JP2001332175A - 交流型プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 - Google Patents
交流型プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法Info
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- H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
- H01J11/20—Constructional details
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 より低い電圧で放電を開始できるようにす
る。 【解決手段】 ガラス基板上に対となる表示電極と誘電
体層を形成してなる前面側パネル１０を真空チャンバ３
１内の基板ホルダー３２にセットし、真空チャンバ３１
の内部を排気し、ヒータ３５にてパネル１０を加熱し、
るつぼ３８内の膜材料（ＭｇＯ）にフィラメント３７よ
り熱電子流３６を照射させてＭｇＯを蒸発させて前面側
パネル１０の誘電体層上にＭｇＯ膜を成膜する。ＭｇＯ
膜の成膜後、膜表面に対して、酸素イオン銃３４により
酸素イオンを注入して、ＭｇＯ膜内に酸素欠損を生じさ
せる。
る。 【解決手段】 ガラス基板上に対となる表示電極と誘電
体層を形成してなる前面側パネル１０を真空チャンバ３
１内の基板ホルダー３２にセットし、真空チャンバ３１
の内部を排気し、ヒータ３５にてパネル１０を加熱し、
るつぼ３８内の膜材料（ＭｇＯ）にフィラメント３７よ
り熱電子流３６を照射させてＭｇＯを蒸発させて前面側
パネル１０の誘電体層上にＭｇＯ膜を成膜する。ＭｇＯ
膜の成膜後、膜表面に対して、酸素イオン銃３４により
酸素イオンを注入して、ＭｇＯ膜内に酸素欠損を生じさ
せる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、交流型プラズマディス
プレイパネルおよびその製造方法に関し、特に誘電体層
上を覆う酸化マグネシウムからなる保護膜とその形成方
法に関するものである。
プレイパネルおよびその製造方法に関し、特に誘電体層
上を覆う酸化マグネシウムからなる保護膜とその形成方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】交流型プラズマディスプレイパネルは、
前面パネルと背面パネルとを貼り合わせ両パネル間に形
成される放電空間内に放電ガスを封入して作製される。
前面パネルは、前面ガラス基板上に対を成す電極を形成
しその上を誘電体層によって被覆し、さらにその上に保
護膜を形成して作製され、背面パネルは、背面ガラス基
板上に電極を形成し、その上を誘電体層で被覆した後、
その上に隔壁と蛍光体層とを形成して作製される（例え
ば、特開平９−９２１３３号公報など）。
前面パネルと背面パネルとを貼り合わせ両パネル間に形
成される放電空間内に放電ガスを封入して作製される。
前面パネルは、前面ガラス基板上に対を成す電極を形成
しその上を誘電体層によって被覆し、さらにその上に保
護膜を形成して作製され、背面パネルは、背面ガラス基
板上に電極を形成し、その上を誘電体層で被覆した後、
その上に隔壁と蛍光体層とを形成して作製される（例え
ば、特開平９−９２１３３号公報など）。
【０００３】而して、前面パネルの誘電体層を覆う保護
膜は、誘電体層を放電時のイオン衝撃から保護するため
に形成されるものであるところ、放電空間に接し実際の
電極として動作していることから、その膜質が放電特性
に大きな影響を与える。一般に、保護膜材料としては酸
化マグネシウムが用いられており、通常真空蒸着法によ
り０．５〜１μｍ程度の膜厚に成膜している。酸化マグ
ネシウムは、二次電子放出係数の大きな材料であるため
これを用いることにより放電開始電圧が低減されること
およびスパッタ耐性が高いことにより、この材料が選定
されている。
膜は、誘電体層を放電時のイオン衝撃から保護するため
に形成されるものであるところ、放電空間に接し実際の
電極として動作していることから、その膜質が放電特性
に大きな影響を与える。一般に、保護膜材料としては酸
化マグネシウムが用いられており、通常真空蒸着法によ
