JP2009249525A - 蛍光体粒子及び平面型表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】蛍光体粒子は、(A)蛍光体粒子本体、及び、(B)蛍光体粒子本体の表面に形成された、窒化クロム、窒化チタン、窒化タングステン及び窒化ホウ素から成る群から選択されたいずれか1種類の窒化物から成る薄膜から構成されている。
【選択図】 図1
Description
(A)蛍光体粒子本体、及び、
(B)蛍光体粒子本体の表面に形成された、窒化クロム、窒化チタン、窒化タングステン及び窒化ホウ素から成る群から選択されたいずれか1種類の窒化物から成る薄膜、
から構成されている。
(A)蛍光体粒子本体、及び、
(B)蛍光体粒子本体の表面に形成された、窒化クロム、窒化チタン、窒化タングステン及び窒化ホウ素から成る群から選択されたいずれか1種類の窒化物から成る薄膜、
から構成されている。
(A)蛍光体粒子本体、及び、
(B)蛍光体粒子本体の表面に形成された、クロム、チタン、バナジウム、マンガン、コバルト、ニッケル、銅、タングステン、パラジウム、白金及び金から成る群から選択されたいずれか1種類の金属から成る薄膜、
から構成されている。尚、薄膜を構成する金属元素は、蛍光体粒子本体に含まれる付活剤を構成する元素と異なることが望ましい。
(A)蛍光体粒子本体、及び、
(B)蛍光体粒子本体の表面に形成された、クロム、チタン、バナジウム、マンガン、コバルト、ニッケル、銅、タングステン、パラジウム、白金及び金から成る群から選択されたいずれか1種類の金属から成る薄膜、
から構成されている。尚、薄膜を構成する金属元素は、蛍光体粒子本体に含まれる付活剤を構成する元素と異なることが望ましい。
(A)蛍光体粒子本体、及び、
(B)蛍光体粒子本体の表面に形成された、炭化ケイ素、炭化チタン及び炭化タングステンから成る群から選択されたいずれか1種類の炭化物から成る薄膜、
から構成されている。
(A)蛍光体粒子本体、及び、
(B)蛍光体粒子本体の表面に形成された、炭化ケイ素、炭化チタン及び炭化タングステンから成る群から選択されたいずれか1種類の炭化物から成る薄膜、
から構成されている。
(A)波長550nmにて測定した光反射率が98%以下、好ましくは90%以下、より好ましくは85%以下である蛍光体粒子本体、及び、
(B)蛍光体粒子本体の表面に形成された薄膜、
から構成されている。
(A)波長550nmにて測定した光反射率が98%以下、好ましくは90%以下、より好ましくは85%以下である蛍光体粒子本体、及び、
(B)蛍光体粒子本体の表面に形成された薄膜、
から構成されている。
(A)蛍光体粒子本体、及び、
(B)蛍光体粒子本体の表面に形成された薄膜、
から構成されており、
薄膜を構成する材料の波長550nmにて測定した光反射率が、薄膜の膜厚を10nmとして測定したとき、85%以下、好ましくは80%以下である。
(A)蛍光体粒子本体、及び、
(B)蛍光体粒子本体の表面に形成された薄膜、
から構成されており、
薄膜を構成する材料の波長550nmにて測定した光反射率が、薄膜の膜厚を10nmとして測定したとき、85%以下、好ましくは80%以下である。
0.8≦Rf650/Rf450≦1.2
好ましくは、
0.9≦Rf650/Rf450≦1.1
を満足することが望ましい。
0.8≦Rf650/Rf450≦1.2
好ましくは、
0.9≦Rf650/Rf450≦1.1
を満足する。
(a)支持体上に形成された帯状のカソード電極、
(b)支持体及びカソード電極上に形成された絶縁層、
(c)絶縁層上に形成された帯状のゲート電極、
(d)カソード電極とゲート電極の重複する重複領域に位置するゲート電極及び絶縁層の部分に設けられ、底部にカソード電極が露出した開口部、及び、
(e)開口部の底部に露出したカソード電極上に設けられ、カソード電極及びゲート電極への電圧の印加によって電子放出が制御される電子放出部、
から成る。
(1)支持体上にカソード電極を形成する工程、
(2)全面(支持体及びカソード電極上)に絶縁層を形成する工程、
(3)絶縁層上にゲート電極を形成する工程、
