JP2002338959A

JP2002338959A - 蛍光体粒子及びその製造方法、表示用パネル及びその製造方法、並びに、平面型表示装置及びその製造方法

Info

Publication number: JP2002338959A
Application number: JP2002051265A
Authority: JP
Inventors: Yasushi Ito; 靖伊藤; Takahiro Igarashi; 崇裕五十嵐; Muneharu Hayashi; 宗治林; Katsutoshi Ono; 勝利大野; Tsuneo Kusuki; 常夫楠木
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2001-03-16
Filing date: 2002-02-27
Publication date: 2002-11-27
Also published as: WO2002077119A1

Abstract

(57)【要約】【課題】電子の照射によっても経時的に劣化することが
少なく、輝度が低下を抑制し得る蛍光体粒子の製造方法
を提供する。【解決手段】蛍光体粒子の製造方法は、水ガラスと蛍光
体粒子と酢酸塩又は硝酸塩との混合溶液中で、水ガラス
と酢酸塩又は硝酸塩とを反応させ、蛍光体粒子の表面に
酸化珪素（ＳｉＯ_X）を主成分としたガラス状薄膜を形
成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、蛍光体粒子及びそ
の製造方法、表示用パネル及びその製造方法、並びに、
平面型表示装置及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】現在主流の陰極線管（ＣＲＴ）に代わる
画像表示装置として、平面型（フラットパネル形式）の
表示装置が種々検討されている。このような平面型の表
示装置として、液晶表示装置（ＬＣＤ）、エレクトロル
ミネッセンス表示装置（ＥＬＤ）、プラズマ表示装置
（ＰＤＰ）を例示することができる。また、熱的励起に
よらず、固体から真空中に電子を放出することが可能な
冷陰極電界電子放出表示装置、所謂フィールドエミッシ
ョンディスプレイ（ＦＥＤ）も提案されており、画面の
明るさ及び低消費電力の観点から注目を集めている。

【０００３】冷陰極電界電子放出表示装置の代表的な構
成例を図７に示す。この冷陰極電界電子放出表示装置に
おいては、表示用パネル２０と背面パネル１０とが対向
配置され、両パネル１０，２０は、各々の周縁部におい
て枠体３０を介して互いに接着され、両パネル間の閉鎖
空間が真空空間とされている。背面パネル１０は、電子
放出体として冷陰極電界電子放出素子（以下、電界放出
素子と呼ぶ）を備えている。図７では、電界放出素子の
一例として、円錐形の電子放出部１６Ａを有する、所謂
スピント（Ｓｐｉｎｄｔ）型電界放出素子を示す。スピ
ント型電界放出素子は、基板１１上に形成されたストラ
イプ状のカソード電極１２と、カソード電極１２及び基
板１１上に形成された絶縁層１３と、絶縁層１３上に形
成されたストライプ状のゲート電極１４と、ゲート電極
１４及び絶縁層１３に設けられた開口部１５内に形成さ
れた円錐形の電子放出部１６Ａから構成されている。
尚、電子放出部１６Ａは、開口部１５の底部に位置する
カソード電極１２の部分の上に設けられている。通常、
多数の電子放出部１６Ａが、後述する発光体層２２の１
つに対応付けられている。電子放出部１６Ａには、カソ
ード電極駆動回路３１からカソード電極１２を通じて相
対的に負電圧（ビデオ信号）が印加され、ゲート電極１
４にはゲート電極駆動回路３２から相対的に正電圧（走
査信号）が印加される。これらの電圧印加によって生じ
た電界に応じ、電子放出部１６Ａの先端から電子が量子
トンネル効果に基づき放出される。尚、電子放出部とし
ては、上述のようなスピント型電界放出素子に限られ
ず、所謂扁平型やエッジ型、平面型やクラウン型等、他
のタイプの電界放出素子が用いられる場合もある。ま
た、上述とは逆に、走査信号がカソード電極１２に入力
され、ビデオ信号がゲート電極１４に入力される場合も
ある。

【０００４】一方、表示用パネル２０は、ガラス等から
成る支持体２１上にドット状あるいはストライプ状に形
成された複数の発光体層２２と、発光体層２２上に形成
された導電性反射膜から成るアノード電極２４を有す
る。発光体層２２と発光体層２２との間には隔壁２３が
形成されている。アノード電極２４には、加速電源（ア
ノード電極駆動回路）３３から、ゲート電極１４に印加
される正電圧よりも高い正電圧が印加され、電子放出部
１６Ａから真空空間中へ放出された電子を、発光体層２
２に向かって誘導する役割を果たす。また、アノード電
極２４は、発光体層２２を構成する蛍光体粒子をイオン
等の粒子によるスパッタから保護する機能、電子励起に
よって生じた発光体層２２の発光を支持体側へ反射さ
せ、支持体２１の外側から観察される表示画面の輝度を
向上させる機能、及び、過剰な帯電を防止して表示用パ
ネル２０の電位を安定化させる機能も有する。即ち、ア
ノード電極２４は、アノード電極としての機能を果たす
だけでなく、陰極線管（ＣＲＴ）の分野でメタルバック
膜として知られる部材が果たす機能を兼ねている。アノ
ード電極２４は、通常、アルミニウム薄膜から構成され
ている。

【０００５】図８の（Ａ）に、発光体層（赤色発光体層
２２Ｒ、緑色発光体層２２Ｇ、青色発光体層２２Ｂ）が
ドット状に形成された表示用パネルの模式的な平面図を
示し、図８の（Ｂ）に、図８の（Ａ）の線Ｘ−Ｘに沿っ
た模式的な一部断面図を示す。また、図９の（Ａ）に、
発光体層２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂがストライプ状に形成
された表示用パネルの模式的な平面図を示し、図９の
（Ｂ）に、図９の（Ａ）の線Ｘ−Ｘに沿った模式的な一
部断面図を示す。尚、図８の（Ａ）、（Ｂ）及び図９の
（Ａ）、（Ｂ）においては、隔壁の表示を省略した。発
光体層２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂが配列されている領域が
冷陰極電界電子放出表示装置としての実用上の機能を果
たす有効領域であり、アノード電極２４の形成領域はこ
の有効領域にほぼ一致している。図８の（Ａ）及び図９
の（Ａ）では、明確化のために、アノード電極２４の形
成領域に斜線を施した。有効領域の周囲は、周辺回路の
収容や表示画面の機械的支持等、有効領域の機能を支援
する無効領域である。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】このような蛍光体粒子
には、電子の照射によって経時的に劣化し、輝度が低下
するといった問題がある。輝度低下は、表示装置におい
ては致命的である。それ故、蛍光体粒子の輝度低下防止
対策をとる必要がある。

【０００７】輝度低下防止対策として、輝度低下が生じ
難い蛍光体粒子の使用が考えられる。しかしながら、現
状では、輝度低下が少なく、しかも、発光効率の高い蛍
光体粒子は見つかっていない。陰極線管においては、硫
化亜鉛系の蛍光体粒子［青色発光用として、（ＺｎＳ：
Ａｇ，Ｃｌ）や（ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ）等、緑色発光用
として、（ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ）等］が多く用いられて
いる。これらの蛍光体粒子は、輝度低下を生じ易いが、
発光効率が高い。輝度低下が生じ難いならば、これらの
蛍光体粒子は冷陰極電界電子放出表示装置での使用に最
適である。一方、酸化物系の蛍光体粒子［青色発光用と
して、（Ｙ₂ＳｉＯ₅：Ｃｅ）等、緑色発光用として、
（Ｙ₂ＳｉＯ₅：Ｔｂ）等］は、輝度低下が生じ難いもの
の、発光効率が硫化亜鉛系の蛍光体粒子の０．３〜０．
６程度しかない。従って、これらの蛍光体粒子は、冷陰
極電界電子放出表示装置での使用に余り適しているとは
云い難い。

【０００８】輝度低下防止対策として、アノード電極に
印加する電圧（加速電圧）を出来るだけ高くする方法も
考えられる。加速電圧が高い程、電子線ビームのエネル
ギーを蛍光体粒子の広い範囲で受けることができるが故
に蛍光体粒子の損傷が少なく、蛍光体粒子の損傷に起因
した輝度低下は少ない。図１９に、（ＺｎＳ：Ａｇ，Ｃ
ｌ）から成る従来の青色を発光する蛍光体粒子における
加速電圧と輝度低下の関係の一例を示す。図１９におい
て、黒丸印は加速電圧が１２キロボルトの場合を示し、
黒三角印は加速電圧が７キロボルトの場合を示す。加速
電圧が低い程、輝度低下が著しい。

【０００９】蛍光体粒子の平均粒径は、一般に、４〜１
０μｍである。そして、加速電圧が数キロボルトと低い
場合、蛍光体粒子への電子の侵入深さは数百ｎｍ程度で
あり、蛍光体粒子の表面部分にしか電子は侵入しない。
即ち、電子線ビームのエネルギーを蛍光体粒子の狭い範
囲で受けなければならない。そして、発光現象は、蛍光
体粒子表面近傍のみで生じる。

【００１０】蛍光体粒子の損傷は、Ｈ₂Ｏ等の雰囲気ガ
スと表面あるいはその近傍の蛍光体粒子の部分との間の
化学的反応が電子の存在によって促進されると考えられ
ている（例えば、文献 T. A. Trottier, H.C. Swart,
S.L. Jones, J.S. Sebastian,P.H. Holloway : Journal
of the SID, 4/4, 351, 1996 参照）。

【００１１】蛍光体粒子の損傷を生じさせる反応が蛍光
体粒子表面近傍において起こるが故に、輝度低下が顕著
となる。一方、加速電圧が高い場合、電子がより深く蛍
光体粒子内部にまで侵入し（陰極線管のような加速電圧
が３０キロボルトの場合、数μｍ）、蛍光体粒子全体が
発光する。雰囲気ガスにより損傷する蛍光体粒子の部位
は表面近傍のみであり、発光している領域の極く一部で
あるが故に、加速電圧が高い場合、輝度低下は小さい。

【００１２】従って、輝度低下の防止といった観点から
は、出来る限り高い加速電圧を採用すべきである。しか
しながら、冷陰極電界電子放出表示装置の場合、電子の
加速電圧が高過ぎると、背面パネルのゲート電極や電子
放出部と、表示用パネルに設けられたアノード電極との
間で火花放電が極めて発生し易くなり、表示品質が著し
く損なわれる虞が大きい。このような放電の発生を防止
するためには、表示用パネル（アノードパネル）２０と
背面パネル（カソードパネル）１０との間の距離を出来
る限り長くする必要がある。

【００１３】ところで、冷陰極電界電子放出表示装置の
内部空間は高真空状態にある。それ故、大気圧に耐えら
れるようにするために、表示用パネル２０と背面パネル
１０との間の画像表示に影響の無い部分にスペーサ（図
７には図示せず）を配置しておく必要がある。表示用パ
ネル２０と背面パネル１０との間の耐圧、放電発生防止
を考慮すると、加速電圧を６キロボルトから８キロボル
ト程度とするためには、スペーサの高さを１ｍｍ程度と
する必要がある。一方、画像表示に影響を与えないため
には、スペーサの厚さを高々数十μｍとしなければなら
ない。このように、スペーサは、高さの割に厚さが極め
て薄く、冷陰極電界電子放出表示装置の組立時、スペー
サの取り付けには極めて高い精度が要求される。従っ
て、スペーサの高さを高くして、表示用パネル２０と背
面パネル１０との間の距離を長くして、加速電圧を高く
するといった手段の採用は、現実には極めて困難であ
る。

【００１４】また、冷陰極電界電子放出表示装置におい
ては、陰極線管と比較して加速電圧が低いが故に、十分
なる輝度を得るためには、電流を多く流さなければなら
ない。然るに、多くの蛍光体粒子は導電性に乏しいた
め、電流を多く流した場合、蛍光体粒子の表面が帯電
し、蛍光体粒子の劣化を招く。

【００１５】蛍光体粒子の表面に保護膜を形成すること
で、蛍光体粒子の輝度低下を防止する方法も考えられ
る。保護膜の材料として、ＳｉＯ₂やＩｎ₂Ｏ₃が検討さ
れている（例えば、特許第２５１４４２３号、文献 H.
Kominami, T. Aoki, T. Nakamura, N. Azuma, Y. Nakan
ishi, Y. Hatanaka : The Fifth International Confer
ence on the Science and Technology of Display Phos
phors, P345, Nov. 8-10, 1999, San Diego, Calfornia
や、文献 J.M. Fitz-Gerald, T.A. Trottier, R.K. Si
ngh, P.H. Holloway : Applied Physics Letters, 72(1
5) 1, 1998 参照）。保護膜は、蛍光体粒子の表面に薄
く形成しなければならない。保護膜の厚さが厚いと、電
子が保護膜においてそのエネルギーを失ってしまい、発
光効率の低下を招くからである。しかしながら、蛍光体
粒子の表面に薄く（例えば、数ｎｍ程度）、しかも、均
一な膜厚の保護膜を形成することは困難であり、また、
製造コストが高くなる。

【００１６】更には、特開昭５８−８０３７５号公報に
は、硫化カルシウム（ＣａＳ）といった加水分解性を有
するアルカリ土類金属硫化物から成る蛍光体粒子の表面
を水ガラスで被覆する技術が開示されている。また、特
開平７−３１２２８７号公報には、水ガラスと硫酸アル
ミニウムと水酸化ナトリウムの混合溶液を用いて蛍光体
粒子の表面を被覆する技術が開示されている。しかしな
がら、特開昭５８−８０３７５号公報に開示された技術
にあっては、蛍光体粒子の表面に保護膜を形成すること
が困難であり、蛍光体粒子の劣化を十分に防止すること
が困難であることが判明した。また、特開平７−３１２
２８７号公報に開示された技術にあっては、保護膜に含
まれるＡｌが硫化亜鉛に固溶し易く、発光色の変化や発
光効率の低下を招く可能性があることが判明した。

【００１７】また、蛍光体粒子と導電性物質とを混合し
たり、劣化に耐性のある複数種の蛍光体粒子を混合する
技術も知られている。しかしながら、これらの方法で得
られた蛍光体粒子混合物に基づき発光体層を形成しよう
とした場合、比重の相違、粒径や粒子形状の相違に起因
して、均一な発光体層を形成することが困難である。ま
た、全ての蛍光体粒子が導電性物質と接触しているとは
限られないため、蛍光体粒子の劣化を十分に防止するこ
とができない。

【００１８】従って、本発明の目的は、電子の照射によ
っても経時的に劣化することが少なく、輝度の低下を抑
制し得る蛍光体粒子及びその製造方法、かかる蛍光体粒
子を用いた表示用パネル及びその製造方法、並びに、か
かる表示用パネルを適用した平面型表示装置及びその製
造方法を提供することにある。

【００１９】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明の第１の態様に係る蛍光体粒子は、酸化珪素
（ＳｉＯ_X）を主成分としたガラス状薄膜が表面に形成
されており、該ガラス状薄膜の出発物質は、水ガラス及
び酢酸塩であることを特徴とする。

【００２０】上記の目的を達成するための本発明の第２
の態様に係る蛍光体粒子は、酸化珪素（ＳｉＯ_X）を主
成分としたガラス状薄膜が表面に形成されており、該ガ
ラス状薄膜の出発物質は、水ガラス及び硝酸塩であるこ
とを特徴とする。

【００２１】上記の目的を達成するための本発明の第１
の態様に係る表示用パネルは、支持体、真空空間中か
ら飛来した電子の照射によって発光する蛍光体粒子から
成る発光体層、及び、電極から成る表示用パネルであっ
て、該蛍光体粒子の表面には、酸化珪素（ＳｉＯ_X）を
主成分としたガラス状薄膜が形成されており、該ガラス
状薄膜の出発物質は、水ガラス及び酢酸塩であることを
特徴とする。

【００２２】上記の目的を達成するための本発明の第２
の態様に係る表示用パネルは、支持体、真空空間中から
飛来した電子の照射によって発光する蛍光体粒子から成
る発光体層、及び、電極から成る表示用パネルであっ
て、該蛍光体粒子の表面には、酸化珪素（ＳｉＯ_X）を
主成分としたガラス状薄膜が形成されており、該ガラス
状薄膜の出発物質は、水ガラス及び硝酸塩であることを
特徴とする。

【００２３】上記の目的を達成するための本発明の第１
の態様に係る平面型表示装置は、表示用パネルと、複数
の電子放出領域を有する背面パネルとが真空空間を挟ん
で対向配置されて成る平面型表示装置であって、表示用
パネルは、支持体、電子放出領域から飛来した電子の照
射によって発光する蛍光体粒子から成る発光体層、及
び、電極から成り、該蛍光体粒子の表面には、酸化珪素
（ＳｉＯ_X）を主成分としたガラス状薄膜が形成されて
おり、該ガラス状薄膜の出発物質は、水ガラス及び酢酸
塩であることを特徴とする。

【００２４】上記の目的を達成するための本発明の第２
の態様に係る平面型表示装置は、表示用パネルと、複数
の電子放出領域を有する背面パネルとが真空空間を挟ん
で対向配置されて成る平面型表示装置であって、表示用
パネルは、支持体、電子放出領域から飛来した電子の照
射によって発光する蛍光体粒子から成る発光体層、及
び、電極から成り、該蛍光体粒子の表面には、酸化珪素
（ＳｉＯ_X）を主成分としたガラス状薄膜が形成されて
おり、該ガラス状薄膜の出発物質は、水ガラス及び硝酸
塩であることを特徴とする。

【００２５】本発明の第１の態様に係る蛍光体粒子、表
示用パネル若しくは平面型表示装置にあっては、酢酸塩
として、酢酸バリウム、酢酸ストロンチウム及び酢酸ア
ルミニウムから成る群から選択された少なくとも１種の
酢酸塩を挙げることができる。一方、本発明の第２の態
様に係る蛍光体粒子、表示用パネル若しくは平面型表示
装置にあっては、硝酸塩として、硝酸バリウム、硝酸ス
トロンチウム及び硝酸アルミニウムから成る群から選択
された少なくとも１種の硝酸塩を挙げることができる。
また、本発明の第１の態様に係る蛍光体粒子、表示用パ
ネル若しくは平面型表示装置にあっては、出発物質を、
水ガラスと１種類の酢酸塩と１種類の硝酸塩とすること
もできるし、水ガラスと２種類以上の酢酸塩とすること
もできるし、水ガラスと２種類以上の硝酸塩とすること
もできるし、水ガラスと１種類の酢酸塩と２種類以上の
硝酸塩とすることもできるし、水ガラスと２種類以上の
酢酸塩と１種類の硝酸塩とすることもできる。尚、出発
物質をこれらの金属を含む酢酸塩あるいは硝酸塩とした
場合、ガラス状薄膜中にこれらの金属が残存する場合が
ある。

【００２６】上記の目的を達成するための本発明の第１
の態様に係る蛍光体粒子の製造方法は、水ガラスと蛍光
体粒子と酢酸塩との混合溶液中で、水ガラスと酢酸塩と
を反応させ、蛍光体粒子の表面に酸化珪素（ＳｉＯ_X）
を主成分としたガラス状薄膜を形成することを特徴とす
る。

【００２７】上記の目的を達成するための本発明の第２
の態様に係る蛍光体粒子の製造方法は、水ガラスと蛍光
体粒子と硝酸塩との混合溶液中で、水ガラスと硝酸塩と
を反応させ、蛍光体粒子の表面に酸化珪素（ＳｉＯ_X）
を主成分としたガラス状薄膜を形成することを特徴とす
る。

【００２８】上記の目的を達成するための本発明の第１
の態様に係る表示用パネルの製造方法は、支持体、真空
空間中から飛来した電子の照射によって発光する蛍光体
粒子から成る発光体層、及び、電極から成る表示用パネ
ルの製造方法であって、水ガラスと蛍光体粒子と酢酸塩
との混合溶液中で、水ガラスと酢酸塩とを反応させ、蛍
光体粒子の表面に酸化珪素（ＳｉＯ_X）を主成分とした
ガラス状薄膜を形成し、該ガラス状薄膜によって、該混
合溶液中に配置された支持体上に蛍光体粒子を固定し、
且つ、蛍光体粒子と蛍光体粒子とを固定し、以て、該支
持体上に蛍光体粒子から構成された発光体層を形成する
ことを特徴とする。

【００２９】上記の目的を達成するための本発明の第２
の態様に係る表示用パネルの製造方法は、支持体、真空
空間中から飛来した電子の照射によって発光する蛍光体
粒子から成る発光体層、及び、電極から成る表示用パネ
ルの製造方法であって、水ガラスと蛍光体粒子と硝酸塩
との混合溶液中で、水ガラスと硝酸塩とを反応させ、蛍
光体粒子の表面に酸化珪素（ＳｉＯ_X）を主成分とした
ガラス状薄膜を形成し、該ガラス状薄膜によって、該混
合溶液中に配置された支持体上に蛍光体粒子を固定し、
且つ、蛍光体粒子と蛍光体粒子とを固定し、以て、該支
持体上に蛍光体粒子から構成された発光体層を形成する
ことを特徴とする。

【００３０】上記の目的を達成するための本発明の第１
の態様に係る平面型表示装置の製造方法は、表示用パネ
ルと、複数の電子放出領域を有する背面パネルとが真空
空間を挟んで対向配置されて成る平面型表示装置の製造
方法であって、表示用パネルを、水ガラスと蛍光体粒子
と酢酸塩との混合溶液中で、水ガラスと酢酸塩とを反応
させ、蛍光体粒子の表面に酸化珪素（ＳｉＯ_X）を主成
分としたガラス状薄膜を形成し、該ガラス状薄膜によっ
て、該混合溶液中に配置された支持体上に蛍光体粒子を
固定し、且つ、蛍光体粒子と蛍光体粒子とを固定し、以
て、該支持体上に蛍光体粒子から構成された発光体層を
形成する、工程にて製造することを特徴とする。