り０．５〜１μｍ程度の膜厚に成膜している。酸化マグ
ネシウムは、二次電子放出係数の大きな材料であるため
これを用いることにより放電開始電圧が低減されること
およびスパッタ耐性が高いことにより、この材料が選定
されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述のとおり低電圧動
作を実現するために酸化マグネシウムを主成分とする保
護膜が用いられているが、しかしながら液晶表示装置な
どに比較して動作電圧は非常に高く、そのため駆動回路
集積回路には高耐圧トランジスタが必要となり、これが
プラズマディスプレイのコストを引き上げる要因の一つ
になっていた。従って、本発明の課題は、放電開始電圧
のより低減された誘電体層の保護膜を提供できるように
することである。
作を実現するために酸化マグネシウムを主成分とする保
護膜が用いられているが、しかしながら液晶表示装置な
どに比較して動作電圧は非常に高く、そのため駆動回路
集積回路には高耐圧トランジスタが必要となり、これが
プラズマディスプレイのコストを引き上げる要因の一つ
になっていた。従って、本発明の課題は、放電開始電圧
のより低減された誘電体層の保護膜を提供できるように
することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明によれば、対を成して平行に配設された第１
の電極と、前記第１の電極上を覆う第１の誘電体層と、
前記第１の誘電体層上を覆う酸化マグネシウムからなる
保護膜とが形成された第１のパネルと、前記第１の電極
と交差するように配設された第２の電極と、前記第２の
電極上を覆う誘電体層と、前記第２の誘電体層上を被覆
する蛍光体層とが形成された第２のパネルと、を備え、
前記第１、第２の電極に印加する電圧を操作することに
よって第１、第２のパネル間に形成された放電空間内に
放電を生じさせ、放電に伴って発生する紫外線を前記蛍
光体層によって可視光に変換する交流型プラズマディス
プレイパネルにおいて、前記保護膜は、禁制帯中に伝導
帯寄りの準位を有していることを特徴とする交流型プラ
ズマディスプレイパネル、提供される。そして、好まし
くは、上記禁制帯中の準位は、酸化マグネシウム中に酸
素欠損を生じさせることによって形成される。
め、本発明によれば、対を成して平行に配設された第１
の電極と、前記第１の電極上を覆う第１の誘電体層と、
前記第１の誘電体層上を覆う酸化マグネシウムからなる
保護膜とが形成された第１のパネルと、前記第１の電極
と交差するように配設された第２の電極と、前記第２の
電極上を覆う誘電体層と、前記第２の誘電体層上を被覆
する蛍光体層とが形成された第２のパネルと、を備え、
前記第１、第２の電極に印加する電圧を操作することに
よって第１、第２のパネル間に形成された放電空間内に
放電を生じさせ、放電に伴って発生する紫外線を前記蛍
光体層によって可視光に変換する交流型プラズマディス
プレイパネルにおいて、前記保護膜は、禁制帯中に伝導
帯寄りの準位を有していることを特徴とする交流型プラ
ズマディスプレイパネル、提供される。そして、好まし
くは、上記禁制帯中の準位は、酸化マグネシウム中に酸
素欠損を生じさせることによって形成される。
【０００６】また、上記の課題を解決するため、本発明
によれば、基板上に電極を形成する工程と、前記電極上
を覆う誘電体層を形成する工程と、前記誘電体層上に酸
化マグネシウムからなる保護膜を形成する工程と、を有
する交流型プラズマディスプレイパネル製造方法におい
て、前記保護膜の形成工程は、酸化マグネシウム膜を成
膜する第１の過程と、前記酸化マグネシウム膜に欠陥を
生じさせる第２の過程と、を含んでいることを特徴とす
る交流型プラズマディスプレイパネルの製造方法、が提
供される。そして、好ましくは、前記第２の過程が、酸
素のイオン注入により行われる。
によれば、基板上に電極を形成する工程と、前記電極上
を覆う誘電体層を形成する工程と、前記誘電体層上に酸
化マグネシウムからなる保護膜を形成する工程と、を有
する交流型プラズマディスプレイパネル製造方法におい
て、前記保護膜の形成工程は、酸化マグネシウム膜を成
膜する第１の過程と、前記酸化マグネシウム膜に欠陥を
生じさせる第２の過程と、を含んでいることを特徴とす