(4)カソード電極とゲート電極との重複領域におけるゲート電極及び絶縁層の部分に開口部を形成し、開口部の底部にカソード電極を露出させる工程、
(5)開口部の底部に位置するカソード電極上に電子放出部を形成する工程。
(1)支持体上にカソード電極を形成する工程、
(2)カソード電極上に電子放出部を形成する工程、
(3)全面(支持体及び電子放出部上、あるいは、支持体、カソード電極及び電子放出部上)に絶縁層を形成する工程、
(4)絶縁層上にゲート電極を形成する工程、
(5)カソード電極とゲート電極との重複領域におけるゲート電極及び絶縁層の部分に開口部を形成し、開口部の底部に電子放出部を露出させる工程。
(a)支持体10上に形成された帯状のカソード電極11、
(b)支持体10及びカソード電極11上に形成された絶縁層12、
(c)絶縁層12上に形成された帯状のゲート電極13、
(d)カソード電極11とゲート電極13の重複する重複領域に位置するゲート電極13及び絶縁層12の部分に設けられ、底部にカソード電極11が露出した開口部14(ゲート電極13に設けられた第1開口部14A、及び、絶縁層12に設けられた第2開口部14B)、並びに、
(e)開口部14の底部に露出したカソード電極11上に設けられ、カソード電極11及びゲート電極13への電圧の印加によって電子放出が制御される電子放出部15、
から構成されている。ここで、電子放出部15の形状は円錐形である。また、絶縁層12上には層間絶縁層16が形成されており、層間絶縁層16上には収束電極17が形成されている。
(1)カソード電極11に印加する電圧VCを一定とし、ゲート電極13に印加する電圧VGを変化させる方式
(2)カソード電極11に印加する電圧VCを変化させ、ゲート電極13に印加する電圧VGを一定とする方式
(3)カソード電極11に印加する電圧VCを変化させ、且つ、ゲート電極13に印加する電圧VGも変化させる方式
のいずれを採用してもよいが、実施例における表示装置においては、上述の(2)の方式を採用する。
(A)蛍光体粒子本体、及び、
(B)蛍光体粒子本体の表面に形成された、窒化クロム、窒化チタン、窒化タングステン及び窒化ホウ素から成る群から選択されたいずれか1種類の窒化物から成る薄膜、具体的には、実施例1にあっては、窒化クロム(CrN)から成る薄膜、
から構成されている。また、実施例1の表示装置において、蛍光体領域22を構成する蛍光体粒子は、
(A)蛍光体粒子本体、及び、
(B)蛍光体粒子本体の表面に形成された、窒化クロム、窒化チタン、窒化タングステン及び窒化ホウ素から成る群から選択されたいずれか1種類の窒化物から成る薄膜、具体的には、実施例1にあっては、上記の窒化物から成る薄膜、
から構成されている。
先ず、蛍光体粒子本体に前処理を施す。即ち、蛍光体粒子本体は、例えば、直径3μm〜10μmと微細な粒子であるので、大きな表面積を有する。そのため、蛍光体粒子本体が占める雰囲気を真空としたとき、蛍光体粒子本体は、大気中で吸着していた水分や酸素ガス等の吸着ガスを徐々に放出し、薄膜をスパッタリング法にて形成しているとき、スパッタイオンやターゲットと反応して、薄膜の化学的組成にズレが生ずる虞がある。それ故、薄膜を形成する前の前処理として、蛍光体粒子本体の乾燥、脱ガス処理を行うことが望ましい。
次いで、スパッタリング法にて、蛍光体粒子本体の表面に、CrNから成る薄膜を形成する。即ち、所定のスパッタ電流密度で、一定のガス組成、流量及び圧力下において、一定時間、所定のターゲット−蛍光体粒子間距離(以下、『T−S間距離』と呼ぶ)にて、スパッタリングを行う。尚、蛍光体粒子本体の表面に均一な膜厚の薄膜を形成するために、蛍光体粒子本体を撹拌しながらスパッタリングを行う。
ターゲット :クロム(Cr)
プロセスガス :Ar/N2/O2=20/8/0.1(体積比)
スパッタリング電力:500W
T−S間距離 :75ミリメートル
その後、以下のDCスパッタリング条件にてSiOX膜を形成する。こうして、薄膜及びSiOX膜の2層構造を表面に有する蛍光体粒子を得ることができた。
ターゲット :n型シリコン(Si)
プロセスガス :Ar/O2=10/0.2(体積比)
スパッタリング電力:500W
T−S間距離 :75ミリメートル
