JP2002117771A

JP2002117771A - 放電灯及びプラズマディスプレイパネル及びその製造方法

Info

Publication number: JP2002117771A
Application number: JP2000308758A
Authority: JP
Inventors: Seiki Nishimura; 征起西村; Yusuke Takada; 祐助高田; Nobuaki Nagao; 宣明長尾; Hidetaka Tono; 秀隆東野; Toru Ando; 亨安藤; Masahiro Deguchi; 正洋出口
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2000-10-10
Filing date: 2000-10-10
Publication date: 2002-04-19

Abstract

(57)【要約】【課題】プラズマディスプレイパネルの保護層に負性
電子親和力の特性を持つダイヤモンド粒子を用いて、高
輝度・高発光効率を得ると同時に安定な動作を得ること
は非常に困難であった。【解決手段】壁電荷の保持層としてのアモルファス状
カーボン層でダイヤモンド粒子の表面を被覆することで
高輝度・高発光効率を実現し、同時に低電圧、安定動作
を実現する。また、前記パネルを容易で低コストに作製
する作製法を提供する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はコンピュータおよび
テレビ等の画像表示に用いるプラズマディスプレイパネ
ル及びそれを用いた画像表示装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来のＡＣ面放電型プラズマディスプレ
イパネルの要部断面図を図４に示す。図５は図４のＢ−
Ｂ断面図である。

【０００３】従来のＡＣ面放電型プラズマディスプレイ
パネル（以下、パネルという）１は、図４に示すよう
に、放電空間２を挟んでガラス製の表面基板３およびガ
ラス製の背面基板４が対向して配置されている。表面基
板３上には、誘電体層５および保護層６で覆われた対を
成す帯状の走査電極７と維持電極８とからなる電極が互
いに平行配列されている。

【０００４】背面基板４上には、走査電極７および維持
電極８と直交する方向に帯状のデータ電極９が互いに平
行配列されており、またこの各データ電極９を隔離し、
かつ放電空間２を形成するための帯状の隔壁１０がデー
タ電極９の間に設けられている。また、データ電極９上
から隔壁１０の側面にわたって蛍光体層１１が形成され
ている。さらに、放電空間２にはヘリウム（Ｈｅ）、ネ
オン（Ｎｅ）およびアルゴン（Ａｒ）のうち少なくとも
一種とキセノン（Ｘｅ）との混合ガスが封入されてい
る。

【０００５】このパネル１は表面基板３側から画像表示
を見るようになっており、放電空間２内での走査電極７
と維持電極８との間の放電により発生する紫外線によっ
て、蛍光体層１１を励起し、この蛍光体層１１からの可
視光を表示発光に利用するものである。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】プラズマディスプレイ
パネルは更なる高輝度化と、消費電力の点から発光効率
の向上が現在でも大きな課題である。また、パネル生産
時における歩留まりの向上にはパネルの必要耐圧低減が
必要であり、その上パネルに電圧を印加する駆動回路の
コストも低減できるという点からも、放電の低電圧駆動
が可能なパネルが急務とされている。

【０００７】これまでのＡＣ型プラズマディスプレイは
電極を絶縁層で覆った構造をしているが、実際の放電特
性にはその絶縁層を被覆し放電空間に面するように配置
された保護層の２次電子放出特性で放電特性、放電開始
電圧が大きく左右される。現在では放電時における耐ス
パッタ性、そして安定放電に欠かせない２次電子放出特
性にも優れた材料として酸化マグネシウム（ＭｇＯ）膜
が広く用いられている。

【０００８】しかし、ＭｇＯ膜よりも放電特性が向上が
期待される材料としてダイヤモンドがあり、ダイヤモン
ドを保護層に用いたプラズマディスプレイパネルが特開
平８−３３９７６７に開示されている。

【０００９】これは主にダイヤモンドが持つ負性電子親
和力の特性を利用しようとしたもので、負性電子親和力
とはダイヤモンドの導電帯に励起された電子は自然と真
空空間に放出される特性を意味する。したがって、Ｍｇ
Ｏ膜に比べ格段に電子放出特性が向上し、放電開始電圧
の低減、高輝度、高発光効率が期待できる。また、ダイ
ヤモンドは耐スパッタ性にも優れた特性を持ち合わせて
いる。