る交流型プラズマディスプレイパネルの製造方法、が提
供される。そして、好ましくは、前記第２の過程が、酸
素のイオン注入により行われる。
【０００７】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を実施
例に則して詳細に説明する。図１、図２は、本発明の実
施例を説明するためのプラズマディスプレイパネルの断
面図と斜視図である。前面側パネル１０では、前面ガラ
ス基板１１の内面に、マトリクス表示のラインごとに一
対の表示電極１２、１３が配置されている。表示電極１
２、１３は、それぞれＩＴＯ（indium tin oxide）など
からなる透明導電膜とこれを裏打ちする金属膜からな
り、ＡＣ駆動のための厚さ５０μｍ程度の誘電体層１４
によって、放電空間３０に対して被覆されている。誘電
体層１４の材料は鉛系低融点ガラスである。誘電体層１
４の表面には保護膜１５として厚さ１μｍ程度の酸化マ
グネシウム膜が形成されている。
例に則して詳細に説明する。図１、図２は、本発明の実
施例を説明するためのプラズマディスプレイパネルの断
面図と斜視図である。前面側パネル１０では、前面ガラ
ス基板１１の内面に、マトリクス表示のラインごとに一
対の表示電極１２、１３が配置されている。表示電極１
２、１３は、それぞれＩＴＯ（indium tin oxide）など
からなる透明導電膜とこれを裏打ちする金属膜からな
り、ＡＣ駆動のための厚さ５０μｍ程度の誘電体層１４
によって、放電空間３０に対して被覆されている。誘電
体層１４の材料は鉛系低融点ガラスである。誘電体層１
４の表面には保護膜１５として厚さ１μｍ程度の酸化マ
グネシウム膜が形成されている。
【０００８】一方、背面側パネル２０では、背面ガラス
基板２１の内面に、アドレス電極２２が表示電極１２、
１３と直交して形成されており、その上は、誘電体層１
４と同等の材料からなる誘電体層２３によって覆われて
いる。さらに、誘電体層２３上には、放電空間３０をラ
イン方向に分割する隔壁２４と、紫外線を可視光に変換
する蛍光体層２５が設けられている。そして、前面側パ
ネル１０と背面側パネル２０は、放電空間３０の間隙寸
法が一定値になるように貼り合わされている。放電空間
３０は、ネオンガスに微量のキセノンガスを添加したペ
ニングガスにより充填されている。
基板２１の内面に、アドレス電極２２が表示電極１２、
１３と直交して形成されており、その上は、誘電体層１
４と同等の材料からなる誘電体層２３によって覆われて
いる。さらに、誘電体層２３上には、放電空間３０をラ
イン方向に分割する隔壁２４と、紫外線を可視光に変換
する蛍光体層２５が設けられている。そして、前面側パ
ネル１０と背面側パネル２０は、放電空間３０の間隙寸
法が一定値になるように貼り合わされている。放電空間
３０は、ネオンガスに微量のキセノンガスを添加したペ
ニングガスにより充填されている。
【０００９】各画素の点灯、非点灯の選択には、アドレ
ス電極２２と表示電極１２とが用いられる。すなわち、
ラインに順次画面走査が行われ、表示電極１２と選択さ
れたアドレス電極２２との間の放電により、保護膜１５
上および蛍光体層２５上に所定の帯電状態が形成され
る。次に、表示電極１２と表示電極１３とに交互に所定
のパルスを印加することによって、帯電状態が形成され
たことにより所定量の壁電荷が蓄積されている画素にお
いて、基板面に沿った面放電が生じる。面放電により発
生した紫外光により蛍光体層２５が局部的に励起され発
光する。この発光が前面ガラス基板１１を透過して表示
光となる。上記構造の交流型プラズマディスプレイパネ
ルは、各ガラス基板について所定の構成要素を設ける工
程、各ガラス基板を対向配置した後に周囲を封止する工
程および放電ガスを封入する工程などを経て製造され
る。その際、保護膜は例えば蒸着法などにより成膜され
る。以下、本発明による保護膜の成膜方法について説明
する。
ス電極２２と表示電極１２とが用いられる。すなわち、
ラインに順次画面走査が行われ、表示電極１２と選択さ
れたアドレス電極２２との間の放電により、保護膜１５
上および蛍光体層２５上に所定の帯電状態が形成され
る。次に、表示電極１２と表示電極１３とに交互に所定
のパルスを印加することによって、帯電状態が形成され
たことにより所定量の壁電荷が蓄積されている画素にお