【００３１】上記の目的を達成するための本発明の第２
の態様に係る平面型表示装置の製造方法は、表示用パネ
ルと、複数の電子放出領域を有する背面パネルとが真空
空間を挟んで対向配置されて成る平面型表示装置の製造
方法であって、表示用パネルを、水ガラスと蛍光体粒子
と硝酸塩との混合溶液中で、水ガラスと硝酸塩とを反応
させ、蛍光体粒子の表面に酸化珪素（ＳｉＯ_X）を主成
分としたガラス状薄膜を形成し、該ガラス状薄膜によっ
て、該混合溶液中に配置された支持体上に蛍光体粒子を
固定し、且つ、蛍光体粒子と蛍光体粒子とを固定し、以
て、該支持体上に蛍光体粒子から構成された発光体層を
形成する、工程にて製造することを特徴とする。

【００３２】本発明の第１の態様に係る蛍光体粒子の製
造方法、表示用パネルの製造方法若しくは平面型表示装
置の製造方法にあっては、酢酸塩として、酢酸バリウ
ム、酢酸ストロンチウム及び酢酸アルミニウムから成る
群から選択された少なくとも１種の酢酸塩を挙げること
ができる。一方、本発明の第２の態様に係る蛍光体粒子
の製造方法、表示用パネルの製造方法若しくは平面型表
示装置の製造方法にあっては、硝酸塩として、硝酸バリ
ウム、硝酸ストロンチウム及び硝酸アルミニウムから成
る群から選択された少なくとも１種の硝酸塩を挙げるこ
とができる。また、本発明の第１の態様に係る蛍光体粒
子の製造方法、表示用パネルの製造方法若しくは平面型
表示装置の製造方法にあっては、出発物質を、水ガラス
と１種類の酢酸塩と１種類の硝酸塩とすることもできる
し、水ガラスと２種類以上の酢酸塩とすることもできる
し、水ガラスと２種類以上の硝酸塩とすることもできる
し、水ガラスと１種類の酢酸塩と２種類以上の硝酸塩と
することもできる。尚、これらの金属を含む酢酸塩ある
いは硝酸塩を用いる場合、ガラス状薄膜中にこれらの金
属が残存する場合がある。

【００３３】本発明の第１の態様に係る表示用パネルの
製造方法若しくは平面型表示装置の製造方法において、
水ガラスと酢酸塩とを反応させる工程は、酢酸塩の溶液
中に支持体を浸漬し、該溶液中に水ガラスと蛍光体粒子
の混合物溶液を添加し、酢酸塩と該混合物溶液中の水ガ
ラスとを反応させる工程から成ることが好ましい。一
方、本発明の第２の態様に係る蛍光体粒子の製造方法、
表示用パネルの製造方法若しくは平面型表示装置の製造
方法において、水ガラスと硝酸塩とを反応させる工程
は、硝酸塩の溶液中に支持体を浸漬し、該溶液中に水ガ
ラスと蛍光体粒子の混合物溶液を添加し、硝酸塩と該混
合物溶液中の水ガラスとを反応させる工程から成ること
が好ましい。また、本発明の第１の態様若しくは第２の
態様に係る蛍光体粒子の製造方法、表示用パネルの製造
方法若しくは平面型表示装置の製造方法にあっては、支
持体の表面には隔壁が形成されており、発光体層を形成
しない支持体の領域の上方に、隔壁頂面によって担持さ
れたフィルムを予め配設しておき、発光体層の形成後、
該フィルムを除去することが望ましい。これによって、
三原色を発光する発光体層（赤色を発光する発光体層、
緑色を発光する発光体層、青色を発光する発光体層）の
それぞれを、支持体の所望の領域に確実に形成すること
ができる。尚、隔壁の高さは、形成すべき発光体層の厚
さよりも高いことが望ましい。フィルムとして、感光性
及び接着性を有するフィルム、所謂ドライ・フィルムを
挙げることができる。更には、表示用パネルや平面型表
示装置の構造に依っては、発光体層の形成後、発光体層
上に電極を形成すればよい。

【００３４】上記の目的を達成するための本発明の第３
の態様に係る蛍光体粒子は、酸化珪素（ＳｉＯ_X）を主
成分としたガラス状薄膜が表面に形成されており、該ガ
ラス状薄膜上に金属酸化膜が形成されていることを特徴
とする。

【００３５】上記の目的を達成するための本発明の第３
の態様に係る表示用パネルは、支持体、真空空間中から
飛来した電子の照射によって発光する蛍光体粒子から成
る発光体層、及び、電極から成る表示用パネルであっ
て、該蛍光体粒子の表面には、酸化珪素（ＳｉＯ_X）を
主成分としたガラス状薄膜が形成されており、該ガラス
状薄膜上に金属酸化膜が形成されていることを特徴とす
る。

【００３６】上記の目的を達成するための本発明の第３
の態様に係る平面型表示装置は、表示用パネルと、複数
の電子放出領域を有する背面パネルとが真空空間を挟ん
で対向配置されて成る平面型表示装置であって、表示用
パネルは、支持体、電子放出領域から飛来した電子の照
射によって発光する蛍光体粒子から成る発光体層、及
び、電極から成り、該蛍光体粒子の表面には、酸化珪素
（ＳｉＯ_X）を主成分としたガラス状薄膜が形成されて
おり、該ガラス状薄膜上に金属酸化膜が形成されている
ことを特徴とする。

【００３７】本発明の第３の態様に係る蛍光体粒子、表
示用パネル、あるいは、平面型表示装置にあっては、ガ
ラス状薄膜の出発物質を、水ガラス及び酢酸塩とするこ
とができる。そして、この場合、酢酸塩として、酢酸バ
リウム、酢酸ストロンチウム及び酢酸アルミニウムから
成る群から選択された少なくとも１種の酢酸塩を挙げる
ことができる。あるいは又、ガラス状薄膜の出発物質
を、水ガラス及び硝酸塩とすることができる。そして、
この場合、硝酸塩として、硝酸バリウム、硝酸ストロン
チウム及び硝酸アルミニウムから成る群から選択された
少なくとも１種の硝酸塩を挙げることができる。更に
は、出発物質を、水ガラスと１種類の酢酸塩と１種類の
硝酸塩とすることもできるし、水ガラスと２種類以上の
酢酸塩とすることもできるし、水ガラスと２種類以上の
硝酸塩とすることもできるし、水ガラスと１種類の酢酸
塩と２種類以上の硝酸塩とすることもできるし、水ガラ
スと２種類以上の酢酸塩と１種類の硝酸塩とすることも
できる。尚、これらの金属を含む酢酸塩あるいは硝酸塩
を用いる場合、ガラス状薄膜中にこれらの金属が残存す
る場合がある。

【００３８】また、本発明の第３の態様に係る蛍光体粒
子、表示用パネル、あるいは、平面型表示装置にあって
は、金属酸化膜は、酸化亜鉛（ＺｎＯ）から成り、ある
いは又、インジウム−錫酸化物（ＩＴＯ）から成り、あ
るいは又、酸化インジウム（Ｉｎ₂Ｏ₃）から成ることが
望ましい。

【００３９】上記の目的を達成するための第３の態様に
係る蛍光体粒子の製造方法は、（Ａ）水ガラスと蛍光体
粒子と酢酸塩との混合溶液中で、水ガラスと酢酸塩とを
反応させ、蛍光体粒子の表面に酸化珪素（ＳｉＯ_X）を
主成分としたガラス状薄膜を形成する工程と、（Ｂ）該
ガラス状薄膜上に金属酸化膜を形成する工程、から成る
ことを特徴とする。

【００４０】上記の目的を達成するための第４の態様に
係る蛍光体粒子の製造方法は、（Ａ）水ガラスと蛍光体
粒子と硝酸塩との混合溶液中で、水ガラスと硝酸塩とを
反応させ、蛍光体粒子の表面に酸化珪素（ＳｉＯ_X）を
主成分としたガラス状薄膜を形成する工程と、（Ｂ）該
ガラス状薄膜上に金属酸化膜を形成する工程、から成る
ことを特徴とする。

【００４１】上記の目的を達成するための第３の態様に
係る表示用パネルの製造方法は、支持体、真空空間中か
ら飛来した電子の照射によって発光する蛍光体粒子から
成る発光体層、及び、電極から成る表示用パネルの製造
方法であって、蛍光体粒子を、（Ａ）水ガラスと蛍光体
粒子と酢酸塩との混合溶液中で、水ガラスと酢酸塩とを
反応させ、蛍光体粒子の表面に酸化珪素（ＳｉＯ_X）を
主成分としたガラス状薄膜を形成する工程と、（Ｂ）該
ガラス状薄膜上に金属酸化膜を形成する工程、を経て形
成することを特徴とする。

【００４２】上記の目的を達成するための第４の態様に
係る表示用パネルの製造方法は、支持体、真空空間中か
ら飛来した電子の照射によって発光する蛍光体粒子から
成る発光体層、及び、電極から成る表示用パネルの製造
方法であって、蛍光体粒子を、（Ａ）水ガラスと蛍光体
粒子と硝酸塩との混合溶液中で、水ガラスと硝酸塩とを
反応させ、蛍光体粒子の表面に酸化珪素（ＳｉＯ_X）を
主成分としたガラス状薄膜を形成する工程と、（Ｂ）該
ガラス状薄膜上に金属酸化膜を形成する工程、を経て形
成することを特徴とする。

【００４３】上記の目的を達成するための第３の態様に
係る平面型表示装置の製造方法は、表示用パネルと、複
数の電子放出領域を有する背面パネルとが真空空間を挟
んで対向配置されて成る平面型表示装置の製造方法であ
って、表示用パネルは、支持体、真空空間中から飛来し
た電子の照射によって発光する蛍光体粒子から成る発光
体層、及び、電極から成り、蛍光体粒子を、（Ａ）水ガ
ラスと蛍光体粒子と酢酸塩との混合溶液中で、水ガラス
と酢酸塩とを反応させ、蛍光体粒子の表面に酸化珪素
（ＳｉＯ_X）を主成分としたガラス状薄膜を形成する工
程と、（Ｂ）該ガラス状薄膜上に金属酸化膜を形成する
工程、を経て形成することを特徴とする。

【００４４】上記の目的を達成するための第４の態様に
係る平面型表示装置の製造方法は、表示用パネルと、複
数の電子放出領域を有する背面パネルとが真空空間を挟
んで対向配置されて成る平面型表示装置の製造方法であ
って、表示用パネルは、支持体、真空空間中から飛来し
た電子の照射によって発光する蛍光体粒子から成る発光
体層、及び、電極から成り、蛍光体粒子を、（Ａ）水ガ
ラスと蛍光体粒子と硝酸塩との混合溶液中で、水ガラス
と硝酸塩とを反応させ、蛍光体粒子の表面に酸化珪素
（ＳｉＯ_X）を主成分としたガラス状薄膜を形成する工
程と、（Ｂ）該ガラス状薄膜上に金属酸化膜を形成する
工程、を経て形成することを特徴とする。

【００４５】本発明の第３の態様に係る蛍光体粒子の製
造方法、表示用パネルの製造方法、あるいは又、平面型
表示装置の製造方法にあっては、酢酸塩として、酢酸バ
リウム、酢酸ストロンチウム及び酢酸アルミニウムから
成る群から選択された少なくとも１種の酢酸塩を挙げる
ことができる。一方、本発明の第４の態様に係る蛍光体
粒子の製造方法、表示用パネルの製造方法、あるいは
又、平面型表示装置の製造方法にあっては、硝酸塩とし
て、硝酸バリウム、硝酸ストロンチウム及び硝酸アルミ
ニウムから成る群から選択された少なくとも１種の硝酸
塩を挙げることができる。また、本発明の第３の態様に
係る蛍光体粒子の製造方法、表示用パネルの製造方法若
しくは平面型表示装置の製造方法にあっては、出発物質
を、水ガラスと１種類の酢酸塩と１種類の硝酸塩とする
こともできるし、水ガラスと２種類以上の酢酸塩とする
こともできるし、水ガラスと２種類以上の硝酸塩とする
こともできるし、水ガラスと１種類の酢酸塩と２種類以
上の硝酸塩とすることもできるし、水ガラスと２種類以
上の酢酸塩と１種類の硝酸塩とすることもできる。尚、
これらの金属を含む酢酸塩あるいは硝酸塩を用いる場
合、ガラス状薄膜中にこれらの金属が残存する場合があ
る。

【００４６】本発明の第３の態様若しくは第４の態様に
係る蛍光体粒子の製造方法、表示用パネルの製造方法、
あるいは又、平面型表示装置の製造方法にあっては、金
属酸化膜の形成は、レーザーアブレーション法、スパッ
タリング法あるいは真空蒸着法に例示される各種の物理
的気相成長法（ＰＶＤ法）に基づくことが好ましいが、
中でも、レーザーアブレーション法に基づくことが望ま
しい。また、金属酸化膜は、導電性を有することが望ま
しく、酸化亜鉛（ＺｎＯ）から成り、あるいは又、イン
ジウム−錫酸化物（ＩＴＯ）から成り、あるいは又、酸
化インジウム（Ｉｎ₂Ｏ₃）から成ることが好ましい。更
には、表示用パネルや平面型表示装置の構造に依って
は、発光体層の形成後、発光体層上に電極を形成すれば
よい。

【００４７】本発明の第１の態様〜第３の態様に係る蛍
光体粒子、表示用パネル若しくは平面型表示装置、ある
いは又、本発明の第１の態様〜第４の態様に係る蛍光体
粒子の製造方法、表示用パネルの製造方法若しくは平面
型表示装置の製造方法（以下、これらを総称して、単に
本発明と呼ぶ場合がある）における水ガラスとして、日
本工業規格（ＪＩＳ）Ｋ１４０８に規定される１号乃至
４号、又はこれらの同等品を使用することができる。こ
こで、水ガラスとは、二酸化珪素とアルカリとを溶解し
て得られた珪酸アルカリ塩を濃厚水溶液にしたものを指
す。１号乃至４号は、水ガラスの構成成分である酸化ナ
トリウム（Ｎａ₂Ｏ）１モルに対する二酸化珪素（Ｓｉ
Ｏ₂）のモル数（約２〜４モル）の違いに基づく４段階
の等級であり、それぞれ粘度が大きく異なる。あるいは
又、Ｋ₂Ｏを主成分とする水ガラスを用いることもでき
る。

【００４８】本発明の第１の態様〜第４の態様に係る蛍
光体粒子の製造方法、表示用パネルの製造方法若しくは
平面型表示装置の製造方法においては、水ガラス水溶液
の濃度、酢酸塩溶液（具体的には酢酸塩水溶液）あるい
は硝酸塩溶液（具体的には硝酸塩水溶液）の濃度、全水
溶液に対する水ガラスの濃度は、ガラス状薄膜の膜厚や
発光体層の強度が最適となるように決定すればよい。ま
た、水ガラスと蛍光体粒子の混合割合は、例えば、発光
体層の膜厚に応じて決定すればよい。

【００４９】隔壁は、発光体層と衝突した電子が後方散
乱され、隣接する発光体層に再び衝突してかかる発光体
層を発光させるといった、所謂光学的クロストークの発
生を防止する機能も有する。光学的クロストークが発生
すると、本来、発光すべき色に加えて不要な色が混合す
るので、色度が低下する。電子の加速電圧が高くなるに
従い、電子の後方散乱が大きくなる。従って、隔壁の高
さは、形成すべき発光体層の厚さを考慮するだけでな
く、電子の後方散乱をも考慮して、決定することが望ま
しい。

【００５０】本発明にあっては、発光体層上に電極が形
成されている構成とすることができるが、この場合、電
極は、発光体層と直接接して形成されていてもよいし、
発光体層の上方に隙間を空けて形成されていてもよい。
発光体層上に電極が形成されているとは、これらの形態
を包含する概念である。場合によっては、電極の上に発
光体層が形成されていてもよい。この場合、発光体層
は、電極と直接接して形成されていてもよいし、電極の
上方に形成されていてもよい。電極上に発光体層が形成
されているとは、これらの形態を包含する概念である。

【００５１】本発明にあっては、粒径１μｍ〜１０ミク
ロン程度の蛍光体粒子を用いることが好ましい。また、
蛍光体粒子を構成するコア材は、ＩＩ−ＶＩ族元素から
成ることが好ましい。ここで、コア材を構成するＩＩ族
元素として、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）を挙げ
ることができ、ＶＩ族元素として、硫黄（Ｓ）、セレン
（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）を挙げることができる。即
ち、コア材を構成するＩＩ／ＶＩ族元素の組合せとし
て、（Ｚｎ／Ｓ）、（Ｚｎ／Ｓｅ）、（Ｚｎ／Ｔｅ）、
（Ｚｎ／Ｓ，Ｓｅ）、（Ｚｎ／Ｓ，Ｔｅ）、（Ｚｎ／Ｓ
ｅ，Ｔｅ）、（Ｚｎ／Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ）、（Ｃｄ／
Ｓ）、（Ｃｄ／Ｓｅ）、（Ｃｄ／Ｔｅ）、（Ｃｄ／Ｓ，
Ｓｅ）、（Ｃｄ／Ｓ，Ｔｅ）、（Ｃｄ／Ｓｅ，Ｔｅ）、
（Ｃｄ／Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ）、（Ｚｎ，Ｃｄ／Ｓ）、（Ｚ
ｎ，Ｃｄ／Ｓｅ）、（Ｚｎ，Ｃｄ／Ｔｅ）、（Ｚｎ，Ｃ
ｄ／Ｓ，Ｓｅ）、（Ｚｎ，Ｃｄ／Ｓ，Ｔｅ）、（Ｚｎ，
Ｃｄ／Ｓｅ，Ｔｅ）、（Ｚｎ，Ｃｄ／Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ）
を挙げることができる。

【００５２】更には、蛍光体粒子は、ＩＩ−ＶＩ族元素
から成るコア材、付活剤、及び、共付活剤から成ること
が好ましい。そして、この場合、コア材を構成する元素
は亜鉛（Ｚｎ）及び硫黄（Ｓ）であり、付活剤を構成す
る元素は銀（Ａｇ）であり、共付活剤を構成する元素は
アルミニウム（Ａｌ）又は塩素（Ｃｌ）である構成とす
ることができ、あるいは又、付活剤を構成する元素は銀
（Ａｇ）及び銅（Ｃｕ）であり、共付活剤を構成する元
素はアルミニウム（Ａｌ）である構成とすることができ
る。即ち、蛍光体粒子として、（ＺｎＳ：Ａｇ，Ａ
ｌ）、（ＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｌ）、又は、（ＺｎＳ：Ａ
ｇ，Ｃｕ，Ａｌ）を例示することができる。これらの蛍
光体粒子は青色を発光する。

【００５３】あるいは又、コア材を構成する元素は亜鉛
（Ｚｎ）及び硫黄（Ｓ）であり、付活剤を構成する元素
は銅（Ｃｕ）又は銅・金（Ｃｕ，Ａｕ）であり、共付活
剤を構成する元素はアルミニウム（Ａｌ）である構成と
することができる。即ち、蛍光体粒子として、（Ｚｎ
Ｓ：Ｃｕ，Ａｌ）、（ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｕ，Ａｌ）を例
示することができる。これらの蛍光体粒子は緑色を発光
する。尚、共付活剤として、アルミニウム（Ａｌ）以外
にも、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）を挙げる
ことができる。

【００５４】更には、本発明における蛍光体粒子とし
て、上記の他、青色を発光する蛍光体粒子として、Ｚｎ
Ｓ：Ａｇを挙げることができる。また、緑色を発光する
蛍光体粒子として、Ｚｎ₂ＳｉＯ₄：Ｍｎ²⁺、（Ｚｎ，Ｃ
ｄ）Ｓ：Ａｇ、（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｃｕを挙げることが
できる。更には、赤色を発光する蛍光体粒子として、Ｚ
ｎ₃（ＰＯ₄）₂：Ｍｎ²⁺、（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ、Ｙ
ＶＯ₄：Ｅｕ³⁺、Ｙ₂Ｏ₂Ｓ：Ｅｕ³⁺、Ｙ₂Ｏ₃：Ｅｕ³⁺を
挙げることができる。また、赤橙色を発光する蛍光体粒
子としてＹ₂Ｏ₂Ｓ：Ｅｕ³⁺を、紫青色を発光する蛍光体
粒子としてＺｎＳ：Ａｇを挙げることができる。

【００５５】本発明におけるガラス状薄膜の膜厚は、限
定するものではないが、例えば、３ｎｍ乃至５０ｎｍ、
好ましくは、５ｎｍ乃至３０ｎｍとすることが望まし
い。また、金属酸化膜の膜厚は、均一である限り、出来
る限る薄いことが望ましい。

【００５６】本発明において支持体の表面に隔壁が形成
されている場合、かかる隔壁を構成する材料として、従
来公知の絶縁材料を使用することができ、例えば、金属
酸化物や、低融点ガラス、低融点ガラスにアルミナ等の
金属酸化物を混合した材料を挙げることができる。隔壁
の形成方法として、スクリーン印刷法、サンドブラスト
形成法、ドライフィルム法、感光法を例示することがで
きる。スクリーン印刷法とは、隔壁を形成すべき部分に
対応するスクリーンの部分に開口部が形成されており、
スクリーン上の隔壁形成用材料をスキージを用いて開口
部を通過させ、支持体上に隔壁形成用材料層を形成した
後、かかる隔壁形成用材料層を焼成する方法である。サ
ンドブラスト形成法とは、例えば、スクリーン印刷やロ
ールコーター、ドクターブレード、ノズル吐出式コータ
ー等を用いて隔壁形成用材料層を支持体上に形成し、乾
燥させた後、隔壁を形成すべき隔壁形成用材料層の部分
をマスク層で被覆し、次いで、露出した隔壁形成用材料
層の部分をサンドブラスト法によって除去する方法であ
る。ドライフィルム法とは、支持体上に感光性フィルム
をラミネートし、露光及び現像によって隔壁を形成すべ
き部位の感光性フィルムを除去し、除去によって生じた
開口部に絶縁層材料を埋め込み、焼成する方法である。
感光性フィルムは焼成によって燃焼、除去され、開口部
に埋め込まれた隔壁形成用の絶縁層材料が残り、隔壁と
なる。感光法とは、支持体上に感光性を有する隔壁形成
用の絶縁層材料を形成し、露光及び現像によってこの絶
縁層材料をパターニングした後、焼成を行う方法であ
る。あるいは又、かかる隔壁を構成する材料として、従
来公知の導電性材料を使用することができ、この場合に
は、導電性材料に基づくメッキ法にて隔壁を形成するこ
とができる。隔壁を形成した後、隔壁を研磨し、隔壁の
頂面の平坦化を図ってもよい。隔壁は、場合によって
は、スペーサを保持するためのスペーサ保持部としての
機能をも果たす。

