JP4927046B2 - 電子放出促進物質を有するMgO保護膜、その製造方法及び該保護膜を備えたプラズマディスプレイパネル - Google Patents
電子放出促進物質を有するMgO保護膜、その製造方法及び該保護膜を備えたプラズマディスプレイパネル Download PDFInfo
- Publication number
- JP4927046B2 JP4927046B2 JP2008216947A JP2008216947A JP4927046B2 JP 4927046 B2 JP4927046 B2 JP 4927046B2 JP 2008216947 A JP2008216947 A JP 2008216947A JP 2008216947 A JP2008216947 A JP 2008216947A JP 4927046 B2 JP4927046 B2 JP 4927046B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective film
- electron emission
- mgo protective
- emission promoting
- mgo
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
- H01J11/10—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma
- H01J11/12—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma with main electrodes provided on both sides of the discharge space
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
- H01J11/20—Constructional details
- H01J11/34—Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
- H01J11/40—Layers for protecting or enhancing the electron emission, e.g. MgO layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/20—Manufacture of screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored; Applying coatings to the vessel
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Description
[実施例1]
厚さ3mmのPDP用ガラス板上にφ8mmのAg電極、連結パッド及び30μm厚のPbO−rich SiO2誘電体層が順次に形成された放電セル基板を準備した。放電セル基板の上部の誘電体層を覆うように、電子ビーム蒸着法を利用して0.7μm厚のMgO保護膜を形成した。蒸着時、基板温度は、250℃、蒸着圧力は、ガス流量制御器を通じて酸素及びアルゴンガスを入れて6×10−4torrに調節した。
[比較例1]
C−H結合を含むダイヤモンド粒子をMgO保護膜の表面に部分的に付着させなかったという点を除いては、実施例1と同じ方法で放電評価用セルを準備した。これをサンプルAとする。
[実施例2]
厚さ2mmのガラス材基板上に写真エッチング法を利用して銅からなるバス電極を形成した。バス電極をPbOガラスで被覆して、20μm厚の第1誘電体層を形成した。次いで、実施例1と同じ方法で第1誘電体層の上部にMgO保護膜を成膜した後、実施例1と同じ方法でMgO保護膜の上部にC−H結合を含むダイヤモンド粒子を部分的に付着させて、第1基板を製作した。
[比較例2]
C−H結合を含むダイヤモンド粒子をMgO保護膜の表面に部分的に付着させなかったという点を除いては、実施例2と同じ方法でPDPを製作した。これをサンプルBとする。
[評価例1]:サンプル1及びAの放電開始電圧の評価
サンプル1及びAに対して放電開始電圧を測定して、その結果を図6に示した。
[評価例2]:サンプル1及びAの二次電子放出係数の評価
サンプル1及びAの二次電子放出係数γを測定して、図7に示した。
[評価例3]:サンプル2及びBの放電遅延時間の評価
サンプル2及びBに対して温度による放電遅延時間(ns単位である)を評価して、その結果を図8に示した。図8から、本発明によるPDPであるサンプル2が従来のサンプルBに比べて放電遅延時間が短いということが判る。
33 MgO保護膜、
36 電子放出促進層、
37 電子放出促進物質、
210 第1パネル、
211 第1基板、
214 維持電極、
215 第1誘電体層、
216 電子放出促進物質含有のMgO保護膜、
220 第2パネル、
221 背面基板、
222 アドレス電極、
223 第2誘電体層、
224 隔壁、
225 蛍光体層、
226 放電セル。
Claims (16)
- プラズマディスプレイパネルの電極上に形成されるMgO保護膜であって、
C−H結合を含むダイヤモンド、B−ドーピングされたダイヤモンド、N−ドーピングされたダイヤモンド、ダイヤモンド−類似カーボン、表面にCs酸化物層が形成されたGaAs、表面にCs酸化物層が形成されたGaN、表面にCs酸化物層が形成されたAlN、及び表面にCs層が形成されたGaPからなる群から選択された少なくとも一つを含む電子放出促進物質を有し、
前記電子放出促進物質は、前記MgO保護膜の表面に局部的に存在することを特徴とするMgO保護膜。 - 前記電子放出促進物質は、前記MgO保護膜の表面に層状の形態として存在することを特徴とする請求項1に記載のMgO保護膜。
- 前記電子放出促進物質は、前記MgO保護膜の表面に局部的に付着されたことを特徴とする請求項1に記載のMgO保護膜。
- 前記電子放出促進物質の電子親和度は、−1eVないし1eVであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のMgO保護膜。
- 前記電子放出促進物質の仕事関数は、0eVないし3.5eVであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載のMgO保護膜。
- 前記電子放出促進物質のβファクタは、1°ないし179°であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載のMgO保護膜。
- 前記電子放出促進物質は、フォトカソード形成用の材料であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載のMgO保護膜。
- 前記電子放出促進物質は、電子をトラッピングできる物質または欠陥を有した物質であることを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載のMgO保護膜。
- 前記電子放出促進物質は、C−H結合を含むダイヤモンド、B−ドーピングされたダイヤモンド、N−ドーピングされたダイヤモンド、ダイヤモンド−類似カーボン及び表面にCs層が形成されたGaPからなる群から選択された少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項1〜8のいずれか一項に記載のMgO保護膜。
