
運動が、蒸発源加熱部の位置を固定し、複数個のるつぼ
を移動させる運動であることが良い。
運動が、蒸発源加熱部の位置を固定し、複数個のるつぼ
を移動させる運動であることが良い。
また、前記蒸発源加熱部と複数個のるつぼの相対的な運
動が、複数個のるつぼの位置を固定し、蒸発源加熱部位
置を制御しつつ移動する運動であることが好ましい。
動が、複数個のるつぼの位置を固定し、蒸発源加熱部位
置を制御しつつ移動する運動であることが好ましい。
さらに、前記蒸発源加熱部が電子ビームであることが良
い。
い。
図示する好適な実施例を用いて、以下に発明の構成を詳
述する。
述する。
合金蒸着膜製造法には、真空蒸着、スパッタリング、イ
オンブレーティング（イオン化蒸着法）等がある０本発
明方法は、蒸発源を加熱することにより、蒸発源物質の
気化、イオン化、飛散等を起こし、これを基板上に固着
させて薄膜を生成する合金蒸着膜製造法であればどのよ
うなものにも適用することができる。
オンブレーティング（イオン化蒸着法）等がある０本発
明方法は、蒸発源を加熱することにより、蒸発源物質の
気化、イオン化、飛散等を起こし、これを基板上に固着
させて薄膜を生成する合金蒸着膜製造法であればどのよ
うなものにも適用することができる。
１例として、第１図、第２図、第５図に示す電子ビーム
蒸着装置を用いて行う本発明の合金蒸着膜の製造方法を
説明する。
蒸着装置を用いて行う本発明の合金蒸着膜の製造方法を
説明する。
蒸着室２は、排気系ｌＯにより排気し、内部を１Ｏ−５
丁ｏｒｒｘ ｌ Ｏ−’ Ｔｏｒｒの真空とする。蒸着
室２内には蒸発源加熱部として電子銃６−基に対し、蒸
発源となる所望の合金を構成する単体金属をそれぞれ装
填した複数個のるつぼの集合体５を備える。電子銃６は
公知のいかなる方式のものを用いてもよいが電源５〜２
０ＫＷの電磁偏向型電子銃を用いるのが好ましい。
丁ｏｒｒｘ ｌ Ｏ−’ Ｔｏｒｒの真空とする。蒸着
室２内には蒸発源加熱部として電子銃６−基に対し、蒸
発源となる所望の合金を構成する単体金属をそれぞれ装
填した複数個のるつぼの集合体５を備える。電子銃６は
公知のいかなる方式のものを用いてもよいが電源５〜２
０ＫＷの電磁偏向型電子銃を用いるのが好ましい。
蒸発源５から適当位置離隔して、蒸発室２内に基板ｌを
設置する。
設置する。
複数個のるつぼの集合体５は電子銃６に対して一定の相
対運動をするように配置されてあれば。
対運動をするように配置されてあれば。
どのような配置であってもよいが、好ましくは第２図に
示す扇形るつぼ３，４，３１．３２．３３等を円形に配
置することがよい。
示す扇形るつぼ３，４，３１．３２．３３等を円形に配
置することがよい。
扇形るつぼ３，４，３１，３２．３３等は必要とする合
金蒸着膜の組成比に応じて表面積をかえたものを複数個
備え、おのおのに単体金属を組成比に応じた表面積とな
るように装填する。２元合金の場合は扇形るつぼ３．４
を用いるが、多元合金の場合は合金組成に応じて扇形る
つぼ３，４゜３１．３２．３３等を用いる。
金蒸着膜の組成比に応じて表面積をかえたものを複数個
備え、おのおのに単体金属を組成比に応じた表面積とな
るように装填する。２元合金の場合は扇形るつぼ３．４
を用いるが、多元合金の場合は合金組成に応じて扇形る
つぼ３，４゜３１．３２．３３等を用いる。
扇形るつぼ３，４，３１，３２．３３等は同一円内に配
置して複数るつぼの集合体５とし、第５図に示す回転機
構１２などにより回転駆動すると良い。
置して複数るつぼの集合体５とし、第５図に示す回転機
構１２などにより回転駆動すると良い。
本発明方法は、上記の装置を用い電子ビームを電磁コイ
ル８等のビーム偏向集束装置により一定位置に照射し、
電子ビームに対して複数るつぼの集合体５を回転機構１
２により回転し、これによりるつぼ３，４を回転しつつ
電子ビーム照射し。
ル８等のビーム偏向集束装置により一定位置に照射し、
電子ビームに対して複数るつぼの集合体５を回転機構１
２により回転し、これによりるつぼ３，４を回転しつつ
電子ビーム照射し。
るつぼ３．４の表面積比および照射時間等に応じた量の