先ず、基板20上に格子状の隔壁21を形成する(図6の(A)参照)。尚、隔壁21は、スペーサ保持部25としても機能する。具体的には、感光性ポリイミド樹脂層を塗布法に基づき基板20上に形成した後、フォトリソグラフィ技術及び現像によって感光性ポリイミド樹脂層を選択的に除去し、次いで、残存した感光性ポリイミド樹脂層を焼成することにより、井桁状の隔壁21、及び、スペーサ保持部25を形成する。隔壁21の開口領域の大きさを、およそ、縦×横×高さ=280μm×100μm×40μmとした。尚、隔壁21の形成前に、隔壁21を形成すべき基板20の部分の表面に、例えば、酸化クロムから成る光吸収層(ブラックマトリックス)23を形成することが好ましい。具体的には、酸化コバルト等の金属酸化物により黒色に着色した低融点ガラスペーストをスクリーン印刷法にて基板20上に印刷し、次いで、係る低融点ガラスペーストを焼成することによって格子状の光吸収層23を形成すればよい。尚、光吸収層23の厚さを、およそ、8μmとした。
次に、隔壁21によって取り囲まれた基板20の部分の上に、蛍光体領域22を形成する(図6の(B)参照)。具体的には、赤色発光蛍光体領域22Rを形成するために、例えばポリビニルアルコール(PVA)樹脂と水に、上述した[工程−100]〜[工程−120]にて得られた赤色発光蛍光体粒子を分散させ、更に、重クロム酸アンモニウムを添加した赤色発光蛍光体スラリーを全面に塗布した後、係る赤色発光蛍光体スラリーを乾燥する。その後、基板側から赤色発光蛍光体領域22Rを形成すべき赤色発光蛍光体スラリーの部分に紫外線を照射し、赤色発光蛍光体スラリーを露光する。赤色発光蛍光体スラリーは基板側から徐々に硬化する。形成される赤色発光蛍光体領域22Rの厚さは、赤色発光蛍光体スラリーに対する紫外線の照射量により決定される。ここでは、例えば、赤色発光蛍光体スラリーに対する紫外線の照射時間を調整して、赤色発光蛍光体領域22Rの厚さを約8μmとした。その後、赤色発光蛍光体スラリーを現像することによって、所定の領域に赤色発光蛍光体領域22Rを形成することができる。以下、従来の緑色発光蛍光体粒子を分散させ、更に、重クロム酸アンモニウムを添加した緑色発光蛍光体スラリーに対して同様の処理を行うことによって緑色発光蛍光体領域22Gを形成し、更に、上述した[工程−100]〜[工程−120]にて得られた青色発光蛍光体粒子を分散させ、更に、重クロム酸アンモニウムを添加した青色発光蛍光体スラリーに対して同様の処理を行うことによって青色発光蛍光体領域22Bを形成する。蛍光体領域の形成方法は、以上に説明した方法に限定されず、例えば、スクリーン印刷法等により各蛍光体領域を形成してもよい。また、赤色発光蛍光体領域22R、緑色発光蛍光体領域22G及び青色発光蛍光体領域22Bの形成順序は、本質的に任意である。
その後、隔壁21の頂面上及び蛍光体領域22上に樹脂層28(屡々、中間膜とも呼ばれる)を形成する(図6の(C)参照)。具体的には、メタルマスク印刷法あるいはスクリーン印刷法、インクジェット印刷法に基づき、樹脂層28を形成することができる。尚、樹脂層28は、広義のワニスの一種で、セルロース誘導体、一般にニトロセルロースを主成分とした配合物を低級脂肪酸エステルのような揮発性溶剤に溶かしたもの、あるいは、他の合成高分子を用いたウレタンラッカー、アクリルラッカー、水溶性アクリルエマルジョンから構成されている。次に、樹脂層28を乾燥させる。即ち、基板20を乾燥炉内に搬入し、所定の温度にて乾燥させる。樹脂層28の乾燥温度は例えば50°C〜90°Cの範囲内とすることが好ましく、樹脂層28の乾燥時間は例えば数分〜数十分の範囲内とすることが好ましい。勿論、乾燥温度の高低に伴い、乾燥時間は減増する。
その後、表示領域を覆うアノード電極24を形成する(図7の(A)参照)。具体的には、各種真空蒸着法又はスパッタリング法により、隔壁21の頂面上及び蛍光体領域22の上に形成された樹脂層28を覆うように、アルミニウム(Al)から成るアノード電極24を形成する。形成されるアノード電極24の厚さを約0.3μmとした。