【００１０】しかしながら、ＡＣ型プラズマディスプレ
イパネルの実際の駆動においては、バリア放電における
壁電荷を利用したメモリー効果で選択的に放電を起こさ
せて画像表示駆動を行っている。したがって、ダイヤモ
ンドを用いた保護層では励起された電子が自然と放出さ
れるので、適切な壁電荷制御が難しく選択的な放電を制
御する事が非常に困難となり、プラズマディスプレイパ
ネルの安定駆動は不可能または安定動作領域が非常に狭
いという問題があった。

【００１１】また、ダイヤモンドに近い特性を示すもの
としてアモルファス状カーボン（Ｄｉａｍｏｎｄ−ｌｉ
ｋｅ−ｃａｒｂｏｎ，ＤＬＣ）がある。ここでＤＬＣと
はＸ線的にはダイヤモンド構造をしていない非晶質なカ
ーボン原子の結合の集まりであるが、局所的にカーボン
のＳＰ３結合を持つカーボン原子の集合体のことを示
す。ＤＬＣ膜を保護層に用いたプラズマディスプレイパ
ネルは特開平１１−５４０４８に開示されている。しか
しながら、ＤＬＣ膜は特定の結晶構造を持つものではな
く膜中には非常に多くの欠陥準位を持ち放電に寄与しな
い膜の深いところで多くの電子がトラップされるためダ
イヤモンドの２次電子放出特性に比べてＤＬＣ膜の２次
電子放出特性は格段に低下してしまう。

【００１２】これはダイヤモンドとＤＬＣ膜の走査型電
子顕微鏡（電子線を照射し発生した２次電子を結像さ
せ、２次電子の放出量からコントラストを得る装置、Ｓ
ＥＭ）において、２次電子放出特性に優れたダイヤモン
ドは非常に明るい像が得られるのに対し、ＤＬＣ膜はダ
イヤモンドに比べ非常に暗い像となることからも容易に
判断できる。２次電子放出特性はプラズマディスプレイ
パネルにおいては、輝度、発光効率を大きく左右するた
め、ＤＬＣ膜ではダイヤモンドに比べて放電特性が大き
く劣ってしまう。

【００１３】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明のプラズマディスプレイパネルは保護層で覆
われた第１電極および第２電極が互いに平行に形成され
た第１の基板と、蛍光体層で覆われた第３電極が前記第
１電極と直交する方向に形成された第２の基板とが放電
空間を挟んで対向配置された面放電型プラズマディスプ
レイにおいて、保護層としてダイヤモンドとダイヤモン
ド状カーボンとをともに少なくとも含んだ層からなるこ
とを特徴とする。

【００１４】この構成のプラズマディスプレイパネルで
は非常に優れた２次電子放出が得られ低電圧駆動が可能
で高輝度、高発光効率が達成できるとともに適切な壁電
荷操作が可能となり非常に安定な駆動ができるプラズマ
ディスプレイパネルが実現できる。

【００１５】また、本発明のプラズマディスプレイパネ
ルの製造方法によれば、非常に優れた２次電子放出が得
られ低電圧駆動が可能で高輝度、高発光効率が達成でき
るとともに適切な壁電荷操作が可能となり、非常に安定
な駆動ができるプラズマディスプレイパネルが複雑な工
程を必要とせず低コストで実現できる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態につ
いて図面を用いて説明する。

【００１７】（実施の形態１）本発明の一実施の形態の
電極構造を図１に示す。

【００１８】表面基板３を形成するにあたり、ガラス基
板上に前記第１電極および前記第２電極として、Ｃｒ薄
膜をスパッタリング法によって成膜し、その上にＣｕ薄
膜をスパッタリング法によって成膜し、さらにその上に
Ｃｒ薄膜をスパッタリング法によって成膜した後にレジ
スト層を形成し、フォトマスクによって電極パターンを
露光し、レジスト層を現像した後にＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ電
極の不要部分をケミカルエッチング法によって除去しパ
ターニングを行った。

【００１９】次に、誘電体層５として低融点鉛ガラス系
ペーストを印刷後乾燥した後、焼成することによって誘
電体層５を形成し、平均粒径０．３μｍ程度の微小ダイ
ヤモンド粒子を分散させた純水にガラス基板の誘電体層
を形成した面のみを浸し分散液に超音波振動を与え超音
波振動処理を行った。その際の分散液には１リットルの
純水に０．２ｇのダイヤモンド粒子を分散させた溶液
（１リットルあたり約１×１０¹⁴個のダイヤモンド粒子
が含まれている）を用い、３００Ｗの超音波処理を１０
〜３０分行った。走査型電子顕微鏡で観察したところダ
イヤモンド粒子１２が均一に分布しており、１×１０⁹
個／ｃｍ²程度の密度で分布していた。そして、このダ
イヤモンド粒子１２を被覆するようにプラズマＣＶＤ法
でＤＬＣ膜１３を（表１）の条件で０〜１μｍ形成し
た。マイクロ波ＣＶＤ装置の概念図を図２に示す。な
お、このＤＬＣ膜１３形成は誘電体層と密着力が弱かっ
たダイヤモンド粒子１２が誘電体層５表面にしっかりと
固定する効果も有する。

【００２０】

【表１】

【００２１】本実施の形態で用いたダイヤモンド粒子１
２の平均粒径は表面の平滑性、誘電体層上の分布具合か
ら１μｍ程度以下が好ましく、特に０．１μｍ程度が平
滑性、放電特性上いい結果が得られた。また、このダイ
ヤモンド粒子１２を誘電体層５の上に形成する手段とし
ては前記の超音波処理に限られるものではなく、同様の
ダイヤモンド粒子の分散液をガラス基板を回転させなが
ら滴下するスピンコート法や、誘電体層５形成時の低融
点鉛ガラス系ペーストにダイヤモンド粒子を混合する用
いた工法でもよい。ともに誘電体層５上のダイヤモンド
粒子１２形成工法としては、前記超音波処理法、前記ス
ピンコート法、前記誘電体ペーストに分散させる手段
は、非常に容易な方法で低コストで実現可能な工法であ
るとともに、ＣＶＤ法でのダイヤモンド形成時の基板温
度上昇（８００℃程度）の問題を回避できる大きな利点
がある。また、ＡＣ型プラズマディスプレイにおいては
電極を良好な絶縁層で被覆する必要があり、ダイヤモン
ド層またはダイヤモンド層とＤＬＣ膜のみでも絶縁層を
形成することは可能であるが、本実施の形態では従来技
術である低融点ガラスペーストを用いることで低コスト
に良好な絶縁性を示す誘電体層形成を可能とした。

【００２２】次に所望の位置に、帯状のデータ電極９と
隔壁１０を設け蛍光体１１を塗布した背面基板４と上記
表面基板３を、ガラスフリットを用いて封着した後に真
空排気し放電ガスとしてＸｅを５％含むＮｅ−Ｘｅ混合
ガスを封入した。

【００２３】実験結果について、（表２）に記す。比較
対称として誘電体層の上にＭｇＯ膜のみを０．５μｍ蒸
着した従来パネルを用い、輝度、発光効率は従来パネル
の値を１とした時の比率を、維持電圧については従来パ
ネルとの電圧差であらわした。

【００２４】

【表２】

【００２５】この結果から、すべてのパネルにおいて従
来パネルに比べ輝度、発光効率の向上する結果が得られ
た。しかしながら、ＤＬＣ膜１３を蒸着せずにダイヤモ
ンド粒子１２のみを用いたサンプルＡは輝度、発光効率
ともに大きく向上したが、誘電体層５が放電空間２に剥
き出しになっていることもあり放電電圧の大きな上昇が
みられ、また安定動作は得ることができなかった。これ
は一度放電が開始しダイヤモンド導電帯に電子が励起さ
れると負性電子親和力の特性から電子放出特性には非常
に優れるが、電子が励起される以前では、初期電子生成
には誘電体層５とダイヤモンド粒子１２のみでは非常に
高い電圧が必要なことを示している。また前記に記した
ように負性電子親和力を持つダイヤモンドでは適切な壁
電荷操作が困難で安定駆動はできなかった。

【００２６】しかしながら、ＤＬＣ膜１３でダイヤモン
ド粒子１２表面を被覆してやることで、維持電圧は低減
し、また安定な駆動が実現できた。これは保護層６の最
表面にあるＤＬＣ膜１３で電子をトラップし蓄積できる
ため、適切な壁電荷操作が可能となったことと、この欠
陥準位にそって電子が加速されしやすく初期電子生成が
容易となり必要電圧が低減したことが考えられる。