いて、基板面に沿った面放電が生じる。面放電により発
生した紫外光により蛍光体層２５が局部的に励起され発
光する。この発光が前面ガラス基板１１を透過して表示
光となる。上記構造の交流型プラズマディスプレイパネ
ルは、各ガラス基板について所定の構成要素を設ける工
程、各ガラス基板を対向配置した後に周囲を封止する工
程および放電ガスを封入する工程などを経て製造され
る。その際、保護膜は例えば蒸着法などにより成膜され
る。以下、本発明による保護膜の成膜方法について説明
する。
【００１０】図３は、本発明にしたがって保護膜を成膜
するための蒸着装置の概略の構成を示す断面図である。
同図に示されるように、真空チャンバ３１内には、前面
側パネル１０が搭載される基板ホルダー３２と、酸化マ
グネシウム（ＭｇＯ）を蒸発する蒸発源３３と、前面側
パネルに成膜された酸化マグネシウム膜に酸素イオンを
注入するための酸素イオン銃３４と、前面側パネル１０
を加熱するヒータ３５が配置されている。蒸発源３３
は、熱電子流３６を放出するフィラメント３７と、膜材
料である酸化マグネシウムを収容するるつぼ３８と、こ
れらを支持する支持台３９と、フィラメント３７の放出
する熱電子流３６を偏向してるつぼ３８内の膜材料に導
く磁束発生部（図示なし）から構成され、熱電子流３６
を制御して酸化マグネシウムを蒸発させる。
するための蒸着装置の概略の構成を示す断面図である。
同図に示されるように、真空チャンバ３１内には、前面
側パネル１０が搭載される基板ホルダー３２と、酸化マ
グネシウム（ＭｇＯ）を蒸発する蒸発源３３と、前面側
パネルに成膜された酸化マグネシウム膜に酸素イオンを
注入するための酸素イオン銃３４と、前面側パネル１０
を加熱するヒータ３５が配置されている。蒸発源３３
は、熱電子流３６を放出するフィラメント３７と、膜材
料である酸化マグネシウムを収容するるつぼ３８と、こ
れらを支持する支持台３９と、フィラメント３７の放出
する熱電子流３６を偏向してるつぼ３８内の膜材料に導
く磁束発生部（図示なし）から構成され、熱電子流３６
を制御して酸化マグネシウムを蒸発させる。
【００１１】次に、この蒸着装置を用いた保護膜の成膜
方法について説明する。まず、ガラス基板上に対となる
表示電極と誘電体層を形成してなる前面側パネル１０を
真空チャンバ３１内の基板ホルダー３２にセットした。
次いで、真空チャンバ３１の内部を図示しない真空ポン
プによりチャンバ内圧が６．６×１０-5Ｐａ（５×１０
-7Ｔｏｒｒ）以下になるまで排気した。ヒータ３５によ
り加熱して基板温度を２５０℃とした後に、るつぼ３８
内の膜材料にフィラメント３７より熱電子流３６を照射
させて酸化マグネシウムを蒸発させて前面側パネル１０
の誘電体層上に酸化マグネシウム膜を約１μｍの膜厚に
成膜した。酸化マグネシウム膜の成膜後、膜表面に対し
て、酸素イオン銃３４より、酸素イオンを、エネルギ
ー：１０ｋｅＶ、ドーズ量：５×１０14／ｃｍ2 の条件
で注入して、酸化マグネシウム膜内に酸素欠損を生じさ
せた。
方法について説明する。まず、ガラス基板上に対となる
表示電極と誘電体層を形成してなる前面側パネル１０を
真空チャンバ３１内の基板ホルダー３２にセットした。
次いで、真空チャンバ３１の内部を図示しない真空ポン
プによりチャンバ内圧が６．６×１０-5Ｐａ（５×１０
-7Ｔｏｒｒ）以下になるまで排気した。ヒータ３５によ
り加熱して基板温度を２５０℃とした後に、るつぼ３８
内の膜材料にフィラメント３７より熱電子流３６を照射
させて酸化マグネシウムを蒸発させて前面側パネル１０
の誘電体層上に酸化マグネシウム膜を約１μｍの膜厚に
成膜した。酸化マグネシウム膜の成膜後、膜表面に対し
て、酸素イオン銃３４より、酸素イオンを、エネルギ
ー：１０ｋｅＶ、ドーズ量：５×１０14／ｃｍ2 の条件
で注入して、酸化マグネシウム膜内に酸素欠損を生じさ
せた。
【００１２】酸素イオン注入を行っていない酸化マグネ
シウムにおけるカソードルミネッセンス測定結果を図４
に、酸素イオン注入を行った酸化マグネシウムにおける
カソードルミネッセンス測定結果を図５に示す。酸素イ
オン注入を行わなかった場合には５００ナノメートル近
傍に発光極大のピークが現れるのに対し、酸素イオン注
入により４００ナノメートル近傍に発光極大をもつピー
クが形成されている。この発光ピークは、酸素イオン注