単体金属をほとんど同時に蒸発させ、基板１上に蒸着し
て合金蒸着膜を製造する。
単体金属をほとんど同時に蒸発させ、基板１上に蒸着し
て合金蒸着膜を製造する。
次に、第３図、第４図に示す電子ビーム蒸着装置を用い
て行う本発明の合金蒸着膜の製造方法について説明する
。
て行う本発明の合金蒸着膜の製造方法について説明する
。
蒸着室２は、排気系ｌＯにより前述した場合と同様に排
気する。蒸着室２内には蒸発源加熱部として電子銃６−
基に対し、蒸発源となる所望の合金を構成する単体金属
をそれぞれ装填した複数個のるつぼ集合体９を備える。
気する。蒸着室２内には蒸発源加熱部として電子銃６−
基に対し、蒸発源となる所望の合金を構成する単体金属
をそれぞれ装填した複数個のるつぼ集合体９を備える。
蒸発源５から適当位匠離隔して蒸発室２内に基板１を設
置する。
置する。
複数個のるつぼ４１．４２はるつぼの集合体９上に配置
しても別々に配置してもよいが電子銃６に対して固定す
る６本発明法を実施するにあたっては電子銃６の電子ビ
ームを複数個のるつぼに対して相対運動させる。電子ビ
ームの運動は電子銃６自体を機械的に運動させてもよい
が、好ましくは磁場等により電子ビームの偏向集束位置
が複数個のるつぼ４１．４２の各々に一定時間づつ変化
するように電磁コイル８等の制御機構１３等を備えて運
動させる。
しても別々に配置してもよいが電子銃６に対して固定す
る６本発明法を実施するにあたっては電子銃６の電子ビ
ームを複数個のるつぼに対して相対運動させる。電子ビ
ームの運動は電子銃６自体を機械的に運動させてもよい
が、好ましくは磁場等により電子ビームの偏向集束位置
が複数個のるつぼ４１．４２の各々に一定時間づつ変化
するように電磁コイル８等の制御機構１３等を備えて運
動させる。
本発明法は、上記の装置を用いて固定された複数のるつ
ぼ４１．４２の各々に、制御機構１３により偏向集束位
置と時間を制御した電子ビームを照射し、照射時間に応
じた量の単体金属を蒸発させ、基板１上に蒸着して合金
蒸着膜を製造する。
ぼ４１．４２の各々に、制御機構１３により偏向集束位
置と時間を制御した電子ビームを照射し、照射時間に応
じた量の単体金属を蒸発させ、基板１上に蒸着して合金
蒸着膜を製造する。
以」二のように１本発明法で製造される合金蒸着膜は２
元合金以上の多元合金の蒸着も可能であり、金属単体よ
りなる合金のみならず蒸着室内を酸素等の雰囲気制御を
行って酸化物等の蒸着を行うこともできる。
元合金以上の多元合金の蒸着も可能であり、金属単体よ
りなる合金のみならず蒸着室内を酸素等の雰囲気制御を
行って酸化物等の蒸着を行うこともできる。
用いるるつぼの材質は、水冷銅るつぼ、ＢＮ。
Ａｌ１０３ 、ＢｓＯなどのセラミックるつぼ、Ｎｏ、
Ｔａ、Ｗなどの高融点金属るつぼ等のいかなるものを用
いてもよい。
Ｔａ、Ｗなどの高融点金属るつぼ等のいかなるものを用
いてもよい。
蒸発源であるるつぼ集合体５．９に対して基板１は、基
板１の形状、処理量、膜の厚み、その分布精度、操作性
などを考慮し、適切なジグを用いて反転、自公転等を行
ってもよい。
板１の形状、処理量、膜の厚み、その分布精度、操作性
などを考慮し、適切なジグを用いて反転、自公転等を行
ってもよい。
本発明方法に用いる装置は、１個の蒸発源加熱部に対し
て、単体金属を装填した複数のるつぼを、一定制御しつ
つ相対運動させることができるものであれば、いかなる
装置を用いてもよく、蒸発源加熱方式は抵抗加熱、電子
ビーム加熱、高電圧グロー放電、電子ビーム誘導加熱、
レーザービーム照射等を適当に制御して用いてもよい。
て、単体金属を装填した複数のるつぼを、一定制御しつ
つ相対運動させることができるものであれば、いかなる
装置を用いてもよく、蒸発源加熱方式は抵抗加熱、電子
ビーム加熱、高電圧グロー放電、電子ビーム誘導加熱、
レーザービーム照射等を適当に制御して用いてもよい。
く実 施 例〉
実施例１
５０ｍ■Ｘ５０ｍ層×２■謄のガラス基板ｌを第１図に
示す蒸着装置を用いてＦｅ−３６％Ｎｉのイン／＜−合
金の蒸着を行った。まず、蒸着室をｌＸｌ０”Ｔａｒｒ