【００２７】しかしながら、ＤＬＣ膜１３の膜厚の増加
に伴い輝度、発光効率の低下傾向が見られる。これはＤ
ＬＣ膜１３の可視光域での透過率が非常に低いこと、ま
たダイヤモンドの電子放出特性の寄与率がＤＬＣ膜１３
の膜厚増加で低下していくことが考えられる。

【００２８】したがって、以上の結果より平均粒径が
０．３μｍのダイヤモンド粒子１２を用いたときには、
ＤＬＣ膜１３が０．５μｍ程度の時が、安定動作が可能
で維持電圧の低減のうえ、輝度、発光効率の向上に対し
最適な膜厚であった。

【００２９】ただし、このＤＬＣ膜１３の膜厚はダイヤ
モンド粒子１２の粒径と相関があるため、その都度用い
るダイヤモンド粒子１２の粒径に最適な膜厚にはする必
要がある。

【００３０】また、本実施の形態１においては、アンド
ープダイヤモンド粒子を用いたが、ｎ型の不純物準位を
形成するリン（Ｐ）や窒素（Ｎ）や、ｐ型の不純物準位
を形成するボロン（Ｂ）をドープしたダイヤモンド粒子
１２を用いることで、ｎ型ドーパントではダイヤモンド
中で電子供給源となること、ｐ型ドーパントではダイヤ
モンド粒子が安定した負性電子親和力の特性を示すよう
になることで、ともにさらに電子放出特性が向上し、更
なる低電圧化、高輝度化、高効率化が可能なプラズマデ
ィスプレイパネルが実現できる。

【００３１】また、本実施の形態１においては、ＤＬＣ
膜形成時ドーピングを行わなかったが、成膜時にフォス
フィン（ＰＨ₄）、ジボラン（Ｂ₂Ｈ₆）、窒素（Ｎ₂）な
どの不純物ガスを導入することでＤＬＣ膜１３にドーピ
ングを行うことで、ｎ型ドーパントであるリン（Ｐ）や
窒素（Ｎ）は電子供給源となり、ｐ型ドーパントである
ボロン（Ｂ）はダイヤモンド粒子１２に拡散しダイヤモ
ンド粒子が安定した負性電子親和力の特性を示すように
なること、またＤＬＣ膜１３に適度な欠陥準位を形成す
ることで、ともにさらに電子放出特性が向上し、更なる
低電圧化、高輝度化、高効率化が可能なプラズマディス
プレイパネルが実現できる。

【００３２】また、本実施の形態１においては、ＡＣ型
プラズマディスプレイパネルの保護層６としてダイヤモ
ンド粒子１２とＤＬＣ膜１３の複合保護層を用いたが特
にＡＣ型に限られるものではなくＤＣ型、またはＡＣ
型、ＤＣ型のハイブリット型においても陰極、または陰
極を被覆する保護層として用いることで低電圧化、高輝
度、高発光効率のプラズマディスプレイパネルは実現で
きる。

【００３３】また、本実施の形態１におけるダイヤモン
ド粒子１２とＤＬＣ膜１３の複合保護層は、放電灯にお
ける陰極の保護層として用いても、ＤＬＣ膜１３でダイ
ヤモンド粒子１２が被覆されており陰極材料との密着力
が増加し剥がれにくく、ＤＬＣ膜１３、ダイヤモンド粒
子１２は共に耐スパッタ性に優れているため耐久性にも
優れ、電子放出特性も高く高輝度、高発光効率を達成で
きる放電灯の陰極保護層を実現できる。

【００３４】また、本実施の形態１においては、プラズ
マディスプレイパネルを駆動するための複数の各対の走
査電極７と維持電極８に接続された表示電極駆動回路
と、各画素を選択するためのデータ電極９に接続された
アドレス電極駆動回路と、前記表示電極駆動回路および
前記アドレス電極駆動回路のそれぞれを制御するための
制御部とを備えることで上記の効果を利用した画像表示
装置を実現できる。

【００３５】（実施の形態２）本実施の形態２において
は、安定動作を得ることが難しいダイヤモンド保護層を
複雑な工程を増やさずに、安定動作を可能にする実施の
形態を示す。

【００３６】本実施の形態では平均粒径が１μｍ程度の
ダイヤモンド粒子を１リットルの純水に０．２ｇ分散さ
せた溶液（１リットルあたり約１×１０¹³個のダイヤモ
ンド粒子が含まれている）を用いて実施の形態１と同様
に超音波処理で誘電体層５の上にダイヤモンド粒子１２
を分布させた。走査型電子顕微鏡で観察したところダイ
ヤモンド粒子１２が均一に分布しており、１×１０⁸個
／ｃｍ²程度の密度で分布していた。その後、電子ビー
ム蒸着によってＭｇＯ膜１４を約０．７μｍを前記ダイ
ヤモンド粒子１２の上に蒸着し、部分的にはダイヤモン
ド粒子１２が露出しているが前記誘電体層５は完全に被
覆されるようにＭｇＯ膜を形成した。その概念図を図３
（ａ）に示す。その後は実施の形態１と同様の背面基板
４とはり合わせ、真空排気した後放電ガスとしてＸｅを
５％含むＮｅ−Ｘｅ混合ガスを封入した。

【００３７】しかしながら、このままのパネルではダイ
ヤモンドの負性電子親和力の特性により高輝度で高い発
光効率を達成できるが、適切な壁電荷操作が困難で選択
的なセルを放電させるための安定駆動は非常に難しい。

【００３８】そこで、本実施の形態２においては、安定
動作を可能にするために、まず強い放電を起こすことで
ダイヤモンド粒子１２表面を、壁電荷を安定に保持する
ことが可能なアモルファス状カーボン層１５に変質させ
る工程をいれる。ダイヤモンド粒子１２表面をアモルフ
ァス化させるには放電開始電圧の１．５倍程度の電圧を
〜１０ｋＨｚの周波数で２〜１０時間の間印加し放電さ
せることで容易に実現できる。また、突起したダイヤモ
ンド粒子１２に電界が集中するため、その上に付いてい
るＭｇＯ膜は強い放電により容易にスパッタされなくな
りダイヤモンド粒子１２が放電空間に露出した状態とな
った後にそのダイヤモンド粒子１２の表面が効果的にア
モルファス化させることができる。ちなみに、２５０Ｖ
の電圧を３０ｋＨｚの周波数で８時間放電させた後のダ
イヤモンド表面層の約０．０５μｍがアモルファス状カ
ーボン層１５に変質していることがダイヤモンド粒子１
２の断面の透過型電子顕微鏡写真によって確認できた。
放電によってダイヤモンド表面をアモルファス状カーボ
ン層１５に変質させた後の概念図を図３（ｂ）に示す。

【００３９】また、このダイヤモンド粒子１２表面を壁
電荷保持層としてのアモルファス状カーボン層１５に変
質させる工程には複雑な工程を必要とせず、非常に低コ
ストで実現できる大きな利点もある。

【００４０】このパネル作製手段で作製したパネルでは
保護層にＭｇＯのみを用いたものに比べ、輝度、発光効
率で４０％の上昇、維持電圧で１０Ｖの低減が実現でき
る。

【００４１】また、本実施の形態２においては、アンド
ープダイヤモンド粒子を用いたが、ｎ型の不純物準位を
形成するリン（Ｐ）や窒素（Ｎ）や、ｐ型の不純物準位
を形成するボロン（Ｂ）をドープしたダイヤモンド粒子
１２を用いることで、ｎ型ドーパントではダイヤモンド
中で電子供給源となること、ｐ型ドーパントではダイヤ
モンド粒子が安定した負性電子親和力の特性を示すよう
になること、そして同時に放電によって形成されたアモ
ルファス状カーボン層１５にも不純物がドーピングされ
るので実施の形態１と同様にさらに電子放出特性が向上
し、更なる低電圧化、高輝度化、高効率化が可能なプラ
ズマディスプレイパネルが実現できる。

【００４２】また、本実施の形態２においては、ＡＣ型
プラズマディスプレイパネルの保護層６としてダイヤモ
ンド粒子１２とＭｇＯ膜１４とアモルファス状カーボン
層１５の複合保護層を用いたが特にＡＣ型に限られるも
のでははくＤＣ型、またはＡＣ型、ＤＣ型のハイブリッ
ト型においても陰極、または陰極を被覆する保護層とし
て用いることで低電圧化、高輝度、高発光効率のプラズ
マディスプレイパネルは実現できる。

【００４３】また、本実施の形態２においては、ダイヤ
モンド粒子１２を誘電体層５の上に形成した後に誘電体
層５を放電空間に露出させないようにさらにＭｇＯ膜１
４を形成したが、ダイヤモンド粒子１２だけで密な層を
形成し誘電体層５を被覆し本実施の形態と同様にダイヤ
モンド粒子１２表面をアモルファス状カーボン層１５に
変質させたパネルでも同様に、低電圧化、高輝度、高発
光効率のプラズマディスプレイパネルは実現できる。

【００４４】また、本実施の形態２におけるＭｇＯ膜１
４とダイヤモンド粒子１２とアモルファス状カーボン層
１５の複合保護層は、放電灯における陰極の保護層とし
て用いても、ＤＬＣ膜１３でダイヤモンド粒子１２が被
覆されており陰極材料との密着力が増加し剥がれにく
く、ＤＬＣ膜１３、ダイヤモンド粒子１２は共に耐スパ
ッタ性に優れているため耐久性にも優れ、電子放出特性
も高く高輝度、高発光効率を達成できる放電灯の陰極保
護層を実現できる。

【００４５】また、本実施の形態２においては、プラズ
マディスプレイパネルを駆動するための複数の各対の走
査電極７と維持電極８に接続された表示電極駆動回路
と、各画素を選択するためのデータ電極９に接続された
アドレス電極駆動回路と、前記表示電極駆動回路および
前記アドレス電極駆動回路のそれぞれを制御するための
制御部とを備えることで上記の効果を利用した画像表示
装置を実現できる。

【００４６】

【発明の効果】以上のように、本発明に係るプラズマデ
ィスプレィパネルによれば、保護層で覆われた第１電極
および第２電極が互いに平行に形成された第１の基板
と、蛍光体層で覆われた第３電極が前記第１電極と直交
する方向に形成された第２の基板とが放電空間を挟んで
対向配置された面放電型プラズマディスプレイにおい
て、保護層としてダイヤモンドとダイヤモンド状カーボ
ンとをともに少なくとも含んだ層からなることを特徴と
するプラズマディスプレイパネルによって、高輝度・高
発光効率を達成でき、安定に動作させることが可能なプ
ラズマディスプレイパネルを実現できる。また同時に、
放電電圧を低減できるために回路のコストを低減でき、
パネル作製時の歩留まりを改善することができる効果も
有する。

【００４７】さらに本発明に係るプラズマディスプレイ
パネルの製造方法によれば、上記のような優れた特性を
有するプラズマディスプレイパネルを非常に容易な手法
で効率的に製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１のＰＤＰの構造を模式的
に示した断面図

【図２】本発明の実施の形態１で用いたプラズマＣＶＤ
装置の概念図

【図３】本発明の実施の形態２の保護層断面図（ａ）ダイヤモンド表面をアモルファス化する以前を示
す図（ｂ）ダイヤモンド表面をアモルファス化した後を示す
図

【図４】従来のＰＤＰの要部構造を示した断面図

【図５】図４のＢ−Ｂ断面図

【符号の説明】１パネル２放電空間３表面基板４背面基板５誘電体層６保護層７走査電極８維持電極９データ電極１０隔壁１１蛍光体層１２ダイヤモンド粒子１３ＤＬＣ膜１４ＭｇＯ膜１５アモルファス状カーボン層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者長尾宣明大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者東野秀隆大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者安藤亨大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者出口正洋大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内Ｆターム(参考） 5C027 AA09 5C040 FA01 FA04 GA02 GB02 GE02 GE08 GE09 JA07 JA21 JA40 KA20 MA03 MA12

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】適量のガスを封入した放電空間に配置し
た放電用の電極を、少なくともダイヤモンド粒子とダイ
ヤモンド状カーボンとを含む保護層で被覆させたことを
特徴とする放電灯。
【請求項２】保護層で覆われた第１電極および第２電
極が形成された第１の基板と、蛍光体層で覆われた第３
電極が前記第１電極と直交する方向に形成された第２の
基板とが放電空間を挟んで対向配置された面放電型プラ
ズマディスプレイにおいて、保護層としてダイヤモンド
とダイヤモンド状カーボンとをともに少なくとも含んだ
層からなることを特徴とするプラズマディスプレイパネ
ル。
【請求項３】保護層で覆われた第１電極および第２電
極が互いに平行に形成された第１の基板と、蛍光体層で
覆われた第３電極が前記第１電極と直交する方向に形成
された第２の基板とが放電空間を挟んで対向配置された
面放電型プラズマディスプレイにおいて、保護層として
ダイヤモンドを含み放電空間へ露出したダイヤモンド表
面がダイヤモンド状カーボン膜で被覆されていることを
特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】保護層がダイヤモンドとダイヤモンド状
カーボンを含まない誘電体ガラス層と、前記誘電体ガラ
ス層上のダイヤモンドとダイヤモンド状カーボンとを含
む層からなる請求項２または３記載のプラズマディスプ
レイパネル。
【請求項５】少なくともダイヤモンドまたはダイヤモ
ンド状カーボンの一方または両方に、リン（Ｐ）または
窒素（Ｎ）またはボロン（Ｂ）など不純物準位を形成す
る不純物をドーピングした請求項２〜４何れかに記載の
プラズマディスプレイパネル。
【請求項６】保護層の形成において、ダイヤモンド膜
またはダイヤモンド粒子を形成する工程と前記ダイヤモ
ンド膜または前記ダイヤモンド粒子の放電空間に露出す
るダイヤモンド表面を放電によってアモルファス状カー
ボンに変質させる工程とを有する請求項２〜５何れかに
記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項７】保護層の形成において、ダイヤモンド膜
またはダイヤモンド粒子を形成する工程と前記ダイヤモ
ンド膜または前記ダイヤモンド粒子の放電空間に露出す
るダイヤモンド表面に気相合成法によりアモルファス状
カーボン層を形成する工程とを有する請求項２〜５何れ
かに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項８】保護層の形成において、ダイヤモンド膜
またはダイヤモンド粒子を形成する工程が、ダイヤモン
ド粒子を分散させた溶液のスピンコート法で形成する請
求項６または７記載のプラズマディスプレイパネルの製
造方法。
【請求項９】保護層の形成において、ダイヤモンド膜
またはダイヤモンド粒子を形成する工程が、ダイヤモン
ド粒子を分散させた溶液に前記第１の基板を浸し超音波
振動を加えて形成する請求項６または７記載のプラズマ
ディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１０】保護層の形成において、ダイヤモンド
膜またはダイヤモンド粒子を形成する工程が、ダイヤモ
ンド粒子とガラス粉末との混合物の焼成体形成工程から
なる請求項６または７記載のプラズマディスプレイパネ
ルの製造方法。
【請求項１１】ダイヤモンド粒子の平均粒径が１μｍ
以下であることを特徴とする請求項２〜５のいずれかに
記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１２】保護層で覆われた第１電極および第２
電極が互いに平行に形成された第１の基板と、蛍光体層
で覆われた第３電極が前記第１電極と直交する方向に形
成された第２の基板とが放電空間を挟んで対向配置され
た面放電型プラズマディスプレイパネルにおいて、前記
保護層が、ガラス誘電体層と前期ガラス誘電体層上にダ
イヤモンド粒子を散布した上にダイヤモンド状カーボン
膜をＣＶＤ法により形成した層とからなることを特徴と
するプラズマディスプレイパネル。
【請求項１３】保護層で覆われた第１電極および第２
電極が互いに平行に形成された第１の基板と、蛍光体層
で覆われた第３電極が前記第１電極と直交する方向に形
成された第２の基板とが放電空間を挟んで対向配置され
た面放電型プラズマディスプレイパネルにおいて、前記
保護層が、ガラス誘電体層と前記ガラス誘電体層上にダ
イヤモンド粒子を散布した上に酸化マグネシウム層を形
成し、前記ダイヤモンド粒子の放電空間に露出した表面
部分をアモルファス状カーボンに変質させることを特徴
とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項１４】請求項２〜１３の何れかに記載のプラ
ズマディスプレイパネルと、前記プラズマディスプレイ
パネルを駆動するための複数の各対の前記第１電極と前
記第２電極に接続された表示電極駆動回路と、各画素を
選択するための前記第３電極に接続されたアドレス電極
駆動回路と、前記表示電極駆動回路および前記アドレス
電極駆動回路のそれぞれを制御するための制御部とを備
えることを特徴とする画像表示装置。