入の結果酸化マグネシウム中に生じた酸素欠損に起因す
るものと考えられる。この発光の発光強度は、５００ナ
ノメートル近傍に発光極大をもつピークよりも大きくな
っている。酸化マグネシウムを保護膜として用いた交流
型プラズマディスプレイパネルにおいて、アドレス電極
と表示電極との間に電圧を印加し、放電を開始する電圧
を測定したところ、酸素イオンの注入を行わないものと
比較して１０パーセント低い電圧において放電が発生し
た。
シウムにおけるカソードルミネッセンス測定結果を図４
に、酸素イオン注入を行った酸化マグネシウムにおける
カソードルミネッセンス測定結果を図５に示す。酸素イ
オン注入を行わなかった場合には５００ナノメートル近
傍に発光極大のピークが現れるのに対し、酸素イオン注
入により４００ナノメートル近傍に発光極大をもつピー
クが形成されている。この発光ピークは、酸素イオン注
入の結果酸化マグネシウム中に生じた酸素欠損に起因す
るものと考えられる。この発光の発光強度は、５００ナ
ノメートル近傍に発光極大をもつピークよりも大きくな
っている。酸化マグネシウムを保護膜として用いた交流
型プラズマディスプレイパネルにおいて、アドレス電極
と表示電極との間に電圧を印加し、放電を開始する電圧
を測定したところ、酸素イオンの注入を行わないものと
比較して１０パーセント低い電圧において放電が発生し
た。
【００１３】以上好ましい実施例について説明したが、
本発明は上記の実施例に限定されるものではなく、本発
明の要旨を逸脱しない範囲内において適宜の変更が可能
なものである。例えば、実施例では、特に酸化マグネシ
ウムの結晶配向については言及しなかったが、＜１１１
＞配向膜を形成するようにしてもよい。また、酸化マグ
ネシウムの禁制帯中に準位を形成できる方法であれば酸
素イオン注入に限定されず他の手段を採用してもよい。
そして、その準位に基づくカソードルミネッセンスの発
光ピークの波長は４００ｎｍに限定されることなくその
近傍、例えば３００〜５００ｎｍであれば同様の効果が
期待できる。また、酸化マグネシウムに対するイオン注
入は、蒸着装置とは異なる装置を用いて行ってもよい。
本発明は上記の実施例に限定されるものではなく、本発
明の要旨を逸脱しない範囲内において適宜の変更が可能
なものである。例えば、実施例では、特に酸化マグネシ
ウムの結晶配向については言及しなかったが、＜１１１
＞配向膜を形成するようにしてもよい。また、酸化マグ
ネシウムの禁制帯中に準位を形成できる方法であれば酸
素イオン注入に限定されず他の手段を採用してもよい。
そして、その準位に基づくカソードルミネッセンスの発
光ピークの波長は４００ｎｍに限定されることなくその
近傍、例えば３００〜５００ｎｍであれば同様の効果が
期待できる。また、酸化マグネシウムに対するイオン注
入は、蒸着装置とは異なる装置を用いて行ってもよい。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のプラズマ
ディスプレイパネルは、禁制帯中に伝導帯寄りの準位を
有する酸化マグネシウム膜を誘電体層の保護膜として用
いるものであるので、交流型プラズマディスプレイの放
電開始電圧を低減させることができる。したがって、本
発明によれば、駆動電圧の低電圧化が可能となりドライ
バＩＣをより安価に作製することが可能になり交流型プ
ラズマディスプレイのコストを引き下げることができ
る。
ディスプレイパネルは、禁制帯中に伝導帯寄りの準位を
有する酸化マグネシウム膜を誘電体層の保護膜として用
いるものであるので、交流型プラズマディスプレイの放
電開始電圧を低減させることができる。したがって、本
発明によれば、駆動電圧の低電圧化が可能となりドライ
バＩＣをより安価に作製することが可能になり交流型プ
ラズマディスプレイのコストを引き下げることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の交流型プラズマディスプレイパネル
の構造を示す断面図。
の構造を示す断面図。
【図２】 本発明の交流型プラズマディスプレイパネル
の構造を示す斜視図。
の構造を示す斜視図。
【図３】 本発明の交流型プラズマディスプレイパネル
の保護膜の成膜装置の概略の構成を示す断面図。
の保護膜の成膜装置の概略の構成を示す断面図。