- 前記電子放出促進物質の平均粒径は、50nmないし2μmであることを特徴とする請求項1〜9のいずれか一項に記載のMgO保護膜。
- 基板上にMgO保護膜を形成する工程と、
前記MgO保護膜の表面に局部的に電子放出促進物質を含む電子放出促進層を形成する工程と、を含み、
前記電子放出促進層は、C−H結合を含むダイヤモンド、B−ドーピングされたダイヤモンド、N−ドーピングされたダイヤモンド、ダイヤモンド−類似カーボン、表面にCs酸化物層が形成されたGaAs、表面にCs酸化物層が形成されたGaN、表面にCs酸化物層が形成されたAlN、及び表面にCs層が形成されたGaPからなる群から選択された少なくとも一つを含むことを特徴とするMgO保護膜の製造方法。 - 基板上にMgO保護膜を形成する工程と、
電子放出促進物質及び溶媒を含む混合物を準備する工程と、
前記混合物を前記MgO保護膜の上部に提供し熱処理することによって、MgO保護膜の表面に局部的に前記電子放出促進物質を局部的に付着させる工程と、
を含み、
前記電子放出促進層は、C−H結合を含むダイヤモンド、B−ドーピングされたダイヤモンド、N−ドーピングされたダイヤモンド、ダイヤモンド−類似カーボン、表面にCs酸化物層が形成されたGaAs、表面にCs酸化物層が形成されたGaN、表面にCs酸化物層が形成されたAlN、CsI、及び表面にCs層が形成されたGaPからなる群から選択された少なくとも一つを含むことを特徴とするMgO保護膜の製造方法。 - 前記溶媒は、エタノール、イソプロパノールからなる群から選択された少なくとも一つであることを特徴とする請求項12に記載のMgO保護膜の製造方法。
- 前記熱処理温度は、80℃ないし350℃であることを特徴とする請求項12または13に記載のMgO保護膜の製造方法。
- 請求項1ないし10のうちいずれか一項に記載のMgO保護膜を備えることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
- 第1基板と、
前記第1基板に対向し平行に配置された第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間に配置されて発光セルを区画する隔壁と、
一方向に配置された前記発光セル上を延び、前記第2基板上で第2誘電体層により埋め込まれたアドレス電極と、
前記アドレス電極が延びた方向と交差する方向に延び、前記第1基板上で第1誘電体層により埋め込まれた維持電極対と、
前記第1誘電体層の上に備えられた電子放出促進物質を有するMgO保護膜と、
前記隔壁の内側面に塗布された蛍光体層と、
前記発光セル内にある放電ガスと、
を備えることを特徴とする請求項15に記載のプラズマディスプレイパネル。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2007-0089144 | 2007-09-03 | ||
KR1020070089144A KR100894064B1 (ko) | 2007-09-03 | 2007-09-03 | 전자 방출 촉진 물질-함유 MgO 보호막, 이의 제조 방법및 상기 보호막을 구비한 플라즈마 디스플레이 패널 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009059696A JP2009059696A (ja) | 2009-03-19 |
JP4927046B2 true JP4927046B2 (ja) | 2012-05-09 |
Family
ID=39880692
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008216947A Expired - Fee Related JP4927046B2 (ja) | 2007-09-03 | 2008-08-26 | 電子放出促進物質を有するMgO保護膜、その製造方法及び該保護膜を備えたプラズマディスプレイパネル |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20090058297A1 (ja) |
EP (1) | EP2031631A3 (ja) |
JP (1) | JP4927046B2 (ja) |
KR (1) | KR100894064B1 (ja) |
CN (1) | CN101383255A (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5141358B2 (ja) * | 2008-04-24 | 2013-02-13 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネル用金属酸化物ペースト及びプラズマディスプレイパネルの製造方法 |
CN102315386B (zh) * | 2010-07-06 | 2013-10-30 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 相变存储器存储单元的制作方法 |
CN102087943A (zh) * | 2010-09-30 | 2011-06-08 | 四川虹欧显示器件有限公司 | 彩色等离子显示屏用MgO保护层的制备方法 |
CN102087940A (zh) * | 2010-09-30 | 2011-06-08 | 四川虹欧显示器件有限公司 | 等离子显示屏的新型介质保护层的制作方法 |
KR101883520B1 (ko) * | 2011-07-21 | 2018-07-30 | 신토고교 가부시키가이샤 | 반도체 소자용 기판의 처리 방법 |
CN103794437A (zh) * | 2011-12-31 | 2014-05-14 | 四川虹欧显示器件有限公司 | 等离子显示屏及其制备方法 |
CN103871806A (zh) * | 2011-12-31 | 2014-06-18 | 四川虹欧显示器件有限公司 | 等离子显示屏及其制作方法 |
CN103794434A (zh) * | 2011-12-31 | 2014-05-14 | 四川虹欧显示器件有限公司 | 等离子显示屏的制备方法及由其制得的等离子显示屏 |
CN104124123B (zh) * | 2014-04-02 | 2016-08-17 | 西安交通大学 | 一种MgO/ZnO复合介质保护膜及其制备方法 |
Family Cites Families (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3259253B2 (ja) * | 1990-11-28 | 2002-02-25 | 富士通株式会社 | フラット型表示装置の階調駆動方法及び階調駆動装置 |
US6097357A (en) * | 1990-11-28 | 2000-08-01 | Fujitsu Limited | Full color surface discharge type plasma display device |
DE69220019T2 (de) * | 1991-12-20 | 1997-09-25 | Fujitsu Ltd | Verfahren und Vorrichtung zur Steuerung einer Anzeigetafel |
