KR20070047075A - 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막 - Google Patents

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KR20070047075A
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정진희
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    • H01J11/20—Constructional details
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems

Abstract

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막에 관한 것이다.
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 상판 유전체를 보호하는 보호막에 있어서, 상기 상판 유전체 상에 형성된 제 1 보호막; 및 상기 제 1 보호막 상에 형성되고, 상기 제 1 보호막을 이루는 입자보다 균일한 크기를 갖는 입자로 이루어지는 제 2 보호막을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 보호막을 제공한다.
따라서, 본 발명에 의하면 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막을 이루는 MgO 입자의 평균 직경이 고르며, 플라즈마 디스플레이 패널의 방전 개시 전압을 낮추고 콘트라스트를 향상시킬 수 있다.
PDP, 방전 개시 전압, MgO, 2차 전자 방출 계수

Description

플라즈마 디스플레이 패널의 보호막{Protect layer of plasma display panel}
도 1은 본 발명에 따른 보호막을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 방전셀 구조를 나타낸 사시도.
도 2는 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막의 단면도.
도 3은 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 다른 실시예의 단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10 : PDP 하판 20 : 하판 유리
30 : 어드레스 전극 35 : 하판 유전체
40 : 격벽 45 : 형광체
60 : PDP 상판 70 : 상판 유리
75 : 상판 유전체 80 : 보호막
90 : 서스테인 전극 90a : 투명 전극
90b : 버스 전극 210 : 제 1 보호막
220 : 제 2 보호막 345 : 격벽
380 :제 1 보호막 385 : 제 2 보호막
본 발명은 멀티 미디어 시대의 새로운 화상 표시 장치 중의 하나인 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, 이하 'PDP'라 함)에 관한 것으로, 구체적으로는 플라즈마 디스플레이 패널의 상부 기판에 형성되는 보호막에 관한 것이다.
멀티 미디어 시대의 도래와 함께 더 세밀하고, 더 크고, 더욱 자연색에 가까운 색을 표현해줄 수 있는 디스플레이 장치의 등장이 요구되고 있다. 그런데, 40인치 이상의 큰 화면을 구성하기에는 현재의 CRT(Cathode Ray Tube) 구조나 LCD(Liquid Crystal Display) 방식으로는 한계가 있어서, 평판표시장치 중 PDP가 각광받고 있으며 고화질 영상의 분야로 용도확대를 위해 고정세화와 대화면화가 급속도로 발전하고 있다.
PDP는 자체 발광형인 CRT와 비교하여 10cm 이하로 얇게 제작될 수 있고, 평면의 대화면(60~80inch)제작이 손쉬울 뿐 아니라 스타일(style)이나 디자인(design)면에서 종래 CRT와는 명확히 구별이 된다. PDP는 얇고 가벼우며, 자체 발광형으로 박진감, 현장감 있는 화상 구현이 가능하고, 구조가 간단하며 대화면 평면 디스플레이(display)를 쉽게 제작할 수 있어, 일찍부터 HDTV(High Definition Television)의 적격 판정을 받아왔다.
PDP는 격벽으로 정의되는 방전셀 내에 형광체를 가지고 있으며, 그 형광체의 하부 각각에 어드레스 전극을 구비하는 하판과, 상기 하판의 어드레스 전극에 대향하는 서스테인 전극을 구비하는 상판으로 구성된다. 상기 상판과 하판 사이에 방전 공간을 두어 상기 공간 내에서 방전을 일으키며, 이 때 발생된 자외선이 형광체에 입사되어 발생한 빛으로 화면이 표시된다.
상기 플라즈마 디스플레이 패널의 방전시에 (+) 이온의 충격 때문에 상판에 구비된 유전체가 닳아 없어지고, 이 때 Na 등의 금속 물질이 전극을 단락(short)시키기도 한다. 따라서, 보호막으로 MgO 박막을 코팅하여 상기 유전체를 보호하는데, MgO는 (+) 이온의 충격에 잘 견디며, 2차 전자 방출 계수가 높으므로 방전 개시전압을 낮추는 효과를 갖는다.