【００５７】隔壁の平面形状としては、格子形状（井桁
形状）、即ち、１画素に相当する、例えば平面形状が略
矩形（ドット状）の発光体層の四方を取り囲む形状を挙
げることができ、あるいは、略矩形あるいはストライプ
状の発光体層の対向する二辺と平行に延びる帯状形状あ
るいはストライプ形状を挙げることができる。隔壁を格
子形状とする場合、１つの発光体層の領域の四方を連続
的に取り囲む形状としてもよいし、不連続に取り囲む形
状としてもよい。隔壁を帯状形状あるいはストライプ形
状とする場合、連続した形状としてもよいし、不連続な
形状としてもよい。

【００５８】発光体層からの光を吸収するブラックマト
リックスが発光体層と発光体層との間であって隔壁と支
持体との間に形成されていることが、表示画像のコント
ラスト向上といった観点から好ましい。ブラックマトリ
ックスを構成する材料として、発光体層からの光を９９
％以上吸収する材料を選択することが好ましい。このよ
うな材料として、カーボン、金属薄膜（例えば、クロ
ム、ニッケル、アルミニウム、モリブデン等、あるい
は、これらの合金）、金属酸化物（例えば、酸化クロ
ム）、金属窒化物（例えば、窒化クロム）、耐熱性有機
樹脂、ガラスペースト、黒色顔料や銀等の導電性粒子を
含有するガラスペースト等の材料を挙げることができ、
具体的には、感光性ポリイミド樹脂、酸化クロムや、酸
化クロム／クロム積層膜を例示することができる。尚、
酸化クロム／クロム積層膜においては、クロム膜が支持
体と接する。

【００５９】本発明の蛍光体粒子に基づき、例えば、冷
陰極電界電子放出表示装置あるいはそのフロントパネル
（アノードパネル）、民生用（家庭用）、産業用（例え
ば、コンピュータディスプレイ用）、デジタル放送用あ
るいはプロジェクション型の陰極線管あるいはそのフェ
ースプレート、プラズマ表示装置あるいはそのリアパネ
ルを構成することができる。

【００６０】本発明の表示用パネルとして、民生用（家
庭用）、産業用（例えば、コンピュータディスプレイ
用）、デジタル放送用あるいはプロジェクション型の陰
極線管の所謂フェースプレート、あるいは又、冷陰極電
界電子放出表示装置を構成するフロントパネル（アノー
ドパネル）を例示することができる。

【００６１】陰極線管のフェースプレートは、一般に、
ガラスパネル（本発明の表示用パネルにおける支持体に
相当する）、及び、蛍光体粒子から成り、ガラスパネル
の内面にストライプ状あるいはドット状に形成された発
光体層、発光体層と発光体層との間のガラスパネル内面
に形成されたブラックマトリックス、並びに、発光体層
及びブラックマトリックス上に形成されたメタルバック
膜（本発明の表示用パネルにおける電極に相当する）か
ら構成されている。

【００６２】また、ＡＣ駆動型やＤＣ駆動型のプラズマ
表示装置のリアパネルは、例えば、支持体と、支持体上
に形成された隔壁（リブ）と、隔壁と隔壁との間の支持
体上に形成された各種電極（例えばデータ電極）と、隔
壁と隔壁との間に形成された蛍光体粒子から成る発光体
層から構成されている。

【００６３】更には、冷陰極電界電子放出表示装置のフ
ロントパネル（アノードパネル）は、支持体、蛍光体粒
子から成り、ストライプ状あるいはドット状に形成され
た発光体層（カラー表示用の場合、ストライプ状又はド
ット状にパターニングされた赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青
（Ｂ）の三原色に対応する発光体層が交互に配置されて
いる）、並びに、アノード電極（本発明の表示用パネル
における電極に相当する）から構成されている。尚、発
光体層と発光体層との間に隔壁が形成されている場合も
ある。

【００６４】冷陰極電界電子放出表示装置のフロントパ
ネル（アノードパネル）を構成するアノード電極の材料
は、冷陰極電界電子放出表示装置の構成によって適宜選
択すればよい。即ち、冷陰極電界電子放出表示装置が透
過型（アノードパネルが表示面に相当する）であって、
且つ、アノードパネルを構成する支持体上にアノード電
極と発光体層がこの順に積層されている場合には、支持
体は元より、アノード電極自身も透明である必要があ
り、ＩＴＯ（インジウム−錫酸化物）等の透明導電材料
を用いる。一方、冷陰極電界電子放出表示装置が反射型
（カソードパネルが表示面に相当する）である場合、及
び、透過型であっても支持体上に発光体層とアノード電
極とがこの順に積層されている場合には、ＩＴＯの他、
アルミニウム（Ａｌ）あるいはクロム（Ｃｒ）を用いる
ことができる。アルミニウム（Ａｌ）あるいはクロム
（Ｃｒ）からアノード電極を構成する場合、アノード電
極の厚さとして、具体的には、３×１０^-8ｍ（３０ｎ
ｍ）乃至１．５×１０^-7ｍ（１５０ｎｍ）、好ましくは
５×１０^-8ｍ（５０ｎｍ）乃至１×１０^-7ｍ（１００ｎ
ｍ）を例示することができる。アノード電極は、蒸着法
やスパッタリング法にて形成することができる。

【００６５】本発明の平面型表示装置における表示用パ
ネルとして、更には、上述の冷陰極電界電子放出表示装
置を構成するフロントパネル（アノードパネル）を例示
することができる。

【００６６】本発明の蛍光体粒子を発光させるためのエ
ネルギー線として電子線ビームを挙げることができる。
この場合、蛍光体粒子を照射する電子線ビームのエネル
ギーを０．５ｋｅＶ乃至３５ｋｅＶとすることが好まし
い。尚、このような構成においては、具体的には、蛍光
体粒子によって、冷陰極電界電子放出表示装置あるいは
そのフロントパネル（アノードパネル）、民生用（家庭
用）、産業用（例えば、コンピュータディスプレイ
用）、デジタル放送用あるいはプロジェクション型の陰
極線管あるいはそのフェースプレートを構成することが
できる。あるいは又、蛍光体粒子を照射する電子線ビー
ムのエネルギーは０．５ｋｅＶ乃至１０ｋｅＶであり、
蛍光体粒子の表面から電子線ビームが侵入する深さは例
えば０．５μｍ以下である構成とすることができる。
尚、このような構成においては、具体的には、蛍光体粒
子によって、冷陰極電界電子放出表示装置あるいはその
フロントパネル（アノードパネル）を構成することがで
きる。あるいは又、本発明の蛍光体粒子において、エネ
ルギー線として紫外線を挙げることができ、この場合、
蛍光体粒子を照射する紫外線の波長を１００ｎｍ乃至４
００ｎｍとすることが好ましい。尚、このような構成に
おいては、具体的には、蛍光体粒子によって、プラズマ
表示装置あるいはそのリアパネルを構成することができ
る。

【００６７】本発明の平面型表示装置において、背面パ
ネルを構成する基板あるいは表示用パネルを構成する支
持体は、少なくとも表面が絶縁性部材より構成されてい
ればよく、無アルカリガラス基板、低アルカリガラス基
板、石英ガラス基板といった各種のガラス基板、表面に
絶縁膜が形成された各種のガラス基板、石英基板、表面
に絶縁膜が形成された石英基板、表面に絶縁膜が形成さ
れた半導体基板を挙げることができるが、製造コスト低
減の観点からは、ガラス基板、あるいは、表面に絶縁膜
が形成されたガラス基板を用いることが好ましい。

【００６８】本発明の平面型表示装置において、背面パ
ネルと表示用パネルとを周縁部において接合する場合、
接合は接着層を用いて行ってもよいし、あるいはガラス
やセラミック等の絶縁剛性材料から成る枠体と接着層と
を併用して行ってもよい。枠体と接着層とを併用する場
合には、枠体の高さを適宜選択することにより、接着層
のみを使用する場合に比べ、背面パネルと表示用パネル
との間の対向距離をより長く設定することが可能であ
る。尚、接着層の構成材料としては、フリットガラスが
一般的であるが、融点が１２０〜４００゜Ｃ程度の所謂
低融点金属材料を用いてもよい。かかる低融点金属材料
としては、Ｉｎ（インジウム：融点１５７゜Ｃ）；イン
ジウム−金系の低融点合金；Ｓｎ₈₀Ａｇ₂₀（融点２２０
〜３７０゜Ｃ）、Ｓｎ₉₅Ｃｕ₅（融点２２７〜３７０゜
Ｃ）等の錫（Ｓｎ）系高温はんだ；Ｐｂ_97.5Ａｇ
_2.5（融点３０４゜Ｃ）、Ｐｂ_94.5Ａｇ_5.5（融点３０４
〜３６５゜Ｃ）、Ｐｂ_97.5Ａｇ_1.5Ｓｎ_1.0（融点３０９
゜Ｃ）等の鉛（Ｐｂ）系高温はんだ；Ｚｎ₉₅Ａｌ₅（融
点３８０゜Ｃ）等の亜鉛（Ｚｎ）系高温はんだ；Ｓｎ₅
Ｐｂ₉₅（融点３００〜３１４゜Ｃ）、Ｓｎ₂Ｐｂ₉₈（融
点３１６〜３２２゜Ｃ）等の錫−鉛系標準はんだ；Ａｕ
₈₈Ｇａ₁₂（融点３８１゜Ｃ）等のろう材（以上の添字は
全て原子％を表す）を例示することができる。

【００６９】本発明の平面型表示装置において、背面パ
ネルと表示用パネルと枠体の三者を接合する場合、三者
を同時に接合してもよいし、あるいは、第１段階で背面
パネル又は表示用パネルのいずれか一方と枠体とを接合
し、第２段階で背面パネル又は表示用パネルの他方と枠
体とを接合してもよい。三者同時接合や第２段階におけ
る接合を高真空雰囲気中で行えば、背面パネルと表示用
パネルと枠体と接着層とにより囲まれた空間は、接合と
同時に真空となる。あるいは、三者の接合終了後、背面
パネルと表示用パネルと枠体と接着層とによって囲まれ
た空間を排気し、真空とすることもできる。接合後に排
気を行う場合、接合時の雰囲気の圧力は常圧／減圧のい
ずれであってもよく、また、雰囲気を構成する気体は、
大気であっても、あるいは窒素ガスや周期律表０族に属
するガス（例えばＡｒガス）を含む不活性ガスであって
もよい。

【００７０】接合後に排気を行う場合、排気は、背面パ
ネル及び／又は表示用パネルに予め接続されたチップ管
を通じて行うことができる。チップ管は、典型的にはガ
ラス管を用いて構成され、背面パネル及び／又は表示用
パネルの無効領域に設けられた貫通部の周囲に、フリッ
トガラス又は上述の低融点金属材料を用いて接合され、
空間が所定の真空度に達した後、熱融着によって封じ切
られる。尚、封じ切りを行う前に、平面型表示装置全体
を一旦加熱してから降温させると、空間に残留ガスを放
出させることができ、この残留ガスを排気により空間外
へ除去することができるので好適である。

【００７１】本発明において、ガラス状薄膜の出発物質
を、水ガラス及び酢酸塩（例えば、酢酸バリウム）とす
る場合、水ガラスと酢酸バリウムとが、以下の式（１）
のように反応して、Ｂａ（ＯＨ）₂・ｎＳｉＯ₂という、
酸化珪素（ＳｉＯ₂）を主成分とするゲル状物質が生成
される。

【００７２】［化１］Ｋ₂Ｏ・ｎＳｉＯ₂・ｍＨ₂Ｏ＋Ｂａ（ＣＨ₃ＣＯＯ）₂ → Ｂａ（ＯＨ）₂・ｎＳｉＯ₂・（ｍ−１）Ｈ₂Ｏ＋２Ｋ（ＣＨ₃ＣＯＯ）（１）

【００７３】その結果、酸化珪素（ＳｉＯ_X）を主成分
とするガラス状薄膜（Ｂａが残存する）によって蛍光体
粒子の表面が被覆される。しかも、場合によっては、こ
の酸化珪素を主成分とするゲル状物質が、蛍光体粒子を
支持体に固定し、且つ、蛍光体粒子と蛍光体粒子とを固
定する。そして、蛍光体粒子の表面がガラス状薄膜によ
って被覆されるので、雰囲気ガスと表面あるいはその近
傍の蛍光体粒子の部分との間の化学的反応が電子の存在
によって促進されるといった現象の発生を回避すること
ができ、蛍光体粒子の輝度低下を抑制することができ
る。ガラス状薄膜上に金属酸化膜を形成すれば、雰囲気
ガスと表面あるいはその近傍の蛍光体粒子の部分との間
の化学的反応が電子の存在によって促進されるといった
現象の発生を一層確実に回避することができるし、蛍光
体粒子の帯電を抑制することができる結果、蛍光体粒子
の輝度低下を一層確実に抑制することができる。

【００７４】また、本発明の第１の態様あるいは第２の
態様に係る蛍光体粒子の製造方法、表示用パネルの製造
方法あるいは平面型表示装置の製造方法にあっては、酢
酸塩又は硝酸塩と水ガラスとを液相にて反応させて、蛍
光体粒子の表面に酸化珪素（ＳｉＯ_X）を主成分とした
ガラス状薄膜を形成するといった、所謂沈殿法を採用す
るので、均一な膜厚のガラス状薄膜を容易に形成するこ
とができるし、製造コストも安価である。

【００７５】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、発明の実
施の形態（以下、実施の形態と略称する）に基づき本発
明を説明する。

【００７６】（実施の形態１）実施の形態１は、本発明
の第１の態様及び第２の態様に係る蛍光体粒子及びその
製造方法、表示用パネル及びその製造方法、並びに、平
面型表示装置及びその製造方法に関する。

【００７７】実施の形態１の蛍光体粒子の製造方法及び
表示用パネルの製造方法を説明するための支持体等の模
式的な断面図を図１の（Ａ）〜（Ｃ）に示す。また、図
２に実施の形態１の平面型表示装置（冷陰極電界電子放
出表示装置）及び冷陰極電界電子放出表示装置を構成す
る表示用パネル（アノードパネル）の模式的な一部端面
図を示し、図３に冷陰極電界電子放出表示装置の一部を
切り出した模式的な分解斜視図を示す。

【００７８】この冷陰極電界電子放出表示装置において
は、表示用パネル（アノードパネル）２０と背面パネル
（カソードパネル）１０とが対向配置され、両パネル１
０，２０は、各々の周縁部において枠体３０を介して互
いに接着され、両パネル間の閉鎖空間が真空空間とされ
ている。背面パネル１０は、冷陰極電界電子放出素子
（電界放出素子）を備えている。図２では、電界放出素
子の一例として、円錐形の電子放出部１６Ａを有する、
所謂スピント型電界放出素子を示す。スピント型電界放
出素子は、基板１１上に形成されたストライプ状のカソ
ード電極１２と、カソード電極１２及び基板１１上に形
成された絶縁層１３と、絶縁層１３上に形成されたスト
ライプ状のゲート電極１４と、ゲート電極１４及び絶縁
層１３に設けられた開口部１５内に形成された円錐形の
電子放出部１６Ａから構成されている。尚、電子放出部
１６Ａは、開口部１５の底部に位置するカソード電極１
２の部分の上に設けられている。ストライプ状のカソー
ド電極１２の射影像とストライプ状のゲート電極１４の
射影像とは直交している。通常、多数の電子放出部１６
Ａが、各画素に対応付けられている。電子放出部１６Ａ
には、カソード電極駆動回路３１からカソード電極１２
を通じて相対的に負電圧（ビデオ信号）が印加され、ゲ
ート電極１４にはゲート電極駆動回路３２から相対的に
正電圧（走査信号）が印加される。これらの電圧印加に
よって生じた電界に応じ、電子放出部１６Ａの先端から
電子が量子トンネル効果に基づき放出される。尚、上述
とは逆に、走査信号がカソード電極１２に入力され、ビ
デオ信号がゲート電極１４に入力される場合もある。

【００７９】一方、表示用パネル２０は、ガラス等から
成る支持体２１上の全面に形成された発光体層（蛍光体
層）２２と、発光体層２２上に形成されたアノード電極
２４（電極に相当する）を有する。発光体層２２は、蛍
光体粒子から成り、真空空間中から飛来した電子（具体
的には、電子放出部１６Ａから放出された電子）の照射
によって発光する。アノード電極２４には、加速電源
（アノード電極駆動回路）３３から、ゲート電極１４に
印加される正電圧よりも高い正電圧が印加され、電子放
出部１６Ａから真空空間中へ放出された電子を、発光体
層２２に向かって誘導する役割を果たす。また、アノー
ド電極２４は、発光体層２２を構成する蛍光体粒子をイ
オン等の粒子によるスパッタから保護する機能、電子励
起によって生じた発光体層２２の発光を支持体側へ反射
させ、支持体２１の外側から観察される表示画面の輝度
を向上させる機能、及び、過剰な帯電を防止して表示用
パネル２０の電位を安定化させる機能も有する。即ち、
アノード電極２４は、アノード電極としての機能を果た
すだけでなく、陰極線管（ＣＲＴ）の分野でメタルバッ
ク膜として知られる部材が果たす機能とを兼ねている。
アノード電極２４は、通常、アルミニウム薄膜から構成
されている。

【００８０】実施の形態１における蛍光体粒子は、水ガ
ラスと蛍光体粒子［例えば、（ＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｌ）］
と酢酸塩との混合溶液中で、水ガラスと酢酸塩とを反応
させ、蛍光体粒子の表面に酸化珪素を主成分としたガラ
ス状薄膜を形成することによって製造される。ガラス状
薄膜の出発物質は、水ガラス及び酢酸塩であり、蛍光体
粒子の表面は酸化珪素を主成分としたガラス状薄膜によ
ってコーティングされている。具体的には、酢酸バリウ
ム水溶液に水ガラスと蛍光体粒子との混合物の水溶液を
添加し、酢酸塩と混合物水溶液中の水ガラスを反応させ
て、蛍光体粒子の表面に酸化珪素（ＳｉＯ_X）を主成分
としたガラス状薄膜を形成することによって製造され
る。尚、酢酸バリウムと水ガラスの反応は、先に式
（１）にて説明したとおりである。以下、図１の（Ａ）
〜（Ｃ）を参照して、実施の形態１の表示用パネルの製
造方法あるいは平面型表示装置の製造方法を説明する
が、表示用パネルは、水ガラスと蛍光体粒子と酢酸塩と
の混合溶液中で、水ガラスと酢酸塩とを反応させ、蛍光
体粒子の表面に酸化珪素を主成分としたガラス状薄膜を
形成し、このガラス状薄膜によって、混合溶液中に配置
された支持体２１上に蛍光体粒子を固定し、且つ、蛍光
体粒子と蛍光体粒子とを固定し、以て、支持体２１上に
蛍光体粒子から構成された発光体層２２を形成すること
により製造される。

【００８１】［工程−１００］先ず、酢酸塩の溶液（具
体的には、酢酸バリウム水溶液）中に支持体２１を浸漬
する。この状態を、図１の（Ａ）に模式的に示す。尚、
必要に応じて、発光体層を形成しない支持体２１の領域
に、ドライ・フィルム２５を積層しておく。

【００８２】［工程−１１０］次いで、容器中の酢酸バ
リウム水溶液中に、Ｋ₂Ｏを主成分とし、Ｋ₂Ｏ／ＳｉＯ
₂モル比が１８／１００である水ガラスと蛍光体粒子の
混合物水溶液を添加する（図１の（Ｂ）参照）。全溶液
中の酢酸バリウム濃度は、例えば、０．０３〜０．０８
重量％とすればよく、また、全溶液中の水ガラスの濃度
は、例えば、０．７〜１．５重量％とすればよい。更に
は、混合物中の水ガラス／蛍光体粒子の割合は、形成す
べき発光体層の厚さに基づき決定すればよい。１５分〜
３０分程度放置しておくことによって、蛍光体粒子が沈
降して支持体２１の表面に堆積し、更には、先に説明し
た式（１）に基づき、酢酸バリウムと混合物水溶液中の
水ガラスとが反応して、蛍光体粒子の表面に酸化珪素
（ＳｉＯ_X）を主成分としたガラス状薄膜が形成される
し、このガラス状薄膜によって、蛍光体粒子が支持体２
１に固定され、且つ、蛍光体粒子と蛍光体粒子とが相互
に固定され、蛍光体粒子から構成された発光体層（蛍光
体層）２２を形成することができる。この状態を、図１
の（Ｃ）に模式的に示す。その後、容器から支持体２１
を取り出し、あるいは又、容器から溶液を排出させ、支
持体２１上に形成された発光体層２２を乾燥させる。そ
の後、必要に応じて、ドライ・フィルム２５を剥離す
る。

【００８３】［工程−１２０］次に、発光体層２２の上
に、主にアクリル系樹脂から構成されたラッカーから成
る中間膜を形成する。具体的には、水槽内に発光体層２
２が形成された支持体２１を沈め、水面にラッカー膜を
形成した後、水槽内の水を抜くことによって、ラッカー
から成る中間膜を発光体層２２の上に形成することがで
きる。その後、全面に厚さ約０．０７μｍのアルミニウ
ム薄膜から成るアノード電極２４を真空蒸着法に基づき
形成する。最後に、４００゜Ｃ程度の加熱処理を行うこ
とによって、中間膜を焼成する。こうして、図２、図３
に示した表示用パネル２０を作製することができる。

【００８４】尚、アノード電極２４は、有効領域を１枚
のシート状の導電材料で被覆した形式のアノード電極と
してもよいし、１又は複数の電子放出部、あるいは、１
又は複数の画素に対応するアノード電極ユニットが集合
した形式のアノード電極としてもよい。