EP0554172B1 (en) * | 1992-01-28 | 1998-04-29 | Fujitsu Limited | Color surface discharge type plasma display device |
JP3025598B2 (ja) * | 1993-04-30 | 2000-03-27 | 富士通株式会社 | 表示駆動装置及び表示駆動方法 |
JP2891280B2 (ja) * | 1993-12-10 | 1999-05-17 | 富士通株式会社 | 平面表示装置の駆動装置及び駆動方法 |
JP3163563B2 (ja) * | 1995-08-25 | 2001-05-08 | 富士通株式会社 | 面放電型プラズマ・ディスプレイ・パネル及びその製造方法 |
KR100247821B1 (ko) * | 1997-08-30 | 2000-03-15 | 손욱 | 플라즈마표시장치 |
JP3688102B2 (ja) * | 1997-09-05 | 2005-08-24 | 富士通株式会社 | フラットディスプレイパネル |
JP3424587B2 (ja) * | 1998-06-18 | 2003-07-07 | 富士通株式会社 | プラズマディスプレイパネルの駆動方法 |
KR20010048563A (ko) * | 1999-11-27 | 2001-06-15 | 구자홍 | 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막 |
US6657396B2 (en) * | 2000-01-11 | 2003-12-02 | Sony Corporation | Alternating current driven type plasma display device and method for production thereof |
JP2002117771A (ja) * | 2000-10-10 | 2002-04-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 放電灯及びプラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
DE60329013D1 (de) * | 2002-11-22 | 2009-10-08 | Panasonic Corp | Plasmaanzeigetafel und verfahren zu ihrer herstellung |
US7466079B2 (en) * | 2003-09-18 | 2008-12-16 | Lg Electronics Inc. | Plasma display panel and method for manufacturing the same |
US7573200B2 (en) * | 2003-11-10 | 2009-08-11 | Panasonic Corporation | Plasma display panel |
JP4776913B2 (ja) | 2004-01-08 | 2011-09-21 | Tdk株式会社 | 積層型セラミックコンデンサ及びその製造方法 |
KR100670248B1 (ko) * | 2004-12-13 | 2007-01-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널용 보호막, 이의 제조 방법 및상기 보호막을 구비한 플라즈마 디스플레이 패널 |
KR20060066998A (ko) * | 2004-12-14 | 2006-06-19 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
US7569992B2 (en) * | 2005-01-05 | 2009-08-04 | Lg Electronics Inc. | Plasma display panel and manufacturing method thereof |
KR100709188B1 (ko) * | 2005-09-29 | 2007-04-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판 표시 장치 및 그의 제조방법 |
KR100766246B1 (ko) * | 2005-10-05 | 2007-10-15 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널의 전면판, 그 제조방법 및 이를구비한 플라즈마 디스플레이 패널 |
JP2007103296A (ja) * | 2005-10-07 | 2007-04-19 | Pioneer Electronic Corp | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
EP1780749A3 (en) * | 2005-11-01 | 2009-08-12 | LG Electronics Inc. | Plasma display panel and method for producing the same |
KR20070048017A (ko) * | 2005-11-03 | 2007-05-08 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막 |
JP4788304B2 (ja) * | 2005-11-15 | 2011-10-05 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネル |
KR20070073202A (ko) * | 2006-01-04 | 2007-07-10 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막, 플라즈마 디스플레이패널의 상판 및 그 제조방법 |
JP2007184264A (ja) * | 2006-01-04 | 2007-07-19 | Lg Electronics Inc | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
KR20070075849A (ko) * | 2006-01-16 | 2007-07-24 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
KR100765513B1 (ko) * | 2006-01-26 | 2007-10-10 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 및 그의 제조 방법 |
EP1883092A3 (en) * | 2006-07-28 | 2009-08-05 | LG Electronics Inc. | Plasma display panel and method for manufacturing the same |
JP4542080B2 (ja) * | 2006-11-10 | 2010-09-08 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