그러나, 상술한 종래의 보호막은 다음과 같은 문제점이 있다.
첫째, 보호막을 이루는 MgO 입자의 평균 직경에 따라서 기공이 많이 발생하고, 밀도가 낮아지며, 결정이 충분히 성장하지 않는다.
둘째, 보호막에서 MgO 입자의 평균 직경이 부적당하면, 보호막의 표면에 수분 등의 불순물 가스(gas)가 다수 부착되어 플라즈마 디스플레이 패널의 방전에 장애가 되고 콘트라스트가 저하되며, 방전 개시 전압이 높아져서 회로 구성이 복잡해지고 비용이 증가한다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 MgO 입자의 평균 직경이 고른 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은, 플라즈마 디스플레이 패널의 방전 개시 전압을 낮추고, 콘트라스트가 향상된 플라즈마 디스플레이 패널을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 상판 유전체를 보호하는 보호막에 있어서, 상기 상판 유전체 상에 형성된 제 1 보호막; 및 상기 제 1 보호막 상에 형성되고, 상기 제 1 보호막을 이루는 입자보다 균일한 크기를 갖는 입자로 이루어지는 제 2 보호막을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 보호막을 제공한다.
본 발명은 상판 유리, 서스테인 전극쌍 및 상판 유전체를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 상부 기판을 제조하는 방법에 있어서, 상기 상판 유전체 상에 제 1 보호막을 형성하는 단계; 및 상기 제 1 보호막 상에, 상기 제 1 보호막을 이루는 입자보다 균일한 크기를 갖는 입자로 이루어지는 제 2 보호막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널의 상판 제조방법을 제공한다.
상기 제 1 보호막은, 단결정의 MgO 또는 다결정의 MgO 중 적어도 하나를 포함하여 이루어지는 것이 바람직하다.
상기 제 2 보호막을 이루는 입자는, 단결정의 MgO를 분쇄하여 만든 물질을 재료로 하여 형성된 것이 바람직하다.
상기 제 2 보호막을 이루는 입자는, 직경이 10㎛(마이크로 미터) 이하인 것이 바람직하다.
상기 제 2 보호막은, 두께가 50 nm(나노 미터) 내지 200 nm 인 것이 바람직하다.
상기 제 2 보호막은, 두께가 상기 제 1 보호막보다 얇은 것이 바람직하다.
상기 제 1 보호막은, 두께가 600 nm 내지 750 nm 인 것이 바람직하다.
상기 제 2 보호막은, Al(알루미늄), B(붕소), Ba(바륨), Si(실리콘), P(인), Ga(갈륨), Ge(게르마늄), Sc(스칸듐), 및 Y(이트륨) 중 적어도 하나를 포함하여 이루어지는 것이 바람직하다.
상기 제 2 보호막 내에서, 상기 Al, B, Ba, Si, P, Ga, Ge, Sc 및 Y의 농도는 5000 ppm(parts per million) 이하인 것이 바람직하다.
상기 제 2 보호막은, 액상법, 스퍼터링법, 이온도금법, 졸-겔법, 전자빔법, 및 기상산화법 중 하나로 형성된 것이 바람직하다.
상기 제 2 보호막은, 격벽과 접하는 부분의 두께가, 상기 격벽에 접하지 않은 격벽의 두께보다 두꺼운 것이 바람직하다.
이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다. 종래와 동일한 구성 요소는 설명의 편의상 동일 명칭 및 동일 부호를 부여하며 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 1은 본 발명에 따른 보호막을 포함하는 PDP의 방전셀구조를 나타낸 사시도이다. 도 1을 참조하여, 본 발명에 따른 보호막을 포함하는 PDP의 방전셀구조를 설명하면 다음과 같다.
