JPH05166235A - 光磁気記録媒体製造装置 - Google Patents
光磁気記録媒体製造装置Info
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- JPH05166235A JPH05166235A JP35163891A JP35163891A JPH05166235A JP H05166235 A JPH05166235 A JP H05166235A JP 35163891 A JP35163891 A JP 35163891A JP 35163891 A JP35163891 A JP 35163891A JP H05166235 A JPH05166235 A JP H05166235A
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- film thickness
- mask
- substrate
- plane
- peripheral side
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ディスクの内周から外周にかけて、記録に必
要とするレーザ光強度の変化の少ない光磁気ディスクの
製造装置を得る。 【構成】 基板１は、回転導入機３により面内で自転が
可能である。一対の支持体兼用電極４は、その間に抵抗
加熱式の蒸発源５を支持している。支持体６には、基板
ホルダ２および膜厚補正用マスク７が支持されている。
基板１の中心と膜厚補正用マスク７の中心は同軸上にあ
る。膜厚均一化用マスク１０が支持体９により支持さ
れ、膜厚補正用マスクよりも蒸発源側に配置されてい
る。膜厚均一化用マスク１０は回転導入機１１により面
内で自転させられる。これにより、基板及び膜厚補正用
マスクが必ずしも蒸発源の直上に配置されていなくて
も、膜厚分布を所定の分布とすることが可能となり、複
数の基板に同時に成膜することが可能となる。
要とするレーザ光強度の変化の少ない光磁気ディスクの
製造装置を得る。 【構成】 基板１は、回転導入機３により面内で自転が
可能である。一対の支持体兼用電極４は、その間に抵抗
加熱式の蒸発源５を支持している。支持体６には、基板
ホルダ２および膜厚補正用マスク７が支持されている。
基板１の中心と膜厚補正用マスク７の中心は同軸上にあ
る。膜厚均一化用マスク１０が支持体９により支持さ
れ、膜厚補正用マスクよりも蒸発源側に配置されてい
る。膜厚均一化用マスク１０は回転導入機１１により面
内で自転させられる。これにより、基板及び膜厚補正用
マスクが必ずしも蒸発源の直上に配置されていなくて
も、膜厚分布を所定の分布とすることが可能となり、複
数の基板に同時に成膜することが可能となる。
Description
【０００１】
【技術分野】本発明は、光磁気記録媒体製造装置に関
し、より詳細には、レーザ光を用いて情報の記録，再
生，消去を行う光磁気記録媒体の製造装置に関する。
し、より詳細には、レーザ光を用いて情報の記録，再
生，消去を行う光磁気記録媒体の製造装置に関する。
【０００２】
【従来技術】光磁気記録方式においては、光磁気記録装
置を簡単化するために光磁気ディスクを一定の回転数で
回転させながら用いる、いわゆるＣＡＶ方式が広く用い
られている。レーザ光で光磁気ディスクの記録を行う部
分を一定温度以上に加熱する必要があるが、上記ＣＡＶ
方式においては、ディスクの回転数が一定のため、内周
と外周とではレーザ照射部における線速度が外周側にな
るほど早くなり、熱効率が低下するため、外周になるに
したがってより強いレーザ光を照射する必要がある。光
磁気ディスクドライブは、ディスクのコントロールトラ
ック上にあらかじめ記録されたこのレーザ光強度の情報
を読み取り、このレーザ光強度を制御している。
置を簡単化するために光磁気ディスクを一定の回転数で
回転させながら用いる、いわゆるＣＡＶ方式が広く用い
られている。レーザ光で光磁気ディスクの記録を行う部
分を一定温度以上に加熱する必要があるが、上記ＣＡＶ
方式においては、ディスクの回転数が一定のため、内周
と外周とではレーザ照射部における線速度が外周側にな
るほど早くなり、熱効率が低下するため、外周になるに
したがってより強いレーザ光を照射する必要がある。光
磁気ディスクドライブは、ディスクのコントロールトラ
ック上にあらかじめ記録されたこのレーザ光強度の情報
を読み取り、このレーザ光強度を制御している。
【０００３】光磁気ディスクの記録は、半導体レーザで
記録膜をキュリー点以上に温度を上げ、外部磁界をかけ
たまま温度を下げて外部磁界の向きに磁化した領域を作
り出すことで、"０"，"１" の情報を記録するものであ
る。光磁気ディスクが回転数一定で回転しているとき、
線速度はディスクの中心からの距離に比例して大きくな
るため、同一強度のレーザを照射して記録膜を加熱する
と、外周側になるほどレーザ光を強くする必要がある。
すなわち、内周側よりも外周側の方が記録に必要なレー
ザ光強度はより大きくなる。したがって、光磁気ディス
クを駆動する場合に、記録レーザ光の強度を内周側から
外周側に向かって段階的あるいは連続的に大きくするこ
とは、半導体レーザのパワーマージンを大きくする必要
があり、また、パワー制御回路等を複雑にし、ドライブ
側にとって負担となっていた。
記録膜をキュリー点以上に温度を上げ、外部磁界をかけ
たまま温度を下げて外部磁界の向きに磁化した領域を作
り出すことで、"０"，"１" の情報を記録するものであ
る。光磁気ディスクが回転数一定で回転しているとき、
線速度はディスクの中心からの距離に比例して大きくな
るため、同一強度のレーザを照射して記録膜を加熱する
と、外周側になるほどレーザ光を強くする必要がある。
すなわち、内周側よりも外周側の方が記録に必要なレー
ザ光強度はより大きくなる。したがって、光磁気ディス
クを駆動する場合に、記録レーザ光の強度を内周側から
外周側に向かって段階的あるいは連続的に大きくするこ
とは、半導体レーザのパワーマージンを大きくする必要
があり、また、パワー制御回路等を複雑にし、ドライブ
側にとって負担となっていた。
【０００４】
【目的】本発明は、上述のごとき実情に鑑みてなされた
もので、ディスクの内周から外周にかけて、記録に必要
とするレーザ光強度の変化の少ない光磁気記録媒体製造
装置を提供することを目的としてなされたものである。
もので、ディスクの内周から外周にかけて、記録に必要
とするレーザ光強度の変化の少ない光磁気記録媒体製造
装置を提供することを目的としてなされたものである。
【０００５】
【構成】本発明は、上記目的を達成するために、（１）
蒸発源と円板状の基板との間に、膜厚を基板の径方向に
連続的あるいは段階的に変化させ、その際に外周側の方
が内周側よりも膜厚が小さく、あるいは大きくなるよう
に開口部を設定した円板状の膜厚補正用マスクを配置
し、該膜厚補正用マスクよりも蒸発源側に円板状の膜厚
均一化用マスクを配置し、該膜厚均一化用マスクを面内
で自転させ、かつ基板あるいは膜厚補正用マスクの少な
くとも一方を面内で自転させながら真空蒸着すること、
或いは、（２）ターゲットと円板状の基板との間に、膜
厚を基板の径方向に連続的あるいは段階的に変化させ、
その際に外周側の方が内周側よりも膜厚が小さく、ある
いは大きくなるように開口部を設定した円板状の膜厚補
正用マスクを配置し、該膜厚補正用マスクよりもターゲ
ット側に円板状の膜厚均一化用マスクを配置し、該膜厚
均一化用マスクを面内で自転させ、かつ基板あるいは膜
厚補正用マスクの少なくとも一方を面内で自転させなが
らスパッタ成膜すること、或いは、（３）蒸発源と円板
状の基板との間に、膜厚を基板の径方向に連続的あるい
は段階的に変化させ、その際に外周側の方が内周側より
も膜厚が小さく、あるいは大きくなるように開口部を設
定した円板状の膜厚補正用マスクを配置し、該膜厚均一
化用マスクを面内で自転させ、かつ基板あるいは膜厚補
正用マスクの少なくとも一方を面内で自転させながらイ
オンプレーティングすること、更には、（４）前記
（１）,（２）又は（３）において、前記蒸発源あるい
はターゲットを複数個用い、各蒸発源あるいはターゲッ
トに対し、その直上に膜厚均一化用マスクを設けたこと
を特徴としたものである。以下、本発明の実施例に基づ