【００８５】次に、スピント型電界放出素子を有する背
面パネル１０の製造方法を説明する。スピント型電界放
出素子の製造方法は、基本的には、円錐形の電子放出部
１６Ａを金属材料の垂直蒸着により形成する方法であ
る。即ち、開口部１５に対して蒸着粒子は垂直に入射す
るが、開口部１５の付近に形成されるオーバーハング状
の堆積物による遮蔽効果を利用して、開口部１５の底部
に到達する蒸着粒子の量を漸減させ、円錐形の堆積物で
ある電子放出部１６Ａを自己整合的に形成する。以下、
不要なオーバーハング状の堆積物の除去を容易とするた
めに、絶縁層１３及びゲート電極１４上に剥離層１７を
予め形成しておく方法に基づくスピント型電界放出素子
から成る第１の構造を有する電界放出素子を備えた平面
型表示装置（冷陰極電界電子放出表示装置）の製造方法
の概要を、基板等の模式的な一部端面図である図１０の
（Ａ）、（Ｂ）及び図１１の（Ａ）、（Ｂ）を参照して
説明する。尚、電界放出素子あるいはその製造方法を説
明するための図面においては、１つの電子放出部のみを
図示した。

【００８６】［工程−Ａ０］先ず、例えばガラスから成
る基板１１上にニオブ（Ｎｂ）から成るストライプ状の
カソード電極１２を形成した後、全面にＳｉＯ₂から成
る絶縁層１３を形成し、更に、ストライプ状のゲート電
極１４を絶縁層１３上に形成する。ゲート電極１４の形
成は、例えば、スパッタ法、リソグラフィ技術及びドラ
イエッチング技術に基づき行うことができる。次に、ゲ
ート電極１４及び絶縁層１３に開口部１５をＲＩＥ（反
応性イオン・エッチング）法にて形成し、開口部１５の
底部にカソード電極１２を露出させる（図１０の（Ａ）
参照）。尚、カソード電極１２は、単一の材料層であっ
てもよく、複数の材料層を積層することによって構成す
ることもできる。例えば、後の工程で形成される各電子
放出部の電子放出特性のばらつきをカバーするために、
カソード電極１２の表層部を残部よりも電気抵抗率の高
い材料で構成することができる。ストライプ状のカソー
ド電極１２は、図面の紙面左右方向に延び、ストライプ
状のゲート電極１４は、図面の紙面垂直方向に延びてい
る。尚、ゲート電極１４を、真空蒸着法等のＰＶＤ法、
ＣＶＤ法、電気メッキ法や無電解メッキ法といったメッ
キ法、スクリーン印刷法、レーザーアブレーション法、
ゾル−ゲル法、リフトオフ法等の公知の薄膜形成技術
と、必要に応じてエッチング技術との組合せによって形
成してもよい。スクリーン印刷法やメッキ法によれば、
直接、例えばストライプ状のゲート電極を形成すること
が可能である。

【００８７】［工程−Ａ１］次に、開口部１５の底部に
露出したカソード電極１２上に、電子放出部１６Ａを形
成する。具体的には、基板１１を回転させながら、アル
ミニウムを斜め蒸着することにより、全面に剥離層１７
を形成する。このとき、基板１１の法線に対する蒸着粒
子の入射角を十分に大きく選択することにより（例え
ば、入射角６５度〜８５度）、開口部１５の底部にアル
ミニウムを殆ど堆積させることなく、ゲート電極１４及
び絶縁層１３上に剥離層１７を形成することができる。
この剥離層１７は、開口部１５の開口端部から庇状に張
り出しており、これにより開口部１５が実質的に縮径さ
れる（図１０の（Ｂ）参照）。

【００８８】［工程−Ａ２］その後、全面に例えばモリ
ブデン（Ｍｏ）を垂直蒸着する（入射角３度〜１０
度）。このとき、図１１の（Ａ）に示すように、剥離層
１７上でオーバーハング形状を有するモリブデンから成
る導電体層１８が成長するに伴い、開口部１５の実質的
な直径が次第に縮小されるので、開口部１５の底部にお
いて堆積に寄与する蒸着粒子は、次第に開口部１５の中
央付近を通過するものに限られるようになる。その結
果、開口部１５の底部には円錐形の堆積物が形成され、
この円錐形のモリブデンから成る堆積物が電子放出部１
６Ａとなる。

【００８９】次に、電気化学的プロセス及び湿式プロセ
スによって剥離層１７を絶縁層１３及びゲート電極１４
の表面から剥離し、絶縁層１３及びゲート電極１４の上
方の導電体層１８を選択的に除去する。その結果、図１
１の（Ｂ）に示すように、開口部１５の底部に位置する
カソード電極１２上に円錐形の電子放出部１６Ａを残す
ことができる。

【００９０】［工程−１３０］かかる電界放出素子が多
数形成された背面パネル（カソードパネル）１０と表示
用パネル（アノードパネル）２０とを組み合わせると、
図２、図３に示した平面型表示装置（冷陰極電界電子放
出表示装置）を得ることができる。具体的には、セラミ
ックスから作製されたスペーサを表示用パネル（アノー
ドパネル）２０に取り付け、次いで、例えば、セラミッ
クスやガラスから作製された高さ約１ｍｍの枠体３０を
用意し、枠体３０と背面パネル１０と表示用パネル２０
とを例えばフリットガラスを用いて貼り合わせ、フリッ
トガラスを乾燥した後、約４５０゜Ｃで１０〜３０分焼
成すればよい。その後、平面型表示装置の内部を１０^-4
Ｐａ程度の真空度となるまで排気し、適当な方法で封止
する。あるいは又、例えば、枠体３０と背面パネル１０
と表示用パネル２０との貼り合わせを高真空雰囲気中で
行ってもよい。あるいは又、平面型表示装置（冷陰極電
界電子放出表示装置）の構造に依っては、枠体無しで、
背面パネル１０と表示用パネル２０とを貼り合わせても
よい。

【００９１】以上のようにして作製した平面型表示装置
である冷陰極電界電子放出表示装置と、従来の方法に基
づき作製された表示用パネルに基づき組み立てられた冷
陰極電界電子放出表示装置における輝度の経時変化を調
べた。その結果を図４の（Ａ）に示す。尚、図４の
（Ａ）の縦軸は、初期輝度値を１としたときの輝度相対
値を示し、横軸は、蛍光体粒子への電子積算照射量を示
す。また、白丸印は、実施の形態１の冷陰極電界電子放
出表示装置における測定結果であり、白三角印は、従来
の方法に基づき作製された表示用パネルを用いて組み立
てられた冷陰極電界電子放出表示装置における測定結果
である。

【００９２】従来の表示用パネル（アノードパネル）の
製造方法の概要は以下のとおりである。即ち、蛍光体粒
子とポリビニルアルコールと重クロム酸アンモニウムと
から成る蛍光体スラリーを準備する。そして、ガラスか
ら成る支持体上の全面にスピンコーティング法にて、蛍
光体スラリーから成る感光性被膜を形成（塗布）する。
その後、発光体層を形成すべき領域以外をマスクで覆
い、紫外線によって感光性被膜を露光し、水を用いて現
像することで、発光体層を形成すべき領域以外の領域か
ら感光性被膜を除去する。これによって、発光体層を得
ることができる。その後、発光体層上に中間膜を形成
し、真空蒸着法にて厚さ約０．０７μｍのアルミニウム
薄膜から成るアノード電極を中間膜上に形成した後、中
間膜を焼成する。

【００９３】図４の（Ａ）から、実施の形態１の冷陰極
電界電子放出表示装置における蛍光体粒子の輝度低下
は、従来の製造方法にて製造された表示用パネルを組み
込んだ冷陰極電界電子放出表示装置における蛍光体粒子
よりも、飛躍的に改善されていることが判る。尚、（Ｚ
ｎＳ：Ａｇ，Ｃｌ）の代わりに、（ＺｎＳ：Ａｇ，Ａ
ｌ）、（ＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌ）、（ＺｎＳ：Ｃ
ｕ，Ａｌ）、（ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｕ，Ａｌ）から成る蛍
光体粒子を用いた場合にも、更には、（Ｙ₂Ｏ₂Ｓ：Ｅｕ
³⁺）から成るから成る蛍光体粒子を用いた場合にも、同
様の結果が得られた。また、酢酸バリウムの代わりに、
酢酸ストロンチウム、酢酸アルミニウムといった酢酸塩
を用いた場合にも、また、硝酸バリウム、硝酸ストロン
チウム、硝酸アルミニウムといった硝酸塩を用いた場合
にも（この場合、ガラス状薄膜の出発物質は水ガラス及
び硝酸塩である）、同様の結果が得られた。

【００９４】尚、水ガラスが入れられた容器中に蛍光体
粒子を加え、混合、撹拌した後、更に、酢酸バリウム、
酢酸ストロンチウム、酢酸アルミニウムといった酢酸
塩、あるいは又、硝酸バリウム、硝酸ストロンチウム、
硝酸アルミニウムといった硝酸塩を加えて、混合、撹拌
する。これによって、水ガラスと蛍光体粒子と酢酸塩と
の混合溶液中で水ガラスと酢酸塩とが反応し、蛍光体粒
子の表面に酸化珪素を主成分としたガラス状薄膜が形成
される。あるいは又、水ガラスと蛍光体粒子と硝酸塩と
の混合溶液中で水ガラスと硝酸塩とが反応して、蛍光体
粒子の表面に酸化珪素を主成分としたガラス状薄膜が形
成される。

【００９５】具体的には、例えば、Ｋ₂Ｏを主成分とす
る水ガラス１８．７グラムを６２ミリリットルのイオン
交換水に添加し、更に、蛍光体粒子を０．３グラム加え
て、１０分程度混合、撹拌する。次いで、酢酸バリウム
水溶液を、０．０７３重量％加えて、１５分程度、混
合、撹拌する。その後、遠心分離あるいは濾過を行い、
例えば、送風乾燥機を用いて５０゜Ｃ、２４時間程度の
乾燥を行う。尚、酢酸バリウム水溶液の添加量は、０．
００１重量％〜１重量％、好ましくは０．０１重量％〜
０．１１重量％である。

【００９６】こうして、酸化珪素（ＳｉＯ_X）を主成分
としたガラス状薄膜が表面に形成されており、ガラス状
薄膜の出発物質が水ガラス及び酢酸塩である蛍光体粒
子、あるいは又、酸化珪素（ＳｉＯ_X）を主成分とした
ガラス状薄膜が表面に形成されており、ガラス状薄膜の
出発物質が水ガラス及び硝酸塩である蛍光体粒子を得る
ことができる。尚、混合物中の水ガラス／蛍光体粒子の
割合は、適宜決定すればよいが、ガラス状薄膜の膜厚
は、例えば、３ｎｍ乃至５０ｎｍ、好ましくは、５ｎｍ
乃至３０ｎｍとすることが望ましい。

【００９７】酢酸バリウム水溶液を用いて、上述のよう
に製造された蛍光体粒子をエネルギー分散型Ｘ線分光
（ＥＤＸ）法によって分析したところ、以下の表１の結
果が得られた。

【００９８】

【００９９】また、このようにして製造された蛍光体粒
子を用いて、従来の製造方法と同様の方法で表示用パネ
ル（アノードパネル）を製造してもよい。即ち、このよ
うにして製造された蛍光体粒子とポリビニルアルコール
と重クロム酸アンモニウムとから成る蛍光体スラリーを
準備する。そして、ガラスから成る支持体上の全面にス
ピンコーティング法にて、蛍光体スラリーから成る感光
性被膜を形成（塗布）する。その後、発光体層を形成す
べき領域以外をマスクで覆い、紫外線によって感光性被
膜を露光し、水を用いて現像することで、発光体層を形
成すべき領域以外の領域から感光性被膜を除去する。こ
れによって、発光体層を得ることができる。その後、発
光体層上に中間膜を形成し、真空蒸着法にて厚さ約０．
０７μｍのアルミニウム薄膜から成るアノード電極を中
間膜上に形成した後、中間膜を焼成する。

【０１００】（実施の形態２）実施の形態２は、発明の
実施の形態１の変形である。実施の形態１においては、
単色を発光する平面型表示装置（冷陰極電界電子放出表
示装置）を製造した。一方、実施の形態２においては、
三原色（Ｒ，Ｇ，Ｂ）を発光し得る表示用パネル及びカ
ラー平面型表示装置（具体的には、冷陰極電界電子放出
表示装置）を製造する。

【０１０１】実施の形態２の蛍光体粒子の製造方法及び
表示用パネルの製造方法を、以下、支持体等の模式的な
断面図である図５の（Ａ）〜（Ｄ）及び図６の（Ａ）〜
（Ｄ）を参照して説明する。尚、実施の形態２の表示用
パネル、冷陰極電界電子放出表示装置の模式的な一部端
面図は、図７に示したと同様である。また、発光体層
（赤色発光体層２２Ｒ、緑色発光体層２２Ｇ、青色発光
体層２２Ｂ）の配置状態、支持体２１等の断面は、図８
の（Ａ）、（Ｂ）あるいは図９の（Ａ）、（Ｂ）に示し
たと同様とすることができる。

【０１０２】［工程−２００］実施の形態２において
は、先ず、支持体２１の表面に、例えば、井桁状（格子
形状）の隔壁２３を形成する（図５の（Ａ）参照）。具
体的には、酸化コバルト等の金属酸化物により黒色に着
色した鉛ガラス層を形成した後、フォトリソグラフィ技
術及びエッチング技術によって鉛ガラス層を選択的に加
工することにより、格子形状（井桁形状）の隔壁２３を
得ることができる。尚、場合によっては、低融点ガラス
ペーストをスクリーン印刷法にて支持体２１上に印刷
し、次いで、かかる低融点ガラスペーストを焼成するこ
とによって隔壁を形成してもよいし、感光性ポリイミド
樹脂層を支持体２１の全面に形成した後、かかる感光性
ポリイミド樹脂層を露光、現像することによって、隔壁
を形成してもよい。隔壁２３の形成前に、隔壁２３を形
成すべき支持体２１の部分の表面に、例えば、酸化クロ
ムから成るブラックマトリックスを形成することが好ま
しい。ブラックマトリックスは、例えば、真空蒸着法や
スパッタリング法とエッチング法との組合せ、真空蒸着
法やスパッタリング法、スピンコーティング法とリフト
オフ法との組合せに、スクリーン印刷法、リソグラフィ
技術等、使用する材料に依存して適宜選択された方法に
て形成することができる。

【０１０３】［工程−２１０］次に、隔壁２３の頂面
に、感光性及び接着性を有する、所謂ドライ・フィルム
２５を貼り合わせる。このドライ・フィルム２５は、例
えば、プリント配線板の製造において使用されているも
のを用いればよい。ドライ・フィルム２５の貼り合わせ
には、フィルムラミネータを使用すればよい。具体的に
は、８０゜Ｃ〜１２０゜Ｃに加熱されたゴムローラを用
いて、ドライ・フィルム２５を隔壁２３の頂面に貼り合
わせればよい。尚、ドライ・フィルム２５は、支持体２
１の表面とは接していない。隔壁２３の最低高さを約２
０μｍとしたが、このような値に限定するものではな
く、隔壁２３の高さはドライ・フィルムの硬さや隔壁の
寸法に基づき、適宜決定すればよいが、形成すべき発光
体層２２の厚さよりも高いことが要求される。もしも、
形成すべき発光体層２２の厚さよりも隔壁２３の高さが
低い場合、形成された発光体層２２とドライ・フィルム
２５とが接触し、その結果、ドライ・フィルムの剥離
時、発光体層２２が支持体２１から剥離、除去される虞
があるからである。

【０１０４】［工程−２２０］その後、第１色目の発光
体層（例えば、緑色を発光する発光体層２２Ｇ）を形成
すべき支持体２１の領域の上方のドライ・フィルム２５
を選択的に除去し、第１色目の発光体層を形成しない支
持体２１の領域の上方に、隔壁２３の頂面によって担持
されたドライ・フィルム２５を残す。この状態を、図５
の（Ｂ）に模式的に示す。具体的には、例えば、第１色
目の発光体層を形成すべき支持体２１の領域の上方のド
ライ・フィルム２５を露光、現像することで、除去する
ことができる。尚、ドライ・フィルムとしてポジ型を用
いてもよい。また、ドライ・フィルムは、アルカリ水溶
液可溶タイプを用いてもよいし、溶剤可溶タイプを用い
てもよい。

【０１０５】［工程−２３０］そして、第１色目の発光
体層２２Ｇを形成するために、実施の形態１と同様の操
作、即ち、［工程−１００］及び［工程−１１０］を実
行する。これによって、図５の（Ｃ）に示す状態を得る
ことができる。第１色目の発光体層を形成しない支持体
２１の領域の上方には隔壁２３の頂面によって担持され
たドライ・フィルム２５が残されているので、かかる支
持体２１の領域に第１色目の発光体層２２Ｇが形成され
ることはない。次いで、全体を乾燥した後、ドライ・フ
ィルム２５を剥離する（図５の（Ｄ）参照）。剥離液と
しては、アルカリ水溶液可溶タイプのドライ・フィルム
を用いた場合には、水酸化ナトリウムを用いればよい
し、溶剤可溶タイプを用いた場合には、アルコール等の
有機溶剤を用いればよい。ドライ・フィルム２５の剥離
によって、ドライ・フィルム２５上の発光体層も同時に
除去される。

【０１０６】［工程−２４０］その後、青色を発光する
第２色目の発光体層２２Ｂ及び赤色を発光する第３色目
の発光体層２２Ｒについても、［工程−２１０］〜［工
程−２３０］を繰り返す。これによって、図６の（Ａ）
に示す構造を得ることができる。

【０１０７】［工程−２５０］次いで、各発光体層（蛍
光体層）２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂ（これらを総称して、
単に発光体層２２と呼ぶ場合がある）の上に、主にアク
リル系樹脂から構成されたラッカーから成る中間膜２６
を形成する（図６の（Ｂ）参照）。具体的には、水槽内
に発光体層２２が形成された支持体２１を沈め、水面に
ラッカー膜を形成した後、水槽内の水を抜くことによっ
て、ラッカーから成る中間膜２６を発光体層２２の上か
ら隔壁２３の上に亙って形成することができる。尚、ラ
ッカーに添加された可塑剤の量や、水面にラッカー膜を
形成するときの条件によって、中間膜２６の硬さや延び
率を変えることができ、これらを最適化することによっ
て、中間膜２６を発光体層２２の上から隔壁２３の上に
亙って形成することができる。

【０１０８】［工程−２６０］その後、全面にアルミニ
ウムから成るアノード電極２４を真空蒸着法に基づき形
成する（図６の（Ｃ）参照）。最後に、４００゜Ｃ程度
の加熱処理を行うことによって、中間膜２６を焼成し、
図６の（Ｄ）に示す構造を有する表示用パネル２０を得
ることができる。中間膜２６の燃焼により生じたガス
は、例えば、アノード電極２４のうち、隔壁２３の形状
に沿って折れ曲がっている領域に生じる微細な孔を通じ
て外部に排出される。この孔は微細なため、アノード電
極２４の構造的な強度や画像表示特性に深刻な影響を及
ぼすものではない。

【０１０９】［工程−２７０］以降、このようにして作
製された表示用パネル（アノードパネル）２０と、実施
の形態１と同様にして作製された背面パネル（カソード
パネル）１０とを組み立てることによって、図７に示し
た冷陰極電界電子放出表示装置を得ることができる。

【０１１０】また、実施の形態１にて説明した方法にて
製造された蛍光体粒子を用いて、従来の製造方法と同様
の方法で表示用パネル（アノードパネル）を製造しても
よい。即ち、［工程−２００］の後、赤色発光体層２２
Ｒを形成するために、実施の形態１にて説明した方法に
て製造された赤色発光蛍光体粒子を、例えばポリビニル
アルコール（ＰＶＡ）樹脂と水に分散させ、更に、重ク
ロム酸アンモニウムを添加した赤色発光蛍光体スラリー
を全面に塗布した後、かかる赤色発光蛍光体スラリーを
乾燥する。その後、支持体２１側から赤色発光体層２２
Ｒを形成すべき赤色発光蛍光体スラリーの部分に紫外線
を照射し、赤色発光蛍光体スラリーを露光する。赤色発
光蛍光体スラリーは支持体２１側から徐々に硬化する。
形成される赤色発光体層２２Ｒの厚さは、赤色発光蛍光
体スラリーに対する紫外線の照射量により決定される。
ここでは、例えば、赤色発光蛍光体スラリーに対する紫
外線の照射時間を調整して、赤色発光体層２２Ｒの厚さ
を約８μｍとする。その後、赤色発光蛍光体スラリーを
現像することによって、所定の隔壁２３の間に赤色発光
体層２２Ｒを形成することができる。以下、緑色発光蛍
光体スラリーに対して同様の処理を行うことによって緑
色発光体層２２Ｇを形成し、更に、青色発光蛍光体スラ
リーに対して同様の処理を行うことによって青色発光体
層２２Ｂを形成する。発光体層の形成方法は、以上に説
明した方法に限定されず、赤色発光蛍光体スラリー、緑
色発光蛍光体スラリー、青色発光蛍光体スラリーを順次
塗布した後、各蛍光体スラリーを順次露光、現像して、
各発光体層を形成してもよいし、スクリーン印刷法等に
より各発光体層を形成してもよい。その後、［工程−２
５０］〜［工程−２７０］を実行することで、冷陰極電
界電子放出表示装置を得ることができる。

【０１１１】（実施の形態３）実施の形態３は、本発明
の第３の態様に係る蛍光体粒子、表示用パネル及び平面
型表示装置、並びに、本発明の第３の形態及び第４の態
様に係る蛍光体粒子の製造方法、表示用パネルの製造方
法及び平面型表示装置の製造方法に関する。

【０１１２】実施の形態３の表示用パネル（アノードパ
ネル）及び平面型表示装置（冷陰極電界電子放出表示装
置）の構造は、図２及び図３を参照して説明した実施の
形態１のアノードパネル及び冷陰極電界電子放出表示装
置、あるいは、図７〜図９を参照して説明した実施の形
態２のアノードパネル及び冷陰極電界電子放出表示装置
の構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省
略する。

【０１１３】実施の形態３の蛍光体粒子は、酸化珪素
（ＳｉＯ_X）を主成分としたガラス状薄膜が表面に形成
されており、このガラス状薄膜上に、導電性を有する金
属酸化膜が形成されている。即ち、ガラス状薄膜の出発
物質は、蛍光体粒子の表面は酸化珪素（ＳｉＯ_X）を主
成分としたガラス状薄膜によってコーティングされてい
る。更には、ガラス状薄膜の表面は導電性を有する金属
酸化膜（広くは、導電性を有する膜）によってコーティ
ングされている。