3전극 교류 면방전형 PDP는 하판 유리(20) 상의 일부에 어드레스 전극(30)이 구비되고,상기 하판 유리(20)와 어드레스 전극(30) 상에 하판 유전체(35)가 구비된다. 상기 하판 유전체(35) 상의 일부에는 격벽(40)이 형성되는데, 상기 격벽(40)에 의해 이웃한 방전셀이 분리되며, 상기 격벽(40)의 측면 및 상기 하판유전체(35) 상 에는 형광체(45)가 구비된다.
이상이 PDP 하판(10)의 구조이며, 이하에서 PDP 상판(60)의 구조를 설명한다.
상판 유리(70) 상에 상기 어드레스 전극(30)과 교차되도록 일정한 간격을 두고 서스테인 전극쌍(90)이 구비되는데, 투명 전극(90a)은 도전율이 낮아 버스 전극(90b)이 추가로 구비되어 상기 서스테인 전극쌍(Y,Z)의 저항을 줄이게 된다. 상기 상판 유리(70)와 서스테인 전극쌍(90) 상에는 상판 유전체(75)가 구비되고, 상기 상판 유전체(75) 상에 보호막(80)이 구비되는데, 상기 보호막(80)은 후술하는 바와 같이 2개의 층으로 구분된다.
상기 PDP 하판(10)과 상기 PDP 상판(60)이 마주보도록 접합되어 PDP 방전셀을 형성하는데, 상기 각각의 서스테인 전극(90)의 사이 간격 또는 상기 격벽(40)의 상부에 블랙 매트릭스(Black Matrix) 또는 블랙 탑(black top)이 구비되어, PDP에 유입되는 외부광이 패널에 반사되는 것을 흡수하는 역할을 한다. 이 때, PDP 상판(60)과 하판(10) 및 격벽(40)으로 정의되는 방전셀 내에는 방전가스가 주입되는데, 상기 방전가스는 불활성기체로서 He+Xe 또는 Ne+Xe 또는 He+Ne+Xe 가스 등이 주입된다.
도 2는 상기 보호막(80)의 단면도이다. 도 2를 참조하여 본 발명에 따른 PDP의 보호막을 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
본 발명에 따른 보호막은 상판 유전체의 상에 형성된 제 1 보호막(210) 및 상기 제 1 보호막 상에 형성된 제 2 보호막을 포함하여 이루어진다(220). 상기 보 호막(210, 220)은 MgO(산화 마그네슘)를 포함하여 이루어지는데, 상기 MgO는 얇은 막 형태로 형성되어, 플라즈마 방전시에 상판 유전체를 보호하여 플라즈마 디스플레이 패널의 수명을 보장하고, 상기 플라즈마에서 이온이 입사하면 상기 보호막(210, 220) 표면으로부터 이차전자가 방출되어 보다 낮은 전압에서 방전이 일어날 수 있도록 한다.
본 발명에 따른 PDP 보호막은 MgO 입자의 직경이 균일하여 기공이 적고 입자의 밀도가 높아, 보호막 표면에 불순물 가스(gas)의 부착을 방지하여 방전 개시 전압을 낮추는데 목적이 있는데, 상술한 특성은 플라즈마 가스와 직접 접하는 상기 제 2 보호막(220)의 조성 등에 특히 좌우될 것이다.
따라서 본 발명에 따른 보호막은 종래와 유사한 특성을 갖는 제 1 보호막(210)과 본 발명에서 이루고자 하는 과제를 달성하기 위한 특성을 갖는 제 2 보호막(220)으로 이루어지는 것이 바람직하다. 종래 보호막의 두께는 약 500 nm(나노 미터)에서 800 nm인데, 본 발명에서는 상기 제 2 보호막(220)의 두께가 50 nm 내지 200nm 이고, 상기 제 1 보호막(210)의 두께는 약 300 nm 내지 750 nm이다. 상기 보호막의 전기적 특성은 플라즈마 가스와 접하는 상기 제 2 보호막(220)에 의하며 결정되며, 상기 제 2 보호막(220)의 전기적 특성은 플라즈마 가스와 접하는 표면에서 결정되는데, 사용 시간이 길어짐에 따라 표면의 MgO가 스퍼터(sputter)되어 다른 곳으로 흡착될 수 있으므로 PDP의 수명을 감안하여 50 nm 이상이고 200 nm 이하이면 충분하다.