いて説明する。
蒸発源と円板状の基板との間に、膜厚を基板の径方向に
連続的あるいは段階的に変化させ、その際に外周側の方
が内周側よりも膜厚が小さく、あるいは大きくなるよう
に開口部を設定した円板状の膜厚補正用マスクを配置
し、該膜厚補正用マスクよりも蒸発源側に円板状の膜厚
均一化用マスクを配置し、該膜厚均一化用マスクを面内
で自転させ、かつ基板あるいは膜厚補正用マスクの少な
くとも一方を面内で自転させながら真空蒸着すること、
或いは、（２）ターゲットと円板状の基板との間に、膜
厚を基板の径方向に連続的あるいは段階的に変化させ、
その際に外周側の方が内周側よりも膜厚が小さく、ある
いは大きくなるように開口部を設定した円板状の膜厚補
正用マスクを配置し、該膜厚補正用マスクよりもターゲ
ット側に円板状の膜厚均一化用マスクを配置し、該膜厚
均一化用マスクを面内で自転させ、かつ基板あるいは膜
厚補正用マスクの少なくとも一方を面内で自転させなが
らスパッタ成膜すること、或いは、（３）蒸発源と円板
状の基板との間に、膜厚を基板の径方向に連続的あるい
は段階的に変化させ、その際に外周側の方が内周側より
も膜厚が小さく、あるいは大きくなるように開口部を設
定した円板状の膜厚補正用マスクを配置し、該膜厚均一
化用マスクを面内で自転させ、かつ基板あるいは膜厚補
正用マスクの少なくとも一方を面内で自転させながらイ
オンプレーティングすること、更には、（４）前記
（１）,（２）又は（３）において、前記蒸発源あるい
はターゲットを複数個用い、各蒸発源あるいはターゲッ
トに対し、その直上に膜厚均一化用マスクを設けたこと
を特徴としたものである。以下、本発明の実施例に基づ
いて説明する。
【０００６】図１は、本発明による光磁気記録媒体製造
装置の一実施例（請求項１）を説明するための構成図
で、図中、１は基板、２は基板ホルダ、３は回転導入
機、４は支持体兼用電極、５は蒸発源、６は支持体、７
は膜厚補正用マスク、８は電源、９は支持体、１０は膜
厚均一化用マスク、１１は回転導入機である。基板１
は、回転導入機３により面内で自転が可能である。一対
の支持体兼用電極４は、その間に抵抗加熱式の蒸発源５
を支持している。なお、このような蒸発源に変えてビー
ム状の蒸発源等、従来の真空蒸着方式で用いられている
蒸発源を適宜使用することができる。このとき、蒸発粒
子の分布は、膜厚均一化用マスクに入射する位置におい
ては充分回転対称とみなせるものとする。
装置の一実施例（請求項１）を説明するための構成図
で、図中、１は基板、２は基板ホルダ、３は回転導入
機、４は支持体兼用電極、５は蒸発源、６は支持体、７
は膜厚補正用マスク、８は電源、９は支持体、１０は膜
厚均一化用マスク、１１は回転導入機である。基板１
は、回転導入機３により面内で自転が可能である。一対
の支持体兼用電極４は、その間に抵抗加熱式の蒸発源５
を支持している。なお、このような蒸発源に変えてビー
ム状の蒸発源等、従来の真空蒸着方式で用いられている
蒸発源を適宜使用することができる。このとき、蒸発粒
子の分布は、膜厚均一化用マスクに入射する位置におい
ては充分回転対称とみなせるものとする。
【０００７】支持体６には、基板ホルダ２および膜厚補
正用マスク７が支持されている。また、基板１の中心と
膜厚補正用マスク７の中心は同軸上にある。さらに、膜
厚均一化用マスク１０が支持体９により支持され、膜厚
補正用マスク７よりも蒸発源側に配置されている。ま
た、膜厚均一化用マスク１０は回転導入機１１により面
内で自転させられる。これにより、基板１及び膜厚補正
用マスク７が必ずしも蒸発源の直上に配置されていなく
ても、膜厚分布を所定の分布とすることが可能となり、
複数の基板に同時に成膜することが可能となる。
正用マスク７が支持されている。また、基板１の中心と
膜厚補正用マスク７の中心は同軸上にある。さらに、膜
厚均一化用マスク１０が支持体９により支持され、膜厚
補正用マスク７よりも蒸発源側に配置されている。ま
た、膜厚均一化用マスク１０は回転導入機１１により面
内で自転させられる。これにより、基板１及び膜厚補正
用マスク７が必ずしも蒸発源の直上に配置されていなく
ても、膜厚分布を所定の分布とすることが可能となり、
複数の基板に同時に成膜することが可能となる。
【０００８】図２は、膜厚均一化用マスクを示す図で、
図中の斜線部は遮蔽部分である。 γ(r)＝ａ／ｆ(r) γ：マスク中心からの距離ｒにおける開口角の総和 ｆ(r)：膜厚均一化用マスクに入射する蒸発物質の分布
（計算値または実測値） ａ：定数 と開口角が設定されている。
図中の斜線部は遮蔽部分である。 γ(r)＝ａ／ｆ(r) γ：マスク中心からの距離ｒにおける開口角の総和 ｆ(r)：膜厚均一化用マスクに入射する蒸発物質の分布
（計算値または実測値） ａ：定数 と開口角が設定されている。
【０００９】この光磁気記録媒体製造装置においては、
前記膜厚補正用マスクの開口部は図３のごとく、その開
口角が、例えば、 γ′(r)＝−ｂ・ｒ＋ｄ γ′：マスク中心からの距離ｒにおける開口角の総和 ｂ,ｄ：定数 となるように設定されており、蒸発物質が通過後にはそ
の面内分布が外周側の方が内周側よりも膜厚が小さくな
るよう修正される。なお、開口部は必ずしも連続してい
る必要はなく、図４（ａ）,（ｂ）のように複数の開口
領域に分割されていてもよい。
前記膜厚補正用マスクの開口部は図３のごとく、その開
口角が、例えば、 γ′(r)＝−ｂ・ｒ＋ｄ γ′：マスク中心からの距離ｒにおける開口角の総和 ｂ,ｄ：定数 となるように設定されており、蒸発物質が通過後にはそ
の面内分布が外周側の方が内周側よりも膜厚が小さくな
るよう修正される。なお、開口部は必ずしも連続してい
る必要はなく、図４（ａ）,（ｂ）のように複数の開口
領域に分割されていてもよい。
【００１０】さて、支持体兼用電極４は導電体であっ
て、電極としても役割を兼ねており、それらの真空槽外
へ突出した端部間は図示のように電源８に接続されてい
る。なお、図中の接地は必ずしも必要ない。また、基板
１の替わりに膜厚補正用マスク７を面内で自転させる機
構にしてもよい。実際には、これら電気的接続は種々の
スイッチ類を含み、これらの操作により成膜プロセスを
実現するのであるが、これらスイッチ類は図中に示され
ていない。
て、電極としても役割を兼ねており、それらの真空槽外
へ突出した端部間は図示のように電源８に接続されてい
る。なお、図中の接地は必ずしも必要ない。また、基板
１の替わりに膜厚補正用マスク７を面内で自転させる機
構にしてもよい。実際には、これら電気的接続は種々の
スイッチ類を含み、これらの操作により成膜プロセスを
実現するのであるが、これらスイッチ類は図中に示され
ていない。
【００１１】以下、前記実施例による光磁気記録媒体の
製造方法について説明する。基板１を図１のように基板
ホルダ２にセットして、蒸発物質を蒸発源５に保持させ
る。蒸発物質を構成する母材はどの様な薄膜を形成する
かに応じて決める。例えば、反射層としてＡｌ（アルミ
ニューム）を用いる場合には金属Ａｌを、Ｃｒを用いる
場合には金属Ｃｒを母材として使用する。ここでは、説
明のため反射層をＡｌ膜とする。真空槽内は、あらかじ
め１０-5〜１０-6Torr の圧力にされる。この状態にお
いて電源８を作動させ、蒸発源５を加熱して蒸発物質を
蒸発させる。また、蒸着時には基板ホルダ２は面内で自
転している。蒸発物質は基板の側へ向かって飛行する
が、前述したように開口角を設定された膜厚均一化用マ
スクを通過する際に、その面内分布が均一化され、さら
に膜厚補正用マスクにより目的とする分布に修正された
後、基板の側に飛行していく。請求項１においては、膜
厚を基板の径方向に連続的あるいは段階的に変化させ、
その際に外周側の方が内周側よりも膜厚が小さくなるよ
うに成膜する。反射層のＡｌの膜厚が厚いほど熱伝導に
よる熱拡散が大きくなり、記録層を記録可能な温度まで
加熱するために必要なレーザパワーが大きくなる。した
がって、反射層のＡｌの膜厚が外周側になるほど小さく
なるように成膜すれば、内周側と外周側の間のレーザパ
ワーの変化を小さくすることができる。
製造方法について説明する。基板１を図１のように基板
ホルダ２にセットして、蒸発物質を蒸発源５に保持させ
る。蒸発物質を構成する母材はどの様な薄膜を形成する