次いで、加熱処理を施すことで樹脂層28を除去する(図7の(B)参照)。具体的には、400゜C程度で樹脂層28を焼成する。この焼成処理により樹脂層28が燃焼して焼失し、アルミニウム(Al)から成るアノード電極24が蛍光体領域22上及び隔壁21上に残される。尚、樹脂層28の燃焼により生じたガスは、例えば、アノード電極24に生じる微細な孔を通じて外部に排出される。この孔は微細なため、アノード電極24の構造的な強度や画像表示特性に深刻な影響を及ぼすものではない。以上の工程によって、アノードパネルAPを完成することができる。
先ず、例えばガラス基板から成る支持体10の上に、例えばポリシリコンから成るカソード電極用導電材料層をプラズマCVD法にて成膜した後、リソグラフィ技術及びドライエッチング技術に基づきカソード電極用導電材料層をパターニングして、帯状のカソード電極11を形成する。その後、全面にSiO2から成る絶縁層12をCVD法にて形成する。
次に、絶縁層12上に、ゲート電極用導電材料層(例えば、TiN層)をスパッタリング法にて成膜し、次いで、ゲート電極用導電材料層をリソグラフィ技術及びドライエッチング技術にてパターニングすることによって、帯状のゲート電極13を得ることができる。帯状のカソード電極11は、図面の紙面左右方向に延び、帯状のゲート電極13は、図面の紙面垂直方向に延びている。
その後、再び、レジスト層を形成し、エッチングによってゲート電極13に第1開口部14Aを形成し、更に、絶縁層に第2開口部14Bを形成し、第2開口部14Bの底部にカソード電極11を露出させた後、レジスト層を除去する。こうして、図8の(A)に示す構造を得ることができる。
次に、支持体10を回転させながらゲート電極13上を含む絶縁層12上にニッケル(Ni)を斜め蒸着することにより、剥離層18を形成する(図8の(B)参照)。このとき、支持体10の法線に対する蒸着粒子の入射角を十分に大きく選択することにより(例えば、入射角65度〜85度)、第2開口部14Bの底部にニッケルを殆ど堆積させることなく、ゲート電極13及び絶縁層12の上に剥離層18を形成することができる。剥離層18は、第1開口部14Aの開口端から庇状に張り出しており、これによって第1開口部14Aが実質的に縮径される。
次に、全面に例えば導電材料としてモリブデン(Mo)を垂直蒸着する(入射角3度〜10度)。このとき、図9の(A)に示すように、剥離層18上でオーバーハング形状を有する導電部材層19が成長するに伴い、第1開口部14Aの実質的な直径が次第に縮小されるので、第2開口部14Bの底部において堆積に寄与する蒸着粒子は、次第に第1開口部14Aの中央付近を通過するものに限られるようになる。その結果、第2開口部14Bの底部には円錐形の堆積物が形成され、この円錐形の堆積物が電子放出部15となる。
その後、図9の(B)に示すように、リフトオフ法にて剥離層18をゲート電極13及び絶縁層12の表面から剥離し、ゲート電極13及び絶縁層12の上方の導電部材層19を選択的に除去する。こうして、複数のスピント型電界放出素子が形成されたカソードパネルCPを得ることができる。尚、その後、等方性エッチングを行うことにより、開口部14内において絶縁層12の側壁面を後退させて、ゲート電極13における第1開口部においてゲート電極13の端部を突出させることが好ましい。
そして、以上に説明した方法に基づき得られたアノードパネルAP及びカソードパネルCPを組み立てる。具体的には、アノードパネルAPに設けられたスペーサ保持部25にスペーサ26を取り付け、蛍光体領域22と電子放出領域EAとが対向するようにアノードパネルAPとカソードパネルCPとを配置し、アノードパネルAPとカソードパネルCP(より具体的には、基板20と支持体10)とを、セラミックスやガラスから作製された高さ約2mmの枠体から成る接合部材27を介して、外周部において接合する。接合に際しては、接合部材27とアノードパネルAPとの接合部位、及び、接合部材27とカソードパネルCPとの接合部位に接着層としてのフリットガラスを塗布し、予備焼成にてフリットガラスを乾燥した後、アノードパネルAPとカソードパネルCPと接合部材27とを貼り合わせ、約450゜Cで10〜30分の本焼成を行う。その後、アノードパネルAPとカソードパネルCPと接合部材27とによって囲まれた空間SPを、貫通孔(図示せず)及び排気管(図示せず)を通じて排気し、空間SPの圧力が10-4Pa程度に達した時点で排気管を加熱溶融により封じ切る。