【図４】 酸素イオン注入前の酸化マグネシウムのカソ
ードルミネッセンス測定結果を示す図。
ードルミネッセンス測定結果を示す図。
【図５】 酸素イオン注入後の酸化マグネシウムのカソ
ードルミネッセンス測定結果を示す図。
ードルミネッセンス測定結果を示す図。
１０ 前面側パネル １１ 前面ガラス基板 １２、１３ 表示電極 １４ 誘電体層 １５ 保護膜 ２０ 背面側パネル ２１ 背面ガラス基板 ２２ アドレス電極 ２３ 誘電体層 ２４ 隔壁 ２５ 蛍光体層 ３０ 放電空間 ３１ 真空チャンバ ３２ 基板ホルダー ３３ 蒸発源 ３４ 酸素イオン銃 ３５ ヒータ ３６ 熱電子流 ３７ フィラメント ３８ るつぼ ３９ 支持台
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5C027 AA10 5C040 FA01 GE09 GE10 JA07 KA03 MA12 MA17 MA26 5C094 AA24 AA43 AA44 BA31 CA19 DA14 DB01 EA04 EA05 EA10 EB02 FA02 FB02 FB14 FB15 GB10 JA11 JA20
Claims (11)
- 【請求項１】 対を成して平行に配設された第１の電極
と、前記第１の電極上を覆う第１の誘電体層と、前記第
１の誘電体層上を覆う酸化マグネシウムからなる保護膜
とが形成された第１のパネルと、前記第１の電極と交差
するように配設された第２の電極と、前記第２の電極上
を覆う誘電体層と、前記第２の誘電体層上を被覆する蛍
光体層とが形成された第２のパネルと、を備え、前記第
１、第２の電極に印加する電圧を操作することによって
第１、第２のパネル間に形成された放電空間内に放電を
生じさせ、放電に伴って発生する紫外線を前記蛍光体層
によって可視光に変換する交流型プラズマディスプレイ
パネルにおいて、前記保護膜は、禁制帯中に伝導帯寄り
の準位を有していることを特徴とする交流型プラズマデ
ィスプレイパネル。 - 【請求項２】 禁制帯中の前記準位が、酸化マグネシウ
ム中の欠陥に起因していることを特徴とする請求項１記
載の交流型プラズマディスプレイパネル。 - 【請求項３】 前記酸化マグネシウム中の欠陥が酸素欠
損であることを特徴とする請求項２記載の交流型プラズ
マディスプレイパネル。 - 【請求項４】 禁制帯中の準位の発するピーク蛍光の波
長が３００〜５００ｎｍの範囲にあることを特徴とする
請求項１〜３の何れかに記載の交流型プラズマディスプ
レイパネル。 - 【請求項５】 前記保護膜が、酸化マグネシウムの＜１
１１＞配向膜であることを特徴とする請求項１〜５の何
れかに記載の交流型プラズマディスプレイパネル。 - 【請求項６】 基板上に電極を形成する工程と、前記電
極上を覆う誘電体層を形成する工程と、前記誘電体層上
に酸化マグネシウムからなる保護膜を形成する工程と、
を有する交流型プラズマディスプレイパネルの製造方法
において、前記保護膜の形成工程は、酸化マグネシウム
膜を成膜する第１の過程と、前記酸化マグネシウム膜に
欠陥を生じさせる第２の過程と、を含んでいることを特
徴とする交流型プラズマディスプレイパネルの製造方
法。 - 【請求項７】 前記第１の過程が、蒸着法により行われ
ることを特徴とする請求項６記載の交流型プラズマディ
スプレイパネルの製造方法。 - 【請求項８】 前記蒸着法が、電子ビーム蒸着法である
ことを特徴とする請求項７記載の交流型プラズマディス
プレイパネルの製造方法。 - 【請求項９】 前記第２の過程が、イオン注入により行
われることを特徴とする請求項６〜８の何れかに記載の
交流型プラズマディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項１０】 前記イオン注入が、酸素イオンの注入
であることを特徴とする請求項９記載の交流型プラズマ
ディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項１１】 前記第１の過程と前記第２の過程とを
同一真空チャンバ内において連続して行うことを特徴と
する請求項６〜１０の何れかに記載の交流型プラズマデ
ィスプレイパネルの製造方法。
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