【０１１４】具体的には、水ガラスが入れられた容器中
に、例えば（ＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｌ）、（ＺｎＳ：Ａｇ，
Ａｌ）、（ＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌ）、（ＺｎＳ：Ｃ
ｕ，Ａｌ）あるいは（ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｕ，Ａｌ）から
成る蛍光体粒子を加え、１０分程度混合、撹拌した後、
更に、酢酸バリウム、酢酸ストロンチウム、酢酸アルミ
ニウムといった酢酸塩、あるいは又、硝酸バリウム、硝
酸ストロンチウム、硝酸アルミニウムといった硝酸塩を
加えて、混合、撹拌する。これによって、水ガラスと蛍
光体粒子と酢酸塩との混合溶液中で水ガラスと酢酸塩と
が反応し、蛍光体粒子の表面に酸化珪素を主成分とした
ガラス状薄膜が形成される。あるいは又、水ガラスと蛍
光体粒子と硝酸塩との混合溶液中で水ガラスと硝酸塩と
が反応して、蛍光体粒子の表面に酸化珪素を主成分とし
たガラス状薄膜が形成される。その後、遠心分離あるい
は濾過を行い、例えば、送風乾燥機を用いて乾燥を行う
ことによって、酸化珪素（ＳｉＯ_X）を主成分としたガ
ラス状薄膜が表面に形成されており、ガラス状薄膜の出
発物質が水ガラス及び酢酸塩である蛍光体粒子、あるい
は又、酸化珪素（ＳｉＯ_X）を主成分としたガラス状薄
膜が表面に形成されており、ガラス状薄膜の出発物質が
水ガラス及び硝酸塩である蛍光体粒子を得ることができ
る。混合物中の水ガラス／蛍光体粒子の割合は、適宜決
定すればよいが、ガラス状薄膜の膜厚は、例えば、３ｎ
ｍ乃至５０ｎｍ、好ましくは、５ｎｍ乃至３０ｎｍとす
ることが望ましい。

【０１１５】例えば、酢酸バリウムを用いる場合の、以
上に説明した具体的な蛍光体粒子の製造工程は、実施の
形態１にて説明したとおりである。

【０１１６】こうして得られた蛍光体粒子におけるガラ
ス状薄膜の上に、例えば、レーザーアブレーション法に
基づき金属酸化膜を形成する。金属酸化膜を、酸化亜鉛
（ＺｎＯ）、あるいは又、インジウム−錫酸化物（ＩＴ
Ｏ）、あるいは又、酸化インジウム（Ｉｎ₂Ｏ₃）から構
成する。

【０１１７】図１２にレーザーアブレーション装置の概
要を示す。このレーザーアブレーション装置７０は、レ
ーザー装置７１と、チャンバー７２と、チャンバー７２
に取り付けられた石英製のレンズ７３と、金属酸化膜を
形成するための材料（ターゲット材料）を入れた容器７
４と、ガラス状薄膜の上に金属酸化膜を形成すべき蛍光
体粒子を入れた容器７６を載置した振動台７５から構成
されている。

【０１１８】蛍光体粒子におけるガラス状薄膜の上に金
属酸化膜を形成する場合、ターゲット材料を容器７４に
入れ、ガラス状薄膜の上に金属酸化膜を形成すべき蛍光
体粒子を容器７６に入れておく。そして、チャンバー７
２内をロータリーポンプ（図示せず）で１Ｐａ程度に真
空引きした後、チャンバー７２内に窒素ガスやアルゴン
ガスを導入し、チャンバー７２内を２×１０²Ｐａ程度
の圧力とする。そして、振動台７５を振動させながら、
波長２６６ｎｍのＹＡＧレーザー光（エネルギー密度：
例えば１〜５Ｊ／ｃｍ²）を、レーザー装置７１からレ
ンズ７３を介してターゲット材料に照射する。蛍光体粒
子が入れられた容器７６を絶えず振動させることによっ
て、蛍光体粒子が容器７６内で回転し（動き）、絶え
ず、溶融、蒸発（アブレーション）したターゲット材料
に晒される結果、蛍光体粒子の表面に形成されたガラス
状薄膜上に金属酸化膜を均一に形成することができる。

【０１１９】容器７６の振動数や強さは、蛍光体粒子の
粒径や凝集の度合いにより、適宜決定すればよい。レー
ザー照射の時間は、例えば１０分〜５時間、好ましくは
２時間前後を例示することができる。レーザー照射の時
間が長すぎると、金属酸化膜の膜厚が厚くなりすぎ、蛍
光体粒子の輝度が低下する。一方、レーザー照射の時間
が短すぎると、金属酸化膜の膜厚が薄くなり過ぎ、金属
酸化膜を均一に形成することが困難となる。レーザー光
の波長は２６６ｎｍに限定するものではないが、短波長
のレーザー光（例えば、２４８ｎｍのＫｒＦレーザー
光）を用いることが好ましい。チャンバー７２内の真空
度は、２×１０Ｐａ〜２×１０³Ｐａ程度、望ましくは
２×１０²Ｐａ前後とすることが好ましい。尚、チャン
バー７２内の真空度が低すぎると、振動台７５の振動に
よっても蛍光体粒子に回転（動き）が生じない場合があ
る。

【０１２０】こうして得られた蛍光体粒子に基づき、表
示用パネル（アノードパネル）２０あるいは平面型表示
装置である冷陰極電界電子放出表示装置を製造する。

【０１２１】具体的には、実施の形態１と同様に、この
ようにして製造された蛍光体粒子とポリビニルアルコー
ルと重クロム酸アンモニウムとから成る蛍光体スラリー
を準備する。そして、ガラスから成る支持体上の全面に
スピンコーティング法にて、蛍光体スラリーから成る感
光性被膜を形成（塗布）する。その後、発光体層を形成
すべき領域以外をマスクで覆い、紫外線によって感光性
被膜を露光し、水を用いて現像することで、発光体層を
形成すべき領域以外の領域から感光性被膜を除去する。
これによって、発光体層（蛍光体層）を得ることができ
る。その後、発光体層上に中間膜を形成し、真空蒸着法
にて厚さ約０．０７μｍのアルミニウム薄膜から成るア
ノード電極を中間膜上に形成した後、中間膜を焼成す
る。その後、表示用パネル（アノードパネル）と背面パ
ネル（カソードパネル）とを組み立てることによって冷
陰極電界電子放出表示装置を得ることができる。

【０１２２】あるいは又、実施の形態２と同様にして、
［工程−２００］の後、赤色発光体層２２Ｒを形成する
ために、このようにして製造された赤色発光蛍光体粒子
を、例えばポリビニルアルコール（ＰＶＡ）樹脂と水に
分散させ、更に、重クロム酸アンモニウムを添加した赤
色発光蛍光体スラリーを全面に塗布した後、かかる赤色
発光蛍光体スラリーを乾燥する。その後、支持体２１側
から赤色発光体層２２Ｒを形成すべき赤色発光蛍光体ス
ラリーの部分に紫外線を照射し、赤色発光蛍光体スラリ
ーを露光する。その後、赤色発光蛍光体スラリーを現像
することによって、所定の隔壁２３の間に赤色発光体層
２２Ｒを形成することができる。以下、緑色発光蛍光体
スラリーに対して同様の処理を行うことによって緑色発
光体層２２Ｇを形成し、更に、青色発光蛍光体スラリー
に対して同様の処理を行うことによって青色発光体層２
２Ｂを形成する。発光体層の形成方法は、以上に説明し
た方法に限定されず、赤色発光蛍光体スラリー、緑色発
光蛍光体スラリー、青色発光蛍光体スラリーを順次塗布
した後、各蛍光体スラリーを順次露光、現像して、各発
光体層を形成してもよいし、スクリーン印刷法等により
各発光体層を形成してもよい。その後、［工程−２５
０］〜［工程−２７０］を実行することで、冷陰極電界
電子放出表示装置を得ることができる。

【０１２３】以上のようにして作製した平面型表示装置
である冷陰極電界電子放出表示装置と、従来の方法に基
づき作製された表示用パネルに基づき組み立てられた冷
陰極電界電子放出表示装置における輝度の経時変化を調
べた。その結果を図４の（Ｂ）に示す。尚、図４の
（Ｂ）の縦軸は輝度相対値を示し、横軸は蛍光体粒子へ
の電子線ビームの照射時間を示す。また、白丸印は、実
施の形態３の冷陰極電界電子放出表示装置における測定
結果であり、白三角印は、先に説明したと同様の従来の
方法に基づき作製された表示用パネルを用いて組み立て
られた冷陰極電界電子放出表示装置における測定結果で
ある。尚、図４の（Ｂ）に示す結果は、蛍光体粒子とし
て（ＺｎＳ：ＡｇＣｌ）を用い、ガラス状薄膜の出発物
質として水ガラス及び酢酸バリウムを用い、金属酸化膜
をＩＴＯから構成した例である。また、加速電圧を７キ
ロボルト、電流密度を１３．３μＡ／ｃｍ²とした結果
である。

【０１２４】図４の（Ｂ）から、実施の形態３の冷陰極
電界電子放出表示装置における蛍光体粒子の輝度低下
は、従来の製造方法にて製造された表示用パネルを組み
込んだ冷陰極電界電子放出表示装置における蛍光体粒子
よりも、飛躍的に改善されていることが判る。尚、（Ｚ
ｎＳ：Ａｇ，Ｃｌ）の代わりに、（ＺｎＳ：Ａｇ，Ａ
ｌ）、（ＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌ）、（ＺｎＳ：Ｃ
ｕ，Ａｌ）、（ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｕ，Ａｌ）から成る蛍
光体粒子を用いた場合にも、更には、（Ｙ₂Ｏ₂Ｓ：Ｅｕ
³⁺）から成るから成る蛍光体粒子を用いた場合にも、同
様の結果が得られた。また、酢酸バリウムの代わりに、
酢酸ストロンチウム、酢酸アルミニウムといった酢酸塩
を用いた場合にも、また、硝酸バリウム、硝酸ストロン
チウム、硝酸アルミニウムといった硝酸塩を用いた場合
にも（この場合、ガラス状薄膜の出発物質は水ガラス及
び硝酸塩である）、同様の結果が得られた。更には、Ｉ
ＴＯの代わりに、金属酸化膜としてＺｎＯあるいはＩｎ
₂Ｏ₃を用いた場合にも同様の結果が得られた。

【０１２５】（各種の電界放出素子）以下、各種の電界
放出素子及びその製造方法について説明するが、これら
の電界放出素子を用いた平面型表示装置（冷陰極電界電
子放出表示装置）の構成は、実施の形態１〜は実施の形
態３にて説明した平面型表示装置（冷陰極電界電子放出
表示装置）とすればよい。

【０１２６】所謂３電極型の冷陰極電界電子放出表示装
置（以下、特に断りの無い限り、表示装置と略称する）
を構成する電界放出素子は、電子放出部の構造により、
具体的には、例えば、以下の２つの範疇に分類すること
ができる。即ち、第１の構造の電界放出素子は、（イ）
基板上に設けられ、第１の方向に延びるストライプ状の
カソード電極と、（ロ）基板及びカソード電極上に形成
された絶縁層と、（ハ）絶縁層上に設けられ、第１の方
向とは異なる第２の方向に延びるストライプ状のゲート
電極と、（ニ）ゲート電極に設けられた第１開口部、及
び、絶縁層に設けられ、第１開口部と連通した第２開口
部と、（ホ）第２開口部の底部に位置するカソード電極
上に設けられた電子放出部、から成り、第２開口部の底
部に露出した電子放出部から電子が放出される構造を有
する。

【０１２７】このような第１の構造を有する電界放出素
子として、上述したスピント型（円錐形の電子放出部
が、第２開口部の底部に位置するカソード電極上に設け
られた電界放出素子）、扁平型（略平面状の電子放出部
が、第２開口部の底部に位置するカソード電極上に設け
られた電界放出素子）を挙げることができる。

【０１２８】第２の構造の電界放出素子は、（イ）基板
上に設けられた、第１の方向に延びるストライプ状のカ
ソード電極と、（ロ）基板及びカソード電極上に形成さ
れた絶縁層と、（ハ）絶縁層上に設けられ、第１の方向
とは異なる第２の方向に延びるストライプ状のゲート電
極と、（ニ）ゲート電極に設けられた第１開口部、及
び、絶縁層に設けられ、第１開口部と連通した第２開口
部、から成り、第２開口部の底部に露出したカソード電
極の部分が電子放出部に相当し、かかる第２開口部の底
部に露出したカソード電極の部分から電子を放出する構
造を有する。

【０１２９】このような第２の構造を有する電界放出素
子として、平坦なカソード電極の表面から電子を放出す
る平面型電界放出素子を挙げることができる。

【０１３０】スピント型電界放出素子にあっては、電子
放出部を構成する材料として、タングステン、タングス
テン合金、モリブデン、モリブデン合金、チタン、チタ
ン合金、ニオブ、ニオブ合金、タンタル、タンタル合
金、クロム、クロム合金、及び、不純物を含有するシリ
コン（ポリシリコンやアモルファスシリコン）から成る
群から選択された少なくとも１種類の材料を挙げること
ができる。スピント型電界放出素子の電子放出部は、例
えば、真空蒸着法やスパッタリング法、ＣＶＤ法によっ
て形成することができる。

【０１３１】扁平型電界放出素子にあっては、電子放出
部を構成する材料として、カソード電極を構成する材料
よりも仕事関数Φの小さい材料から構成することが好ま
しく、どのような材料を選択するかは、カソード電極を
構成する材料の仕事関数、ゲート電極とカソード電極と
の間の電位差、要求される放出電子電流密度の大きさ等
に基づいて決定すればよい。電界放出素子におけるカソ
ード電極を構成する代表的な材料として、タングステン
（Φ＝４．５５ｅＶ）、ニオブ（Φ＝４．０２〜４．８
７ｅＶ）、モリブデン（Φ＝４．５３〜４．９５ｅ
Ｖ）、アルミニウム（Φ＝４．２８ｅＶ）、銅（Φ＝
４．６ｅＶ）、タンタル（Φ＝４．３ｅＶ）、クロム
（Φ＝４．５ｅＶ）、シリコン（Φ＝４．９ｅＶ）を例
示することができる。電子放出部は、これらの材料より
も小さな仕事関数Φを有していることが好ましく、その
値は概ね３ｅＶ以下であることが好ましい。かかる材料
として、炭素（Φ＜１ｅＶ）、セシウム（Φ＝２．１４
ｅＶ）、ＬａＢ₆（Φ＝２．６６〜２．７６ｅＶ）、Ｂ
ａＯ（Φ＝１．６〜２．７ｅＶ）、ＳｒＯ（Φ＝１．２
５〜１．６ｅＶ）、Ｙ₂Ｏ₃（Φ＝２．０ｅＶ）、ＣａＯ
（Φ＝１．６〜１．８６ｅＶ）、ＢａＳ（Φ＝２．０５
ｅＶ）、ＴｉＮ（Φ＝２．９２ｅＶ）、ＺｒＮ（Φ＝
２．９２ｅＶ）を例示することができる。仕事関数Φが
２ｅＶ以下である材料から電子放出部を構成すること
が、一層好ましい。尚、電子放出部を構成する材料は、
必ずしも導電性を備えている必要はない。

【０１３２】あるいは又、扁平型電界放出素子におい
て、電子放出部を構成する材料として、かかる材料の２
次電子利得δがカソード電極を構成する導電性材料の２
次電子利得δよりも大きくなるような材料から適宜選択
してもよい。即ち、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａ
ｌ）、金（Ａｕ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、モ
リブデン（Ｍｏ）、ニオブ（Ｎｂ）、ニッケル（Ｎ
ｉ）、白金（Ｐｔ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン
（Ｗ）、ジルコニウム（Ｚｒ）等の金属；シリコン（Ｓ
ｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）等の半導体；炭素やダイヤ
モンド等の無機単体；及び酸化アルミニウム（Ａｌ
₂Ｏ₃）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化ベリリウム（Ｂ
ｅＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化マグネシウム
（ＭｇＯ）、酸化錫（ＳｎＯ₂）、フッ化バリウム（Ｂ
ａＦ₂）、フッ化カルシウム（ＣａＦ₂）等の化合物の中
から、適宜選択することができる。尚、電子放出部を構
成する材料は、必ずしも導電性を備えている必要はな
い。

【０１３３】扁平型電界放出素子にあっては、特に好ま
しい電子放出部の構成材料として、炭素、より具体的に
はダイヤモンドやグラファイト、カーボン・ナノチュー
ブ構造体を挙げることができる。電子放出部をこれらか
ら構成する場合、５×１０⁷Ｖ／ｍ以下の電界強度に
て、表示装置に必要な放出電子電流密度を得ることがで
きる。また、ダイヤモンドは電気抵抗体であるため、各
電子放出部から得られる放出電子電流を均一化すること
ができ、よって、表示装置に組み込まれた場合の輝度ば
らつきの抑制が可能となる。更に、これらの材料は、表
示装置内の残留ガスのイオンによるスパッタ作用に対し
て極めて高い耐性を有するので、電界放出素子の長寿命
化を図ることができる。

【０１３４】カーボン・ナノチューブ構造体として、具
体的には、カーボン・ナノチューブ及び／又はカーボン
・ナノファイバーを挙げることができる。より具体的に
は、カーボン・ナノチューブから電子放出部を構成して
もよいし、カーボン・ナノファイバーから電子放出部を
構成してもよいし、カーボン・ナノチューブとカーボン
・ナノファイバーの混合物から電子放出部を構成しても
よい。カーボン・ナノチューブやカーボン・ナノファイ
バーは、巨視的には、粉末状であってもよいし、薄膜状
であってもよいし、場合によっては、カーボン・ナノチ
ューブ構造体は円錐状の形状を有していてもよい。カー
ボン・ナノチューブやカーボン・ナノファイバーは、周
知のアーク放電法やレーザーアブレーション法といった
ＰＶＤ法、プラズマＣＶＤ法やレーザーＣＶＤ法、熱Ｃ
ＶＤ法、気相合成法、気相成長法といった各種のＣＶＤ
法によって製造、形成することができる。

【０１３５】扁平型電界放出素子を、バインダ材料にカ
ーボン・ナノチューブ構造体を分散させたものをカソー
ド電極の所望の領域に例えば塗布した後、バインダ材料
の焼成あるいは硬化を行う方法（より具体的には、エポ
キシ系樹脂やアクリル系樹脂等の有機系バインダ材料や
水ガラス等の無機系バインダ材料にカーボン・ナノチュ
ーブ構造体を分散したものを、カソード電極の所望の領
域に例えば塗布した後、溶媒の除去、バインダ材料の焼
成・硬化を行う方法）によって製造することもできる。
尚、このような方法を、カーボン・ナノチューブ構造体
の第１の形成方法と呼ぶ。塗布方法として、スクリーン
印刷法を例示することができる。

【０１３６】あるいは又、扁平型電界放出素子を、カー
ボン・ナノチューブ構造体が分散された金属化合物溶液
をカソード電極上に塗布した後、金属化合物を焼成する
方法によって製造することもでき、これによって、金属
化合物に由来した金属原子を含むマトリックスにてカー
ボン・ナノチューブ構造体がカソード電極表面に固定さ
れる。尚、このような方法を、カーボン・ナノチューブ
構造体の第２の形成方法と呼ぶ。マトリックスは、導電
性を有する金属酸化物から成ることが好ましく、より具
体的には、酸化錫、酸化インジウム、酸化インジウム−
錫、酸化亜鉛、酸化アンチモン、又は、酸化アンチモン
−錫から構成することが好ましい。焼成後、各カーボン
・ナノチューブ構造体の一部分がマトリックスに埋め込
まれている状態を得ることもできるし、各カーボン・ナ
ノチューブ構造体の全体がマトリックスに埋め込まれて
いる状態を得ることもできる。マトリックスの体積抵抗
率は、１×１０^-9Ω・ｍ乃至５×１０^-6Ω・ｍであるこ
とが望ましい。

【０１３７】金属化合物溶液を構成する金属化合物とし
て、例えば、有機金属化合物、有機酸金属化合物、又
は、金属塩（例えば、塩化物、硝酸塩、酢酸塩）を挙げ
ることができる。有機酸金属化合物溶液として、有機錫
化合物、有機インジウム化合物、有機亜鉛化合物、有機
アンチモン化合物を酸（例えば、塩酸、硝酸、あるいは
硫酸）に溶解し、これを有機溶剤（例えば、トルエン、
酢酸ブチル、イソプロピルアルコール）で希釈したもの
を挙げることができる。また、有機金属化合物溶液とし
て、有機錫化合物、有機インジウム化合物、有機亜鉛化
合物、有機アンチモン化合物を有機溶剤（例えば、トル
エン、酢酸ブチル、イソプロピルアルコール）に溶解し
たものを例示することができる。溶液を１００重量部と
したとき、カーボン・ナノチューブ構造体が０．００１
〜２０重量部、金属化合物が０．１〜１０重量部、含ま
れた組成とすることが好ましい。溶液には、分散剤や界
面活性剤が含まれていてもよい。また、マトリックスの
厚さを増加させるといった観点から、金属化合物溶液
に、例えばカーボンブラック等の添加物を添加してもよ
い。また、場合によっては、有機溶剤の代わりに水を溶
媒として用いることもできる。

【０１３８】カーボン・ナノチューブ構造体が分散され
た金属化合物溶液をカソード電極上に塗布する方法とし
て、スプレー法、スピンコーティング法、ディッピング
法、ダイクォーター法、スクリーン印刷法を例示するこ
とができるが、中でもスプレー法を採用することが塗布
の容易性といった観点から好ましい。

【０１３９】カーボン・ナノチューブ構造体が分散され
た金属化合物溶液をカソード電極上に塗布した後、金属
化合物溶液を乾燥させて金属化合物層を形成し、次い
で、カソード電極上の金属化合物層の不要部分を除去し
た後、金属化合物を焼成してもよいし、金属化合物を焼
成した後、カソード電極上の不要部分を除去してもよい
し、カソード電極の所望の領域上にのみ金属化合物溶液
を塗布してもよい。