このようにして、アノードパネルAPとカソードパネルCPと接合部材27とに囲まれた空間SPを真空にすることができる。あるいは又、例えば、接合部材27とアノードパネルAPとカソードパネルCPとの貼り合わせを高真空雰囲気中で行ってもよい。あるいは又、表示装置の構造に依っては、枠体無しで、接着層のみによってアノードパネルAPとカソードパネルCPとを貼り合わせてもよい。その後、必要な外部回路との配線接続を行い、表示装置を完成させる。次に説明する実施例2においても同様の方法で表示装置を得ることができる。
Rf450 Rf650 Rf650/Rf450 Rf550
実施例1 36.8% 37.5% 1.02 39.5%
比較例1 65.1% 47.7% 0.73 54.1%
比較例2 73.6% 50.7% 0.69 58.4%
(A)蛍光体粒子本体、及び、
(B)蛍光体粒子本体の表面に形成された、クロム、チタン、バナジウム、マンガン、コバルト、ニッケル、銅、タングステン、パラジウム、白金及び金から成る群から選択されたいずれか1種類の金属から成る薄膜、具体的には、実施例2にあっては、クロム(Cr)から成る薄膜、
から構成されている。尚、薄膜を構成する金属は、蛍光体粒子本体に含まれる付活剤を構成する元素と異なっている。また、実施例2の表示装置において、蛍光体領域22を構成する蛍光体粒子は、
(A)蛍光体粒子本体、及び、
(B)蛍光体粒子本体の表面に形成された、クロム、チタン、バナジウム、マンガン、コバルト、ニッケル、銅、タングステン、パラジウム、白金及び金から成る群から選択されたいずれか1種類の金属から成る薄膜、具体的には、実施例2にあっては、上記の金属から成る薄膜、
から構成されている。ここで、薄膜の平均膜厚は15nmである。薄膜の膜厚をこのような値とすることによって、蛍光体粒子を確実に黒色に着色することができ、外光の反射を抑制することができ、しかも、薄膜を通過し、蛍光体粒子本体と衝突する電子の薄膜におけるエネルギー損失を抑制することができる。更には、薄膜の上には、平均厚さ0.3nmのSiOX膜が形成されている。尚、実施例2の蛍光体粒子の模式的な断面図は、図1に示したと同様である。
Rf450=38.8%
Rf650=42.2%
Rf650/Rf450=1.09
であった。また、基板20を通して波長550nmにて測定したアノードパネルAPの平均光反射率Rf550の値は
Rf550=46.6%
であった。
先ず、実施例1の[工程−100]と同様にして、蛍光体粒子本体に前処理を施す。
次いで、実施例1の[工程−110]と同様にして、スパッタリング法にて赤色及び青色を発光する蛍光体粒子本体の表面に薄膜を形成する。具体的には、以下の表4−1に示すスパッタリング条件にて厚さ5nmの薄膜を蛍光体粒子本体の表面に形成した後、表4−2に示すスパッタリング条件にて厚さ10nmの薄膜を更に形成する。また、緑色を発光する蛍光体粒子本体の表面に、表4−2に示すスパッタリング条件にて厚さ1.5nmの薄膜を形成する。
ターゲット :クロム(Cr)
プロセスガス :Ar/N2/O2=20/8/0.1(体積比)
スパッタリング電力:500W
T−S間距離 :75ミリメートル
[表4−2]
ターゲット :クロム(Cr)
プロセスガス :Ar/O2=10/0.2(体積比)
スパッタリング電力:500W
T−S間距離 :75ミリメートル
その後、実施例1の[工程−120]と同様にして、薄膜の上にSiOX膜を形成する。
(A)蛍光体粒子本体、及び、
(B)蛍光体粒子本体の表面に形成された、炭化ケイ素、炭化チタン及び炭化タングステンから成る群から選択されたいずれか1種類の炭化物から成る薄膜、具体的には、実施例3にあっては、カーボン分を80モル%含有する炭化ケイ素(SiC)から成る薄膜、
から構成されている。また、実施例3の表示装置において、蛍光体領域22を構成する蛍光体粒子は、
(A)蛍光体粒子本体、及び、
(B)蛍光体粒子本体の表面に形成された、炭化ケイ素、炭化チタン及び炭化タングステンから成る群から選択されたいずれか1種類の炭化物から成る薄膜、具体的には、実施例3にあっては、上記の炭化物から成る薄膜、
から構成されている。ここで、薄膜の平均膜厚は10nmである。薄膜の膜厚をこのような値とすることによって、蛍光体粒子を確実にやや褐色を帯びた黒色に着色することができ、外光の反射を抑制することができ、しかも、薄膜を通過し、蛍光体粒子本体と衝突する電子の薄膜におけるエネルギー損失を抑制することができる。更には、薄膜の上には、平均厚さ0.3nmのSiOX膜が形成されている。尚、実施例3の蛍光体粒子の模式的な断面図は、図1に示したと同様である。
Rf450=35.2%
Rf650=36.0%
Rf650/Rf450=1.02
であった。また、基板20を通して波長550nmにて測定したアノードパネルAPの平均光反射率Rf550の値は
Rf550=38.2%
であった。
先ず、実施例1の[工程−100]と同様にして、蛍光体粒子本体に前処理を施す。
次いで、実施例1の[工程−110]と同様にして、スパッタリング法にて蛍光体粒子本体の表面に薄膜を形成する。具体的には、以下のスパッタリング条件にて薄膜を蛍光体粒子本体の表面に形成する。
ターゲット :SiC(カーボン含有率80モル%)
プロセスガス :Ar=100%(体積比)
スパッタリング電力:500W
T−S間距離 :75ミリメートル
その後、実施例1の[工程−120]と同様にして、薄膜の上にSiOX膜を形成する。
Claims (25)
- (A)蛍光体粒子本体、及び、
(B)蛍光体粒子本体の表面に形成された、窒化クロム、窒化チタン、窒化タングステン及び窒化ホウ素から成る群から選択されたいずれか1種類の窒化物から成る薄膜、
から構成されている蛍光体粒子。 - (A)蛍光体粒子本体、及び、
(B)蛍光体粒子本体の表面に形成された、クロム、チタン、バナジウム、マンガン、コバルト、ニッケル、銅、タングステン、パラジウム、白金及び金から成る群から選択されたいずれか1種類の金属から成る薄膜、
から構成されている蛍光体粒子。 - (A)蛍光体粒子本体、及び、
(B)蛍光体粒子本体の表面に形成された、炭化ケイ素、炭化チタン及び炭化タングステンから成る群から選択されたいずれか1種類の炭化物から成る薄膜、
から構成されている蛍光体粒子。 - (A)波長550nmにて測定した光反射率が98%以下である蛍光体粒子本体、及び、
(B)蛍光体粒子本体の表面に形成された薄膜、
から構成されている蛍光体粒子。 - (A)蛍光体粒子本体、及び、
(B)蛍光体粒子本体の表面に形成された薄膜、
から構成されており、
薄膜を構成する材料の波長550nmにて測定した光反射率が、薄膜の膜厚を10nmとして測定したとき、85%以下である蛍光体粒子。 - 赤色又は青色を発光する請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の蛍光体粒子。
- 薄膜の平均膜厚は、2×10-9m乃至5×10-8mである請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の蛍光体粒子。
- 薄膜上にはSiOX膜が形成されている請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の蛍光体粒子。
- 波長550nmにて測定した平均光反射率が80%以下である請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の蛍光体粒子。
- 波長550nmにて測定した平均光反射率が80%以下である蛍光体粒子。
- 赤色又は青色を発光する請求項10に記載の蛍光体粒子。
- 基板上に蛍光体領域及びアノード電極が設けられたアノードパネルと、支持体上に2次元マトリクス状に配列された電子放出領域を備えたカソードパネルとが、外周部で接合されて成り、カソードパネルとアノードパネルとによって挟まれた空間が真空に保持されており、
蛍光体領域を構成する蛍光体粒子は、
(A)蛍光体粒子本体、及び、
(B)蛍光体粒子本体の表面に形成された、窒化クロム、窒化チタン、窒化タングステン及び窒化ホウ素から成る群から選択されたいずれか1種類の窒化物から成る薄膜、
から構成されている平面型表示装置。 - 基板上に蛍光体領域及びアノード電極が設けられたアノードパネルと、支持体上に2次元マトリクス状に配列された電子放出領域を備えたカソードパネルとが、外周部で接合されて成り、カソードパネルとアノードパネルとによって挟まれた空間が真空に保持されており、
蛍光体領域を構成する蛍光体粒子は、
(A)蛍光体粒子本体、及び、
(B)蛍光体粒子本体の表面に形成された、クロム、チタン、バナジウム、マンガン、コバルト、ニッケル、銅、タングステン、パラジウム、白金及び金から成る群から選択されたいずれか1種類の金属から成る薄膜、
から構成されている平面型表示装置。 - 基板上に蛍光体領域及びアノード電極が設けられたアノードパネルと、支持体上に2次元マトリクス状に配列された電子放出領域を備えたカソードパネルとが、外周部で接合されて成り、カソードパネルとアノードパネルとによって挟まれた空間が真空に保持されており、
蛍光体領域を構成する蛍光体粒子は、
(A)蛍光体粒子本体、及び、
(B)蛍光体粒子本体の表面に形成された、炭化ケイ素、炭化チタン及び炭化タングステンから成る群から選択されたいずれか1種類の炭化物から成る薄膜、
から構成されている平面型表示装置。 - 基板上に蛍光体領域及びアノード電極が設けられたアノードパネルと、支持体上に2次元マトリクス状に配列された電子放出領域を備えたカソードパネルとが、外周部で接合されて成り、カソードパネルとアノードパネルとによって挟まれた空間が真空に保持されており、
蛍光体領域を構成する蛍光体粒子は、
(A)波長550nmにて測定した光反射率が98%以下である蛍光体粒子本体、及び、
(B)蛍光体粒子本体の表面に形成された薄膜、
から構成されている平面型表示装置。 - 基板上に蛍光体領域及びアノード電極が設けられたアノードパネルと、支持体上に2次元マトリクス状に配列された電子放出領域を備えたカソードパネルとが、外周部で接合されて成り、カソードパネルとアノードパネルとによって挟まれた空間が真空に保持されており、
蛍光体領域を構成する蛍光体粒子は、
(A)蛍光体粒子本体、及び、
(B)蛍光体粒子本体の表面に形成された薄膜、
から構成されており、
薄膜を構成する材料の波長550nmにて測定した光反射率が、薄膜の膜厚を10nmとして測定したとき、85%以下である平面型表示装置。 - 基板を通して波長450nm及び650nmにて測定したアノードパネルの平均光反射率のそれぞれの値をRf450及びRf650としたとき、
0.8≦Rf650/Rf450≦1.2
を満足する請求項12乃至請求項16のいずれか1項に記載の平面型表示装置。 - 蛍光体粒子は、赤色を発光する請求項12乃至請求項16のいずれか1項に記載の平面型表示装置。
- 蛍光体粒子は、青色を発光する請求項12乃至請求項16のいずれか1項に記載の平面型表示装置。
- 薄膜の平均膜厚は、2×10-9m乃至5×10-8mである請求項12乃至請求項16のいずれか1項に記載の平面型表示装置。
- 薄膜上にはSiOX膜が形成されている請求項12乃至請求項16のいずれか1項に記載の平面型表示装置。
- 基板上に蛍光体領域及びアノード電極が設けられたアノードパネルと、支持体上に2次元マトリクス状に配列された電子放出領域を備えたカソードパネルとが、外周部で接合されて成り、カソードパネルとアノードパネルとによって挟まれた空間が真空に保持されており、
基板を通して波長450nm及び650nmにて測定したアノードパネルの平均光反射率のそれぞれの値をRf450及びRf650としたとき、
0.8≦Rf650/Rf450≦1.2
を満足する平面型表示装置。 - 基板上に蛍光体領域及びアノード電極が設けられたアノードパネルと、支持体上に2次元マトリクス状に配列された電子放出領域を備えたカソードパネルとが、外周部で接合されて成り、カソードパネルとアノードパネルとによって挟まれた空間が真空に保持されており、
基板を通して波長550nmにて測定したアノードパネルの平均光反射率が50%以下である平面型表示装置。 - 蛍光体領域は、赤色を発光する請求項22又は請求項23に記載の平面型表示装置。
- 蛍光体領域は、青色を発光する請求項22又は請求項23に記載の平面型表示装置。
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