PDP의 보호막 전체를 종래와는 다른 방법으로 제조하면, 공정의 어려움 및 제조비용의 증가 등이 예상되므로, 본 발명에서는 보호막을 2개의 층으로 구분하여, 방전 특성 등에 직접적인 영향을 미치는 제 2 보호막(220)의 조성 등을 종래의 기술과 달리한다.
즉, 상기 제 1 보호막(210)은 종래의 보호막의 조성과 유사하여 단결정의 MgO 또는 다결정의 MgO 중 적어도 하나를 포함하여 이루어져야 하며, 상기 제 2 보호막(220)은 단결정의 MgO를 분쇄하여 만들 물질을 재료로 하여 형성되는 것이 바람직하다. 구체적으로 상기 제 2 보호막(220)을 이루는 입자는 단결정의 MgO를 분쇄한 후, 프레스(press) 성형한 후 소결하여 제조된다. 또한, 상기 제 1 보호막(210)을 이루는 입자의 직경이 반드시 균일한 필요는 없으나, 상기 제 2 보호막(220)을 이루는 MgO 단결정 등 입자의 직경은 상기 제 1 보호막을 이루는 입자보다는 균일하여, 기공이 적고 밀도가 높아서 보호막 표면에 불순물 가스(gas)의 부착을 방지하여 방전 개시 전압을 낮출 수 있음이 바람직하다. 단, 상기 MgO 단결정 등의 직경이 작아질수록 기공이 적고 밀도는 증가하나 공정의 어려움과 비용의 증가가 예상되므로, 상기 MgO 단결정의 직경은 10㎛(마이크로 미터) 이하인 것이 바람직하다.
상기 제 2 보호막(220)에는 Al(알루미늄), B(붕소), Ba(바륨), Si(실리콘), P(인), Ga(갈륨), Ge(게르마늄), Sc(스칸듐), 및 Y(이트륨) 중 적어도 하나의 원소를 첨가하여, 기공을 줄이고 밀도를 높여서 MgO 박막의 표면에 불순물이 부착되는 것을 방지하여 방전 개시 전압을 낮추는 것이 바람직하다. 상기 제 2 보호막(220) 내에서 상기 Al, B, Ba, Si, P, Ga, Ge, Sc 및 Y 의 농도는 5000 ppm(parts per million) 이하인 것이 바람직하며 더욱 바람직하게는 300 내지 500 ppm 이어야 한다. 또한, 상기 원소들은 Al2O3, B2O3, SiO2, P2O5, Ga2O3, GeO2, Sc2O3 및 Y2O3 등의 산화물의 분체로 첨가되고, 상기 제 2 보호막(220) 내에서 MgO 단결정 등과 균일하게 혼합됨이 바람직하다. 구체적으로, 상기 Al2O3 등을 분쇄하여 MgO 단결정을 분쇄한 분말에 혼합하고, 프레스 성형한 것을 소결하여 상기 제2 보호막(220)을 형성할 수 있다.
상기 제 2 보호막(220)은 상판 유전체의 하부에 구비된 제 1 보호막(210)의 하부에 증착되는데, 그 증착 방법으로는 액상법, 스퍼터링(sputtering)법, 이온도금(ion-plating)법, 전자빔(E-Beam)법 및 기상산화법(Vapor Phase Oxidation) 등이 있다.
상기 액상법에는 졸-겔(sol-gel)법, 에멀젼(emulsion)법 등이 있으며, 상기 졸-겔법을 이용하여 금속 알콕사이드 M(OR)n의 가수분해-축합반응을 이용해서 저온에서 상기 제 2 보호막(220)을 형성할 수 있으며, 이 때 M으로는 Cu, Al, Si, Ti, Ge, V, W, Y, Sn, In, Sb 등의 금속이나 반금속이 사용되며, R로는 메틸, 에틸, 프로필, 부틸기 등이 사용된다.