【０１４０】金属化合物の焼成温度は、例えば、金属塩
が酸化されて導電性を有する金属酸化物となるような温
度、あるいは又、有機金属化合物や有機酸金属化合物が
分解して、有機金属化合物や有機酸金属化合物に由来し
た金属原子を含むマトリックス（例えば、導電性を有す
る金属酸化物）が形成できる温度であればよく、例え
ば、３００゜Ｃ以上とすることが好ましい。焼成温度の
上限は、電界放出素子あるいはカソードパネルの構成要
素に熱的な損傷等が発生しない温度とすればよい。

【０１４１】カーボン・ナノチューブ構造体の第１の形
成方法あるいは第２の形成方法にあっては、電子放出部
の形成後、電子放出部の表面の一種の活性化処理（洗浄
処理）を行うことが、電子放出部からの電子の放出効率
の一層の向上といった観点から好ましい。このような処
理として、水素ガス、アンモニアガス、ヘリウムガス、
アルゴンガス、ネオンガス、メタンガス、エチレンガ
ス、アセチレンガス、窒素ガス等のガス雰囲気中でのプ
ラズマ処理を挙げることができる。

【０１４２】カーボン・ナノチューブ構造体の第１の形
成方法あるいは第２の形成方法にあっては、電子放出部
は、第２開口部の底部に位置するカソード電極の部分の
表面に形成されていればよく、第２開口部の底部に位置
するカソード電極の部分から第２開口部の底部以外のカ
ソード電極の部分の表面に延在するように形成されてい
てもよい。また、電子放出部は、第２開口部の底部に位
置するカソード電極の部分の表面の全面に形成されてい
ても、部分的に形成されていてもよい。

【０１４３】各種の電界放出素子におけるカソード電極
を構成する材料として、タングステン（Ｗ）、ニオブ
（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、モリブ
デン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａ
ｌ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）等の金属；
これらの金属元素を含む合金あるいは化合物（例えばＴ
ｉＮ等の窒化物や、ＷＳｉ₂、ＭｏＳｉ₂、ＴｉＳｉ₂、
ＴａＳｉ₂等のシリサイド）；シリコン（Ｓｉ）等の半
導体；ダイヤモンド等の炭素薄膜；ＩＴＯ（インジウム
−錫酸化物）を例示することができる。カソード電極の
厚さは、おおよそ０．０５〜０．５μｍ、好ましくは
０．１〜０．３μｍの範囲とすることが望ましいが、か
かる範囲に限定するものではない。

【０１４４】各種の電界放出素子におけるゲート電極を
構成する導電性材料として、タングステン（Ｗ）、ニオ
ブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、モリ
ブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａ
ｌ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル
（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、
鉄（Ｆｅ）、白金（Ｐｔ）及び亜鉛（Ｚｎ）から成る群
から選択された少なくとも１種類の金属；これらの金属
元素を含む合金あるいは化合物（例えばＴｉＮ等の窒化
物や、ＷＳｉ₂、ＭｏＳｉ₂、ＴｉＳｉ₂、ＴａＳｉ₂等の
シリサイド）；あるいはシリコン（Ｓｉ）等の半導体；
ＩＴＯ（インジウム−錫酸化物）、酸化インジウム、酸
化亜鉛等の導電性金属酸化物を例示することができる。

【０１４５】カソード電極やゲート電極の形成方法とし
て、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法
といった蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法やイオン
プレーティング法とエッチング法との組合せ、スクリー
ン印刷法、メッキ法、リフトオフ法等を挙げることがで
きる。スクリーン印刷法やメッキ法によれば、直接、例
えばストライプ状のカソード電極を形成することが可能
である。

【０１４６】第１の構造あるいは第２の構造を有する電
界放出素子においては、電界放出素子の構造に依存する
が、ゲート電極及び絶縁層に設けられた１つの第１開口
部及び第２開口部内に１つの電子放出部が存在してもよ
いし、ゲート電極及び絶縁層に設けられた１つの第１開
口部及び第２開口部内に複数の電子放出部が存在しても
よいし、ゲート電極に複数の第１開口部を設け、かかる
第１開口部と連通する１つの第２開口部を絶縁層に設
け、絶縁層に設けられた１つの第２開口部内に１又は複
数の電子放出部が存在してもよい。

【０１４７】第１開口部あるいは第２開口部の平面形状
（基板表面と平行な仮想平面で開口部を切断したときの
形状）は、円形、楕円形、矩形、多角形、丸みを帯びた
矩形、丸みを帯びた多角形等、任意の形状とすることが
できる。第１開口部の形成は、例えば、等方性エッチン
グ、異方性エッチングと等方性エッチングの組合せによ
って行うことができ、あるいは又、ゲート電極の形成方
法に依っては、第１開口部を直接形成することもでき
る。第２開口部の形成も、例えば、等方性エッチング、
異方性エッチングと等方性エッチングの組合せによって
行うことができる。

【０１４８】第１の構造を有する電界放出素子におい
て、カソード電極と電子放出部との間に抵抗体層を設け
てもよい。あるいは又、カソード電極の表面が電子放出
部に相当している場合（即ち、第２の構造を有する電界
放出素子においては）、カソード電極を導電材料層、抵
抗体層、電子放出部に相当する電子放出層の３層構成と
してもよい。抵抗体層を設けることによって、電界放出
素子の動作安定化、電子放出特性の均一化を図ることが
できる。抵抗体層を構成する材料として、シリコンカー
バイド（ＳｉＣ）やＳｉＣＮといったカーボン系材料、
ＳｉＮ、アモルファスシリコン等の半導体材料、酸化ル
テニウム（ＲｕＯ₂）、酸化タンタル、窒化タンタル等
の高融点金属酸化物を例示することができる。抵抗体層
の形成方法として、スパッタリング法や、ＣＶＤ法やス
クリーン印刷法を例示することができる。抵抗値は、概
ね１×１０⁵〜１×１０⁷Ω、好ましくは数ＭΩとすれば
よい。

【０１４９】絶縁層の構成材料として、ＳｉＯ₂、ＢＰ
ＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＡｓＳＧ、ＰｂＳＧ、ＳｉＮ、
ＳｉＯＮ、ＳＯＧ（スピンオングラス）、低融点ガラ
ス、ガラスペーストといったＳｉＯ₂系材料、ＳｉＮ、
ポリイミド等の絶縁性樹脂を、単独あるいは適宜組み合
わせて使用することができる。絶縁層の形成には、ＣＶ
Ｄ法、塗布法、スパッタリング法、スクリーン印刷法等
の公知のプロセスが利用できる。

【０１５０】［スピント型電界放出素子］スピント型電
界放出素子の構造及び製造方法は、先に、実施の形態１
にて説明したとおりである。

【０１５１】［扁平型電界放出素子（その１）］扁平型
電界放出素子は、（イ）基板１１上に設けられ、第１の
方向に延びるカソード電極１２と、（ロ）基板１１及び
カソード電極１２上に形成された絶縁層１３と、（ハ）
絶縁層１３上に設けられ、第１の方向とは異なる第２の
方向に延びるゲート電極１４と、（ニ）ゲート電極１４
に設けられた第１開口部１５Ａ、及び、絶縁層１３に設
けられ、第１開口部１５Ａと連通した第２開口部１５Ｂ
と、（ホ）第２開口部１５Ｂの底部に位置するカソード
電極１２上に設けられた扁平状の電子放出部１６Ｂ、か
ら成り、第２開口部１５Ｂの底部に露出した電子放出部
１６Ｂから電子が放出される構造を有する。

【０１５２】電子放出部１６Ｂは、マトリックス４０、
及び、先端部が突出した状態でマトリックス４０中に埋
め込まれたカーボン・ナノチューブ構造体（具体的に
は、カーボン・ナノチューブ４１）から成り、マトリッ
クス４０は、導電性を有する金属酸化物（具体的には、
インジウム−錫酸化物、ＩＴＯ）から成る。

【０１５３】以下、電界放出素子の製造方法を、図１３
の（Ａ）、（Ｂ）及び図１４の（Ａ）、（Ｂ）を参照し
て説明する。

【０１５４】［工程−Ｂ０］先ず、例えばガラス基板か
ら成る基板１１上に、例えばスパッタリング法及びエッ
チング技術により形成された厚さ約０．２μｍのクロム
（Ｃｒ）層から成るストライプ状のカソード電極１２を
形成する。

【０１５５】［工程−Ｂ１］次に、カーボン・ナノチュ
ーブ構造体が分散された有機酸金属化合物から成る金属
化合物溶液をカソード電極１２上に、例えばスプレー法
にて塗布する。具体的には、以下の表２に例示する金属
化合物溶液を用いる。尚、金属化合物溶液中にあって
は、有機錫化合物及び有機インジウム化合物は酸（例え
ば、塩酸、硝酸、あるいは硫酸）に溶解された状態にあ
る。カーボン・ナノチューブはアーク放電法にて製造さ
れ、平均直径３０ｎｍ、平均長さ１μｍである。塗布に
際しては、基板を７０〜１５０゜Ｃに加熱しておく。塗
布雰囲気を大気雰囲気とする。塗布後、５〜３０分間、
基板を加熱し、酢酸ブチルを十分に蒸発させる。このよ
うに、塗布時、基板を加熱することによって、カソード
電極の表面に対してカーボン・ナノチューブが水平に近
づく方向にセルフレベリングする前に塗布溶液の乾燥が
始まる結果、カーボン・ナノチューブが水平にはならな
い状態でカソード電極の表面にカーボン・ナノチューブ
を配置することができる。即ち、カーボン・ナノチュー
ブの先端部がアノード電極の方向を向くような状態、言
い換えれば、カーボン・ナノチューブを、基板の法線方
向に近づく方向に配向させることができる。尚、予め、
表２に示す組成の金属化合物溶液を調製しておいてもよ
いし、カーボン・ナノチューブを添加していない金属化
合物溶液を調製しておき、塗布前に、カーボン・ナノチ
ューブと金属化合物溶液とを混合してもよい。また、カ
ーボン・ナノチューブの分散性向上のため、金属化合物
溶液の調製時、超音波を照射してもよい。

【０１５６】［表２］有機錫化合物及び有機インジウム化合物：０．１〜１０重量部分散剤（ドデシル硫酸ナトリウム）：０．１〜５重量部カーボン・ナノチューブ：０．１〜２０重量部酢酸ブチル：残余

【０１５７】尚、有機酸金属化合物溶液として、有機錫
化合物を酸に溶解したものを用いれば、マトリックスと
して酸化錫が得られ、有機インジウム化合物を酸に溶解
したものを用いれば、マトリックスとして酸化インジウ
ムが得られ、有機亜鉛化合物を酸に溶解したものを用い
れば、マトリックスとして酸化亜鉛が得られ、有機アン
チモン化合物を酸に溶解したものを用いれば、マトリッ
クスとして酸化アンチモンが得られ、有機アンチモン化
合物及び有機錫化合物を酸に溶解したもの用いれば、マ
トリックスとして酸化アンチモン−錫が得られる。ま
た、有機金属化合物溶液として、有機錫化合物を用いれ
ば、マトリックスとして酸化錫が得られ、有機インジウ
ム化合物を用いれば、マトリックスとして酸化インジウ
ムが得られ、有機亜鉛化合物を用いれば、マトリックス
として酸化亜鉛が得られ、有機アンチモン化合物を用い
れば、マトリックスとして酸化アンチモンが得られ、有
機アンチモン化合物及び有機錫化合物を用いれば、マト
リックスとして酸化アンチモン−錫が得られる。あるい
は又、金属の塩化物の溶液（例えば、塩化錫、塩化イン
ジウム）を用いてもよい。

【０１５８】場合によっては、金属化合物溶液を乾燥し
た後の金属化合物層の表面に著しい凹凸が形成されてい
る場合がある。このような場合には、金属化合物層の上
に、基板を加熱することなく、再び、金属化合物溶液を
塗布することが望ましい。

【０１５９】［工程−Ｂ２］その後、有機酸金属化合物
から成る金属化合物を焼成することによって、有機酸金
属化合物に由来した金属原子（具体的には、Ｉｎ及びＳ
ｎ）を含むマトリックス（具体的には、金属酸化物であ
り、より一層具体的にはＩＴＯ）４０にてカーボン・ナ
ノチューブ４１がカソード電極１２の表面に固定された
電子放出部１６Ｂを得る。焼成を、大気雰囲気中で、３
５０゜Ｃ、２０分の条件にて行う。こうして、得られた
マトリックス４０の体積抵抗率は、５×１０^-7Ω・ｍで
あった。有機酸金属化合物を出発物質として用いること
により、焼成温度３５０゜Ｃといった低温においても、
ＩＴＯから成るマトリックス４０を形成することができ
る。尚、有機酸金属化合物溶液の代わりに、有機金属化
合物溶液を用いてもよいし、金属の塩化物の溶液（例え
ば、塩化錫、塩化インジウム）を用いた場合、焼成によ
って塩化錫、塩化インジウムが酸化されつつ、ＩＴＯか
ら成るマトリックス４０が形成される。

【０１６０】［工程−Ｂ３］次いで、全面にレジスト層
を形成し、カソード電極１２の所望の領域の上方に、例
えば直径１０μｍの円形のレジスト層を残す。そして、
１０〜６０゜Ｃの塩酸を用いて、１〜３０分間、マトリ
ックス４０をエッチングして、電子放出部の不要部分を
除去する。更に、所望の領域以外にカーボン・ナノチュ
ーブが未だ存在する場合には、以下の表３に例示する条
件の酸素プラズマエッチング処理によってカーボン・ナ
ノチューブをエッチングする。尚、バイアスパワーは０
Ｗでもよいが、即ち、直流としてもよいが、バイアスパ
ワーを加えることが望ましい。また、基板を、例えば８
０゜Ｃ程度に加熱してもよい。

【０１６１】［表３］使用装置：ＲＩＥ装置導入ガス：酸素を含むガスプラズマ励起パワー：５００Ｗバイアスパワー：０〜１５０Ｗ処理時間：１０秒以上

【０１６２】あるいは又、表４に例示する条件のウェッ
トエッチング処理によってカーボン・ナノチューブをエ
ッチングしてもよい。

【０１６３】［表４］使用溶液：ＫＭｎＯ₄ 温度：２０〜１２０゜Ｃ処理時間：１０秒〜２０分

【０１６４】その後、レジスト層を除去することによっ
て、図１３の（Ａ）に示す構造を得ることができる。
尚、直径１０μｍの円形の電子放出部を残すことに限定
されない。例えば、電子放出部をカソード電極１２上に
残してもよい。

【０１６５】尚、［工程−Ｂ１］、［工程−Ｂ３］、
［工程−Ｂ２］の順に実行してもよい。

【０１６６】［工程−Ｂ４］次に、電子放出部１６Ｂ、
基板１１及びカソード電極１２上に絶縁層１３を形成す
る。具体的には、例えばＴＥＯＳ（テトラエトキシシラ
ン）を原料ガスとして使用するＣＶＤ法により、全面
に、厚さ約１μｍの絶縁層１３を形成する。

【０１６７】［工程−Ｂ５］その後、絶縁層１３上にス
トライプ状のゲート電極１４を形成し、更に、絶縁層１
３及びゲート電極１４上にマスク層１９を設けた後、ゲ
ート電極１４に第１開口部１５Ａを形成し、更に、ゲー
ト電極１４に形成された第１開口部１５Ａに連通する第
２開口部１５Ｂを絶縁層１３に形成する（図１３の
（Ｂ）参照）。尚、マトリックス４０を金属酸化物、例
えばＩＴＯから構成する場合、絶縁層１３をエッチング
するとき、マトリックス４０がエッチングされることは
ない。即ち、絶縁層１３とマトリックス４０とのエッチ
ング選択比はほぼ無限大である。従って、絶縁層１３の
エッチングによってカーボン・ナノチューブ４１に損傷
が発生することはない。

【０１６８】［工程−Ｂ６］次いで、以下の表５に例示
する条件にて、マトリックス４０の一部を除去し、マト
リックス４０から先端部が突出した状態のカーボン・ナ
ノチューブ４１を得ることが好ましい。こうして、図１
４の（Ａ）に示す構造の電子放出部１６Ｂを得ることが
できる。

【０１６９】［表５］エッチング溶液：塩酸エッチング時間：１０秒〜３０秒エッチング温度：１０〜６０゜Ｃ

【０１７０】マトリックス４０のエッチングによって一
部あるいは全てのカーボン・ナノチューブ４１の表面状
態が変化し（例えば、その表面に酸素原子や酸素分子、
フッ素原子が吸着し）、電界放出に関して不活性となっ
ている場合がある。それ故、その後、電子放出部１６Ｂ
に対して水素ガス雰囲気中でのプラズマ処理を行うこと
が好ましく、これによって、電子放出部１６Ｂが活性化
し、電子放出部１６Ｂからの電子の放出効率の一層の向
上させることができる。プラズマ処理の条件を、以下の
表６に例示する。

【０１７１】［表６］使用ガス：Ｈ₂＝１００sccm 電源パワー：１０００Ｗ支持体印加電力：５０Ｖ反応圧力：０．１Ｐａ基板温度：３００゜Ｃ

【０１７２】その後、カーボン・ナノチューブ４１から
ガスを放出させるために、加熱処理や各種のプラズマ処
理を施してもよいし、カーボン・ナノチューブ４１の表
面に意図的に吸着物を吸着させるために吸着させたい物
質を含むガスにカーボン・ナノチューブ４１を晒しても
よい。また、カーボン・ナノチューブ４１を精製するた
めに、酸素プラズマ処理やフッ素プラズマ処理を行って
もよい。

【０１７３】［工程−Ｂ７］その後、絶縁層１３に設け
られた第２開口部１５Ｂの側壁面を等方的なエッチング
によって後退させることが、ゲート電極１４の開口端部
を露出させるといった観点から、好ましい。尚、等方的
なエッチングは、ケミカルドライエッチングのようにラ
ジカルを主エッチング種として利用するドライエッチン
グ、あるいはエッチング液を利用するウェットエッチン
グにより行うことができる。エッチング液としては、例
えば４９％フッ酸水溶液と純水の１：１００（容積比）
混合液を用いることができる。次いで、マスク層１９を
除去する。こうして、図１４の（Ｂ）に示す電界放出素
子を完成することができる。

【０１７４】尚、［工程−Ｂ５］の後、［工程−Ｂ
７］、［工程−Ｂ６］の順に実行してもよい。

【０１７５】［扁平型電界放出素子（その２）］扁平型
電界放出素子の模式的な一部断面図を、図１５の（Ａ）
に示す。この扁平型電界放出素子は、例えばガラスから
成る基板１１上に形成されたカソード電極１２、基板１
１及びカソード電極１２上に形成された絶縁層１３、絶
縁層１３上に形成されたゲート電極１４、ゲート電極１
４及び絶縁層１３を貫通する開口部１５（ゲート電極１
４に設けられた第１開口部、及び、絶縁層１３に設けら
れ、第１開口部と連通した第２開口部）、並びに、開口
部１５の底部に位置するカソード電極１２の部分の上に
設けられた扁平の電子放出部（電子放出層１６Ｃ）から
成る。ここで、電子放出層１６Ｃは、図面の紙面垂直方
向に延びたストライプ状のカソード電極１２上に形成さ
れている。また、ゲート電極１４は、図面の紙面左右方
向に延びている。カソード電極１２及びゲート電極１４
はクロムから成る。電子放出層１６Ｃは、具体的には、
グラファイト粉末から成る薄層から構成されている。図
１５の（Ａ）に示した扁平型電界放出素子においては、
カソード電極１２の表面の全域に亙って、電子放出層１
６Ｃが形成されているが、このような構造に限定するも
のではなく、要は、少なくとも開口部１５の底部に電子
放出層１６Ｃが設けられていればよい。

【０１７６】［平面型電界放出素子］平面型電界放出素
子の模式的な一部断面図を、図１５の（Ｂ）に示す。こ
の平面型電界放出素子は、例えばガラスから成る基板１
１上に形成されたストライプ状のカソード電極１２、基
板１１及びカソード電極１２上に形成された絶縁層１
３、絶縁層１３上に形成されたストライプ状のゲート電
極１４、並びに、ゲート電極１４及び絶縁層１３を貫通
する第１開口部及び第２開口部（開口部１５）から成
る。開口部１５の底部にはカソード電極１２が露出して
いる。カソード電極１２は、図面の紙面垂直方向に延
び、ゲート電極１４は、図面の紙面左右方向に延びてい
る。カソード電極１２及びゲート電極１４はクロム（Ｃ
ｒ）から成り、絶縁層１３はＳｉＯ₂から成る。ここ
で、開口部１５の底部に露出したカソード電極１２の部
分が電子放出部１６Ｄに相当する。

【０１７７】（プラズマ表示装置）本発明の蛍光体粒子
をプラズマ表示装置（ＰＤＰ）に適用した例を以下に説
明する。ＡＣ型プラズマ表示装置の典型的な構成例を、
図１６に示す。このＡＣ型プラズマ表示装置は所謂３電
極型に属し、一対の放電維持電極５２Ａの間で主に放電
が生じる。図１６に示すＡＣ型プラズマ表示装置は、フ
ロントパネル５０とリアパネル５４とが周縁部で貼り合
わされて成る。リアパネル５４上の発光体層５８の発光
は、フロントパネル５０を通して観察される。

【０１７８】フロントパネル５０は、透明な第１の基板
５１と、第１の基板５１上にストライプ状に設けられ、
透明導電材料から成る対になった放電維持電極５２Ａ
と、放電維持電極５２Ａのインピーダンスを低下させる
ために設けられ、放電維持電極５２Ａよりも電気抵抗率
の低い材料から成るバス電極５２Ｂと、バス電極５２Ｂ
及び放電維持電極５２Ａ上を含む第１の基板５１上に形
成された誘電体膜として機能する保護層５３とから構成
されている。