かに応じて決める。例えば、反射層としてＡｌ（アルミ
ニューム）を用いる場合には金属Ａｌを、Ｃｒを用いる
場合には金属Ｃｒを母材として使用する。ここでは、説
明のため反射層をＡｌ膜とする。真空槽内は、あらかじ
め１０-5〜１０-6Torr の圧力にされる。この状態にお
いて電源８を作動させ、蒸発源５を加熱して蒸発物質を
蒸発させる。また、蒸着時には基板ホルダ２は面内で自
転している。蒸発物質は基板の側へ向かって飛行する
が、前述したように開口角を設定された膜厚均一化用マ
スクを通過する際に、その面内分布が均一化され、さら
に膜厚補正用マスクにより目的とする分布に修正された
後、基板の側に飛行していく。請求項１においては、膜
厚を基板の径方向に連続的あるいは段階的に変化させ、
その際に外周側の方が内周側よりも膜厚が小さくなるよ
うに成膜する。反射層のＡｌの膜厚が厚いほど熱伝導に
よる熱拡散が大きくなり、記録層を記録可能な温度まで
加熱するために必要なレーザパワーが大きくなる。した
がって、反射層のＡｌの膜厚が外周側になるほど小さく
なるように成膜すれば、内周側と外周側の間のレーザパ
ワーの変化を小さくすることができる。
【００１２】このように、本発明の課題を解決するため
には、基板上に設けた膜の膜厚を基板の内周側から外周
側に向かって連続的にもしくは段階的に変化させる手段
を設けることによって達成できる。実施例における光磁
気記録媒体製造装置は、蒸発源５と該蒸発源５に対向さ
せて基板１を保持する基板ホルダ２を有し、前記蒸発源
５と基板１の間に膜厚補正用マスク７を有する。また、
前記蒸発源５と膜厚補正用マスク７の間に膜厚均一化用
マスク１０を配置している。膜厚補正用マスク７あるい
は基板ホルダ２の少なくとも一方は、回転導入機３によ
り面内で自転させることが可能である。さらに、膜厚均
一化用マスク１０は回転導入機１１により面内で自転さ
せることが可能である。なお、膜厚補正用マスク７の中
心および基板１の中心は同軸上にあり、かつ膜厚均一化
用マスク１０の中心と蒸発分布の中心は同軸上にあるも
のとする。
には、基板上に設けた膜の膜厚を基板の内周側から外周
側に向かって連続的にもしくは段階的に変化させる手段
を設けることによって達成できる。実施例における光磁
気記録媒体製造装置は、蒸発源５と該蒸発源５に対向さ
せて基板１を保持する基板ホルダ２を有し、前記蒸発源
５と基板１の間に膜厚補正用マスク７を有する。また、
前記蒸発源５と膜厚補正用マスク７の間に膜厚均一化用
マスク１０を配置している。膜厚補正用マスク７あるい
は基板ホルダ２の少なくとも一方は、回転導入機３によ
り面内で自転させることが可能である。さらに、膜厚均
一化用マスク１０は回転導入機１１により面内で自転さ
せることが可能である。なお、膜厚補正用マスク７の中
心および基板１の中心は同軸上にあり、かつ膜厚均一化
用マスク１０の中心と蒸発分布の中心は同軸上にあるも
のとする。
【００１３】蒸発源５からの蒸発物質は、膜厚均一化用
マスク１０を通過する際にその面内分布が均一化され、
さらに膜厚補正用マスク７を通過する際に、その面内分
布が目的とする分布に修正され、基板１の側に飛行して
いく。実施例１の場合は、膜厚補正用マスク７の開口部
の設定により、膜厚を基板１の径方向に連続的あるいは
段階的に変化させ、その際に外周側の方が内周側よりも
膜厚が小さくなるように分布を修正している。このと
き、膜厚補正用マスク７あるいは基板ホルダ２の少なく
とも一方が面内で自転し、かつ膜厚均一化用マスク１０
が面内で自転しているので、膜厚補正用マスク７および
膜厚均一化用マスク１０の影は生じない。
マスク１０を通過する際にその面内分布が均一化され、
さらに膜厚補正用マスク７を通過する際に、その面内分
布が目的とする分布に修正され、基板１の側に飛行して
いく。実施例１の場合は、膜厚補正用マスク７の開口部
の設定により、膜厚を基板１の径方向に連続的あるいは
段階的に変化させ、その際に外周側の方が内周側よりも
膜厚が小さくなるように分布を修正している。このと
き、膜厚補正用マスク７あるいは基板ホルダ２の少なく
とも一方が面内で自転し、かつ膜厚均一化用マスク１０
が面内で自転しているので、膜厚補正用マスク７および
膜厚均一化用マスク１０の影は生じない。
【００１４】図５は、他の光磁気記録媒体の製造方法
（実施例２）を適用して成膜に用いる膜厚補正用マスク
を示した図であり、その開口角は、例えば、 γ″(r)＝ｃ・ｒ＋ｅ γ″：マスク中心からの距離ｒにおける開口角の総和 ｃ,ｅ：定数 と設定されている。この場合においても、開口部は必ず
しも連続している必要はなく、図６（ａ）,（ｂ）のよ
うに複数の開口領域に分割されていてもよい。金属膜よ
りも熱伝導率が小さい第２誘電体保護層、例えばＳｉＯ
2あるいはＳｉＯなどの膜厚が小さいほど反射層への熱
伝導による熱損失が大きくなり、記録層を記録可能な温
度まで加熱するために必要なレーザパワーが大きくな
る。したがって、第２誘電体保護層として、例えばＳｉ
Ｏ2を膜厚が外周側になるほど大きくなるように電子ビ
ーム蒸発源を用いて成膜すれば、内周側と外周側の間の
レーザパワーの変化を小さくすることができる。
（実施例２）を適用して成膜に用いる膜厚補正用マスク
を示した図であり、その開口角は、例えば、 γ″(r)＝ｃ・ｒ＋ｅ γ″：マスク中心からの距離ｒにおける開口角の総和 ｃ,ｅ：定数 と設定されている。この場合においても、開口部は必ず
しも連続している必要はなく、図６（ａ）,（ｂ）のよ
うに複数の開口領域に分割されていてもよい。金属膜よ
りも熱伝導率が小さい第２誘電体保護層、例えばＳｉＯ
2あるいはＳｉＯなどの膜厚が小さいほど反射層への熱
伝導による熱損失が大きくなり、記録層を記録可能な温
度まで加熱するために必要なレーザパワーが大きくな
る。したがって、第２誘電体保護層として、例えばＳｉ
Ｏ2を膜厚が外周側になるほど大きくなるように電子ビ
ーム蒸発源を用いて成膜すれば、内周側と外周側の間の
レーザパワーの変化を小さくすることができる。
【００１５】このように、実施例２の光磁気記録媒体製
造装置は、蒸発物質が通過する際に、その面内分布を修
正するための膜厚補正用マスク７の開口部が前記実施例
１とは逆に、膜厚を基板１の径方向に連続的あるいは段
階的に変化させ、その際に外周側の方が内周側よりも膜
厚が大きくなるように設定されている。膜厚補正用マス
ク７あるいは基板ホルダ２の少なくとも一方が面内で自
転し、かつ膜厚均一化用マスク１０が面内で自転してい
るので、膜厚補正用マスク７および膜厚均一化用マスク
１０の影は生じない。
造装置は、蒸発物質が通過する際に、その面内分布を修
正するための膜厚補正用マスク７の開口部が前記実施例
１とは逆に、膜厚を基板１の径方向に連続的あるいは段
階的に変化させ、その際に外周側の方が内周側よりも膜
厚が大きくなるように設定されている。膜厚補正用マス
ク７あるいは基板ホルダ２の少なくとも一方が面内で自
転し、かつ膜厚均一化用マスク１０が面内で自転してい
るので、膜厚補正用マスク７および膜厚均一化用マスク
１０の影は生じない。
【００１６】図７は、本発明による光磁気記録媒体製造
装置の他の実施例（請求項２）を示す図で、図中、１１
は基板、１２は基板ホルダ、１３は回転導入機、１４は
支持体兼用電極、１５はターゲット、１６は支持体兼用
電極、１７は膜厚補正用マスク、１８は電源、１９は支
持体兼用電極、２０は膜厚均一化用マスク、２１は回転
導入機である。基板１１は回転導入機１３により面内で
自転が可能である。支持体兼用電極１４はターゲット１
５を支持している。支持体兼用電極１６には、基板ホル
ダ１２および膜厚補正用マスク１７が支持されている。
また、基板１１の中心と膜厚補正用マスク１７の中心は
同軸上にある。さらに、膜厚均一化用マスク２０が支持
体兼用電極１９により支持され、膜厚補正用マスク１７
よりもターゲット１５側に配置されている。また、膜厚
均一化用マスク２０は回転導入機２１により面内で自転
させられる。これにより、基板１１及び膜厚補正用マス
ク１７が必ずしもターゲットの直上に配置されていなく
ても、膜厚分布を所定の分布とすることが可能となり、
複数の基板に同時に成膜することが可能となる。
装置の他の実施例（請求項２）を示す図で、図中、１１
は基板、１２は基板ホルダ、１３は回転導入機、１４は
支持体兼用電極、１５はターゲット、１６は支持体兼用
電極、１７は膜厚補正用マスク、１８は電源、１９は支
持体兼用電極、２０は膜厚均一化用マスク、２１は回転
導入機である。基板１１は回転導入機１３により面内で
自転が可能である。支持体兼用電極１４はターゲット１
５を支持している。支持体兼用電極１６には、基板ホル
ダ１２および膜厚補正用マスク１７が支持されている。
また、基板１１の中心と膜厚補正用マスク１７の中心は
同軸上にある。さらに、膜厚均一化用マスク２０が支持
体兼用電極１９により支持され、膜厚補正用マスク１７
よりもターゲット１５側に配置されている。また、膜厚
均一化用マスク２０は回転導入機２１により面内で自転
させられる。これにより、基板１１及び膜厚補正用マス
ク１７が必ずしもターゲットの直上に配置されていなく
ても、膜厚分布を所定の分布とすることが可能となり、
複数の基板に同時に成膜することが可能となる。
【００１７】図８は、膜厚均一化用マスクを示す図で、
図中の斜線部は遮蔽部分である。 γ(r)＝ａ／ｆ(r) γ：マスク中心からの距離ｒにおける開口角の総和 ｆ(r)：膜厚均一化用マスクに入射するターゲットから
の粒子の分布（計算値または実測値） ａ：定数 と開口部が設定されている。ここで、放電を安定化する
ために開口部を網目状にしてもよい。
図中の斜線部は遮蔽部分である。 γ(r)＝ａ／ｆ(r) γ：マスク中心からの距離ｒにおける開口角の総和 ｆ(r)：膜厚均一化用マスクに入射するターゲットから
の粒子の分布（計算値または実測値） ａ：定数 と開口部が設定されている。ここで、放電を安定化する
ために開口部を網目状にしてもよい。
【００１８】この光磁気記録媒体製造装置（実施例３）
においては、前記膜厚補正用マスクの開口部は図９の如
く、その開口角が、例えば、 γ′(r)＝−ｂ・ｒ＋ｄ γ′：マスク中心からの距離ｒにおける開口角の総和 ｂ,ｄ：定数 となるように設定されており、ターゲットからの粒子
が、通過後にはその面内分布が、外周側の方が内周側よ
りも膜厚が小さくなるよう修正される。なお、開口部は
必ずしも連続している必要はなく、図１０（ａ）,
（ｂ）のように複数の開口領域に分割されていてもよ
い。
においては、前記膜厚補正用マスクの開口部は図９の如
く、その開口角が、例えば、 γ′(r)＝−ｂ・ｒ＋ｄ γ′：マスク中心からの距離ｒにおける開口角の総和 ｂ,ｄ：定数 となるように設定されており、ターゲットからの粒子
が、通過後にはその面内分布が、外周側の方が内周側よ
りも膜厚が小さくなるよう修正される。なお、開口部は
必ずしも連続している必要はなく、図１０（ａ）,
（ｂ）のように複数の開口領域に分割されていてもよ
い。
【００１９】さて、支持体兼用電極１４は導電体であっ
て、電極としての役割を兼ねており、それらの真空槽外
へ突出した端部は図示のように電源１８の負端子に接続
されている。又、電源１８の正端子は支持体兼用電極１
６に接続されている。なお、図中の接地は必ずしも必要
ない。また、基板ホルダ１２の替わりに膜厚補正用マス
ク１７を面内で自転させてもよい。実際には、これら電
気的接続は種々のスイッチ類を含み、これらの操作によ
り成膜プロセスを実現するのであるが、これらスイッチ
類は図中に示されていない。
て、電極としての役割を兼ねており、それらの真空槽外
へ突出した端部は図示のように電源１８の負端子に接続
されている。又、電源１８の正端子は支持体兼用電極１
６に接続されている。なお、図中の接地は必ずしも必要
ない。また、基板ホルダ１２の替わりに膜厚補正用マス
ク１７を面内で自転させてもよい。実際には、これら電
気的接続は種々のスイッチ類を含み、これらの操作によ
り成膜プロセスを実現するのであるが、これらスイッチ
類は図中に示されていない。
【００２０】以下、前記実施例３による光磁気記録媒体
の製造方法について説明する。基板１１を図７のように
基板ホルダ１２にセットして、ターゲット１５を支持体
兼用電極１４に保持させる。ターゲットを構成する母材
は、どの様な薄膜を形成するかに応じて決める。例え
ば、反射層としてＡｌを用いる場合には金属Ａｌを、Ｃ
ｒを用いる場合には金属Ｃｒを母材として使用する。こ
こでは、説明のため反射層をＡｌ膜とする。真空槽内
は、あらかじめ１０-5〜１０-6Torr の圧力にされた
後、Ａｒガスが１０-2Torr の圧力まで導入される。こ
の状態において電源１８を作動させ、ターゲットをスパ
ッタし、成膜を行う。また、スパッタ時には基板１１は
面内で自転している。ターゲットからの粒子は基板の側
へ向かって飛行するが、前述したように開口角を設定さ
れた膜厚均一化用マスクを通過する際に、その面内分布
が均一化され、さらに膜厚補正用マスク１７により目的
とする分布に修正された後、基板の側に飛行していく。
実施例３において、膜厚を基板の径方向に連続的あるい
は段階的に変化させ、その際に外周側の方が内周側より
も膜厚が小さくなるように成膜する。反射層のＡｌの膜
厚が厚いほど熱伝導による熱拡散が大きくなり、記録層
を記録可能な温度まで加熱するために必要なレーザパワ
ーが大きくなる。したがって、反射層のＡｌの膜厚が外
周側になるほど小さくなるように成膜すれば、内周側と
外周側の間のレーザパワーの変化を小さくすることがで
きる。
の製造方法について説明する。基板１１を図７のように
基板ホルダ１２にセットして、ターゲット１５を支持体
兼用電極１４に保持させる。ターゲットを構成する母材
は、どの様な薄膜を形成するかに応じて決める。例え
ば、反射層としてＡｌを用いる場合には金属Ａｌを、Ｃ
ｒを用いる場合には金属Ｃｒを母材として使用する。こ
こでは、説明のため反射層をＡｌ膜とする。真空槽内
は、あらかじめ１０-5〜１０-6Torr の圧力にされた
後、Ａｒガスが１０-2Torr の圧力まで導入される。こ
の状態において電源１８を作動させ、ターゲットをスパ
ッタし、成膜を行う。また、スパッタ時には基板１１は
面内で自転している。ターゲットからの粒子は基板の側
へ向かって飛行するが、前述したように開口角を設定さ
れた膜厚均一化用マスクを通過する際に、その面内分布
が均一化され、さらに膜厚補正用マスク１７により目的
とする分布に修正された後、基板の側に飛行していく。
実施例３において、膜厚を基板の径方向に連続的あるい
は段階的に変化させ、その際に外周側の方が内周側より
も膜厚が小さくなるように成膜する。反射層のＡｌの膜
厚が厚いほど熱伝導による熱拡散が大きくなり、記録層
を記録可能な温度まで加熱するために必要なレーザパワ
ーが大きくなる。したがって、反射層のＡｌの膜厚が外
周側になるほど小さくなるように成膜すれば、内周側と
外周側の間のレーザパワーの変化を小さくすることがで
きる。
【００２１】このように、この実施例３における光磁気
記録媒体製造装置は、ターゲット１５を保持するターゲ
ット電極１４と、ターゲット１５と、基板１１をターゲ
ット１５に対向するように保持する基板ホルダ１２とを
有し、前記ターゲット１５と基板１１の間に膜厚補正用
マスク１７を有する。また、前記ターゲット１５と膜厚
補正用マスク１７の間に膜厚均一化用マスク２０を配置
している。膜厚補正用マスク１７あるいは基板ホルダ１
２の少なくとも一方は、回転導入機１３により面内で自
転させることが可能である。さらに、膜厚均一化用マス
ク２０は回転導入機２１により面内で自転させることが
可能である。なお、膜厚補正用マスク１７の中心および
基板１１の中心は同軸上にあり、かつ膜厚均一化用マス
ク２０の中心とターゲット１５からの粒子の分布の中心
は同軸上にあるものとする。
記録媒体製造装置は、ターゲット１５を保持するターゲ
ット電極１４と、ターゲット１５と、基板１１をターゲ
ット１５に対向するように保持する基板ホルダ１２とを
有し、前記ターゲット１５と基板１１の間に膜厚補正用
マスク１７を有する。また、前記ターゲット１５と膜厚
補正用マスク１７の間に膜厚均一化用マスク２０を配置
している。膜厚補正用マスク１７あるいは基板ホルダ１
２の少なくとも一方は、回転導入機１３により面内で自
転させることが可能である。さらに、膜厚均一化用マス
ク２０は回転導入機２１により面内で自転させることが
可能である。なお、膜厚補正用マスク１７の中心および