상기 스퍼터링법은 1852년 Grove에 의하여 처음 발견된 스퍼터링 현상을 이용하며, 현재는 여러 가지 박막의 형성에 광범위하게 사용되어지고 있다. 상기 스퍼터링법을 이용하여 높은 에너지(> 30 eV)를 가진 입자들을 타겟(target)에 충돌하여 타겟 원자들에게 에너지를 전달해줌으로써 타겟 원자들이 방출되어 상기 제 2 보호막(220)을 형성할 수 있다. 만일 충돌하는 입자들이 양의 이온(positive -ion)이라면 캐소드 스퍼터링(cathodic sputtering)이라고 부르는데, 대부분의 스퍼터링은 캐소드 스퍼터링이다. 보통 스퍼터링에는 양의 이온이 많이 사용되는데, 그 이유는 양의 이온은 전장(electric field)을 인가해 줌으로써 가속하기가 쉽고 또한 타겟에 충돌하기 직전 타겟에서 방출되는 전자에 의하여 중성화되어 중성 원자로 타겟에 충돌하기 때문이다
상기 이온도금법은 진공증착법과 스퍼터링이 복합된 경우를 나타내는 일반적인 명칭으로, 고도로 감압된 진공 속에서 높은 전압이 걸려 생기는 글로우 방전에 의해 플라즈마를 형성하고, 기화된 원자들의 일부가 이온화하는 것을 이용하여 상기 제 2 보호막(220)을 형성한다.
상기 전자빔법은 MgO 단결정 등을 고온으로 가열하여 물리적인 에너지를 이용하여 상기 제 2 보호막(22)을 형성하는 방법이다.
상기 기상산화법(Vapor Phase Oxidation)은 마그네슘을 가열하여 발생하는 증기에 의해 단결정 산화 마그네슘을 형성하는 방법이다.
도 3은 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 다른 실시예의 단면도이다. 도 3을 참조하여, 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 다른 실시예를 설명하면 다음과 같다.
본 실시예의 기본적인 구성은 도 1을 참조하여 설명한 PDP의 방전셀 구조와 기본적으로 동일하다. 그러나, 본 실시예에서 제 2 보호막(385)는 격벽(345)과 접하는 부분의 두께가 다른 부분에 비하여 두껍게 형성되어 있다. 즉, 플라즈마 디스 플레이 패널의 방전시에 플라즈마 기체의 이온 등이 상기 격벽(345)과 접하는 제 2 보호막(385)에 빈번하게 접촉할 것이므로, 상기 접촉 부분의 보호막을 두껍게 구비하고 있다. 본 실시예에서도 보호막을 제 1 보호막(380)와 제 2 보호막(385)로 나누어 구비하고 있으며, 상기 제 1 보호막(380)의 두께는 일정하나 상기 제 2 보호막(385)의 두께만이 일정하지 않다.
본 실시예는 도 1을 참조하여 상술한 PDP 방전셀 구조와 동일하므로, 상기 제 2 보호막(385)은 상기 제 1 보호막(380)을 이루는 입자보다 직경이 균일한 입자로 이루어지고, 상기 제 1 보호막(380)은 단결정의 MgO 또는 다결정의 MgO 중 적어도 하나를 포함하여 이루어지며, 상기 제 2 보호막(385)은 단결정의 MgO를 분쇄하여 만든 물질을 재료로 하여 형성된 것이 바람직하다. 또한, 상기 제 2 보호막(385)은 상기 격벽(345)과 접하지 않는 부분에서의 두께가 50 nm(나노 미터) 내지 200 nm 인 것이 바람직하다. 상기 Al 등의 첨가량을 일정하게 제한하여, 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막의 2차 전자 방출 계수 또는 막 저항 등 전기적 특성을 조정할 수 있다. 따라서, 상술한 특성의 보호막을 구비한 플라즈마 디스플레이 패널의 방전 개시 전압을 낮출 수 있고, 싱글 스캔(single scan)이 가능하여 구동 회로의 비용을 절감하는 것이 가능하다. 또한, 상기 제 2 보호막(385)은 Al, B, Ba, Si, P, Ga, Ge, Sc, 및 Y 중 적어도 하나의 원소를 포함하여 이루어지고, 상술한 원소들은 산화물의 형태로 첨가됨이 바람직하여, 그 농도는 5000 ppm 이하이고, 바람직하게는 300 내지 500 nm 이어야 한다. 또한, 상기 제 2 보호막(385)은 액상법, 스퍼터링법, 이온도금법, 전자빔, 졸-겔법 및 기상산화법 중 하나로 형성되는 것이 바람직하다.
본 실시예에서 플라즈마 디스플레이 패널의 방전시에 기체의 이온 등이 상대적으로 빈번하게 충돌하는 부분, 즉 격벽과 접하는 부분의 제 2 보호막(385)이 상대적으로 두껍게 형성되어 있어 표면의 MgO가 스퍼터(sputter)되어 다른 곳으로 흡착되는 횟수가 증가하여도 상기 제 2 보호막(385)이 완전히 닳지 않는다.
본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 상판을 제조하는 방법은, 종래의 방법으로 형성된 상판 유리와 상기 상판 유리 상에 형성된 서스테인 전극쌍 및 상판 유전체를 포함하여 이루어진 PDP 상판에 제 1 보호막을 형성하고, 상기 제 1 보호막의 하부에 제 2 보호막을 형성하는데, 바람직하게는 액상법, 졸-겔법, 스퍼터링법, 이온도금법, 전자빔법 및 기상산화법 중 하나를 사용하여 형성한다. 상기 제 2 보호막을 형성하는 단계는, 상기 제 2 보호막의 격벽과 접하는 부분의 두께가, 격벽에 접하지 않은 격벽의 두께보다 두껍게 형성함이 바람직하다. 상술한 제 1 보호막 및 제 2 보호막의 특성은 상술한 실시예와 동일하다.
상술한 보호막을 포함한 플라즈마 디스플레이 패널의 상판은, 구동 전압이 인가되면 보호막을 이루는 입자의 직경이 작을수록 상기 입자 간의 결합 에너지가 작으므로, 상기 입자들은 큰 에너지를 가지고 승화하게 된다. 따라서 입자의 평균 직경이 작을수록, 기판 상에서 상기 입자의 에너지가 커지기 때문에 결정의 성장이 촉진되어 보호막의 표면에 수분 등의 불순물 가스의 부착이 감소하고, 상기 플라즈마 디스플레이 패널 내에서의 방전에 장애가 줄어들어서 방전 개시 전압이 감소하고 콘트라스트가 높아지게 된다.
본 발명은 상술한 실시예에 한정되지 않으며, 첨부된 청구범위에서 알 수 있는 바와 같이 본 발명이 속한 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 변형이 가능하도 이러한 변형은 본 발명의 범위에 속한다.
상기에서 설명한 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막의 효과를 설명하면 다음과 같다.
첫째, 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막을 이루는 MgO 입자의 평균 직경이 고르다.
둘째, 플라즈마 디스플레이 패널의 방전 개시 전압을 낮추고 콘트라스트를 향상시킬 수 있다.

Claims (22)

  1. 플라즈마 디스플레이 패널의 상판 유전체를 보호하는 보호막에 있어서,
    상기 상판 유전체 상에 형성된 제 1 보호막; 및
    상기 제 1 보호막 상에 형성되고, 상기 제 1 보호막을 이루는 입자보다 균일한 크기를 갖는 입자로 이루어지는 제 2 보호막을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 보호막.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 보호막은,
    단결정의 MgO 또는 다결정의 MgO 중 적어도 하나를 포함하여 이루어지는 보호막.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 보호막을 이루는 입자는,
    단결정의 MgO를 분쇄하여 만든 물질을 재료로 하여 형성된 것을 특징으로 하는 보호막.