【０１７９】一方、表示用パネルに相当するリアパネル
５４は、第２の基板（支持体）５５と、第２の基板５５
上にストライプ状に設けられたアドレス電極（データ電
極とも呼ばれ、表示用パネルの電極に相当する）５６
と、アドレス電極５６上を含む第２の基板５５上に形成
された誘電体膜５７と、誘電体膜５７上であって隣り合
うアドレス電極５６の間の領域にアドレス電極５６と平
行に延びる絶縁性の隔壁５９と、誘電体膜５７上から隔
壁５９の側壁面上に亙って設けられた発光体層５８とか
ら構成されている。発光体層５８は、赤色発光体層５８
Ｒ、緑色発光体層５８Ｇ、及び、青色発光体層５８Ｂか
ら構成されており、これらの各色の発光体層５８Ｒ，５
８Ｇ，５８Ｂが所定の順序に従って設けられている。こ
こで、発光体層５８Ｒ，５８Ｇ，５８Ｂは、実施の形態
２にて説明した方法に基づいて形成されている。

【０１８０】図１６は分解斜視図であり、実際にはリア
パネル側の隔壁５９の頂部がフロントパネル側の保護層
５３に当接している。一対の放電維持電極５２Ａと、２
つの隔壁５９の間に位置するアドレス電極５６とが重複
する領域が、放電セルに相当する。そして、隣り合う隔
壁５９と発光体層５８と保護層５３とによって囲まれた
空間内には、希ガスが封入されている。

【０１８１】放電維持電極５２Ａが延びる方向とアドレ
ス電極５６が延びる方向とは９０度の角度を成してお
り、一対の放電維持電極５２Ａと、３原色を発光する発
光体層５８Ｒ，５８Ｇ，５８Ｂの１組とが重複する領域
が１画素に相当する。グロー放電が一対の放電維持電極
５２Ａ間で生じることから、このタイプのプラズマ表示
装置は「面放電型」と称される。放電セルにおいては、
希ガス中でのグロー放電に基づき発生した真空紫外線の
照射によって励起された発光体層が、蛍光体材料の種類
に応じた特有の発光色を呈する。尚、封入された希ガス
の種類に応じた波長を有する真空紫外線が発生する。希
ガスとして、Ｈｅ（共鳴線の波長＝５８．４ｎｍ）、Ｎ
ｅ（同７４．４ｎｍ）、Ａｒ（同１０７ｎｍ）、Ｋｒ
（同１２４ｎｍ）、Ｘｅ（同１４７ｎｍ）を単独で用い
るか、又は混合して用いることが可能であるが、ペニン
グ効果による放電開始電圧の低下が期待できる混合ガス
が特に有用である。かかる混合ガスとしては、Ｎｅ−Ａ
ｒ混合ガス、Ｈｅ−Ｘｅ混合ガス、Ｎｅ−Ｘｅ混合ガス
を挙げることができる。尚、これらの希ガスの中でも最
も長い共鳴線波長を有するＸｅは、波長１７２ｎｍの強
い真空紫外線も放射するので、好適な希ガスである。

【０１８２】以上、本発明を、発明の実施の形態に基づ
き説明したが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。発明の実施の形態にて説明した表示用パネルや平面
型表示装置、冷陰極電界電子放出素子の構造、構成は例
示であり、適宜変更することができるし、蛍光体粒子、
表示用パネル、平面型表示装置や冷陰極電界電子放出素
子の製造方法も例示であり、適宜変更することができ
る。実施の形態３においては、導電性を有する金属酸化
膜を用いたが、広くは、導電性を有する膜に代替するこ
ともできる。

【０１８３】発明の実施の形態においては、酢酸塩水溶
液に、水ガラスと蛍光体粒子の混合物の水溶液を添加し
たが、水ガラスと蛍光体粒子と酢酸塩又は硝酸塩との混
合溶液中で、水ガラスと酢酸塩又は硝酸塩とを反応させ
る手順は、これに限定されない。即ち、例えば、支持体
が浸漬された水ガラスと蛍光体粒子の混合物の水溶液
に、酢酸塩又は硝酸塩の水溶液を添加してもよい。ある
いは又、酢酸塩又は硝酸塩の水溶液に、あるいは、支持
体が浸漬された酢酸塩又は硝酸塩の水溶液に、水ガラス
水溶液と、蛍光体粒子を分散させた純水とを、同時に、
あるいは、逐次、添加してもよい。あるいは又、水ガラ
ス水溶液に、あるいは、支持体が浸漬された水ガラス水
溶液に、酢酸塩又は硝酸塩の水溶液と、蛍光体粒子を分
散させた純水とを、同時に、あるいは、逐次、添加して
もよい。更には、蛍光体粒子を分散させた純水に、ある
いは、支持体が浸漬された蛍光体粒子を分散させた純水
に、水ガラス水溶液と、酢酸塩又は硝酸塩の水溶液と
を、同時に、あるいは、逐次、添加してもよい。

【０１８４】更には、冷陰極電界電子放出素子の製造に
おいて使用した各種材料も例示であり、適宜変更するこ
とができる。冷陰極電界電子放出素子においては、専ら
１つの開口部に１つの電子放出部が対応する形態を説明
したが、冷陰極電界電子放出素子の構造に依っては、１
つの開口部に複数の電子放出部が対応した形態、あるい
は、複数の開口部に１つの電子放出部が対応する形態と
することもできる。あるいは又、ゲート電極に複数の第
１開口部を設け、絶縁層にかかる複数の第１開口部に連
通した１つの第２開口部を設け、１又は複数の電子放出
部を設ける形態とすることもできる。また、場合によっ
ては、支持体上にアノード電極を形成し、アノード電極
の上にストライプ状あるいはドット状の発光体層を形成
してもよい。

【０１８５】ゲート電極を、有効領域を１枚のシート状
の導電材料（開口部を有する）で被覆した形式のゲート
電極とすることもできる。この場合には、かかるゲート
電極に正の電圧を印加する。そして、各画素を構成する
カソード電極とカソード電極駆動回路との間に、例え
ば、ＴＦＴから成るスイッチング素子を設け、かかるス
イッチング素子の作動によって、各画素を構成する電子
放出部への印加状態を制御し、画素の発光状態を制御す
る。

【０１８６】あるいは又、カソード電極を、有効領域を
１枚のシート状の導電材料で被覆した形式のカソード電
極とすることもできる。この場合には、かかるカソード
電極に電圧を印加する。そして、各画素を構成するゲー
ト電極とゲート電極駆動回路との間に、例えば、ＴＦＴ
から成るスイッチング素子を設け、かかるスイッチング
素子の作動によって、各画素を構成する電子放出部への
印加状態を制御し、画素の発光状態を制御する。

【０１８７】アノード電極は、有効領域を１枚のシート
状の導電材料で被覆した形式のアノード電極としてもよ
いし、１又は複数の電子放出部、あるいは、１又は複数
の画素に対応するアノード電極ユニットが集合した形式
のアノード電極としてもよい。アノード電極が前者の構
成の場合、かかるアノード電極をアノード電極制御回路
に接続すればよいし、アノード電極が後者の構成の場
合、例えば、各アノード電極ユニットをアノード電極制
御回路に接続すればよい。

【０１８８】電界放出素子において、ゲート電極１４及
び絶縁層１３の上に更に第２の絶縁層６３を設け、第２
の絶縁層６３上に収束電極６４を設けてもよい。このよ
うな構造を有する電界放出素子の模式的な一部端面図を
図１７に示す。第２の絶縁層６３には、第１開口部１５
Ａに連通した第３開口部６５が設けられている。収束電
極６４の形成は、例えば、［工程−Ａ２］において、絶
縁層１３上にストライプ状のゲート電極１４を形成した
後、第２の絶縁層６３を形成し、次いで、第２の絶縁層
６３上にパターニングされた収束電極６４を形成した
後、収束電極６４、第２の絶縁層６３に第３開口部６５
を設け、更に、ゲート電極１４に第１開口部１５Ａを設
ければよい。尚、収束電極のパターニングに依存して、
１又は複数の電子放出部、あるいは、１又は複数の画素
に対応する収束電極ユニットが集合した形式の収束電極
とすることもでき、あるいは又、有効領域を１枚のシー
ト状の導電材料で被覆した形式の収束電極とすることも
できる。尚、図１７においては、スピント型電界放出素
子を図示したが、その他の電界放出素子とすることもで
きることは云うまでもない。

【０１８９】収束電極は、このような方法にて形成する
だけでなく、例えば、厚さ数十μｍの４２％Ｎｉ−Ｆｅ
アロイから成る金属板の両面に、例えばＳｉＯ₂から成
る絶縁膜を形成した後、各画素に対応した領域にパンチ
ングやエッチングすることによって開口部を形成するこ
とで収束電極を作製することもできる。そして、カソー
ドパネル、金属板、アノードパネルを積み重ね、両パネ
ルの外周部に枠体を配置し、加熱処理を施すことによっ
て、金属板の一方の面に形成された絶縁膜と絶縁層１３
とを接着させ、金属板の他方の面に形成された絶縁膜と
アノードパネルとを接着し、これらの部材を一体化さ
せ、その後、真空封入することで、表示装置を完成させ
ることもできる。

【０１９０】冷陰極電界電子放出表示装置は、カソード
電極、ゲート電極及びアノード電極から構成された所謂
３電極型に限定されず、カソード電極及びアノード電極
から構成された所謂２電極型とすることもできる。この
ような構造の表示装置の模式的な一部断面図を図１８に
示す。尚、図１８においては、隔壁の図示を省略してい
る。この表示装置における電界放出素子は、基板１１上
に設けられたカソード電極１２と、カソード電極１２上
に形成されたカーボン・ナノチューブ４１から構成され
た電子放出部１６Ｂから成る。表示用パネル（アノード
パネル）２０を構成するアノード電極２４Ａはストライ
プ状である。尚、電子放出部の構造はカーボン・ナノチ
ューブ構造体に限定されない。ストライプ状のカソード
電極１２の射影像とストライプ状のアノード電極２４Ａ
の射影像とは直交している。具体的には、カソード電極
１２は図面の紙面垂直方向に延び、アノード電極２４Ａ
は図面の紙面左右方向に延びている。この表示装置にお
ける背面パネル（カソードパネル）１０においては、上
述のような電界放出素子の複数から構成された電子放出
領域が有効領域に２次元マトリクス状に多数形成されて
いる。

【０１９１】この表示装置においては、アノード電極２
４Ａによって形成された電界に基づき、量子トンネル効
果に基づき電子放出部１６Ｂから電子が放出され、この
電子がアノード電極２４Ａに引き付けられ、発光体層２
２に衝突する。即ち、アノード電極２４Ａの射影像とカ
ソード電極１２の射影像とが重複する領域（アノード電
極／カソード電極重複領域）に位置する電子放出部１６
Ｂから電子が放出される、所謂単純マトリクス方式によ
り、表示装置の駆動が行われる。具体的には、カソード
電極制御回路３１からカソード電極１２に相対的に負の
電圧を印加し、加速電源（アノード電極制御回路）３３
からアノード電極２４Ａに相対的に正の電圧を印加す
る。その結果、列選択されたカソード電極１２と行選択
されたアノード電極２４Ａ（あるいは、行選択されたカ
ソード電極１２と列選択されたアノード電極２４Ａ）と
のアノード電極／カソード電極重複領域に位置する電子
放出部１６Ｂを構成するカーボン・ナノチューブ４１か
ら選択的に真空空間中へ電子が放出され、この電子がア
ノード電極２４Ａに引き付けられて表示用パネル（アノ
ードパネル）２０を構成する発光体層２２に衝突し、発
光体層２２を励起、発光させる。

【０１９２】表面伝導型電子放出素子と通称される素子
から電子放出部を構成することもできる。この表面伝導
型電子放出素子は、例えばガラスから成る基板上に酸化
錫（ＳｎＯ₂）、金（Ａｕ）、酸化インジウム（Ｉｎ₂Ｏ
₃）／酸化錫（ＳｎＯ₂）、カーボン、酸化パラジウム
（ＰｄＯ）等の導電材料から成り、微小面積を有し、所
定の間隔（ギャップ）を開けて配された一対の電極がマ
トリクス状に形成されて成る。それぞれの電極の上には
炭素薄膜が形成されている。そして、一対の電極の内の
一方の電極に行方向配線が接続され、一対の電極の内の
他方の電極に列方向配線が接続された構成を有する。一
対の電極に電圧を印加することによって、ギャップを挟
んで向かい合った炭素薄膜に電界が加わり、炭素薄膜か
ら電子が放出される。かかる電子を表示用パネル（アノ
ードパネル）上の発光体層に衝突させることによって、
発光体層が励起されて発光し、所望の画像を得ることが
できる。

【０１９３】

【発明の効果】本発明においては、ガラス状薄膜によっ
て蛍光体粒子の表面が被覆されているので、蛍光体粒子
の劣化を防止することができ、蛍光体粒子の輝度低下を
抑制することができる。その結果、例えば平面型表示装
置における輝度の経時劣化を、実用上、問題とはならな
い程度に低減することができる。また、ガラス状薄膜上
に導電性を有する金属酸化膜（広くは、導電性材料層）
を形成すれば、蛍光体粒子の帯電を防止することがで
き、蛍光体粒子の劣化を一層効果的に防止することがで
き、蛍光体粒子の輝度低下を一層確実に抑制することが
できる結果、例えば平面型表示装置における輝度の経時
劣化を、一層確実に低減することができる。

【０１９４】また、本発明の第１の態様あるいは第２の
態様に係る表示用パネルの製造方法、あるいは、平面型
表示装置の製造方法においては、従来の技術と異なり、
蛍光体粒子それ自体に予めコーティングを行う必要が無
く、所謂沈殿法を採用するので、均一な膜厚のガラス状
薄膜を蛍光体粒子の表面に容易に、且つ、確実に形成す
ることができるし、かかる蛍光体粒子の製造コストも安
価である。また、隔壁を設け、発光体層を形成しない支
持体の領域の上方に隔壁頂面によって担持されたフィル
ムを予め配設しておけば、三原色を発光する表示用パネ
ルを容易に、且つ、低コストにて作製することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１の（Ａ）〜（Ｃ）は、発明の実施の形態１
の蛍光体粒子の製造方法及び表示用パネルの製造方法を
説明するための支持体等の模式的な断面図である。

【図２】図２は、発明の実施の形態１の表示用パネル、
冷陰極電界電子放出表示装置の模式的な一部端面図であ
る。

【図３】図３は、発明の実施の形態１の冷陰極電界電子
放出表示装置の模式的な一部を切り出した分解斜視図で
ある。

【図４】図４の（Ａ）は、発明の実施の形態１において
製造された冷陰極電界電子放出表示装置と、従来の方法
に基づき製造された表示用パネルに基づき組み立てられ
た冷陰極電界電子放出表示装置における輝度の経時変化
を調べた結果を示すグラフであり、図４の（Ｂ）は、発
明の実施の形態３において製造された冷陰極電界電子放
出表示装置と、従来の方法に基づき製造された表示用パ
ネルに基づき組み立てられた冷陰極電界電子放出表示装
置における輝度の経時変化を調べた結果を示すグラフで
ある。

【図５】図５の（Ａ）〜（Ｄ）は、発明の実施の形態２
の蛍光体粒子の製造方法及び表示用パネルの製造方法を
説明するための支持体等の模式的な断面図である。

【図６】図６の（Ａ）〜（Ｄ）は、図５の（Ｄ）に引き
続き、発明の実施の形態２の蛍光体粒子の製造方法及び
表示用パネルの製造方法を説明するための支持体等の模
式的な断面図である。

【図７】図７は、発明の実施の形態２の表示用パネル、
冷陰極電界電子放出表示装置の模式的な一部端面図であ
る。

【図８】図８の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、発光体
層がマトリクス状（ドット状）に配置された表示用パネ
ルの模式的な平面図、及び、模式的な一部断面図であ
る。

【図９】図９の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、発光体
層がストライプ状に配置された表示用パネルの模式的な
平面図、及び、模式的な一部断面図である。

【図１０】図１０の（Ａ）及び（Ｂ）は、スピント型冷
陰極電界電子放出素子から成る第１の構造を有する発明
の実施の形態１の冷陰極電界電子放出素子の製造方法を
説明するための基板等の模式的な一部端面図である。

【図１１】図１１の（Ａ）及び（Ｂ）は、図１０の
（Ｂ）に引き続き、スピント型冷陰極電界電子放出素子
から成る第１の構造を有する発明の実施の形態１の冷陰
極電界電子放出素子の製造方法を説明するための基板等
の模式的な一部端面図である。

【図１２】図１２は、レーザーアブレーション装置の概
要を示す図である。

【図１３】図１３の（Ａ）及び（Ｂ）は、扁平型冷陰極
電界電子放出素子（その１）の製造方法を説明するため
の基板等の模式的な一部断面図である。

【図１４】図１４の（Ａ）及び（Ｂ）は、図１３の
（Ｂ）に引き続き、扁平型冷陰極電界電子放出素子（そ
の１）の製造方法を説明するための基板等の模式的な一
部断面図である。

【図１５】図１５の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、扁
平型冷陰極電界電子放出素子（その２）の模式的な一部
断面図、及び、平面型冷陰極電界電子放出素子の模式的
な一部断面図である。

【図１６】図１６は、プラズマ表示装置の概念的な分解
斜視図である。

【図１７】図１７は、収束電極を有するスピント型冷陰
極電界電子放出素子の模式的な一部端面図である。

【図１８】図１８は、所謂２電極型の冷陰極電界電子放
出表示装置の模式的な一部断面図である。

【図１９】図１９は、（ＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｌ）から成る
青色を発光する従来の蛍光体粒子における加速電圧と輝
度低下との関係の一例を示すグラフである。

【符号の説明】

１０・・・背面パネル（カソードパネル）、１１・・・
基板、１２・・・カソード電極、１３・・・絶縁層、１
４・・・ゲート電極、１５，１５Ａ，１５Ｂ・・・開口
部、１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｄ・・・電子放出部、１６Ｃ
・・・電子放出層、１７・・・剥離層、１８・・・導電
体層、２０・・・表示用パネル（アノードパネル）、２
１・・・支持体、２２，２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂ・・・
発光体層、２３・・・隔壁、２４・・・アノード電極、
２５・・・ドライ・フィルム、２６・・・中間膜、３０
・・・枠体、３１・・・カソード電極駆動回路、３２・
・・ゲート電極駆動回路、３３・・・加速電源（アノー
ド電極駆動回路）、４０・・・マトリックス、４１・・
・カーボン・ナノチューブ、５０・・・フロントパネ
ル、５１・・・第１の基板、５２Ａ・・・放電維持電
極、５２Ｂ・・・バス電極、５３・・・保護層、５４・
・・リアパネル（表示用パネル）、５５・・・第２の基
板（支持体）、５６・・・アドレス電極、５７・・・誘
電体膜、５８，５８Ｒ，５８Ｇ，５８Ｂ・・・発光体
層、５９・・・隔壁、６２・・・第２の絶縁層、６３・
・・収束電極、６４・・・第３開口部

フロントページの続き (72)発明者林宗治東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内 (72)発明者大野勝利東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内 (72)発明者楠木常夫東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内Ｆターム(参考） 4H001 CA01 CC11 5C028 HH14