基板１１の中心は同軸上にあり、かつ膜厚均一化用マス
ク２０の中心とターゲット１５からの粒子の分布の中心
は同軸上にあるものとする。
【００２２】さらに、スパッタのための電源手段を有
し、真空槽内には活性もしくは不活性ガス、あるいはこ
れら両者の混合ガスが導入される。スパッタの方式とし
てはＤＣスパッタ，ＲＦスパッタのいずれを用いてもよ
い。また、スパッタされた粒子の面内分布が回転対称と
なるならば、マグネトロンスパッタ方式を用いてもよ
い。スパッタされたターゲット１５を構成する粒子は、
膜厚均一化用マスク２０を通過する際にその面内分布が
均一化され、さらに膜厚補正用マスク１７を通過する際
に、その面内分布が目的とする分布に修正され、基板１
１の側に飛行していく。実施例３の場合は、膜厚補正用
マスク１７の開口部の設定により膜厚を基板１１の径方
向に連続的あるいは段階的に変化させ、その際に外周側
の方が内周側よりも膜厚が小さくなるように分布を修正
している。このとき、膜厚補正用マスク１７あるいは基
板ホルダ１２の少なくとも一方が面内で自転し、かつ膜
厚均一化用マスク２０が面内で自転しているので、膜厚
補正用マスク１７および膜厚均一化用マスク２０の影は
生じない。
し、真空槽内には活性もしくは不活性ガス、あるいはこ
れら両者の混合ガスが導入される。スパッタの方式とし
てはＤＣスパッタ，ＲＦスパッタのいずれを用いてもよ
い。また、スパッタされた粒子の面内分布が回転対称と
なるならば、マグネトロンスパッタ方式を用いてもよ
い。スパッタされたターゲット１５を構成する粒子は、
膜厚均一化用マスク２０を通過する際にその面内分布が
均一化され、さらに膜厚補正用マスク１７を通過する際
に、その面内分布が目的とする分布に修正され、基板１
１の側に飛行していく。実施例３の場合は、膜厚補正用
マスク１７の開口部の設定により膜厚を基板１１の径方
向に連続的あるいは段階的に変化させ、その際に外周側
の方が内周側よりも膜厚が小さくなるように分布を修正
している。このとき、膜厚補正用マスク１７あるいは基
板ホルダ１２の少なくとも一方が面内で自転し、かつ膜
厚均一化用マスク２０が面内で自転しているので、膜厚
補正用マスク１７および膜厚均一化用マスク２０の影は
生じない。
【００２３】図１１は、他の光磁気記録媒体の製造方法
（実施例４）を適用した成膜に用いる膜厚補正用マスク
を示した図であり、その開口角は、例えば、 γ″(r)＝ｃ・ｒ＋ｅ γ″：マスク中心からの距離ｒにおける開口角の総和 ｃ,ｅ：定数 と設定されている。この場合においても、開口部は必ず
しも連続している必要はなく、図１２（ａ）,（ｂ）の
ように複数の開口領域に分割されていてもよい。金属膜
よりも熱伝導率が小さい第２誘電体保護層、例えばＳｉ
Ｏ2あるいはＳｉＯなどの膜厚が小さいほど反射層への
熱伝導による熱損失が大きくなり、記録層を記録可能な
温度まで加熱するために必要なレーザパワーが大きくな
る。したがって、第２誘電体保護層の膜厚が外周側にな
るほど大きくなるように成膜すれば、内周側と外周側の
間のレーザパワーの変化を小さくすることができる。こ
のときには、ターゲットをＳｉあるいはＳｉＯ2、導入
ガスをＡｒ及びＯ2としてスパッタを行う。なお、図７
においてはＤＣ二極スパッタの例を示しているが、もち
ろんＲＦスパッタやマグネットロンスパッタも可能であ
る。
（実施例４）を適用した成膜に用いる膜厚補正用マスク
を示した図であり、その開口角は、例えば、 γ″(r)＝ｃ・ｒ＋ｅ γ″：マスク中心からの距離ｒにおける開口角の総和 ｃ,ｅ：定数 と設定されている。この場合においても、開口部は必ず
しも連続している必要はなく、図１２（ａ）,（ｂ）の
ように複数の開口領域に分割されていてもよい。金属膜
よりも熱伝導率が小さい第２誘電体保護層、例えばＳｉ
Ｏ2あるいはＳｉＯなどの膜厚が小さいほど反射層への
熱伝導による熱損失が大きくなり、記録層を記録可能な
温度まで加熱するために必要なレーザパワーが大きくな
る。したがって、第２誘電体保護層の膜厚が外周側にな
るほど大きくなるように成膜すれば、内周側と外周側の
間のレーザパワーの変化を小さくすることができる。こ
のときには、ターゲットをＳｉあるいはＳｉＯ2、導入
ガスをＡｒ及びＯ2としてスパッタを行う。なお、図７
においてはＤＣ二極スパッタの例を示しているが、もち
ろんＲＦスパッタやマグネットロンスパッタも可能であ
る。
【００２４】このように、この実施例４における光磁気
記録媒体製造装置は、蒸発物質が通過する際に、その面
内分布を修正するための膜厚補正用マスク１７の開口部
が前記実施例３とは逆に、膜厚を基板１１の径方向に連
続的あるいは段階的に変化させ、その際に外周側の方が
内周側よりも膜厚が大きくなるように設定されている。
実施例４の場合にも、膜厚補正用マスク１７あるいは基
板ホルダ１２の少なくとも一方が面内で自転し、かつ膜
厚均一化用マスク２０が面内で自転しているので、膜厚
補正用マスク１７および膜厚均一化用マスク２０の影は
生じない。
記録媒体製造装置は、蒸発物質が通過する際に、その面
内分布を修正するための膜厚補正用マスク１７の開口部
が前記実施例３とは逆に、膜厚を基板１１の径方向に連
続的あるいは段階的に変化させ、その際に外周側の方が
内周側よりも膜厚が大きくなるように設定されている。
実施例４の場合にも、膜厚補正用マスク１７あるいは基
板ホルダ１２の少なくとも一方が面内で自転し、かつ膜
厚均一化用マスク２０が面内で自転しているので、膜厚
補正用マスク１７および膜厚均一化用マスク２０の影は
生じない。
【００２５】図１３は、本発明による光磁気記録媒体製
造装置の更に他の実施例（請求項３）を示す図で、図
中、３０は支持体、３１は基板、３２は基板ホルダ、３
３は回転導入機、３４は支持体兼用電極、３５は蒸発
源、３６は支持体、３７は膜厚補正用マスク、３８，３
９は電源、４０は膜厚均一化用マスク、４１は回転導入
機である。基板３１は、回転導入機３３により面内で自
転が可能である。一対の支持体兼用電極３４は、その間
に抵抗抵抗加熱式の蒸発源３５を支持している。なお、
このような蒸発源に変えてビーム状の蒸発源等、従来の
真空蒸着方式で用いられている蒸発源を適宜使用するこ
とができる。このとき、蒸発粒子の分布は、膜厚均一化
用マスクに入射する位置においては充分回転対称とみな
せるものとする。
造装置の更に他の実施例（請求項３）を示す図で、図
中、３０は支持体、３１は基板、３２は基板ホルダ、３
３は回転導入機、３４は支持体兼用電極、３５は蒸発
源、３６は支持体、３７は膜厚補正用マスク、３８，３
９は電源、４０は膜厚均一化用マスク、４１は回転導入
機である。基板３１は、回転導入機３３により面内で自
転が可能である。一対の支持体兼用電極３４は、その間
に抵抗抵抗加熱式の蒸発源３５を支持している。なお、
このような蒸発源に変えてビーム状の蒸発源等、従来の
真空蒸着方式で用いられている蒸発源を適宜使用するこ
とができる。このとき、蒸発粒子の分布は、膜厚均一化
用マスクに入射する位置においては充分回転対称とみな
せるものとする。
【００２６】支持体３６には基板ホルダ３２および膜厚
補正用マスク３７が支持されている。また、円板状の基
板３１の中心と膜厚補正マスク３７の中心は同軸上にあ
る。さらに、膜厚均一化用マスク４０が支持体３０によ
り支持され、膜厚補正用マスク３７よりも蒸発源側に配
置されている。また、膜厚均一化用マスク４０は回転導
入機４１により面内で自転させられる。これにより、基
板３１及び膜厚補正用マスク３７が必ずしも蒸発源３５
の直上に配置されていなくても、膜厚分布を所定の分布
とすることが可能となり、複数の基板に同時に成膜する
ことが可能となる。
補正用マスク３７が支持されている。また、円板状の基
板３１の中心と膜厚補正マスク３７の中心は同軸上にあ
る。さらに、膜厚均一化用マスク４０が支持体３０によ
り支持され、膜厚補正用マスク３７よりも蒸発源側に配
置されている。また、膜厚均一化用マスク４０は回転導
入機４１により面内で自転させられる。これにより、基
板３１及び膜厚補正用マスク３７が必ずしも蒸発源３５
の直上に配置されていなくても、膜厚分布を所定の分布
とすることが可能となり、複数の基板に同時に成膜する
ことが可能となる。
【００２７】図１４は、膜厚均一化用マスクを示す図
で、図中の斜線部は遮蔽部分である。 γ(r)＝ａ／ｆ(r) γ：マスク中心からの距離ｒにおける開口角の総和 ｆ(r)：膜厚均一化用マスクに入射する蒸発物質の分布
（計算値または実測値） ａ：定数 と開口角が設定されている。ここで、放電を安定化する
ために開口部を網目状にしてもよい。
で、図中の斜線部は遮蔽部分である。 γ(r)＝ａ／ｆ(r) γ：マスク中心からの距離ｒにおける開口角の総和 ｆ(r)：膜厚均一化用マスクに入射する蒸発物質の分布
（計算値または実測値） ａ：定数 と開口角が設定されている。ここで、放電を安定化する
ために開口部を網目状にしてもよい。
【００２８】この光磁気記録媒体製造装置（実施例５）
においては、前記膜厚補正用マスクの開口部は図１５の
ごとく、その開口角が、例えば、 γ′(r)＝−ｂ・ｒ＋ｄ γ′：マスク中心からの距離ｒにおける開口角の総和 ｂ,ｄ：定数 となるように設定されており、蒸発物質が通過後にはそ
の面内分布が外周側の方が内周側よりも膜厚が小さくな
るよう修正される。なお、開口部は必ずしも連続してい
る必要はなく、図１６（ａ）,（ｂ）のように複数の開
口領域に分割されていてもよい。
においては、前記膜厚補正用マスクの開口部は図１５の
ごとく、その開口角が、例えば、 γ′(r)＝−ｂ・ｒ＋ｄ γ′：マスク中心からの距離ｒにおける開口角の総和 ｂ,ｄ：定数 となるように設定されており、蒸発物質が通過後にはそ
の面内分布が外周側の方が内周側よりも膜厚が小さくな
るよう修正される。なお、開口部は必ずしも連続してい
る必要はなく、図１６（ａ）,（ｂ）のように複数の開
口領域に分割されていてもよい。
【００２９】さて、支持体兼用電極３４は導電体であっ
て、電極としての役割を兼ねており、それらの真空槽外
へ突出した端部間は図示のように電源３６に接続されて
いる。支持体兼用電極３０は導電体であって、電極とし
ての役割をかねており、それらの真空槽外へ突出した端
部は、図示のように電源３９の負端子に接続されてい
る。又、電源３９の正端子は支持体兼用電極３４に接続
されている。なお、図中の接地は必ずしも必要ない。
て、電極としての役割を兼ねており、それらの真空槽外
へ突出した端部間は図示のように電源３６に接続されて
いる。支持体兼用電極３０は導電体であって、電極とし
ての役割をかねており、それらの真空槽外へ突出した端
部は、図示のように電源３９の負端子に接続されてい
る。又、電源３９の正端子は支持体兼用電極３４に接続
されている。なお、図中の接地は必ずしも必要ない。
【００３０】以下、前記実施例５による光磁気記録媒体
の製造方法について説明する。基板３１を図１３のよう
に基板ホルダ３２にセットして、蒸発物質を蒸発源３５
に保持させる。蒸発物質を構成する母材は、どの様な薄
膜を形成するかに応じて決める。例えば、反射層として
Ａｌを用いる場合には金属Ａｌを、Ｃｒを用いる場合に
は金属Ｃｒを母材として使用する。ここでは、説明のた
め反射層をＡｌ膜とする。真空槽内は、あらかじめ１０
-5〜１０-6Torr の圧力にされた後、Ａｒガスが１０-2T
orr の圧力まで導入される。この状態において電源３９
を作動させ、蒸発源３５と膜厚補正用マスク３７のあい
だに直流放電を発生させる。さらに電源３８を作動さ
せ、蒸発源３５を加熱して蒸発物質を蒸発させる。この
とき、蒸発物質の一部は放電により発生した電子により
イオン化され、イオン化されていない蒸発物質及びＡｒ
イオンとともに膜厚補正用マスク３７に向かって飛行す
るが、前述したように開口角を設定された膜厚均一化用
マスクを通過する際に、その面内分布が均一化され、さ
らに膜厚憩正用マスクにより目的とする分布に修正され
た後、基板３１の側に飛行していく。イオンプレーティ
ング法を用いることにより、Ａｌ膜の基板に対する密着
性が向上する。実施例５においては、膜厚を基板の径方
向に連続的あるいは段階的に変化させ、その際に外周側
の方が内周側よりも膜厚が小さくなるように成膜する。
反射層のＡｌの膜厚が厚いほど熱伝導による熱拡散が大
きくなり、記録層を記録可能な温度まで加熱するために
必要なレーザパワーが大きくなる。したがって、反射層
のＡｌの膜厚が外周側になるほど小さくなるように成膜
すれば、内周側と外周側の間のレーザパワーの変化を小
さくすることができる。
の製造方法について説明する。基板３１を図１３のよう
に基板ホルダ３２にセットして、蒸発物質を蒸発源３５
に保持させる。蒸発物質を構成する母材は、どの様な薄
膜を形成するかに応じて決める。例えば、反射層として
Ａｌを用いる場合には金属Ａｌを、Ｃｒを用いる場合に
は金属Ｃｒを母材として使用する。ここでは、説明のた
め反射層をＡｌ膜とする。真空槽内は、あらかじめ１０
-5〜１０-6Torr の圧力にされた後、Ａｒガスが１０-2T
orr の圧力まで導入される。この状態において電源３９
を作動させ、蒸発源３５と膜厚補正用マスク３７のあい
だに直流放電を発生させる。さらに電源３８を作動さ
せ、蒸発源３５を加熱して蒸発物質を蒸発させる。この
とき、蒸発物質の一部は放電により発生した電子により
イオン化され、イオン化されていない蒸発物質及びＡｒ
イオンとともに膜厚補正用マスク３７に向かって飛行す
るが、前述したように開口角を設定された膜厚均一化用
マスクを通過する際に、その面内分布が均一化され、さ
らに膜厚憩正用マスクにより目的とする分布に修正され
た後、基板３１の側に飛行していく。イオンプレーティ
ング法を用いることにより、Ａｌ膜の基板に対する密着
性が向上する。実施例５においては、膜厚を基板の径方
向に連続的あるいは段階的に変化させ、その際に外周側
の方が内周側よりも膜厚が小さくなるように成膜する。
反射層のＡｌの膜厚が厚いほど熱伝導による熱拡散が大
きくなり、記録層を記録可能な温度まで加熱するために
必要なレーザパワーが大きくなる。したがって、反射層
のＡｌの膜厚が外周側になるほど小さくなるように成膜
すれば、内周側と外周側の間のレーザパワーの変化を小
さくすることができる。
【００３１】このように、実施例５における光磁気記録
媒体製造装置は、蒸発源３５と該蒸発源３５に対向させ
て基板３１を保持する基板ホルダ３２を有し、前記蒸発
源３５と基板３１の間に膜厚補正用マスク３７を有す
る。また、前記蒸発源３５と膜厚補正用マスク３７の間
に膜厚均一化用マスク３９を配置している。膜厚補正用
マスク３７あるいは基板ホルダ３２の少なくとも一方
は、回転導入機３３により面内で自転させることが可能
である。さらに、膜厚均一化用マスク４０は、回転導入
機４１により面内で自転させることが可能である。な
お、膜厚補正用マスク３７の中心および基板３１の中心
は同軸上にあり、かつ膜厚均一化用マスク４０の中心と
蒸発分布の中心は同軸上にあるものとする。
媒体製造装置は、蒸発源３５と該蒸発源３５に対向させ
て基板３１を保持する基板ホルダ３２を有し、前記蒸発
源３５と基板３１の間に膜厚補正用マスク３７を有す
る。また、前記蒸発源３５と膜厚補正用マスク３７の間
に膜厚均一化用マスク３９を配置している。膜厚補正用
マスク３７あるいは基板ホルダ３２の少なくとも一方
は、回転導入機３３により面内で自転させることが可能
である。さらに、膜厚均一化用マスク４０は、回転導入
機４１により面内で自転させることが可能である。な
お、膜厚補正用マスク３７の中心および基板３１の中心
は同軸上にあり、かつ膜厚均一化用マスク４０の中心と
蒸発分布の中心は同軸上にあるものとする。
【００３２】さらに、イオンプレーティングのための電
源手段を有し、真空槽内には活性もしくは不活性ガス、
あるいはこれら両者の混合ガスが導入される。イオンプ
レーティングの方式としては、ＤＣイオンプレーティン
グ，ＲＦイオンプレーティングのいずれを用いてもよ
い。このとき、膜厚均一化用マスク４０と蒸発源３５の
間に放電を発生させるよう電源手段が接続され、また、
膜厚補正用マスク３７は基板ホルダ３２に対し正電位あ
るいは同電位である。蒸発源３５からの蒸発物質は、膜
厚均一化用マスク４０を通過する際にその面内分布が均
一化され、さらに膜厚補正用マスク３７を通過する際
に、その面内分布が目的とする分布に修正され、基板３
１の側の飛行していく。実施例５の場合は、膜厚補正用
マスク３７の開口部の設定により、膜厚を基板３１の径
方向に連続的あるいは段階的に変化させ、その際に外周
側の方が内周側よりも膜厚が小さくなるように分布を修
正している。このとき、膜厚補正用マスク３７あるいは
基板ホルダ３２の少なくとも一方が面内で自転し、かつ
膜厚均一化用マスク４０が面内で自転しているので、膜
厚補正用マスク３７および膜厚均一化用マスク４０の影
は生じない。
源手段を有し、真空槽内には活性もしくは不活性ガス、
あるいはこれら両者の混合ガスが導入される。イオンプ
レーティングの方式としては、ＤＣイオンプレーティン
グ，ＲＦイオンプレーティングのいずれを用いてもよ
い。このとき、膜厚均一化用マスク４０と蒸発源３５の
間に放電を発生させるよう電源手段が接続され、また、
膜厚補正用マスク３７は基板ホルダ３２に対し正電位あ
るいは同電位である。蒸発源３５からの蒸発物質は、膜
厚均一化用マスク４０を通過する際にその面内分布が均
一化され、さらに膜厚補正用マスク３７を通過する際
に、その面内分布が目的とする分布に修正され、基板３
１の側の飛行していく。実施例５の場合は、膜厚補正用
マスク３７の開口部の設定により、膜厚を基板３１の径
方向に連続的あるいは段階的に変化させ、その際に外周
側の方が内周側よりも膜厚が小さくなるように分布を修
正している。このとき、膜厚補正用マスク３７あるいは
基板ホルダ３２の少なくとも一方が面内で自転し、かつ
膜厚均一化用マスク４０が面内で自転しているので、膜
厚補正用マスク３７および膜厚均一化用マスク４０の影
は生じない。
【００３３】図１７は、更に他の光磁気記録媒体の製造
方法（実施例６）を適用した成膜に用いる膜厚補正用マ
スクを示しており、その開口角は、 γ″(r)＝ｃ・ｒ＋ｅ γ″：マスク中心からの距離ｒにおける開口角の総和 ｃ,ｅ：定数 と設定されている。この場合においても、開口部は必ず
しも連続している必要はなく、図１８（ａ）,（ｂ）の
ように複数の開口領域に分割されていてもよい。金属膜
よりも熱伝導率が小さい第２誘電体保護層、例えばＳｉ
Ｏ2あるいはＳｉＯなどの膜厚が小さいほど反射層への
熱伝導による熱損失が大きくなり、記録層を記録可能な
温度まで加熱するために必要なレーザパワーが大きくな
る。したがって、第２誘電体保護層の膜厚が外周側にな
るほど大きくなるように成膜すれば、内周側と外周側の
間のレーザパワーの変化を小さくすることができる。こ
のときには、蒸発物質をＳｉあるいはＳｉＯ2、導入ガ
スをＡｒ及びＯ2としてイオンプレーティングを行う。
なお、図１３においてはＤＣイオンプレーティングの例
を示しているが、もちろんＲＦイオンプレーティングも
可能である。図１３においては、膜厚均一化用マスク３
７は基板ホルダー３２に対し正電位であるが、同電位と
してもよい。
方法（実施例６）を適用した成膜に用いる膜厚補正用マ
スクを示しており、その開口角は、 γ″(r)＝ｃ・ｒ＋ｅ γ″：マスク中心からの距離ｒにおける開口角の総和 ｃ,ｅ：定数 と設定されている。この場合においても、開口部は必ず
しも連続している必要はなく、図１８（ａ）,（ｂ）の
ように複数の開口領域に分割されていてもよい。金属膜
よりも熱伝導率が小さい第２誘電体保護層、例えばＳｉ
Ｏ2あるいはＳｉＯなどの膜厚が小さいほど反射層への
熱伝導による熱損失が大きくなり、記録層を記録可能な
温度まで加熱するために必要なレーザパワーが大きくな
る。したがって、第２誘電体保護層の膜厚が外周側にな
るほど大きくなるように成膜すれば、内周側と外周側の
間のレーザパワーの変化を小さくすることができる。こ
のときには、蒸発物質をＳｉあるいはＳｉＯ2、導入ガ
スをＡｒ及びＯ2としてイオンプレーティングを行う。
なお、図１３においてはＤＣイオンプレーティングの例
を示しているが、もちろんＲＦイオンプレーティングも
可能である。図１３においては、膜厚均一化用マスク３
７は基板ホルダー３２に対し正電位であるが、同電位と
してもよい。
【００３４】このように、実施例６における光磁気記録
媒体製造装置は、蒸発物質が通過する際に、その面内分
布を修正するための膜厚補正用マスク３７の開口部が実
施例５とは逆に、膜厚を基板３１の径方向に連続的ある
いは段階的に変化させ、その際に外周側の他が内周側よ
りも膜厚が大きくなるように設定されている。実施例６
の場合にも、膜厚補正用マスク３７あるいは基板ホルダ
３２の少なくとも一方が面内で自転し、かつ膜厚均一化
用マスク４０が面内で自転しているので、膜厚補正用マ
スク３７および膜厚均一化用マスク４０の影は生じな
い。
媒体製造装置は、蒸発物質が通過する際に、その面内分
布を修正するための膜厚補正用マスク３７の開口部が実
施例５とは逆に、膜厚を基板３１の径方向に連続的ある
いは段階的に変化させ、その際に外周側の他が内周側よ
りも膜厚が大きくなるように設定されている。実施例６
の場合にも、膜厚補正用マスク３７あるいは基板ホルダ
３２の少なくとも一方が面内で自転し、かつ膜厚均一化
用マスク４０が面内で自転しているので、膜厚補正用マ
スク３７および膜厚均一化用マスク４０の影は生じな
い。
【００３５】図１９は、本発明による光磁気記録媒体製
造装置の更に他の実施例（請求項４）を示す図で、図
中、５１ａ，５１ｂは回転導入機、５２は基板ホルダ、
５３は回転導入機、５４ａ，５４ｂは支持体兼用電極、
５５ａ，５５ｂは蒸発源、５６ａ，５６ｂは支持体、５
７ａ，５７ｂは膜厚均一化用マスク、５８は膜厚補正用
マスク、５９ａ，５９ｂは電源、６０は支持体、６１は
基板である。図１９においては蒸発源５５ａ，５５ｂを
複数個とし、各蒸発源５５ａ，５５ｂに対し、その直上
に膜厚均一化用マスク５７ａ，５７ｂをそれぞれ配備し
ている。このため、粒子の分布は均一化されているの
で、各蒸発源が必ずしも同軸上に配置されていなくても
よく、特に多元系の磁性膜の作製に有利である。前述の
効果はスパッタ装置、イオンプレーティング装置につい
ても同様に得られる。
造装置の更に他の実施例（請求項４）を示す図で、図
中、５１ａ，５１ｂは回転導入機、５２は基板ホルダ、
５３は回転導入機、５４ａ，５４ｂは支持体兼用電極、
５５ａ，５５ｂは蒸発源、５６ａ，５６ｂは支持体、５
７ａ，５７ｂは膜厚均一化用マスク、５８は膜厚補正用
マスク、５９ａ，５９ｂは電源、６０は支持体、６１は
基板である。図１９においては蒸発源５５ａ，５５ｂを
複数個とし、各蒸発源５５ａ，５５ｂに対し、その直上
に膜厚均一化用マスク５７ａ，５７ｂをそれぞれ配備し
ている。このため、粒子の分布は均一化されているの
で、各蒸発源が必ずしも同軸上に配置されていなくても
よく、特に多元系の磁性膜の作製に有利である。前述の
効果はスパッタ装置、イオンプレーティング装置につい
ても同様に得られる。
【００３６】このように、請求項４における光磁気記録
媒体製造装置は、蒸発源あるいはターゲットを複数個用
い、各蒸発源あるいはターゲットに対し、その直上に膜
厚均一化用マスクを配備している。このため、粒子の分
布は均一化されているので、各蒸発源あるいはターゲッ
トが必ずしも基板に向かう粒子の分布の中心が膜厚補正
用マスクの中心と同軸上に配置されていなくてもよく、
特に多元系の磁性膜の作製に有利である。
媒体製造装置は、蒸発源あるいはターゲットを複数個用
い、各蒸発源あるいはターゲットに対し、その直上に膜
厚均一化用マスクを配備している。このため、粒子の分
布は均一化されているので、各蒸発源あるいはターゲッ
トが必ずしも基板に向かう粒子の分布の中心が膜厚補正
用マスクの中心と同軸上に配置されていなくてもよく、
特に多元系の磁性膜の作製に有利である。
【００３７】
【効果】以上の説明から明らかなように、本発明による
と、以下のような効果がある。 （１）請求項１,２,３の光磁気記録媒体製造装置によれ
ば、光磁気ディスクを構成する膜の膜厚を内周側から外
周側に向かって径方向に連続的あるいは段階的に変化さ
せることが可能なため、一定の回転数で光磁気ディスク
を回転させる、いわゆるＣＡＶ方式において記録に要す
るレーザ光強度の変化の小さい光磁気ディスクの製造方
法を提供することができる。したがって、本発明を用い
ることにより、ドライブ側の負担を軽減することができ
る。また、蒸発源あるいはターゲットの基板に対する位
置に関しての制約を軽減でき、複数の基板に同時に成膜
を行うことができ、生産性が向上する。 （２）請求項４の方法によれば、蒸発源あるいはターゲ