  4. 제 1 또는 제 3 항에 있어서, 상기 제 2 보호막을 이루는 입자는,
    직경이 10㎛(마이크로 미터) 이하인 것을 특징으로 하는 보호막.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 보호막은,
    두께가 50 nm(나노 미터) 내지 200 nm 인 것을 특징으로 하는 보호막.
  6. 제 1 항에 있어서,상기 제 2 보호막은,
    두께가 상기 제 1 보호막보다 얇은 것을 특징으로 하는 보호막.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 보호막은,
    두께가 300 nm 내지 750 nm 인 것을 특징으로 하는 보호막.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 보호막은,
    Al(알루미늄), B(붕소), Ba(바륨), Si(실리콘), P(인), Ga(갈륨), Ge(게르마늄), Sc(스칸듐), 및 Y(이트륨) 중 적어도 하나를 포함하여 이루어지는 보호막.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 2 보호막 내에서, 상기 Al, B, Ba, Si, P, Ga, Ge, Sc 및 Y의 농도는 5000 ppm(parts per million) 이하인 것을 특징으로 하는 보호막.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 보호막은,
    액상법, 스퍼터링법, 이온도금법, 졸-겔법, 전자빔법, 및 기상산화법 중 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 보호막.
  11. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 보호막은,
    격벽과 접하는 부분의 두께가, 상기 격벽에 접하지 않은 격벽의 두께보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 보호막.
  12. 상판 유리, 서스테인 전극쌍 및 상판 유전체를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 상부 기판을 제조하는 방법에 있어서,
    상기 상판 유전체 상에 제 1 보호막을 형성하는 단계; 및
    상기 제 1 보호막 상에, 상기 제 1 보호막을 이루는 입자보다 균일한 크기를 갖는 입자로 이루어지는 제 2 보호막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널의 상판 제조방법.
  13. 제 12 항에 있어서, 상기 제 1 보호막은,
    단결정의 MgO 또는 다결정의 MgO 중 적어도 하나를 포함하여 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널의 상판 제조방법.
  14. 제 12 항에 있어서, 상기 제 2 보호막을 이루는 입자는,
    단결정의 MgO를 분쇄하여 만든 물질을 재료로 하여 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 상판 제조방법.
  15. 제 12 항 또는 제14항에 있어서, 상기 제 2 보호막을 이루는 입자는,
    직경이 10㎛(마이크로 미터) 이하인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 상판 제조방법.
  16. 제 12 항에 있어서, 상기 제 2 보호막은,
    두께가 50 nm(나노 미터) 내지 200 nm 인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 상판 제조방법.
  17. 제 12 항에 있어서, 상기 제 2 보호막은,
    두께가 상기 제 1 보호막보다 얇은 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 상판 제조방법.
  18. 제 12 항에 있어서, 상기 제 1 보호막은,
    두께가 300nm 내지 750 nm 인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 상판 제조방법.
  19. 제 12 항에 있어서, 상기 제 2 보호막은,
    Al(알루미늄), B(붕소), Ba(바륨), Si(실리콘), P(인), Ga(갈륨), Ge(게르마늄), Sc(스칸듐), 및 Y(이트륨) 중 적어도 하나를 포함하여 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널의 상판 제조방법.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 제 2 보호막 내에서, 상기 Al, B, Ba, Si, P, Ga, Ge, Sc 및 Y의 농도는 5000 ppm(parts per million) 이하인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 상판 제조방법.
  21. 제12항에 있어서, 상기 제 2 보호막을 형성하는 단계는,
    액상법, 졸-겔법, 스퍼터링법, 이온도금법, 전자빔법 및 기상상화법 중 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 상판 제조 방법.
  22. 제 12 항에 있어서, 상기 제 2 보호막은,
    격벽과 접하는 부분의 두께가, 상기 격벽에 접하지 않은 격벽의 두께보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 보호막.
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