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】酸化珪素を主成分としたガラス状薄膜が表
面に形成されており、該ガラス状薄膜の出発物質は、水ガラス及び酢酸塩であ
ることを特徴とする蛍光体粒子。
【請求項２】酢酸塩は、酢酸バリウム、酢酸ストロンチ
ウム及び酢酸アルミニウムから成る群から選択された少
なくとも１種の酢酸塩であることを特徴とする請求項１
に記載の蛍光体粒子。
【請求項３】酸化珪素を主成分としたガラス状薄膜が表
面に形成されており、該ガラス状薄膜の出発物質は、水ガラス及び硝酸塩であ
ることを特徴とする蛍光体粒子。
【請求項４】硝酸塩は、硝酸バリウム、硝酸ストロンチ
ウム及び硝酸アルミニウムから成る群から選択された少
なくとも１種の硝酸塩であることを特徴とする請求項３
に記載の蛍光体粒子。
【請求項５】水ガラスと蛍光体粒子と酢酸塩との混合溶
液中で、水ガラスと酢酸塩とを反応させ、蛍光体粒子の
表面に酸化珪素を主成分としたガラス状薄膜を形成する
ことを特徴とする蛍光体粒子の製造方法。
【請求項６】酢酸塩は、酢酸バリウム、酢酸ストロンチ
ウム及び酢酸アルミニウムから成る群から選択された少
なくとも１種の酢酸塩であることを特徴とする請求項５
に記載の蛍光体粒子の製造方法。
【請求項７】水ガラスと蛍光体粒子と硝酸塩との混合溶
液中で、水ガラスと硝酸塩とを反応させ、蛍光体粒子の
表面に酸化珪素を主成分としたガラス状薄膜を形成する
ことを特徴とする蛍光体粒子の製造方法。
【請求項８】硝酸塩は、硝酸バリウム、硝酸ストロンチ
ウム及び硝酸アルミニウムから成る群から選択された少
なくとも１種の硝酸塩であることを特徴とする請求項７
に記載の蛍光体粒子の製造方法。
【請求項９】支持体、真空空間中から飛来した電子の照
射によって発光する蛍光体粒子から成る発光体層、及
び、電極から成る表示用パネルであって、該蛍光体粒子の表面には、酸化珪素を主成分としたガラ
ス状薄膜が形成されており、該ガラス状薄膜の出発物質は、水ガラス及び酢酸塩であ
ることを特徴とする表示用パネル。
【請求項１０】酢酸塩は、酢酸バリウム、酢酸ストロン
チウム及び酢酸アルミニウムから成る群から選択された
少なくとも１種の酢酸塩であることを特徴とする請求項
９に記載の表示用パネル。
【請求項１１】支持体、真空空間中から飛来した電子の
照射によって発光する蛍光体粒子から成る発光体層、及
び、電極から成る表示用パネルであって、該蛍光体粒子の表面には、酸化珪素を主成分としたガラ
ス状薄膜が形成されており、該ガラス状薄膜の出発物質は、水ガラス及び硝酸塩であ
ることを特徴とする表示用パネル。
【請求項１２】硝酸塩は、硝酸バリウム、硝酸ストロン
チウム及び硝酸アルミニウムから成る群から選択された
少なくとも１種の硝酸塩であることを特徴とする請求項
１１に記載の表示用パネル。
【請求項１３】支持体、真空空間中から飛来した電子の
照射によって発光する蛍光体粒子から成る発光体層、及
び、電極から成る表示用パネルの製造方法であって、水ガラスと蛍光体粒子と酢酸塩との混合溶液中で、水ガ
ラスと酢酸塩とを反応させ、蛍光体粒子の表面に酸化珪
素を主成分としたガラス状薄膜を形成し、該ガラス状薄
膜によって、該混合溶液中に配置された支持体上に蛍光
体粒子を固定し、且つ、蛍光体粒子と蛍光体粒子とを固
定し、以て、該支持体上に蛍光体粒子から構成された発
光体層を形成することを特徴とする表示用パネルの製造
方法。
【請求項１４】水ガラスと酢酸塩とを反応させる工程
は、酢酸塩の溶液中に支持体を浸漬し、該溶液中に水ガ
ラスと蛍光体粒子の混合物溶液を添加し、酢酸塩と該混
合物溶液中の水ガラスとを反応させる工程から成ること
を特徴とする請求項１３に記載の表示用パネルの製造方
法。
【請求項１５】支持体の表面には隔壁が形成されてお
り、発光体層を形成しない支持体の領域の上方に、隔壁
頂面によって担持されたフィルムを予め配設しておき、
発光体層の形成後、該フィルムを除去することを特徴と
する請求項１３に記載の表示用パネルの製造方法。
【請求項１６】発光体層の形成後、発光体層上に電極を
形成することを特徴とする請求項１３に記載の表示用パ
ネルの製造方法。
【請求項１７】酢酸塩は、酢酸バリウム、酢酸ストロン
チウム及び酢酸アルミニウムから成る群から選択された
少なくとも１種の酢酸塩であることを特徴とする請求項
１３に記載の表示用パネルの製造方法。
【請求項１８】支持体、真空空間中から飛来した電子の
照射によって発光する蛍光体粒子から成る発光体層、及
び、電極から成る表示用パネルの製造方法であって、水ガラスと蛍光体粒子と硝酸塩との混合溶液中で、水ガ
ラスと硝酸塩とを反応させ、蛍光体粒子の表面に酸化珪
素を主成分としたガラス状薄膜を形成し、該ガラス状薄
膜によって、該混合溶液中に配置された支持体上に蛍光
体粒子を固定し、且つ、蛍光体粒子と蛍光体粒子とを固
定し、以て、該支持体上に蛍光体粒子から構成された発
光体層を形成することを特徴とする表示用パネルの製造
方法。
【請求項１９】水ガラスと硝酸塩とを反応させる工程
は、硝酸塩の溶液中に支持体を浸漬し、該溶液中に水ガ
ラスと蛍光体粒子の混合物溶液を添加し、硝酸塩と該混
合物溶液中の水ガラスとを反応させる工程から成ること
を特徴とする請求項１８に記載の表示用パネルの製造方
法。
【請求項２０】支持体の表面には隔壁が形成されてお
り、発光体層を形成しない支持体の領域の上方に、隔壁
頂面によって担持されたフィルムを予め配設しておき、
発光体層の形成後、該フィルムを除去することを特徴と
する請求項１８に記載の表示用パネルの製造方法。
【請求項２１】発光体層の形成後、発光体層上に電極を
形成することを特徴とする請求項１８に記載の表示用パ
ネルの製造方法。
【請求項２２】硝酸塩は、硝酸バリウム、硝酸ストロン
チウム及び硝酸アルミニウムから成る群から選択された
少なくとも１種の硝酸塩であることを特徴とする請求項
１８に記載の表示用パネルの製造方法。
【請求項２３】表示用パネルと、複数の電子放出領域を
有する背面パネルとが真空空間を挟んで対向配置されて
成る平面型表示装置であって、表示用パネルは、支持体、電子放出領域から飛来した電
子の照射によって発光する蛍光体粒子から成る発光体
層、及び、電極から成り、該蛍光体粒子の表面には、酸化珪素を主成分としたガラ
ス状薄膜が形成されており、該ガラス状薄膜の出発物質は、水ガラス及び酢酸塩であ
ることを特徴とする平面型表示装置。
【請求項２４】酢酸塩は、酢酸バリウム、酢酸ストロン
チウム及び酢酸アルミニウムから成る群から選択された
少なくとも１種の酢酸塩であることを特徴とする請求項
２３に記載の平面型表示装置。
【請求項２５】表示用パネルと、複数の電子放出領域を
有する背面パネルとが真空空間を挟んで対向配置されて
成る平面型表示装置であって、表示用パネルは、支持体、電子放出領域から飛来した電
子の照射によって発光する蛍光体粒子から成る発光体
層、及び、電極から成り、該蛍光体粒子の表面には、酸化珪素を主成分としたガラ
ス状薄膜が形成されており、該ガラス状薄膜の出発物質は、水ガラス及び硝酸塩であ
ることを特徴とする平面型表示装置。
【請求項２６】硝酸塩は、硝酸バリウム、硝酸ストロン
チウム及び硝酸アルミニウムから成る群から選択された
少なくとも１種の硝酸塩であることを特徴とする請求項
２５に記載の平面型表示装置。
【請求項２７】表示用パネルと、複数の電子放出領域を
有する背面パネルとが真空空間を挟んで対向配置されて
成る平面型表示装置の製造方法であって、表示用パネルを、水ガラスと蛍光体粒子と酢酸塩との混合溶液中で、水ガ
ラスと酢酸塩とを反応させ、蛍光体粒子の表面に酸化珪
素を主成分としたガラス状薄膜を形成し、該ガラス状薄
膜によって、該混合溶液中に配置された支持体上に蛍光
体粒子を固定し、且つ、蛍光体粒子と蛍光体粒子とを固
定し、以て、該支持体上に蛍光体粒子から構成された発
光体層を形成する、工程にて製造することを特徴とする
平面型表示装置の製造方法。
【請求項２８】水ガラスと酢酸塩とを反応させる工程
は、酢酸塩の溶液中に支持体を浸漬し、該溶液中に水ガ
ラスと蛍光体粒子の混合物溶液を添加し、酢酸塩と該混
合物溶液中の水ガラスとを反応させる工程から成ること
を特徴とする請求項２７に記載の平面型表示装置の製造
方法。
【請求項２９】支持体の表面には隔壁が形成されてお
り、発光体層を形成しない支持体の領域の上方に、隔壁
頂面によって担持されたフィルムを予め配設しておき、
発光体層の形成後、該フィルムを除去することを特徴と
する請求項２７に記載の平面型表示装置の製造方法。
【請求項３０】発光体層の形成後、発光体層上に電極を
形成することを特徴とする請求項２７に記載の平面型表
示装置の製造方法。
【請求項３１】酢酸塩は、酢酸バリウム、酢酸ストロン
チウム及び酢酸アルミニウムから成る群から選択された
少なくとも１種の酢酸塩であることを特徴とする請求項
２７に記載の平面型表示装置の製造方法。
【請求項３２】表示用パネルと、複数の電子放出領域を
有する背面パネルとが真空空間を挟んで対向配置されて
成る平面型表示装置の製造方法であって、表示用パネルを、水ガラスと蛍光体粒子と硝酸塩との混合溶液中で、水ガ
ラスと硝酸塩とを反応させ、蛍光体粒子の表面に酸化珪
素を主成分としたガラス状薄膜を形成し、該ガラス状薄
膜によって、該混合溶液中に配置された支持体上に蛍光
体粒子を固定し、且つ、蛍光体粒子と蛍光体粒子とを固
定し、以て、該支持体上に蛍光体粒子から構成された発
光体層を形成する、工程にて製造することを特徴とする
平面型表示装置の製造方法。
【請求項３３】水ガラスと硝酸塩とを反応させる工程
は、硝酸塩の溶液中に支持体を浸漬し、該溶液中に水ガ
ラスと蛍光体粒子の混合物溶液を添加し、硝酸塩と該混
合物溶液中の水ガラスとを反応させる工程から成ること
を特徴とする請求項３２に記載の平面型表示装置の製造
方法。
【請求項３４】支持体の表面には隔壁が形成されてお
り、発光体層を形成しない支持体の領域の上方に、隔壁
頂面によって担持されたフィルムを予め配設しておき、
発光体層の形成後、該フィルムを除去することを特徴と
する請求項３２に記載の平面型表示装置の製造方法。
【請求項３５】発光体層の形成後、発光体層上に電極を
形成することを特徴とする請求項３２に記載の平面型表
示装置の製造方法。
【請求項３６】硝酸塩は、硝酸バリウム、硝酸ストロン
チウム及び硝酸アルミニウムから成る群から選択された
少なくとも１種の硝酸塩であることを特徴とする請求項
３２に記載の平面型表示装置の製造方法。
【請求項３７】酸化珪素を主成分としたガラス状薄膜が
表面に形成されており、該ガラス状薄膜上に金属酸化膜
が形成されていることを特徴とする蛍光体粒子。
【請求項３８】ガラス状薄膜の出発物質は、水ガラス及
び酢酸塩であることを特徴とする請求項３７に記載の蛍
光体粒子。
【請求項３９】酢酸塩は、酢酸バリウム、酢酸ストロン
チウム及び酢酸アルミニウムから成る群から選択された
少なくとも１種の酢酸塩であることを特徴とする請求項
３８に記載の蛍光体粒子。
【請求項４０】ガラス状薄膜の出発物質は、水ガラス及
び硝酸塩であることを特徴とする請求項３７に記載の蛍
光体粒子。
【請求項４１】硝酸塩は、硝酸バリウム、硝酸ストロン
チウム及び硝酸アルミニウムから成る群から選択された
少なくとも１種の硝酸塩であることを特徴とする請求項
４０に記載の蛍光体粒子。
【請求項４２】金属酸化膜は酸化亜鉛から成ることを特
徴とする請求項３７に記載の蛍光体粒子。
【請求項４３】金属酸化膜はインジウム−錫酸化物から
成ることを特徴とする請求項３７に記載の蛍光体粒子。
【請求項４４】金属酸化膜は酸化インジウムから成るこ
とを特徴とする請求項３７に記載の蛍光体粒子。
【請求項４５】（Ａ）水ガラスと蛍光体粒子と酢酸塩と
の混合溶液中で、水ガラスと酢酸塩とを反応させ、蛍光
体粒子の表面に酸化珪素を主成分としたガラス状薄膜を
形成する工程と、（Ｂ）該ガラス状薄膜上に金属酸化膜を形成する工程、
から成ることを特徴とする蛍光体粒子の製造方法。
【請求項４６】酢酸塩は、酢酸バリウム、酢酸ストロン
チウム及び酢酸アルミニウムから成る群から選択された
少なくとも１種の酢酸塩であることを特徴とする請求項
４５に記載の蛍光体粒子の製造方法。
【請求項４７】金属酸化膜の形成は、レーザーアブレー
ション法に基づくことを特徴とする請求項４５に記載の
蛍光体粒子の製造方法。
【請求項４８】金属酸化膜は酸化亜鉛から成ることを特
徴とする請求項４５に記載の蛍光体粒子の製造方法。
【請求項４９】金属酸化膜はインジウム−錫酸化物から
成ることを特徴とする請求項４５に記載の蛍光体粒子の
製造方法。
【請求項５０】金属酸化膜は酸化インジウムから成るこ
とを特徴とする請求項４５に記載の蛍光体粒子の製造方
法。
【請求項５１】（Ａ）水ガラスと蛍光体粒子と硝酸塩と
の混合溶液中で、水ガラスと硝酸塩とを反応させ、蛍光
体粒子の表面に酸化珪素を主成分としたガラス状薄膜を
形成する工程と、（Ｂ）該ガラス状薄膜上に金属酸化膜を形成する工程、
から成ることを特徴とする蛍光体粒子の製造方法。
【請求項５２】硝酸塩は、硝酸バリウム、硝酸ストロン
チウム及び硝酸アルミニウムから成る群から選択された
少なくとも１種の硝酸塩であることを特徴とする請求項
５１に記載の蛍光体粒子の製造方法。
【請求項５３】金属酸化膜の形成は、レーザーアブレー
ション法に基づくことを特徴とする請求項５１に記載の
蛍光体粒子の製造方法。
【請求項５４】金属酸化膜は酸化亜鉛から成ることを特
徴とする請求項５１に記載の蛍光体粒子の製造方法。
【請求項５５】金属酸化膜はインジウム−錫酸化物から
成ることを特徴とする請求項５１に記載の蛍光体粒子の
製造方法。
【請求項５６】金属酸化膜は酸化インジウムから成るこ
とを特徴とする請求項５１に記載の蛍光体粒子の製造方
法。
【請求項５７】支持体、真空空間中から飛来した電子の
照射によって発光する蛍光体粒子から成る発光体層、及
び、電極から成る表示用パネルであって、該蛍光体粒子の表面には、酸化珪素を主成分としたガラ
ス状薄膜が形成されており、該ガラス状薄膜上に金属酸
化膜が形成されていることを特徴とする表示用パネル。
【請求項５８】ガラス状薄膜の出発物質は、水ガラス及
び酢酸塩であることを特徴とする請求項５７に記載の表
示用パネル。
【請求項５９】酢酸塩は、酢酸バリウム、酢酸ストロン
チウム及び酢酸アルミニウムから成る群から選択された
少なくとも１種の酢酸塩であることを特徴とする請求項
５８に記載の表示用パネル。
【請求項６０】ガラス状薄膜の出発物質は、水ガラス及
び硝酸塩であることを特徴とする請求項５７に記載の表
示用パネル。
【請求項６１】硝酸塩は、硝酸バリウム、硝酸ストロン
チウム及び硝酸アルミニウムから成る群から選択された
少なくとも１種の硝酸塩であることを特徴とする請求項
６０に記載の表示用パネル。
【請求項６２】金属酸化膜は酸化亜鉛から成ることを特
徴とする請求項５７に記載の表示用パネル。
【請求項６３】金属酸化膜はインジウム−錫酸化物から
成ることを特徴とする請求項５７に記載の表示用パネ
ル。
【請求項６４】金属酸化膜は酸化インジウムから成るこ
とを特徴とする請求項５７に記載の表示用パネル。
【請求項６５】支持体、真空空間中から飛来した電子の
照射によって発光する蛍光体粒子から成る発光体層、及
び、電極から成る表示用パネルの製造方法であって、蛍光体粒子を、（Ａ）水ガラスと蛍光体粒子と酢酸塩との混合溶液中
で、水ガラスと酢酸塩とを反応させ、蛍光体粒子の表面
に酸化珪素を主成分としたガラス状薄膜を形成する工程
と、（Ｂ）該ガラス状薄膜上に金属酸化膜を形成する工程、
を経て形成することを特徴とする表示用パネルの製造方
法。
【請求項６６】酢酸塩は、酢酸バリウム、酢酸ストロン
チウム及び酢酸アルミニウムから成る群から選択された
少なくとも１種の酢酸塩であることを特徴とする請求項
６５に記載の表示用パネルの製造方法。
【請求項６７】金属酸化膜の形成は、レーザーアブレー
ション法に基づくことを特徴とする請求項６５に記載の
表示用パネルの製造方法。
【請求項６８】金属酸化膜は酸化亜鉛から成ることを特
徴とする請求項６５に記載の表示用パネルの製造方法。
【請求項６９】金属酸化膜はインジウム−錫酸化物から
成ることを特徴とする請求項６５に記載の表示用パネル
の製造方法。
【請求項７０】金属酸化膜は酸化インジウムから成るこ
とを特徴とする請求項６５に記載の表示用パネルの製造
方法。
【請求項７１】発光体層の形成後、発光体層上に電極を
形成することを特徴とする請求項６５に記載の表示用パ
ネルの製造方法。
【請求項７２】支持体、真空空間中から飛来した電子の
照射によって発光する蛍光体粒子から成る発光体層、及
び、電極から成る表示用パネルの製造方法であって、蛍光体粒子を、（Ａ）水ガラスと蛍光体粒子と硝酸塩との混合溶液中
で、水ガラスと硝酸塩とを反応させ、蛍光体粒子の表面
に酸化珪素を主成分としたガラス状薄膜を形成する工程
と、（Ｂ）該ガラス状薄膜上に金属酸化膜を形成する工程、
を経て形成することを特徴とする表示用パネルの製造方
法。
【請求項７３】硝酸塩は、硝酸バリウム、硝酸ストロン
チウム及び硝酸アルミニウムから成る群から選択された
少なくとも１種の硝酸塩であることを特徴とする請求項
７２に記載の表示用パネルの製造方法。
【請求項７４】金属酸化膜の形成は、レーザーアブレー
ション法に基づくことを特徴とする請求項７２に記載の
表示用パネルの製造方法。
【請求項７５】金属酸化膜は酸化亜鉛から成ることを特
徴とする請求項７２に記載の表示用パネルの製造方法。
【請求項７６】金属酸化膜はインジウム−錫酸化物から
成ることを特徴とする請求項７２に記載の表示用パネル
の製造方法。
【請求項７７】金属酸化膜は酸化インジウムから成るこ
とを特徴とする請求項７２に記載の表示用パネルの製造
方法。
【請求項７８】発光体層の形成後、発光体層上に電極を
形成することを特徴とする請求項７２に記載の表示用パ
ネルの製造方法。
【請求項７９】表示用パネルと、複数の電子放出領域を
有する背面パネルとが真空空間を挟んで対向配置されて
成る平面型表示装置であって、表示用パネルは、支持体、電子放出領域から飛来した電
子の照射によって発光する蛍光体粒子から成る発光体
層、及び、電極から成り、該蛍光体粒子の表面には、酸化珪素を主成分としたガラ
ス状薄膜が形成されており、該ガラス状薄膜上に金属酸
化膜が形成されていることを特徴とする平面型表示装
置。
【請求項８０】ガラス状薄膜の出発物質は、水ガラス及
び酢酸塩であることを特徴とする請求項７９に記載の平
面型表示装置。
【請求項８１】酢酸塩は、酢酸バリウム、酢酸ストロン
チウム及び酢酸アルミニウムから成る群から選択された
少なくとも１種の酢酸塩であることを特徴とする請求項
８０に記載の平面型表示装置。
【請求項８２】ガラス状薄膜の出発物質は、水ガラス及
び硝酸塩であることを特徴とする請求項７９に記載の平
面型表示装置。
【請求項８３】硝酸塩は、硝酸バリウム、硝酸ストロン
チウム及び硝酸アルミニウムから成る群から選択された
少なくとも１種の硝酸塩であることを特徴とする請求項
８２に記載の平面型表示装置。
【請求項８４】金属酸化膜は酸化亜鉛から成ることを特
徴とする請求項７９に記載の平面型表示装置。
【請求項８５】金属酸化膜はインジウム−錫酸化物から
成ることを特徴とする請求項７９に記載の平面型表示装
置。
【請求項８６】金属酸化膜は酸化インジウムから成るこ
とを特徴とする請求項７９に記載の平面型表示装置。
【請求項８７】表示用パネルと、複数の電子放出領域を
有する背面パネルとが真空空間を挟んで対向配置されて
成る平面型表示装置の製造方法であって、表示用パネルは、支持体、真空空間中から飛来した電子
の照射によって発光する蛍光体粒子から成る発光体層、
及び、電極から成り、蛍光体粒子を、（Ａ）水ガラスと蛍光体粒子と酢酸塩との混合溶液中
で、水ガラスと酢酸塩とを反応させ、蛍光体粒子の表面
に酸化珪素を主成分としたガラス状薄膜を形成する工程
と、（Ｂ）該ガラス状薄膜上に金属酸化膜を形成する工程、
を経て形成することを特徴とする平面型表示装置の製造
方法。
【請求項８８】酢酸塩は、酢酸バリウム、酢酸ストロン
チウム及び酢酸アルミニウムから成る群から選択された
少なくとも１種の酢酸塩であることを特徴とする請求項
８７に記載の平面型表示装置の製造方法。
【請求項８９】金属酸化膜の形成は、レーザーアブレー
ション法に基づくことを特徴とする請求項８７に記載の
平面型表示装置の製造方法。
【請求項９０】金属酸化膜は酸化亜鉛から成ることを特
徴とする請求項８７に記載の平面型表示装置の製造方
法。
【請求項９１】金属酸化膜はインジウム−錫酸化物から
成ることを特徴とする請求項８７に記載の平面型表示装
置の製造方法。
【請求項９２】金属酸化膜は酸化インジウムから成るこ
とを特徴とする請求項８７に記載の平面型表示装置の製
造方法。
【請求項９３】発光体層の形成後、発光体層上に電極を
形成することを特徴とする請求項８７に記載の平面型表
示装置の製造方法。
【請求項９４】表示用パネルと、複数の電子放出領域を
有する背面パネルとが真空空間を挟んで対向配置されて
成る平面型表示装置の製造方法であって、表示用パネルは、支持体、真空空間中から飛来した電子
の照射によって発光する蛍光体粒子から成る発光体層、
及び、電極から成り、蛍光体粒子を、（Ａ）水ガラスと蛍光体粒子と硝酸塩との混合溶液中
で、水ガラスと硝酸塩とを反応させ、蛍光体粒子の表面
に酸化珪素を主成分としたガラス状薄膜を形成する工程
と、（Ｂ）該ガラス状薄膜上に金属酸化膜を形成する工程、
を経て形成することを特徴とする平面型表示装置の製造
方法。
【請求項９５】硝酸塩は、硝酸バリウム、硝酸ストロン
チウム及び硝酸アルミニウムから成る群から選択された
少なくとも１種の硝酸塩であることを特徴とする請求項
９４に記載の平面型表示装置の製造方法。
【請求項９６】金属酸化膜の形成は、レーザーアブレー
ション法に基づくことを特徴とする請求項９４に記載の
平面型表示装置の製造方法。
【請求項９７】金属酸化膜は酸化亜鉛から成ることを特
徴とする請求項９４に記載の平面型表示装置の製造方
法。
【請求項９８】金属酸化膜はインジウム−錫酸化物から
成ることを特徴とする請求項９４に記載の平面型表示装
置の製造方法。
【請求項９９】金属酸化膜は酸化インジウムから成るこ
とを特徴とする請求項９４に記載の平面型表示装置の製
造方法。
【請求項１００】発光体層の形成後、発光体層上に電極
を形成することを特徴とする請求項９４に記載の平面型
表示装置の製造方法。