ットの基板に対する位置に関しての制約を軽減でき、特
に多元系磁性膜の作製に有利である。
と、以下のような効果がある。 （１）請求項１,２,３の光磁気記録媒体製造装置によれ
ば、光磁気ディスクを構成する膜の膜厚を内周側から外
周側に向かって径方向に連続的あるいは段階的に変化さ
せることが可能なため、一定の回転数で光磁気ディスク
を回転させる、いわゆるＣＡＶ方式において記録に要す
るレーザ光強度の変化の小さい光磁気ディスクの製造方
法を提供することができる。したがって、本発明を用い
ることにより、ドライブ側の負担を軽減することができ
る。また、蒸発源あるいはターゲットの基板に対する位
置に関しての制約を軽減でき、複数の基板に同時に成膜
を行うことができ、生産性が向上する。 （２）請求項４の方法によれば、蒸発源あるいはターゲ
ットの基板に対する位置に関しての制約を軽減でき、特
に多元系磁性膜の作製に有利である。
【図１】 本発明により光磁気記録媒体製造装置の一実
施例を説明するための構成図である。
施例を説明するための構成図である。
【図２】 膜厚均一化用マスクを示す図である。
【図３】 膜厚補正用マスクの開口部を示す図である。
【図４】 膜厚補正用マスクの開口部を複数に分割した
図である。
図である。
【図５】 実施例２の膜厚補正用マスクを示す図であ
る。
る。
【図６】 実施例２の膜厚補正用マスクの開口部を複数
に分割した図である。
に分割した図である。
【図７】 本発明による光磁気記録媒体製造装置の他の
実施例を示す図である。
実施例を示す図である。
【図８】 膜厚均一化用マスクを示す図である。
【図９】 実施例３の膜厚補正用マスクの開口部を示す
図である。
図である。
【図１０】 実施例３の膜厚補正用マスクの開口部を複
数に分割した図である。
数に分割した図である。
【図１１】 実施例４の膜厚補正用マスクを示す図であ
る。
る。
【図１２】 実施例４の膜厚補正用マスクの開口部を複
数に分割した図である。
数に分割した図である。
【図１３】 本発明による光磁気記録媒体製造装置の更
に他の実施例を示す図である。
に他の実施例を示す図である。
【図１４】 膜厚均一化用マスクを示す図である。
【図１５】 実施例５の膜厚補正用マスクの開口部を示
す図である。
す図である。
【図１６】 実施例５の膜厚補正用マスクの開口部を複
数に分割した図である。
数に分割した図である。
【図１７】 実施例６の膜厚補正用マスクの開口部を示
す図である。
す図である。
【図１８】 実施例６の膜厚補正用マスクの開口部を複
数に分割した図である。
数に分割した図である。
【図１９】 本発明による光磁気記録媒体製造装置の更
に他の実施例を示す図である。
に他の実施例を示す図である。
【符号の説明】 １…基板、２…基板ホルダ、３…回転導入機、４…支持
体兼用電極、５…蒸発源、６…支持体、７…膜厚補正用
マスク、８…電源、９…支持体、１０…膜厚均一化用マ
スク、１１…回転導入機。
体兼用電極、５…蒸発源、６…支持体、７…膜厚補正用
マスク、８…電源、９…支持体、１０…膜厚均一化用マ
スク、１１…回転導入機。
Claims (4)
- 【請求項１】 蒸発源と円板状の基板との間に、膜厚を
基板の径方向に連続的あるいは段階的に変化させ、その
際に外周側の方が内周側よりも膜厚が小さく、あるいは
大きくなるように開口部を設定した円板状の膜厚補正用
マスクを配置し、該膜厚補正用マスクよりも蒸発源側に
円板状の膜厚均一化用マスクを配置し、該膜厚均一化用
マスクを面内で自転させ、かつ基板あるいは膜厚補正用
マスクの少なくとも一方を面内で自転させながら真空蒸
着することを特徴とする光磁気記録媒体製造装置。 - 【請求項２】 ターゲットと円板状の基板との間に、膜
厚を基板の径方向に連続的あるいは段階的に変化させ、
その際に外周側の方が内周側よりも膜厚が小さく、ある
いは大きくなるように開口部を設定した円板状の膜厚補
正用マスクを配置し、該膜厚補正用マスクよりもターゲ
ット側に円板状の膜厚均一化用マスクを配置し、該膜厚
均一化用マスクを面内で自転させ、かつ基板あるいは膜
厚補正用マスクの少なくとも一方を面内で自転させなが
らスパッタ成膜することを特徴とする光磁気記録媒体製
造装置。 - 【請求項３】 蒸発源と円板状の基板との間に、膜厚を
基板の径方向に連続的あるいは段階的に変化させ、その
際に外周側の方が内周側よりも膜厚が小さく、あるいは
大きくなるように開口部を設定した円板状の膜厚補正用
マスクを配置し、該膜厚均一化用マスクを面内で自転さ
せ、かつ基板あるいは膜厚補正用マスクの少なくとも一
方を面内で自転させながらイオンプレーティングするこ
とを特徴とする光磁気記録媒体製造装置。 - 【請求項４】 前記蒸発源あるいはターゲットを複数個
用い、各蒸発源あるいはターゲットに対し、その直上に
膜厚均一化用マスクを設けたことを特徴とする請求項
１,２又は３記載の光磁気記録媒体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35163891A JPH05166235A (ja) | 1991-12-11 | 1991-12-11 | 光磁気記録媒体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35163891A JPH05166235A (ja) | 1991-12-11 | 1991-12-11 | 光磁気記録媒体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05166235A true JPH05166235A (ja) | 1993-07-02 |
Family
ID=18418609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35163891A Pending JPH05166235A (ja) | 1991-12-11 | 1991-12-11 | 光磁気記録媒体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05166235A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08181072A (ja) * | 1994-12-26 | 1996-07-12 | Nec Corp | 膜厚均等化装置 |
| JPH09209131A (ja) * | 1996-02-08 | 1997-08-12 | Ricoh Co Ltd | 薄膜形成装置 |
| JP2009199685A (ja) * | 2008-02-22 | 2009-09-03 | Ricoh Co Ltd | スパッタリング装置及びそれを用いた光記録媒体の製造方法並びに光記録媒体 |
| CN111647847A (zh) * | 2020-07-30 | 2020-09-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜板、蒸镀装置及蒸镀方法 |
-
1991
- 1991-12-11 JP JP35163891A patent/JPH05166235A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08181072A (ja) * | 1994-12-26 | 1996-07-12 | Nec Corp | 膜厚均等化装置 |
| JPH09209131A (ja) * | 1996-02-08 | 1997-08-12 | Ricoh Co Ltd | 薄膜形成装置 |
| JP2009199685A (ja) * | 2008-02-22 | 2009-09-03 | Ricoh Co Ltd | スパッタリング装置及びそれを用いた光記録媒体の製造方法並びに光記録媒体 |
| CN111647847A (zh) * | 2020-07-30 | 2020-09-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜板、蒸镀装置及蒸镀方法 |
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