まで真空排気し、９９．９９％鉄、 ９９．９９％ニ
ッケルがそれぞれ装填されたＢＮ製の分割るつぼ５を５
ｒｐｍで回転させ、電子ビームの照射位置を一定に
し、膜厚５ｇｍの蒸着層被覆を行った０分割るつぼの鉄
とニッケルとの表面積比は６４ ： ３６とした。
示す蒸着装置を用いてＦｅ−３６％Ｎｉのイン／＜−合
金の蒸着を行った。まず、蒸着室をｌＸｌ０”Ｔａｒｒ
まで真空排気し、９９．９９％鉄、 ９９．９９％ニ
ッケルがそれぞれ装填されたＢＮ製の分割るつぼ５を５
ｒｐｍで回転させ、電子ビームの照射位置を一定に
し、膜厚５ｇｍの蒸着層被覆を行った０分割るつぼの鉄
とニッケルとの表面積比は６４ ： ３６とした。
この実施例で得られた試料を蛍光Ｘ線により分析した結
果、蒸着層成分は鉄−３６％ニッケルであり、所ψのイ
ンバー合金組成が得られた。
果、蒸着層成分は鉄−３６％ニッケルであり、所ψのイ
ンバー合金組成が得られた。
実施例２
１００ｍｍＸ１００ｓ層×２層腸のアルミナ基板７を第
３図に示す蒸着装置を用いてＮｉ−２０％Ｃｒのニクロ
ム合金の蒸着を行った。まず蒸着室を１×１０″６Ｔｏ
ｒｒまで真空排気し、９９．９９％ニッケル。
３図に示す蒸着装置を用いてＮｉ−２０％Ｃｒのニクロ
ム合金の蒸着を行った。まず蒸着室を１×１０″６Ｔｏ
ｒｒまで真空排気し、９９．９９％ニッケル。
９９．９９％クロムがそれぞれ装填された水冷銅るつぼ
への電子ビーム照射がニッケルに１６秒、クロムに４秒
になるように制御を行い２分間の蒸着を行った。
への電子ビーム照射がニッケルに１６秒、クロムに４秒
になるように制御を行い２分間の蒸着を行った。
この実施例で得られた試料を蛍光Ｘ線により分析した結
果、蒸着層成分はＮｉ−２０％Ｃｒであり、所望のニク
ロム合金組成が得られた。
果、蒸着層成分はＮｉ−２０％Ｃｒであり、所望のニク
ロム合金組成が得られた。
〈発明の効果〉
本発明の合金蒸着膜の製造方法によれば、所望の組成の
合金蒸着膜が得られ、合金の一定組成の再現性が良い。
合金蒸着膜が得られ、合金の一定組成の再現性が良い。
また、電子銃等の一個の蒸発源加熱部により合金蒸着膜
の製造が行えるため装置が小型化し安価になる。
の製造が行えるため装置が小型化し安価になる。
第１図は１本発明を実施する真空蒸着装置の模式図であ
る。 第２図は１本発明に用いる分割るつぼの平面図である。 第３図は、本発明を実施する他の真空蒸着装置の模式図
である。 第４図は、本発明に用いる固定るつぼの平面図である。 第５図は、電磁偏向型電子銃（２７０”偏向）である。 符号の説明 ｌ・・・基板、２・・・蒸着室、３，４，３１，３２゜
３３・・・るつぼ、５．９・・・複数るつぼの集合体、
６・・・電子ビーム、７・・・蒸発源、８・・・電磁コ
イル、１０・・・排気系、１１・・・排気方向、１２・
・・回転機構、１３・・・制御機構、１４・・・７ノー
ド。 １５・・・電子ビーム軌道、１８−・・ウェーネルト、
１７・・・フィラメント ＦＩＧ、１ ＦｆＧ、３ ＦＩＧ、５
る。 第２図は１本発明に用いる分割るつぼの平面図である。 第３図は、本発明を実施する他の真空蒸着装置の模式図
である。 第４図は、本発明に用いる固定るつぼの平面図である。 第５図は、電磁偏向型電子銃（２７０”偏向）である。 符号の説明 ｌ・・・基板、２・・・蒸着室、３，４，３１，３２゜
３３・・・るつぼ、５．９・・・複数るつぼの集合体、
６・・・電子ビーム、７・・・蒸発源、８・・・電磁コ
イル、１０・・・排気系、１１・・・排気方向、１２・
・・回転機構、１３・・・制御機構、１４・・・７ノー
ド。 １５・・・電子ビーム軌道、１８−・・ウェーネルト、
１７・・・フィラメント ＦＩＧ、１ ＦｆＧ、３ ＦＩＧ、５
Claims (4)
- （１）基板上に合金蒸着膜を形成するに際し、１個の蒸
発源加熱部に対して合金を構成する単体金属をそれぞれ
装填した複数個のるつぼを用いて、該蒸発源加熱部と該
複数個のるつぼを相対的に運動させて、所定の合金組成
に応じて単体金属に加熱を与えることにより所望の組成
の合金蒸着膜をうることを特徴とする合金蒸着膜の製造