JP2008152947A (ja) * | 2006-12-14 | 2008-07-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネル |
JP4952790B2 (ja) * | 2007-04-17 | 2012-06-13 | 株式会社日立製作所 | プラズマディスプレイ装置 |
-
2007
- 2007-09-03 KR KR1020070089144A patent/KR100894064B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2008
- 2008-08-26 JP JP2008216947A patent/JP4927046B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-09-01 EP EP08252899A patent/EP2031631A3/en not_active Withdrawn
- 2008-09-02 US US12/202,669 patent/US20090058297A1/en not_active Abandoned
- 2008-09-03 CN CNA2008102148741A patent/CN101383255A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2031631A3 (en) | 2010-09-01 |
KR100894064B1 (ko) | 2009-04-21 |
EP2031631A2 (en) | 2009-03-04 |
US20090058297A1 (en) | 2009-03-05 |
JP2009059696A (ja) | 2009-03-19 |
KR20090023981A (ko) | 2009-03-06 |
CN101383255A (zh) | 2009-03-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4927046B2 (ja) | 電子放出促進物質を有するMgO保護膜、その製造方法及び該保護膜を備えたプラズマディスプレイパネル | |
TWI327738B (ja) | ||
WO2002074879A1 (fr) | Poudre fluorescente, son procede de production, ecran d'affichage et ecran plat | |
JP2001222944A (ja) | カーボンナノチューブを採用した2次電子増幅構造体及びこれを用いたプラズマ表示パネル及びバックライト | |
WO2003100813A1 (fr) | Afficheur a cathode froide a emission d'electrons dans un champ electrique | |
JP4468239B2 (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
JPWO2006109719A1 (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
JP2006173115A (ja) | プラズマディスプレイパネル用の保護膜、その製造方法及び前記保護膜を備えたプラズマディスプレイパネル | |
JP2008124015A (ja) | 電子放出物質及びそれを備えた電子放出表示素子 | |
JP2008243727A (ja) | 画像表示装置およびその製造方法 | |
KR101039180B1 (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법 | |
JP2002338959A (ja) | 蛍光体粒子及びその製造方法、表示用パネル及びその製造方法、並びに、平面型表示装置及びその製造方法 | |
US20090310333A1 (en) | Electron emission device, electron emission type backlight unit including the same, and method of manufacturing the electron emission device | |
KR20050095381A (ko) | 나노 팁을 포함하고 있는 고효율 플라즈마 디스플레이소자용 전면판 및 그것의 제조방법 | |
JP2004066225A (ja) | ゲッタの組成物及び該ゲッタの組成物を利用した電界放出表示装置 | |
JP2006351555A (ja) | プラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
JP2004241292A (ja) | 冷陰極電界電子放出表示装置 | |
JP2007323922A (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
WO2011089680A1 (ja) | プラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
KR101027607B1 (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법 | |
JP5168422B2 (ja) | プラズマディスプレイパネルおよびプラズマディスプレイ装置 | |
JP2008004283A (ja) | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 | |
JP2009021033A (ja) | 画像表示装置 | |
JP2010010026A (ja) | プラズマディスプレイパネル用金属酸化物ペースト及びプラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
JP2008057038A (ja) | 表面処理用蒸着材及びこの蒸着材を用いたMgO保護膜並びにこのMgO保護膜の作製方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110422 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110517 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110817 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110920 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111219 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120117 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120208 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150217 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |