JP3044072B2 - プラズマディスプレイパネルの製造方法 - Google Patents
プラズマディスプレイパネルの製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマディスプレイ
パネル（ＰＤＰ）の製造方法に関する。
パネル（ＰＤＰ）の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】マトリクス表示方式のＰＤＰは、表示側
及び背面側の一対の透明基板を放電空間を設けて対向配
置し、格子状に対向する電極の交点で画定される放電セ
ルを選択的に発光可能に構成されている。放電空間に
は、例えばＮｅ（ネオン）に少量のＸｅ（キセノン）を
加えた混合ガスが放電ガスとして充填される。
及び背面側の一対の透明基板を放電空間を設けて対向配
置し、格子状に対向する電極の交点で画定される放電セ
ルを選択的に発光可能に構成されている。放電空間に
は、例えばＮｅ（ネオン）に少量のＸｅ（キセノン）を
加えた混合ガスが放電ガスとして充填される。
【０００３】さて、交流パルス電圧の印加によって表示
を行うＡＣ型のＰＤＰでは、電極の表面は低融点ガラス
などの誘電体層で覆われ、さらにその表面には誘電体層
を放電時のイオン衝撃から保護するための耐熱性の保護
膜が設けられる。
を行うＡＣ型のＰＤＰでは、電極の表面は低融点ガラス
などの誘電体層で覆われ、さらにその表面には誘電体層
を放電時のイオン衝撃から保護するための耐熱性の保護
膜が設けられる。
【０００４】この保護膜としては、放電開始電圧を下げ
るために二次電子放出係数の大きいことが望ましい。こ
のため、保護膜は、ＭｇＯ（酸化マグネシウム）などの
金属酸化膜とされ、材料となる化合物状態の金属酸化物
を電子ビーム加熱などによって蒸発させて誘電体層の表
面に結晶成長の形で堆積させる手法、いわゆる蒸着法に
よって形成される。
るために二次電子放出係数の大きいことが望ましい。こ
のため、保護膜は、ＭｇＯ（酸化マグネシウム）などの
金属酸化膜とされ、材料となる化合物状態の金属酸化物
を電子ビーム加熱などによって蒸発させて誘電体層の表
面に結晶成長の形で堆積させる手法、いわゆる蒸着法に
よって形成される。
【０００５】一般に、蒸着法による金属酸化膜は、その
組成の上で酸素が不足することが知られている。このた
め、従来においては、蒸着を酸素雰囲気中で行ってい
た。つまり、蒸着チャンバー内を所定の真空状態とした
後、酸素ガスを導入した状態で金属酸化物を蒸発させて
いた。
組成の上で酸素が不足することが知られている。このた
め、従来においては、蒸着を酸素雰囲気中で行ってい
た。つまり、蒸着チャンバー内を所定の真空状態とした
後、酸素ガスを導入した状態で金属酸化物を蒸発させて
いた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来においては、保護
膜（金属酸化膜）の蒸着に際して、膜形成の条件となる
蒸着チャンバー内の酸素分圧を一定に保つことが困難で
あった。このため、金属酸化膜の組成及び結晶成長の向
きなどの膜質が不均一となり、放電特性にばらつきが生
じて表示動作が不安定となったり、ＰＤＰの寿命が短く
なるという問題があった。
膜（金属酸化膜）の蒸着に際して、膜形成の条件となる
蒸着チャンバー内の酸素分圧を一定に保つことが困難で
あった。このため、金属酸化膜の組成及び結晶成長の向
きなどの膜質が不均一となり、放電特性にばらつきが生
じて表示動作が不安定となったり、ＰＤＰの寿命が短く
なるという問題があった。
【０００７】本発明は、上述の問題に鑑み、放電特性に
影響を与える金属酸化膜の膜質を均一化することによっ
て、表示動作の安定化及びプラズマディスプレイパネル
の長寿命化を図ることを目的としている。
影響を与える金属酸化膜の膜質を均一化することによっ
て、表示動作の安定化及びプラズマディスプレイパネル
の長寿命化を図ることを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係る製造方法
は、上述の課題を解決するため、図１及び図２に示すよ
うに、放電空間１９と接する電極基板１１，１２の表面
に金属酸化膜２１を有したプラズマディスプレイパネル
１の製造方法であって、金属２１ａを蒸発させつつ、膜
形成面１５ａに対して酸素２１ｂのイオンビームＩＢを
照射するイオンアシスト蒸着法によって前記金属酸化膜
２１を形成する工程を含む。
は、上述の課題を解決するため、図１及び図２に示すよ
うに、放電空間１９と接する電極基板１１，１２の表面
に金属酸化膜２１を有したプラズマディスプレイパネル
１の製造方法であって、金属２１ａを蒸発させつつ、膜
形成面１５ａに対して酸素２１ｂのイオンビームＩＢを
照射するイオンアシスト蒸着法によって前記金属酸化膜
２１を形成する工程を含む。
【０００９】
【作用】膜形成面１５ａに対して一定量の酸素２１ｂの
イオンビームＩＢがイオン照射される。蒸気状態の金属
２１ａと酸素２１ｂとが膜形成面１５ａ上で化合し、こ
これにより膜質の均一な金属酸化膜２１が形成される。
イオンビームＩＢがイオン照射される。蒸気状態の金属
２１ａと酸素２１ｂとが膜形成面１５ａ上で化合し、こ
これにより膜質の均一な金属酸化膜２１が形成される。
【００１０】
【実施例】図２は本発明に係るＰＤＰ１の構造を示す要
部断面図である。
部断面図である。
【００１１】ＰＤＰ１は、表示側のガラス基板１１、背
面側のガラス基板１２、各ガラス基板１１，１２の表面
に形成された複数の帯状のＸ電極１３及びＹ電極１４、
各電極１３，１４を覆う誘電体１５と保護膜２１、球状
のスペーサ１８、スペーサ１８で反射した光を遮光する
遮光マスク２０、及び周囲を密封する封止ガラス１７な
どから構成されている。図２において、ガラス基板１１
の上面が表示面１１Ｈとなる。
面側のガラス基板１２、各ガラス基板１１，１２の表面
に形成された複数の帯状のＸ電極１３及びＹ電極１４、
各電極１３，１４を覆う誘電体１５と保護膜２１、球状
のスペーサ１８、スペーサ１８で反射した光を遮光する
遮光マスク２０、及び周囲を密封する封止ガラス１７な
どから構成されている。図２において、ガラス基板１１
の上面が表示面１１Ｈとなる。
【００１２】スペーサ１８によって間隙寸法が規定され
た放電空間１９には、ＮｅとＸｅとを混合した放電ガス
３０が５００〜６００［Ｔｏｒｒ］程度の圧力となるよ
うに充填されている。
た放電空間１９には、ＮｅとＸｅとを混合した放電ガス
３０が５００〜６００［Ｔｏｒｒ］程度の圧力となるよ
うに充填されている。
【００１３】このようなＰＤＰ１の製造に際しては、ま
ず、表示側のガラス基板１１上に、スパッタリング蒸着
によってクロム、銅、クロムを順に積層し、三層構造の
金属薄膜（膜厚は５０００〜１００００Å）を形成し、
この金属薄膜をフォトリソグラフィ法によってパターン
ニングしてＸ電極１３を形成する。このとき、スペーサ
１８を設ける位置に対応させて遮光マスク２０を形成し
ておく。
ず、表示側のガラス基板１１上に、スパッタリング蒸着
によってクロム、銅、クロムを順に積層し、三層構造の
金属薄膜（膜厚は５０００〜１００００Å）を形成し、
この金属薄膜をフォトリソグラフィ法によってパターン
ニングしてＸ電極１３を形成する。このとき、スペーサ
１８を設ける位置に対応させて遮光マスク２０を形成し
ておく。
【００１４】続けて、Ｘ電極１３を覆うようにガラス基
板上に鉛ガラスなどの低融点ガラスペーストを塗布し、
５８０℃程度の温度で低融点ガラスペーストを焼成して
誘電体１５（厚さは２０μｍ程度）を形成する。
板上に鉛ガラスなどの低融点ガラスペーストを塗布し、
５８０℃程度の温度で低融点ガラスペーストを焼成して
誘電体１５（厚さは２０μｍ程度）を形成する。
【００１５】次に、スクリーン印刷法によって誘電体１
５上の適所にスペーサ１８を点在させて載置し、熱処理
を行って誘電体１５を軟化させ、スペーサ１８を融着に
よって固定する。
５上の適所にスペーサ１８を点在させて載置し、熱処理
を行って誘電体１５を軟化させ、スペーサ１８を融着に
よって固定する。
【００１６】そして、後述する蒸着装置２を用いて誘電
体１５を覆うようにガラス基板１１の表面に酸化マグネ
シウムからなる保護膜２１を蒸着する。保護膜２１は、
スペーサ１８の上部をも覆うが、保護膜２１の厚みは４
０００〜６０００Åであってスペーサ１８の直径（８０
〜１００μｍ）に比べて極めて小さいので、放電空間１
９の間隙寸法にほとんど影響を与えない。
体１５を覆うようにガラス基板１１の表面に酸化マグネ
シウムからなる保護膜２１を蒸着する。保護膜２１は、
スペーサ１８の上部をも覆うが、保護膜２１の厚みは４
０００〜６０００Åであってスペーサ１８の直径（８０
〜１００μｍ）に比べて極めて小さいので、放電空間１
９の間隙寸法にほとんど影響を与えない。
【００１７】その後、保護膜２１を蒸着したガラス基板
１１と、別にＹ電極１４、誘電体１５、及び保護膜２１
を設けた背面側のガラス基板１２とを、各Ｘ電極１３と
各Ｙ電極１４とが格子状に対向するように重ね合わせ、
封止ガラス１７による密封、及び放電ガス３０の封入な
どを行ってＰＤＰ１を完成する。
１１と、別にＹ電極１４、誘電体１５、及び保護膜２１
を設けた背面側のガラス基板１２とを、各Ｘ電極１３と
各Ｙ電極１４とが格子状に対向するように重ね合わせ、
封止ガラス１７による密封、及び放電ガス３０の封入な
どを行ってＰＤＰ１を完成する。
【００１８】図１は本発明に係る蒸着装置２の概略の構
成を示す図である。
成を示す図である。
【００１９】蒸着装置２は、チャンバー４０と、その内
部に設けられた電子ビーム加熱型の蒸発源４１、ヒータ
ー４５、及び冷陰極型のイオン銃４８などから構成され
ている。
部に設けられた電子ビーム加熱型の蒸発源４１、ヒータ
ー４５、及び冷陰極型のイオン銃４８などから構成され
ている。
【００２０】蒸発源４１は、熱電子を放出するフィラメ
ント４２、蒸発物質（ターゲット）としての粉末状のマ
グネシウム（Ｍｇ）２１ａを収納する耐熱容器（るつ
ぼ）４３、熱電子流ＥＢを偏向してターゲットに導く磁
束発生部４４からなり、熱電子流ＥＢのエネルギーによ
ってマグネシウム２１ａを加熱して蒸発させる。
ント４２、蒸発物質（ターゲット）としての粉末状のマ
グネシウム（Ｍｇ）２１ａを収納する耐熱容器（るつ
ぼ）４３、熱電子流ＥＢを偏向してターゲットに導く磁
束発生部４４からなり、熱電子流ＥＢのエネルギーによ
ってマグネシウム２１ａを加熱して蒸発させる。
【００２１】一方、イオン銃４８は、ガスボンベ５０か
ら調圧弁５１を介して流入される酸素ガス２１ｂをイオ
ン化し、酸素のイオンビームＩＢを射出する。
ら調圧弁５１を介して流入される酸素ガス２１ｂをイオ
ン化し、酸素のイオンビームＩＢを射出する。
【００２２】次に、蒸着装置２を用いて行う保護膜２１
の蒸着について説明する。
の蒸着について説明する。
【００２３】まず、誘電体１５を設けた後の所定数のガ
ラス基板１１又は１２を、誘電体１５が蒸発源４１と対
向するようにチャンバー４０内にて固定する。以下では
ガラス基板１１に対して保護膜２１の蒸着を行うものと
する。
ラス基板１１又は１２を、誘電体１５が蒸発源４１と対
向するようにチャンバー４０内にて固定する。以下では
ガラス基板１１に対して保護膜２１の蒸着を行うものと
する。
【００２４】次に、図外の真空ポンプによりチャンバー
４０の排気を行い、チャンバー４０内を５×１０-5［Ｔ
ｏｒｒ］程度の真空状態とする。この真空状態の形成と
並行して、又は真空状態が形成された後に、ヒーター４
５の熱輻射によってガラス基板１１を加熱する。
４０の排気を行い、チャンバー４０内を５×１０-5［Ｔ
ｏｒｒ］程度の真空状態とする。この真空状態の形成と
並行して、又は真空状態が形成された後に、ヒーター４
５の熱輻射によってガラス基板１１を加熱する。
【００２５】誘電体１５の表面温度が１５０℃程度に達
すると、蒸発源４１を作動させてマグネシウム２１ａを
蒸発させる。これと並行して、イオン銃４８に一定の流
量で酸素ガス２１ｂを供給し、５００〜１５００［ｅ
Ｖ］のエネルギーをもつイオンビームＩＢを誘電体１５
の表面（膜形成面）１５ａに向けて照射する。このと
き、照射イオン電流値は例えば５０〜２００［ｍＡ］程
度とされる。
すると、蒸発源４１を作動させてマグネシウム２１ａを
蒸発させる。これと並行して、イオン銃４８に一定の流
量で酸素ガス２１ｂを供給し、５００〜１５００［ｅ
Ｖ］のエネルギーをもつイオンビームＩＢを誘電体１５
の表面（膜形成面）１５ａに向けて照射する。このと
き、照射イオン電流値は例えば５０〜２００［ｍＡ］程
度とされる。
【００２６】これにより、蒸気流ＭＢとなってガラス基
板１１に到達したマグネシウム２１ａと、イオンビーム
ＩＢとして入射した酸素イオンとが化合して酸化マグネ
シウムとなって膜形成面１５ａ上に堆積する。このと
き、堆積速度が毎秒２０Åとなるように、蒸発源４１及
び調圧弁５１の制御を行う。
板１１に到達したマグネシウム２１ａと、イオンビーム
ＩＢとして入射した酸素イオンとが化合して酸化マグネ
シウムとなって膜形成面１５ａ上に堆積する。このと
き、堆積速度が毎秒２０Åとなるように、蒸発源４１及
び調圧弁５１の制御を行う。
【００２７】酸化マグネシウム膜の膜厚が上述の所定値
に達して保護膜１５の形成が終了すると、蒸発源４１、
イオン銃４８、及びヒーター４５の作動を停止し、ガラ
ス基板１１の温度がある程度下がるのを待ってチャンバ
ー４０内を大気圧に戻し、ガラス基板１１を取り出す。
そして、取り出したガラス基板１１を後工程へ送る。
に達して保護膜１５の形成が終了すると、蒸発源４１、
イオン銃４８、及びヒーター４５の作動を停止し、ガラ
ス基板１１の温度がある程度下がるのを待ってチャンバ
ー４０内を大気圧に戻し、ガラス基板１１を取り出す。
そして、取り出したガラス基板１１を後工程へ送る。
【００２８】上述のようにイオン照射によって酸素を膜
形成面に供給する場合には、従来のようにチャンバー内
に単に酸素を導入する場合に比べて、膜形成面の近傍の
酸素密度を一定化することが容易である。したがって、
イオンアシスト蒸着法によって形成された保護膜１５
は、その組成及び結晶構造の上で膜質が均一となる。
形成面に供給する場合には、従来のようにチャンバー内
に単に酸素を導入する場合に比べて、膜形成面の近傍の
酸素密度を一定化することが容易である。したがって、
イオンアシスト蒸着法によって形成された保護膜１５
は、その組成及び結晶構造の上で膜質が均一となる。
【００２９】上述の実施例において、イオン銃４８の形
式、イオンエネルギー、照射イオン電流、イオン束密度
などのイオン照射条件、蒸発源４１の形式、チャンバー
４０の構造、蒸発の制御条件は、ガラス基板１１，１２
の大きさや数などに応じて適宜選定することができる。
式、イオンエネルギー、照射イオン電流、イオン束密度
などのイオン照射条件、蒸発源４１の形式、チャンバー
４０の構造、蒸発の制御条件は、ガラス基板１１，１２
の大きさや数などに応じて適宜選定することができる。
【００３０】
【発明の効果】本発明によれば、ＭｇＯ膜などの金属酸
化膜の膜質を均一化することができ、表示動作の安定化
及びプラズマディスプレイパネルの長寿命化を図ること
ができる。
化膜の膜質を均一化することができ、表示動作の安定化
及びプラズマディスプレイパネルの長寿命化を図ること
ができる。
【図１】本発明に係る蒸着装置の概略の構成を示す図で
ある。
ある。
【図２】本発明に係るＰＤＰの構造を示す要部断面図で
ある。
ある。
１ ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル） １１，１２ ガラス基板（電極基板） １９ 放電空間 １５ａ 膜形成面 ２１ 保護膜（金属酸化膜） ２１ａ マグネシウム（金属） ２１ｂ 酸素ガス（酸素） ＩＢ イオンビーム
Claims (1)
- 【請求項１】放電空間（１９）と接する電極基板（１
１）（１２）の表面に金属酸化膜（２１）を有したプラ
ズマディスプレイパネル（１）の製造方法であって、金
属（２１ａ）を蒸発させつつ、膜形成面（１５ａ）に対
して酸素（２１ｂ）のイオンビーム（ＩＢ）を照射する
イオンアシスト蒸着法によって前記金属酸化膜（２１）
を形成する工程を含むことを特徴とするプラズマディス
プレイパネルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3596691A JP3044072B2 (ja) | 1991-03-01 | 1991-03-01 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3596691A JP3044072B2 (ja) | 1991-03-01 | 1991-03-01 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04274127A JPH04274127A (ja) | 1992-09-30 |
| JP3044072B2 true JP3044072B2 (ja) | 2000-05-22 |
Family
ID=12456690
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3596691A Expired - Lifetime JP3044072B2 (ja) | 1991-03-01 | 1991-03-01 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3044072B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3221012B2 (ja) * | 1991-10-01 | 2001-10-22 | 日本電気株式会社 | ガス放電表示素子の製造方法 |
| KR100459883B1 (ko) * | 1998-07-22 | 2005-01-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 표시 패널의 보호층 형성방법 |
| CN108565132B (zh) * | 2018-05-15 | 2019-09-27 | 中国科学院深圳先进技术研究院 | 一种具有金属氧化物纳米结构的纤维材料及其制备方法 |
-
1991
- 1991-03-01 JP JP3596691A patent/JP3044072B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04274127A (ja) | 1992-09-30 |
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