方法。 - （２）前記蒸発源加熱部と複数個のるつぼの相対的な運
動が、蒸発源加熱部の位置を固定し、複数個のるつぼを
移動させる運動である特許請求の範囲第１項に記載の合
金蒸発膜の製造方法。 - （３）前記蒸発源加熱部と複数個のるつぼの相対的な運
動が、複数個のるつぼの位置を固定し、蒸発源加熱部位
置を制御しつつ移動する運動である特許請求の範囲第１
項に記載の合金蒸着膜の製造方法。 - （４）前記蒸発源加熱部が電子ビームである特許請求の
範囲第１項ないし第３項のいずれかに記載の合金蒸着膜
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3713585A JPS61195968A (ja) | 1985-02-26 | 1985-02-26 | 合金蒸着膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3713585A JPS61195968A (ja) | 1985-02-26 | 1985-02-26 | 合金蒸着膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61195968A true JPS61195968A (ja) | 1986-08-30 |
Family
ID=12489171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3713585A Pending JPS61195968A (ja) | 1985-02-26 | 1985-02-26 | 合金蒸着膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61195968A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008025022A (ja) * | 2006-07-18 | 2008-02-07 | Semes Co Ltd | 薄膜蒸着用の回転蒸着源及びこれを用いる薄膜蒸着装置 |
| US7727335B2 (en) | 2002-11-05 | 2010-06-01 | Theva Dunnschichttechnik Gmbh | Device and method for the evaporative deposition of a coating material |
| KR101208995B1 (ko) | 2005-04-20 | 2012-12-06 | 주성엔지니어링(주) | 증착용기를 구비하는 증착장치 |
| JP2015137409A (ja) * | 2014-01-23 | 2015-07-30 | スタンレー電気株式会社 | 坩堝及び真空蒸着装置 |
-
1985
- 1985-02-26 JP JP3713585A patent/JPS61195968A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7727335B2 (en) | 2002-11-05 | 2010-06-01 | Theva Dunnschichttechnik Gmbh | Device and method for the evaporative deposition of a coating material |
| KR101208995B1 (ko) | 2005-04-20 | 2012-12-06 | 주성엔지니어링(주) | 증착용기를 구비하는 증착장치 |
| JP2008025022A (ja) * | 2006-07-18 | 2008-02-07 | Semes Co Ltd | 薄膜蒸着用の回転蒸着源及びこれを用いる薄膜蒸着装置 |
| JP2015137409A (ja) * | 2014-01-23 | 2015-07-30 | スタンレー電気株式会社 | 坩堝及び真空蒸着装置 |
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